JPH06308500A - 強誘電性液晶表示素子 - Google Patents
強誘電性液晶表示素子Info
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 互いに対向する上側および下側基板と、上側
基板上に行方向に所定間隔をあけて平行配列された複数
の上側帯状電極と、下側基板上に列方向に所定間隔をあ
けて平行配列された複数の下側帯状電極と、上側および
下側基板にそれぞれ上側および下側帯状電極を覆うよう
に形成された配向膜と、上側基板の上側帯状電極の各間
隔部分に上側帯状電極に平行に立設され上側および下側
基板との間隔を規制するための帯状の壁部材と、上側基
板の上側帯状電極および下側基板の下側帯状電極上に互
いに電極間の間隙に対応する領域に形成される導電性の
金属薄膜と、上側および下側基板の間隙に封入された強
誘電性液晶を備える。 【効果】 液晶セルの上下基板が複数の壁部材で接続さ
れてセルの剛性が向上すると共に、液晶が壁部材で細か
く仕切られるので、液晶表示素子の耐衝撃性が向上す
る。
基板上に行方向に所定間隔をあけて平行配列された複数
の上側帯状電極と、下側基板上に列方向に所定間隔をあ
けて平行配列された複数の下側帯状電極と、上側および
下側基板にそれぞれ上側および下側帯状電極を覆うよう
に形成された配向膜と、上側基板の上側帯状電極の各間
隔部分に上側帯状電極に平行に立設され上側および下側
基板との間隔を規制するための帯状の壁部材と、上側基
板の上側帯状電極および下側基板の下側帯状電極上に互
いに電極間の間隙に対応する領域に形成される導電性の
金属薄膜と、上側および下側基板の間隙に封入された強
誘電性液晶を備える。 【効果】 液晶セルの上下基板が複数の壁部材で接続さ
れてセルの剛性が向上すると共に、液晶が壁部材で細か
く仕切られるので、液晶表示素子の耐衝撃性が向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、文字や映像を表示する
強誘電性液晶表示素子に関する。
強誘電性液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶は、メモリ性、高速応答性
などの特徴を有するので、従来のＴＮ型やＳＴＮ型の液
晶では不可能な大表示素子への適用が大きく期待されて
いる。従来の強誘電性液晶表示素子の製造方法は、ＴＮ
型素子と同様に２枚の相対する基板に電極と配向膜を設
け、その基板の電極側にスペーサを散布し、シール材を
用いて基板をはりあわせ、その基板の間隙に強誘電性液
晶を封入するというものである。
などの特徴を有するので、従来のＴＮ型やＳＴＮ型の液
晶では不可能な大表示素子への適用が大きく期待されて
いる。従来の強誘電性液晶表示素子の製造方法は、ＴＮ
型素子と同様に２枚の相対する基板に電極と配向膜を設
け、その基板の電極側にスペーサを散布し、シール材を
用いて基板をはりあわせ、その基板の間隙に強誘電性液
晶を封入するというものである。
【０００３】ところで、この強誘電性液晶における表示
モードでは、一般的にカイラルスメクティックＣ（Ｓｍ
＊Ｃ）相という結晶構造に近い層構造を用いる。強誘電
性液晶の液晶分子は、通常の状態では螺旋構造をしてい
るが、液晶層厚を螺旋構造の螺旋ピッチよりも小さく選
ぶことによって、強誘電性液晶は２つの安定な配向状態
をとることが知られている。これら２つの配向状態と
は、順方向の電界、例えば正の電圧に対しては第１の配
向状態となり、逆方向の電界、例えば負の電圧に対して
は第２の配向状態となる。
モードでは、一般的にカイラルスメクティックＣ（Ｓｍ
＊Ｃ）相という結晶構造に近い層構造を用いる。強誘電
性液晶の液晶分子は、通常の状態では螺旋構造をしてい
るが、液晶層厚を螺旋構造の螺旋ピッチよりも小さく選
ぶことによって、強誘電性液晶は２つの安定な配向状態
をとることが知られている。これら２つの配向状態と
は、順方向の電界、例えば正の電圧に対しては第１の配
向状態となり、逆方向の電界、例えば負の電圧に対して
は第２の配向状態となる。
