JP2003075839A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】アレイ基板と対向基板との間の高精度な位置合
わせが不要なＭＶＡモードの液晶表示装置を提供するこ
と。 【解決手段】本発明の液晶表示装置１は、マルチドメイ
ン型垂直配向モードの液晶表示装置であって、第１透明
基板７、第１透明基板７上に形成された画素電極１０、
画素電極１０上に形成された第１配向膜１１、及び第１
透明基板７と画素電極１０との間に設けられ且つ画素電
極１０の第１配向膜１１側の表面に畝状突起構造をもた
らす畝状突起部２０を備えたアレイ基板２と、第１配向
膜１１に対向して配置された第２透明基板１５、第２透
明基板１５の第１配向膜１１との対向面に平坦な連続膜
として形成された共通電極１６、及び共通電極１６上に
平坦な連続膜として形成された第２配向膜１７を備えた
対向基板３と、アレイ基板２と対向基板３との間に挟持
された液晶層４とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特にはマルチドメイン型垂直配向モードの液晶表示
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電
力である等の様々な特長を有しており、ＯＡ機器、情報
端末、時計、及びテレビ等の様々な用途に応用されてい
る。特に、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を
有する液晶表示装置は、その高い応答性から、携帯テレ
ビやコンピュータなどのように多量の情報を表示するモ
ニタとして用いられている。

【０００３】近年、情報量の増加に伴い、画像の高精細
化や表示速度の高速化に対する要求が高まっている。こ
れら要求のうち画像の高精細化は、例えば、上述したＴ
ＦＴが形成するアレイ構造を微細化することによって実
現されている。

【０００４】一方、表示速度の高速化に関しては、従来
の表示モードの代わりに、ネマチック液晶を用いたＯＣ
Ｂモード、ＶＡＮモード、ＨＡＮモード、及びπ配列モ
ードや、スメクチック液晶を用いた界面安定型強誘電性
液晶（Surface Stabilized Ferroelectric Liquid Crys
tal）モード及び反強誘電性液晶モードを採用すること
が検討されている。

【０００５】これら表示モードのうち、ＶＡＮモードで
は、従来のＴＮ（Twisted Nematic）モードよりも速い
応答速度を得ることができ、しかも、垂直配向のため静
電気破壊などの不良を発生させるラビング処理が不要で
ある。なかでも、マルチドメイン型ＶＡＮモード（以
下、ＭＶＡモードという）は、視野角の補償設計が比較
的容易なことから特に注目を集めている。

【０００６】しかしながら、ＭＶＡモードを採用した従
来の液晶表示装置では、アレイ基板だけでなく、対向基
板に対しても畝状突起構造を形成するか或いは対向基板
上の共通電極にスリットなどを設ける必要がある。その
ため、アレイ基板と対向基板との位置合わせを極めて高
い精度で行わなければならず、その結果、コストの上昇
や信頼性の低下を生じてしまう。

【０００７】また、近年では、ＴＮモードの液晶表示装
置の製造において、アレイ基板にカラーフィルタ層を形
成する技術が実用化され始めている。この技術による
と、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせてセルを形成
する際に、カラーフィルタ層を構成する各色領域と画素
電極とを位置合わせする必要がない。したがって、この
ような技術をＭＶＡモードの液晶表示装置の製造にも適
用することが望まれるが、従来のＭＶＡモードの液晶表
示装置では、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせてセ
ルを形成する際に、それらの間で畝状突起構造やスリッ
トの位置合わせを行う必要がある。そのため、従来のＭ
ＶＡモードの液晶表示装置では、アレイ基板にカラーフ
ィルタ層を形成したとしても、ＴＮモードの液晶表示装
置で得られる利益を享受することはできなかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、アレイ基板と対向基板と
の間の高精度な位置合わせが不要なＭＶＡモードの液晶
表示装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
ると、マルチドメイン型垂直配向モードの液晶表示装置
であって、第１透明基板、前記第１透明基板上に形成さ
れた画素電極、前記画素電極上に形成された第１配向
膜、及び前記第１透明基板と前記画素電極との間に設け
られ且つ前記画素電極の前記第１配向膜側の表面に畝状
突起構造をもたらす畝状突起部を備えたアレイ基板と、
前記第１配向膜に対向して配置された第２透明基板、前
記第２透明基板の前記第１配向膜との対向面に平坦な連
続膜として形成された共通電極、及び前記共通電極上に
平坦な連続膜として形成された第２配向膜を備えた対向
基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持さ
れた液晶層とを具備することを特徴とする液晶表示装置
が提供される。