【０００４】また、このカイラルスメクティックＣ（Ｓ
ｍ＊Ｃ）相は外部衝撃に非常に弱いという欠点があり、
この強誘電性液晶を用いた表示モードの実用化は非常に
難しい状況である。この対策法としては、特開平２−２
９８９１９号公報に、スペーサにセル厚制御用のスペー
サと接着性スペーサの混合物を用いた方法が開示されて
いる。
ｍ＊Ｃ）相は外部衝撃に非常に弱いという欠点があり、
この強誘電性液晶を用いた表示モードの実用化は非常に
難しい状況である。この対策法としては、特開平２−２
９８９１９号公報に、スペーサにセル厚制御用のスペー
サと接着性スペーサの混合物を用いた方法が開示されて
いる。
【０００５】また、特開昭５９−２０１０２１号公報に
は、セル内にセル厚制御用スペーサを用いず樹脂の柱状
部材を設け、その部材によってセル厚を制御し、さらに
この部材をラビングして配向膜としても用いる方法が開
示されている。さらに、特開平３−１９２３３４号公報
には、配向処理した基板上にフォトリソグラフィを用い
て高分子壁を網目状に作製し、その壁間に液晶を滴下し
た後はりあわせたセルが記載されている。
は、セル内にセル厚制御用スペーサを用いず樹脂の柱状
部材を設け、その部材によってセル厚を制御し、さらに
この部材をラビングして配向膜としても用いる方法が開
示されている。さらに、特開平３−１９２３３４号公報
には、配向処理した基板上にフォトリソグラフィを用い
て高分子壁を網目状に作製し、その壁間に液晶を滴下し
た後はりあわせたセルが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セル厚
を均一に制御しながら、セルの耐衝撃性を十分に向上さ
せることは容易ではない。
を均一に制御しながら、セルの耐衝撃性を十分に向上さ
せることは容易ではない。
【０００７】この発明はこのような事情を考慮してなさ
れたもので、液晶セルを構成する二枚の基板間にストラ
イプ状の壁を設けることにより、セル厚が均一に保持さ
れると共に、耐衝撃性にすぐれた強誘電性液晶表示素子
を提供するものである。
れたもので、液晶セルを構成する二枚の基板間にストラ
イプ状の壁を設けることにより、セル厚が均一に保持さ
れると共に、耐衝撃性にすぐれた強誘電性液晶表示素子
を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、互いに対向
する上側および下側基板と、上側基板上に行方向に所定
間隔をあけて平行配列された複数の上側帯状電極と、下
側基板上に列方向に所定間隔をあけて平行配列された複
数の下側帯状電極と、上側および下側基板それぞれ上側
および下側帯状電極を覆うように形成された配向膜と、
上側基板の上側帯状電極の各間隔部分に上側帯状電極に
平行に立設され上側および下側基板との間隔を規制する
ための帯状の壁部材と、上側基板の上側帯状電極および
下側基板の下側帯状電極上に互いに電極間の間隙に対応
する領域に形成される導電性の金属薄膜と、上側および
下側基板の間隙に封入された強誘電性液晶を備えた強誘
電性液晶表示素子を提供するものである。
する上側および下側基板と、上側基板上に行方向に所定
間隔をあけて平行配列された複数の上側帯状電極と、下
側基板上に列方向に所定間隔をあけて平行配列された複
数の下側帯状電極と、上側および下側基板それぞれ上側
および下側帯状電極を覆うように形成された配向膜と、
上側基板の上側帯状電極の各間隔部分に上側帯状電極に
平行に立設され上側および下側基板との間隔を規制する
ための帯状の壁部材と、上側基板の上側帯状電極および
下側基板の下側帯状電極上に互いに電極間の間隙に対応
する領域に形成される導電性の金属薄膜と、上側および
下側基板の間隙に封入された強誘電性液晶を備えた強誘
電性液晶表示素子を提供するものである。
【０００９】
【作用】帯状の壁部材が、上側基板の上側帯状電極の各
間隔部分に上側帯状電極に平行に立設されているので、
この壁部材によって上側および下側基板との間隔が規制
される。従って、セル厚が均一に保持されると共に、セ