【００１０】また、本発明の第２の側面によると、マル
チドメイン型垂直配向モードの液晶表示装置であって、
第１透明基板、前記第１透明基板上に形成された画素電
極、前記画素電極上に形成された第１配向膜、及び前記
第１透明基板と前記画素電極との間に設けられ且つ前記
画素電極の前記第１配向膜側の表面に第１畝状突起構造
を及び前記第１配向膜の露出面に第２畝状突起構造をそ
れぞれもたらす畝状突起部を備えたアレイ基板と、前記
第１配向膜に対向して配置された第２透明基板、前記第
２透明基板の前記第１配向膜との対向面に平坦な連続膜
として形成された共通電極、及び前記共通電極上に平坦
な連続膜として形成された第２配向膜を備えた対向基板
と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された
液晶層とを具備することを特徴とする液晶表示装置が提
供される。

【００１１】なお、ここで使用する用語「連続膜」は、
複数の部分へと分割されておらず且つ孔やスリットなど
が設けられていない膜を意味する。また、用語「平坦な
連続膜」は、そのような「連続膜」のうち、表面に凹凸
を全く有していないか、或いは、表面に凹凸を有してい
たとしても液晶分子の配向状態に影響を与えない程度で
あるものを意味する。

【００１２】本発明の第１の側面に係る液晶表示装置で
は、例えば、画素電極と共通電極との間に印加する電圧
を第１表示電圧と第１表示電圧よりも高い第２表示電圧
との間で変化させることにより表示を行うことができ
る。この場合、画素電極と共通電極との間に印加する電
圧を第２表示電圧とした際に、畝状突起構造は、その両
側で、液晶層に含まれる液晶分子を液晶分子の長軸と畝
状突起部の長手方向とが交差し且つ液晶分子の長軸が畝
状突起部に対向するように配向させてもよい。

【００１３】本発明の第１の側面に係る液晶表示装置に
おいて、畝状突起構造の畝状突起部の長手方向に垂直な
断面における頂部の曲率半径は畝状突起構造の高さより
も小さいことが好ましい。また、畝状突起構造は凹凸表
面を有していることが好ましい。

【００１４】本発明の第２の側面に係る液晶表示装置で
は、例えば、画素電極と共通電極との間に印加する電圧
を第１表示電圧と第１表示電圧よりも高い第２表示電圧
との間で変化させることにより表示を行うことができ
る。この場合、この液晶表示装置は、画素電極と共通電
極との間に印加する電圧を第２表示電圧とした際に、画
素電極によって規定される画素領域内に、液晶層に含ま
れる液晶分子の長軸と畝状突起部の長手方向とが為す角
度が畝状突起部の側部からの距離に応じて大きくなるよ
うに変化する配向状態を形成するものであってもよい。

【００１５】本発明の第２の側面に係る液晶表示装置に
おいて、第２畝状突起構造の畝状突起部の長手方向に垂
直な断面は矩形状部或いは逆テーパ状部を有しているこ
とが好ましい。なお、ここで、「矩形状部を有してい
る」は、その断面の第２透明基板側、第１透明基板側、
或いはそれらの間の少なくとも１つの部分が「矩形状」
であることを意味する。また、「逆テーパ状部を有して
いる」は、その断面の第２透明基板側、第１透明基板
側、或いはそれらの間の少なくとも１つの部分が「逆テ
ーパ状」であることを意味する。さらに、用語「逆テー
パ状」は、第２透明基板側から第１透明基板側に向けて
幅が狭くなる状態を意味する。

【００１６】本発明の第２の側面に係る液晶表示装置に
おいて、第２畝状突起構造には、第２畝状突起部のアレ
イ基板側の面に開口を有し且つその長手方向に沿って延
在した少なくとも１つの溝が設けられていてもよい。こ
の溝の深さに特に制限はなく、したがって、この溝は畝
状突起部の上面のみに帯状の凹凸構造を形成するような
ものであってもよく、或いは、畝状突起部を複数の帯状
部へと分割するものであってもよい。

【００１７】本発明の第１及び第２の側面に係る液晶表
示装置において、画素電極にはスリットが設けられてい
てもよい。そのようなスリットは、画素電極と共通電極
との間に閾値電圧以上の第２表示電圧を印加した際に、
その両側に液晶分子の配向方向が互いに異なる２つのド
メインを形成するのに利用することができる。或いは、
そのようなスリットを設ける代わりに、隣り合う画素電
極間のギャップを利用して液晶分子の配向方向が互いに
異なる２つのドメインを形成することもできる。また、
アレイ基板に設ける配線が画素電極とほぼ同じ高さに位
置している場合は、隣り合う配線と画素電極との間のギ
ャップを利用して液晶分子の配向方向が互いに異なる２
つのドメインを形成することもできる。さらに、それら
を組み合わせることもできる。

【００１８】本発明の第１及び第２の側面に係る液晶表
示装置はカラーフィルタ層をさらに有していてもよい。
カラーフィルタ層はアレイ基板及び対向基板のいずれに
設けてもよいが、例えば、アレイ基板が第１透明基板と
畝状突起部との間にカラーフィルタ層をさらに備えてい
る場合、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせる際にカ
ラーフィルタ層と画素電極との位置合わせを行う必要が
ない。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面を参
照しながらより詳細に説明する。なお、各図において、
同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付
し、重複する説明は省略する。

【００２０】図１は、本発明の第１の実施形態に係る液
晶表示装置を概略的に示す断面図である。図１に示す液
晶表示装置１は、ＭＶＡモードの液晶表示装置であっ
て、アクティブマトリクス基板（或いは、アレイ基板）
２と対向基板３との間に液晶層４を挟持した構造を有し
ている。これらアクティブマトリクス基板２と対向基板
３との間隔は図示しないスペーサによって一定に維持さ
れている。また、この液晶表示装置１の両面には、図示
しない偏光フィルムが貼り付けられている。

【００２１】アクティブマトリクス基板２は、ガラス基
板のような透明基板７を有している。透明基板７の一方
の主面上には配線及びスイッチング素子（図示せず）が
形成されている。また、それらの上には、絶縁膜（図示
せず）、畝状突起部２０、画素電極１０、及び配向膜１
１が順次形成されている。

【００２２】透明基板７上に形成する配線は、アルミニ
ウム、モリブデン、及び銅などからなる走査線及び信号
線などである。また、スイッチング素子は、例えば、ア
モルファスシリコンやポリシリコンを半導体層としたＴ
ＦＴであり、走査線及び信号線などの配線並びに画素電
極１０と接続されている。アクティブマトリクス基板２
では、このような構成により、所望の画素電極１０に対
して選択的に電圧を印加することを可能としている。

【００２３】透明基板７と画素電極１０との間に介在す
る絶縁膜には、コンタクトホールが設けられている。画
素電極１０は、このコンタクトホールを介してスイッチ
ング素子と接続されている。

【００２４】畝状突起部２０は、例えば、紙面に対して
垂直な方向に延在している。畝状突起部２０は、感光性
樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術などにより形成す
ることができる。畝状突起部２０は、少なくとも画素電
極１０の配向膜１１側の表面に畝状突起構造を転写す
る。この畝状突起構造は、後で詳述するように、配向制
御構造及び境界制御構造としての役割を果たしている。

【００２５】画素電極１０は、ＩＴＯのような透明導電
材料で構成され得る。画素電極１０は、例えばスパッタ
リング法などにより薄膜を形成した後、フォトリソグラ
フィ技術及びエッチング技術を用いてその薄膜をパター
ニングすることにより形成することができる。なお、本
実施形態では、隣り合う画素電極１０間のギャップは、
画素電極１０と共通電極１６との間に閾値電圧以上の第
２表示電圧を印加した際に、その両側にチルト方向が互
いに異なる２つのドメインを形成する。すなわち、本実
施形態において、隣り合う画素電極１０間のギャップ
は、配向制御構造及び境界制御構造としての役割を果た
している。