ル自体の剛性が増大し、耐衝撃性も向上する。また、帯
状の電極上に金属が形成されているのでこの壁部材と金
属を組み合わせることにより１絵素の四方をとりかこむ
マトリックス構造を形成することができる。
間隔部分に上側帯状電極に平行に立設されているので、
この壁部材によって上側および下側基板との間隔が規制
される。従って、セル厚が均一に保持されると共に、セ
ル自体の剛性が増大し、耐衝撃性も向上する。また、帯
状の電極上に金属が形成されているのでこの壁部材と金
属を組み合わせることにより１絵素の四方をとりかこむ
マトリックス構造を形成することができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。これによって、この発明が限定されるもの
ではない。
を詳述する。これによって、この発明が限定されるもの
ではない。
【００１１】実施例１ 図１は実施例１において製作される液晶表示素子の縦断
面図、図２は図１の要部分解斜視図である。図１および
図２に示すように、２枚の基板１ａ，１ｂの上に、ウエ
ットエッチング法によりＩＴＯ（酸化インジウム及び酸
化スズの混合物）からなる複数の平行帯状電極２ａ，２
ｂを形成する。基板１ａ，１ｂとしては、フリントガラ
ス（日本板ガラス（株）厚さ１．１mm，サイズ３００mm
×３００mm）を使用し、帯状電極２ａ，２ｂは、厚さ２
０００Å、幅１００μｍ、電極間隔２５μｍとし、基板
１ａ，１ｂにそれぞれ２０００本ずつ形成する。
面図、図２は図１の要部分解斜視図である。図１および
図２に示すように、２枚の基板１ａ，１ｂの上に、ウエ
ットエッチング法によりＩＴＯ（酸化インジウム及び酸
化スズの混合物）からなる複数の平行帯状電極２ａ，２
ｂを形成する。基板１ａ，１ｂとしては、フリントガラ
ス（日本板ガラス（株）厚さ１．１mm，サイズ３００mm
×３００mm）を使用し、帯状電極２ａ，２ｂは、厚さ２
０００Å、幅１００μｍ、電極間隔２５μｍとし、基板
１ａ，１ｂにそれぞれ２０００本ずつ形成する。
【００１２】次に、帯状電極２ａ，２ｂが形成された基
板１ａ，１ｂ上に、ポリイミド（ＰＳＩ−Ａ−２１０１
−Ｓ０２，チッソ（株）製）を塗布し、熱処理を行うこ
とにより配向膜３ａ，３ｂを形成した後、ナイロン布を
用いて配向膜３ａについては電極２ａの長手方向に、配
向膜３ｂについては電極２ｂと直角方向に、それぞれラ
ビング処理を行う。なお、図２では配向膜３ａ，３ｂは
省略されている。
板１ａ，１ｂ上に、ポリイミド（ＰＳＩ−Ａ−２１０１
−Ｓ０２，チッソ（株）製）を塗布し、熱処理を行うこ
とにより配向膜３ａ，３ｂを形成した後、ナイロン布を
用いて配向膜３ａについては電極２ａの長手方向に、配
向膜３ｂについては電極２ｂと直角方向に、それぞれラ
ビング処理を行う。なお、図２では配向膜３ａ，３ｂは
省略されている。
【００１３】次いで、基板１ａ上にスペーサ（直径１．
５μｍの真絲球、触媒化成（株）製）とポジ型フォトレ
ジスト（ＯＦＰＲ−８００，東京応化（株）製）の均一
混合物をスピンコート法により塗布し、露光、現像工程
を経て基板１ａの電極間上に電極２ａの長手方向、つま
り、ラビング方向と平行にパターニングして、レジスト
のストライプの壁７を形成する。その後、基板１ａ，１
ｂを、ラビング方向が一致するように、また電極２ａ，
２ｂが互に直交するようにシール材４ではりあわせ、セ
ルを形成する。このとき、壁７は上下の配向膜３ａ，３
ｂに密着した状態にある。このセル内に強誘電性液晶材
料ＺＬＩ−４２３７−０００（メルク社）を等方性液体
状態を示す状態で真空注入をおこなった。
５μｍの真絲球、触媒化成（株）製）とポジ型フォトレ
ジスト（ＯＦＰＲ−８００，東京応化（株）製）の均一
混合物をスピンコート法により塗布し、露光、現像工程
を経て基板１ａの電極間上に電極２ａの長手方向、つま
り、ラビング方向と平行にパターニングして、レジスト
のストライプの壁７を形成する。その後、基板１ａ，１
ｂを、ラビング方向が一致するように、また電極２ａ，
２ｂが互に直交するようにシール材４ではりあわせ、セ