【００２６】配向膜１１は、ポリイミドなどの透明樹脂
からなる薄膜で構成されている。なお、この配向膜１１
には、ラビング処理は施さない。

【００２７】対向基板３は、ガラス基板のような透明基
板１５上に、共通電極１６及び配向膜１７を順次形成し
た構造を有している。これら共通電極１６及び配向膜１
７は、画素電極１０及び配向膜１１と同様の材料で形成
され得る。なお、本実施形態では、共通電極１６及び配
向膜１７はそれぞれ平坦な連続膜として形成されてい
る。

【００２８】さて、本実施形態に係る液晶表示装置１で
は、共通電極１６及び配向膜１７はそれぞれ平坦な連続
膜として形成されている。また、隣り合う画素電極１０
間のギャップは配向制御構造として機能するのに加え、
画素電極１０には配向制御構造及び境界制御構造として
畝状突起構造が形成されている。このように、本実施形
態では、アレイ基板２のみに配向制御構造及び境界制御
構造の双方が設けられているため、アレイ基板２と対向
基板３とを貼り合わせてセルを形成する際に、それらを
高精度に位置合わせする必要がない。すなわち、本実施
形態によると、コストの上昇や信頼性の低下を防止する
ことができる。

【００２９】次に、上述した液晶表示装置１の動作につ
いて説明する。画素電極１０と共通電極１６との間に閾
値電圧未満の第１表示電圧を印加している場合（画素電
極１０と共通電極１６との間に電圧を印加していない場
合も含む）、液晶層４を構成する液晶分子２５，具体的
には誘電率異方性が負の液晶分子，は、その長軸が配向
膜１１の膜面に対してほぼ垂直となるように配向してい
る。

【００３０】画素電極１０と共通電極１６との間に閾値
電圧以上の比較的高い第２表示電圧を印加すると、図１
に示すように隣り合う画素電極１０間のギャップの位置
には湾曲した電界が生じる。その結果、液晶分子２５は
ギャップの両側で互いに異なる方向にチルトする。一
方、畝状突起部２０の位置では、画素電極１０に形成さ
れた畝状突起構造に対する電界集中が生じる。すなわ
ち、畝状突起部２０の位置にも湾曲した電界が生じる。
その結果、畝状突起構造の両側で、液晶分子２５は互い
に異なる方向にチルトする。

【００３１】画素電極１０間のギャップが誘起する液晶
分子２５のチルトの方向と畝状突起構造が誘起する液晶
分子２５のチルトの方向とは同方向であるため、それら
が互いに干渉してシュリーレンを発生することはない。
そのため、本実施形態によると、図１に示すように、画
素電極１０と共通電極１６との間の領域として規定され
る画素領域を、液晶分子２５のチルト方向が互いに異な
る２つのドメインＤ₁，Ｄ₂へと分割することができる。

【００３２】また、本実施形態では、隣り合うドメイン
間の境界位置は、隣り合う画素電極１０間のギャップと
畝状突起構造とによって規制されている。そのため、本
実施形態によると、ドメイン間の境界位置が移動するこ
とによる応答速度の遅延を生ずることがない。したがっ
て、より速い応答速度を実現することができる。

【００３３】なお、畝状突起部２０を画素電極１０と配
向膜１１との間に介在させた構造では、第２表示電圧印
加時に、畝状突起部２０の位置において他の位置に比べ
てより大きな誘電遮蔽が生ずる。そのため、このような
構造によると、画素電極２０と共通電極１６との間に第
２表示電圧を印加した際に、畝状突起部２０の近傍には
図１に示すのとは大きく異なる電界が生じることとな
る。その結果、この構造では、畝状突起構造が誘起する
チルト配向と隣り合う画素電極１０間のギャップが誘起
するチルト配向とが互いに干渉し合い、隣り合う画素電
極１０間のギャップと畝状突起部２０との間にシュリー
レンが発生することがある。

【００３４】上述のように、本実施形態においては、画
素電極２０の表面に形成される畝状突起構造に対する電
界集中を利用して配向分割を行っている。互いに離間し
た２つの点電荷の間に働く力は、クーロンの法則にある
ように、それら点の間の距離の２乗に反比例する。その
ため、上記の電界集中を効果的に実現するには、画素電
極２０の表面に形成される畝状突起構造の高さと形状と
が重要である。すなわち、一般に、畝状突起構造の高さ
が低いと電界の集中は弱く、また、仮に高い場合であっ
ても頂部が平坦である場合などは電界の集中は弱い傾向
にある。