ルを形成する。このとき、壁７は上下の配向膜３ａ，３
ｂに密着した状態にある。このセル内に強誘電性液晶材
料ＺＬＩ−４２３７−０００（メルク社）を等方性液体
状態を示す状態で真空注入をおこなった。
【００１４】上述のようにして得られた液晶表示素子を
用いて耐衝撃性信頼試験を行った。圧力試験において
は、液晶パネルに０．５mm／minの速度で５kgf/cm2の圧
力を印加することにより、また、落下試験においては、
液晶表示素子を５cmの高さから床面に自然落下させるこ
とにより、液晶表示素子の配向の乱れ具合を調べたとこ
ろ、上記２種類の試験のいずれにおいても、液晶の配向
の乱れは皆無であった。従って、この液晶表示素子は、
液晶の耐衝撃性も良好で、セル厚を厳密に維持し得るこ
とが判った。
用いて耐衝撃性信頼試験を行った。圧力試験において
は、液晶パネルに０．５mm／minの速度で５kgf/cm2の圧
力を印加することにより、また、落下試験においては、
液晶表示素子を５cmの高さから床面に自然落下させるこ
とにより、液晶表示素子の配向の乱れ具合を調べたとこ
ろ、上記２種類の試験のいずれにおいても、液晶の配向
の乱れは皆無であった。従って、この液晶表示素子は、
液晶の耐衝撃性も良好で、セル厚を厳密に維持し得るこ
とが判った。
【００１５】実施例２ 図３は実施例２において製作される液晶表示素子の縦断
面図である。図３に示すように、基板２１ａ，２１ｂ上
に電極２２ａ，２２ｂを形成した後、まず、基板２１ａ
の電極間に実施例１と同様のストライプ状の壁２７を電
極２２ａの長手方向に形成する。その後、壁２７を形成
した基板２１ａに、配向膜２３ａを塗布してストライプ
状の壁２７の長手方向に沿ってラビング処理を行う。
面図である。図３に示すように、基板２１ａ，２１ｂ上
に電極２２ａ，２２ｂを形成した後、まず、基板２１ａ
の電極間に実施例１と同様のストライプ状の壁２７を電
極２２ａの長手方向に形成する。その後、壁２７を形成
した基板２１ａに、配向膜２３ａを塗布してストライプ
状の壁２７の長手方向に沿ってラビング処理を行う。
【００１６】また、もう一方の基板２１ｂについては、
電極２２ｂ上に配向膜２３ｂを塗布し、電極２２ｂに直
交する方向にラビングを行う。その後、ラビング方向が
一致するように、また電極２２ａ，２２ｂが直交するよ
うにシール材２４を用いて基板２１ａ，２１ｂをはりあ
わせ、セルを形成する。このとき壁２７は基板２１ａと
配向膜２３ｂに密着した状態にある。
電極２２ｂ上に配向膜２３ｂを塗布し、電極２２ｂに直
交する方向にラビングを行う。その後、ラビング方向が
一致するように、また電極２２ａ，２２ｂが直交するよ
うにシール材２４を用いて基板２１ａ，２１ｂをはりあ
わせ、セルを形成する。このとき壁２７は基板２１ａと
配向膜２３ｂに密着した状態にある。
【００１７】次に、このセルに強誘電性液晶材料（ＺＬ
Ｉ−４２３７−０００，メルク（株）製）２６を等方性
液体状態で真空注入法により注入する。上述のようにし
て得られた液晶表示素子の配向状態には、全く問題な
く、均一な配向が得られた。またこの液晶パネルを用い
て実施例１と同様に耐衝撃性信頼試験を行った。
Ｉ−４２３７−０００，メルク（株）製）２６を等方性
液体状態で真空注入法により注入する。上述のようにし
て得られた液晶表示素子の配向状態には、全く問題な
く、均一な配向が得られた。またこの液晶パネルを用い
て実施例１と同様に耐衝撃性信頼試験を行った。
【００１８】圧力試験においては、液晶パネルに０．５
mm/minの速度で５kgf/cm2の圧力を印加することによ
り、また、落下試験においては、液晶表示素子を５cmの
高さから床面に自然落下させることにより、液晶表示素
子の配向の乱れ具合を調べたところ、上記２種類の試験
のいずれにおいても、液晶の配向の乱れは皆無であっ
た。従って、この液晶表示素子は、液晶の耐衝撃性もよ
く、セル厚を厳密に維持し得ることが判った。
mm/minの速度で５kgf/cm2の圧力を印加することによ
り、また、落下試験においては、液晶表示素子を５cmの
高さから床面に自然落下させることにより、液晶表示素