【００３５】画素電極２０の表面に形成される畝状突起
構造の高さは、他の構成要素の材料や寸法などにも依存
するが、一般には、画素電極１０の表面に形成される畝
状突起構造の頂部から共通電極１６までの距離の１／１
０以上であることが好ましく、１／５以上であることが
より好ましい。但し、画素電極１０の表面に形成される
畝状突起構造の頂部から共通電極１６までの距離が近す
ぎる場合、画素電極１０と共通電極１６との間で電気的
短絡を生ずることがある。したがって、画素電極１０の
表面に形成される畝状突起構造の高さは画素電極２０の
表面に形成される畝状突起構造の頂部から共通電極１６
までの距離の２／３以下であることが好ましい。

【００３６】また、画素電極１０の表面に形成される畝
状突起構造の畝状突起部２０の長手方向に垂直な断面に
おける頂部の曲率半径は畝状突起構造の高さよりも小さ
いことが好ましい。そのような形状は、畝状突起部２０
の断面形状を順テーパ状として順テーパ状の畝状突起構
造を形成することなどに加え、畝状突起構造の頂部にさ
らに細かな突起を設けることなどによっても実現可能で
ある。例えば、畝状突起構造の頂部に凹凸を設けること
により、さらに強い電界集中を実現することができる。
これについては、図２乃至図４を参照しながら説明す
る。

【００３７】図２は、図１に示す液晶表示装置１の一変
形例を示す断面図である。図２に示す液晶表示装置１で
は、図１に示す液晶表示装置１に比べて、画素電極１０
を構成する透明導電粒子の最大粒径がより大きく、それ
により、画素電極１０の表面には凹凸構造が形成されて
いる。そのため、図２に示す液晶表示装置１では、図１
に示す液晶表示装置１に比べて、より強い電界集中を実
現することができる。なお、このような構造によって電
界集中を高める効果は、通常、その凹凸の深さ或いは高
さが５０ｎｍ以上である場合に現れ、１００ｎｍ以上で
ある場合に顕著となる。また、図２に示すように、共通
電極１６の表面に凹凸構造を設けてもよい。

【００３８】図２に示すような凹凸を有する画素電極１
０は、例えば、以下の方法で形成することができる。画
素電極１０として一般に使用されているＩＴＯ膜は、通
常、スパッタリング法により成膜される。そのような方
法で成膜されるＩＴＯ膜は、一般には２μｍ程度の膜厚
内に１０〜３０ｎｍ程度の粒径のスパッタ粒子が揃った
配向で並んだ構造を有しており、表面に形成される凹凸
の高さ或いは深さは数ｎｍ程度である。凹凸の高さ或い
は深さを増加させるには、ＩＴＯの組成をメタルリッチ
にすることなどが有効であり、これにより、ＩＴＯ粒子
の粒径を０．３μｍ（３００ｎｍ）以上とすることがで
きる。また、ＩＴＯの組成をメタルリッチとしてＩＴＯ
膜を成膜し、その後、酸素雰囲気下でアニールすること
により、さらに大きな粒径を実現することができる。

【００３９】凹凸の高さ或いは深さを増加させるには、
スパッタリング法以外の成膜法を利用することも有効で
ある。例えば、スパッタリング法で低抵抗な膜を成膜す
る場合には構成粒子の粒径は２０〜３０ｎｍ程度となる
のに対し、蒸着法によると粒径を１００ｎｍ以上とする
ことができるのに加え、構成粒子をほぼ球形とすること
ができる。また、イオンプレーティング法（蒸着雰囲気
でＲＦプラズマ放電を併用する）によると、粒径が１０
０ｎｍ以上であり且つ三角錐状の粒子を堆積することが
できる。この三角錐状の粒子から構成される膜には、そ
の表面に曲率半径の小さな凸部が形成されるため、効率
的な電界集中が可能となる。

【００４０】図３は、図１に示す液晶表示装置１の他の
変形例を示す断面図である。図３に示す液晶表示装置１
では、畝状突起部２０の表面に凹凸が設けられており、
それにより画素電極１０の表面に凹凸構造が形成されて
いる。そのため、図３に示す液晶表示装置１では、図１
に示す液晶表示装置１に比べてより強い電界集中を実現
することができる。なお、このような構造によって電界
集中を高める場合、通常、畝状突起部２０の表面に設け
る凹凸の深さ或いは高さは０．１μｍ以上であることが
好ましく、０．５μｍ以上であることがより好ましい。