子の配向の乱れ具合を調べたところ、上記２種類の試験
のいずれにおいても、液晶の配向の乱れは皆無であっ
た。従って、この液晶表示素子は、液晶の耐衝撃性もよ
く、セル厚を厳密に維持し得ることが判った。
【００１９】実施例３ 図４は実施例３において製作される液晶表示素子の縦断
面図、図５は図４の要部上面図、図６は図４の要部斜視
図である。これらの図に示すように、２枚の基板１１
ａ，１１ｂ上に、ウエットエッチング法によりＩＴＯ
（酸化インジウム及び酸化スズの混合物）からなる複数
の平行帯状電極１２ａ，１２ｂを形成する。
面図、図５は図４の要部上面図、図６は図４の要部斜視
図である。これらの図に示すように、２枚の基板１１
ａ，１１ｂ上に、ウエットエッチング法によりＩＴＯ
（酸化インジウム及び酸化スズの混合物）からなる複数
の平行帯状電極１２ａ，１２ｂを形成する。
【００２０】基板１１ａ，１１ｂとしてはフリントガラ
ス（日本板ガラス（株）製、厚さ１．１mm，サイズ４０
０mm×４００mm）を使用し、帯状電極１２ａ，１２ｂは
厚さ１５００Å、幅２００μｍ、電極間隔２５μｍと
し、基板１１ａ，１１ｂ上にそれぞれ２０００本ずつ形
成する。帯状電極１２ａ，１２ｂ上にそれぞれ図５、図
６に示すような形状でアルミニウムをスパッタ法にて堆
積させ、遮光導電部１５ａ，１５ｂを形成する。
ス（日本板ガラス（株）製、厚さ１．１mm，サイズ４０
０mm×４００mm）を使用し、帯状電極１２ａ，１２ｂは
厚さ１５００Å、幅２００μｍ、電極間隔２５μｍと
し、基板１１ａ，１１ｂ上にそれぞれ２０００本ずつ形
成する。帯状電極１２ａ，１２ｂ上にそれぞれ図５、図
６に示すような形状でアルミニウムをスパッタ法にて堆
積させ、遮光導電部１５ａ，１５ｂを形成する。
【００２１】なお、遮光導電部１５ａは帯状電極１２ｂ
の各間隔部分を遮光すると共に帯状電極１２ａの電気抵
抗を低下させるために設けられ、また遮光導電部１５ｂ
は帯状電極１２ａの各間隔部分を遮光すると共に帯状電
極１２ｂの電気抵抗を低下させるために設けられる。
の各間隔部分を遮光すると共に帯状電極１２ａの電気抵
抗を低下させるために設けられ、また遮光導電部１５ｂ
は帯状電極１２ａの各間隔部分を遮光すると共に帯状電
極１２ｂの電気抵抗を低下させるために設けられる。
【００２２】次に、帯状電極１２ａ，１２ｂが形成され
た基板１１ａ，１１ｂの上にポリイミド（ＰＳＩ−Ａ−
２１０１−Ｓ０２，チッソ（株）製）を塗布し、熱処理
を行うことにより、配向膜１３ａ，１３ｂを形成した
後、配向膜１３ａについては電極１２ａの長手方向に、
配向膜１３ｂについては電極１２ｂと直角方向に、ナイ
ロン布を用いてそれぞれラビング処理を行う。
た基板１１ａ，１１ｂの上にポリイミド（ＰＳＩ−Ａ−
２１０１−Ｓ０２，チッソ（株）製）を塗布し、熱処理
を行うことにより、配向膜１３ａ，１３ｂを形成した
後、配向膜１３ａについては電極１２ａの長手方向に、
配向膜１３ｂについては電極１２ｂと直角方向に、ナイ
ロン布を用いてそれぞれラビング処理を行う。
【００２３】次に、基板１１ａの上にスペーサ（直径
１．５μｍの真絲球、触媒化成（株）製）とネガ型フォ
トレジスト（ＯＭＲ−８３，東京応化（株）製）の均一
混合物をスピンコート法により塗布し、露光、現像工程
を経て基板１１ａの電極間上に電極１２ａの長手方向、
つまり、ラビング方向と平行にパターニングしてレジス
トのストライプの壁１７を形成する。その後、基板１１
ａと１１ｂを、ラビング方向が一致するように、また、
電極１２ａと１２ｂが互に直交するようにシール材１４
ではりあわせ、セルを形成する。このとき壁１７は上下
の配向膜１３ａ，１３ｂに密着した状態にある。
１．５μｍの真絲球、触媒化成（株）製）とネガ型フォ
トレジスト（ＯＭＲ−８３，東京応化（株）製）の均一
混合物をスピンコート法により塗布し、露光、現像工程
を経て基板１１ａの電極間上に電極１２ａの長手方向、
つまり、ラビング方向と平行にパターニングしてレジス
トのストライプの壁１７を形成する。その後、基板１１
ａと１１ｂを、ラビング方向が一致するように、また、
電極１２ａと１２ｂが互に直交するようにシール材１４
ではりあわせ、セルを形成する。このとき壁１７は上下
の配向膜１３ａ，１３ｂに密着した状態にある。
【００２４】次に、強誘電性液晶材料（ＺＬＩ−４２３
７−０００，メルク（株）製）１６を等方液体状態で真
空注入法により注入する。上述のようにして得られた液
晶表示素子を用いて耐衝撃性信頼試験を行った。圧力試
験においては、液晶表示素子に０．５mm/minの速度で５
kgf/cm2〜１５kgf/cm2の圧力を印加することにより、ま
た、落下試験においては、液晶表示素子を５〜１５cmの
高さから床面に自然落下させることにより、また、ハン
マー衝撃試験では、８kg〜１１．５kg、６５〜７５Ｇの
衝撃を加えることにより、液晶の配向の乱れ具合を調べ
た。その結果を表１に示す。
７−０００，メルク（株）製）１６を等方液体状態で真
空注入法により注入する。上述のようにして得られた液
晶表示素子を用いて耐衝撃性信頼試験を行った。圧力試
験においては、液晶表示素子に０．５mm/minの速度で５
kgf/cm2〜１５kgf/cm2の圧力を印加することにより、ま
た、落下試験においては、液晶表示素子を５〜１５cmの
高さから床面に自然落下させることにより、また、ハン
マー衝撃試験では、８kg〜１１．５kg、６５〜７５Ｇの
衝撃を加えることにより、液晶の配向の乱れ具合を調べ
た。その結果を表１に示す。
【００２５】また、絵素間の光の遮光状態を顕微鏡で観
察したところ、透過量は肉眼でほぼ皆無であった。ま
た、電圧をかけたときの表示特性は均一となり表示品位
もかなり高いものとなった。よって、この液晶表示素子
は、液晶の耐衝撃性もよく、樹脂の壁と電極上の遮光導
電部とによって絵素間の間隙を完全に遮光することがで
き、またセル厚を厳密に維持し得ることも判った。
察したところ、透過量は肉眼でほぼ皆無であった。ま
た、電圧をかけたときの表示特性は均一となり表示品位
もかなり高いものとなった。よって、この液晶表示素子
は、液晶の耐衝撃性もよく、樹脂の壁と電極上の遮光導
電部とによって絵素間の間隙を完全に遮光することがで
き、またセル厚を厳密に維持し得ることも判った。
【００２６】
【表１】
【００２７】比較例１ 実施例３において、壁１７を形成する代りに基板１１ａ
の配向膜１３ａ上に乾式散布法によりスペーサ（直径
１．５μｍの真絲球、触媒化成（株）製）を散布し、そ
の他はすべて実施例３と同様にして比較例１の液晶表示
素子を製作した。
の配向膜１３ａ上に乾式散布法によりスペーサ（直径
１．５μｍの真絲球、触媒化成（株）製）を散布し、そ
の他はすべて実施例３と同様にして比較例１の液晶表示
素子を製作した。
【００２８】比較例１の液晶表示素子を用いて、実施例
３と同様の３種類の試験を行った。つまり、圧力試験、
落下試験、ハンマー試験を実施し、それぞれの試験で液
晶の配向の乱れを観察した。その結果を表２に示す。
３と同様の３種類の試験を行った。つまり、圧力試験、
落下試験、ハンマー試験を実施し、それぞれの試験で液
晶の配向の乱れを観察した。その結果を表２に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】比較例２ 実施例１において、配向膜３ａについては電極２ａと直
角方向に、配向膜３ｂについては、電極２ｂの長手方向
に、それぞれラビング処理を行い、その他は全て実施例
１と同様にして比較例２の液晶表示素子を製作した。
角方向に、配向膜３ｂについては、電極２ｂの長手方向
に、それぞれラビング処理を行い、その他は全て実施例
１と同様にして比較例２の液晶表示素子を製作した。
【００３１】比較例２の液晶表示素子を偏向顕微鏡を用
いて初期配向状態を観察したところ、実施例１、つま
り、ラビング方向と平行にストライプ状の壁を設けた場
合に比べて、非常にディスクリネーションが多く、ま
た、電圧を印加したときの液晶のメモリ特性は、実施例
１に比べて、非常に劣るものであった。
いて初期配向状態を観察したところ、実施例１、つま
り、ラビング方向と平行にストライプ状の壁を設けた場