【００４１】図３に示すような凹凸を有する畝状突起部
２０は、以下の方法で形成することができる。例えば、
畝状突起部２０の一部として比較的大きな第１の樹脂部
を形成した後、その第１の樹脂部の上に比較的小さな第
２の樹脂部を形成することのように、畝状突起部２０を
複数段階に分けて形成することにより、図２に示すよう
な凹凸を有する畝状突起部２０を得ることができる。な
お、それら樹脂部は、フォトリソグラフィ技術を用いる
ことや印刷法を利用することなどによって形成すること
ができる。

【００４２】また、図３に示すような凹凸を有する畝状
突起部２０は、高粘度の樹脂を印刷することによって形
成することもできる。この場合、版への糸引きを利用し
て凸部を形成することができる。また、樹脂中に気泡を
含ませ、その状態で印刷・硬化することにより凹部を形
成することができる。

【００４３】図４（ａ），（ｂ）は、それぞれ、図３に
示す畝状突起部２０を形成するプロセスの例を概略的に
示す断面図である。図４（ａ）に示すように、熱膨張係
数または硬化収縮係数が大きい光硬化性或いは熱硬化性
樹脂を用いて矩形状断面を有するパターン２７を形成
し、その後、光硬化或いは熱硬化すると、図４（ｂ）に
示すように、パターン２７は体積収縮を生じて変形し、
頂部に曲率半径の小さな角が生じる。このような方法で
得られるパターン２７を畝状突起部２０として利用して
もよい。

【００４４】なお、通常、このような方法は、光硬化性
或いは熱硬化性樹脂の体積収縮率が５％以上である場合
に有効である。また、図４（ａ）に示す方法で未硬化の
パターン２７を形成した後、表面のみを光硬化させ、次
いで、熱により本硬化させた場合、図３に示す畝状突起
部２０のように表面に皺が形成されたパターン２７を得
ることができる。さらに、未硬化のパターン２７から溶
媒が十分に揮発していない状態でＩＴＯをスパッタリン
グすることによっても、図３に示すように、畝状突起部
２０の位置で画素電極１０の表面に皺を形成することが
できる。

【００４５】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図５は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表
示装置を概略的に示す断面図である。図５に示す液晶表
示装置１では、画素電極１０と共通電極１６との間に印
加する電圧を閾値電圧未満の第１表示電圧と閾値電圧よ
りも高い第２表示電圧との間で変化させることにより表
示を行うものであり、畝状突起部２０は画素電極１０の
配向膜１１側の表面及び配向膜１１の液晶層４側の表面
に畝状突起構造を形成している。

【００４６】図５に示す液晶表示装置１と図１に示す液
晶表示装置１とはほぼ同様の構造を有しているが、画素
電極１０と共通電極１６との間に第２表示電圧を印加し
た際の液晶分子の配向状態が互いに異なっている。以下
に、図５に示す液晶表示装置１の動作について説明す
る。

【００４７】画素電極１０と共通電極１６との間に閾値
電圧未満の第１表示電圧を印加している場合（画素電極
１０と共通電極１６との間に電圧を印加していない場合
を含む）、液晶層４を構成する液晶分子２５，具体的に
は誘電率異方性が負の液晶分子，は、その長軸が配向膜
１１の膜面に対してほぼ垂直となるように配向してい
る。

【００４８】画素電極１０と共通電極１６との間に閾値
電圧よりも高い第２表示電圧を印加すると、図５に示す
ように隣り合う画素電極１０間のギャップの位置には湾
曲した電界が生じる。その結果、液晶分子２５はギャッ
プの両側で互いに異なる方向にチルトして、画素電極１
０と共通電極１６との間の領域として規定される画素領
域は、液晶分子２５のチルト方向が互いに異なる２つの
ドメインＤ₁，Ｄ₂へと分割される。