合に比べて、非常にディスクリネーションが多く、ま
た、電圧を印加したときの液晶のメモリ特性は、実施例
１に比べて、非常に劣るものであった。
【００３２】このように、本願発明におけるストライプ
状でラビング方向と平行な樹脂の壁の耐衝撃性効果は大
きく、詳しくは圧力試験においては約２０倍、落下試験
においては約１０倍、ハンマー試験においては約４倍の
耐久性の向上が見られた。この程度の耐久性が得られて
いれば強誘電性液晶の耐衝撃性の問題は解決されたと言
ってもよい。また、帯状電極の間の光の透過量はクロス
ニコル下で肉眼でほぼ皆無であり、壁は、絵素間の遮光
の役目を十分はたすことができる。さらに帯状電極上に
遮光導電部を設けると、表示画面上の非絵素部を完全に
遮光することができ、表示特性がきわめて高いものとな
る。
状でラビング方向と平行な樹脂の壁の耐衝撃性効果は大
きく、詳しくは圧力試験においては約２０倍、落下試験
においては約１０倍、ハンマー試験においては約４倍の
耐久性の向上が見られた。この程度の耐久性が得られて
いれば強誘電性液晶の耐衝撃性の問題は解決されたと言
ってもよい。また、帯状電極の間の光の透過量はクロス
ニコル下で肉眼でほぼ皆無であり、壁は、絵素間の遮光
の役目を十分はたすことができる。さらに帯状電極上に
遮光導電部を設けると、表示画面上の非絵素部を完全に
遮光することができ、表示特性がきわめて高いものとな
る。
【００３３】
【発明の効果】この発明によれば、液晶セルの上下基板
が複数の壁部材で接続されてセルの剛性が向上すると共
に、液晶が壁部材で細かく仕切られるので、液晶表示素
子の耐衝撃性が向上する。またこの壁部材を帯状の電極
上に形成された金属薄膜を組み合わせることで１絵素の
四方を囲むマトリックス構造を形成することができ絵素
間の遮光を行なうことができる。
が複数の壁部材で接続されてセルの剛性が向上すると共
に、液晶が壁部材で細かく仕切られるので、液晶表示素
子の耐衝撃性が向上する。またこの壁部材を帯状の電極
上に形成された金属薄膜を組み合わせることで１絵素の
四方を囲むマトリックス構造を形成することができ絵素
間の遮光を行なうことができる。
【図１】実施例１を示す縦断面図である。
【図２】図１の要部分解斜視図である。
【図３】実施例２を示す縦断面図である。
【図４】実施例３を示す縦断面図である。
【図５】図４の要部上面図である。
【図６】図４の要部斜視図である。
１ａ，１ｂ 基板 ２ａ，２ｂ 帯状電極 ３ａ，３ｂ 配向膜 ４ シール材 ６ 液晶 ７ 壁
Claims (4)
- 【請求項１】 互いに対向する上側および下側基板と、
上側基板上に行方向に所定間隔をあけて平行配列された
複数の上側帯状電極と、下側基板上に列方向に所定間隔
をあけて平行配列された複数の下側帯状電極と、上側お
よび下側基板それぞれ上側および下側帯状電極を覆うよ
うに形成された配向膜と、上側基板の上側帯状電極の各
間隔部分に上側帯状電極に平行に立設され上側および下
側基板との間隔を規制するための帯状の壁部材と、上側
基板の上側帯状電極および下側基板の下側帯状電極上に
互いに電極間の間隙に対応する領域に形成される導電性
の金属薄膜と、上側および下側基板の間隙に封入された
強誘電性液晶を備えた強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記壁部材が、粒子状の間隙保持用スペ
ーサを含んでいることを特徴とする請求項１記載の液晶
表示素子。 - 【請求項３】 前記壁部材の高さと前記間隙保持用スペ
ーサの粒径がほぼ同一であることを特徴とする請求項２
記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】 前記配向膜に施されるラビングの方向が
前記帯状の壁部材の長手方向とほぼ一致することを特徴
とする請求項１記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5098082A JPH06308500A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 強誘電性液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5098082A JPH06308500A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 強誘電性液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06308500A true JPH06308500A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14210428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5098082A Pending JPH06308500A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 強誘電性液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06308500A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644371A (en) * | 1994-07-25 | 1997-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| EP0821262A1 (en) * | 1996-07-26 | 1998-01-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| JP2001337332A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| US7923080B2 (en) | 2002-05-14 | 2011-04-12 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display and manufacturing method of same |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5098082A patent/JPH06308500A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644371A (en) * | 1994-07-25 | 1997-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| EP0821262A1 (en) * | 1996-07-26 | 1998-01-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| US6016180A (en) * | 1996-07-26 | 2000-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| US6118510A (en) * | 1996-07-26 | 2000-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| JP2001337332A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JP4712210B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US7923080B2 (en) | 2002-05-14 | 2011-04-12 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display and manufacturing method of same |
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