【００４９】一方、畝状突起部２０の位置では、画素電
極１０と共通電極１６との間に生じる電界が液晶分子２
５を配向膜１１の膜面にほぼ平行な方向に配向させるよ
うに作用し、配向膜１１が液晶分子２５をその膜面に垂
直な方向に配向させるように作用するのに加え、配向膜
１１の表面に形成された畝状突起構造の両側面とその両
脇の平坦部とは一対の溝を形成しているので、液晶分子
２５は排除体積効果によって畝状突起構造の長手方向に
平行な方向に配向しようとする。

【００５０】そのため、第２表示電圧が十分に高く、電
極１０，１６間に生じる電界が液晶分子２５の配向に与
える影響が、配向膜１１が液晶分子２５の配向に与える
影響に比べて支配的になると、液晶分子２５は配向膜１
１の膜面に平行な面内でほぼ自由に回転可能となる。そ
の結果、畝状突起構造の近傍では、液晶分子２５は畝状
突起部２０の長手方向にほぼ平行な方向に配向する。

【００５１】このように、本実施形態では、液晶分子２
５は、画素電極１０の端部において画素電極１０間のギ
ャップにほぼ垂直な方向に配向し、畝状突起構造の近傍
では畝状突起部２０の長手方向にほぼ平行な方向に配向
する。それら配向の一方から他方への移行は、概略的に
は、液晶分子２５を配向膜１７などの主面に平行な面内
で回転させることにより可能である。そのため、画素電
極１０間のギャップと畝状突起構造との間で液晶分子２
５の配向方向は連続的に変化し、それらの間にシュリー
レンが発生することはない。したがって、本実施形態に
よると、図５に示すように、画素電極１０と共通電極１
６との間の領域として規定される画素領域を、液晶分子
２５の配向状態が互いに異なる２つのドメインＤ₁，Ｄ₂
へと分割することができる。

【００５２】また、本実施形態では、隣り合うドメイン
間の境界位置は、隣り合う画素電極１０間のギャップと
畝状突起構造とによって規制されている。そのため、本
実施形態によると、ドメイン間の境界位置が移動するこ
とによる応答速度の遅延を生ずることがない。したがっ
て、より速い応答速度を実現することができる。

【００５３】上述のように、本実施形態では、第２表示
電圧印加時における畝状突起構造近傍の液晶配向を排除
体積効果などを利用して制御している。そのため、配向
膜１１に形成された畝状突起構造の形状やサイズなどが
重要である。

【００５４】配向膜１１に形成された畝状突起構造の高
さは、０．５μｍ以上であることが好ましく、０．７μ
ｍ以上であることがより好ましい。この場合、排除体積
効果をより効果的に発揮させることができる。また、通
常、配向膜１１に形成された畝状突起構造の高さと画素
電極１０に形成された畝状突起構造の高さとはほぼ等し
いので、配向膜１１に形成された畝状突起構造の高さが
過剰に高い場合、画素電極１０と共通電極１６との間で
電気的短絡を生ずることがある。したがって、配向膜１
１に形成された畝状突起構造の高さは、２μｍ以下であ
ることが好ましい。なお、上述のように、排除体積効果
は、配向膜１１に形成された畝状突起構造の両側面とそ
の両脇の平坦部とが形成する溝によってもたらされる。
そのため、畝状突起構造の幅が排除体積効果に与える影
響は無視することができる。

【００５５】排除体積効果をより効果的に発揮させるに
は、図６（ａ）〜（ｃ）に示すような断面形状を有する
畝状突起部２０を利用することも有効である。

【００５６】図６（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、図５に
示す液晶表示装置１で利用可能な畝状突起部２０の例を
示す断面図である。図６（ａ）に示すように畝状突起部
２０が矩形状断面を有している場合、通常、画素電極１
０や配向膜１１に形成される畝状突起構造の断面形状も
矩形状となる。この場合、図５に示す断面形状の畝状突
起部２０を用いた場合に比べて排除体積効果をより効果
的に発揮させることができる。また、図６（ｂ），
（ｃ）に示すように畝状突起部２０の断面が逆テーパ状
部を有している場合、図６（ａ）に示す断面形状の畝状
突起部２０を用いた場合に比べて排除体積効果をさらに
効果的に発揮させることができる。

【００５７】また、排除体積効果をより効果的に発揮さ
せるには、畝状突起構造の上面にその長手方向に沿って
溝を形成することも有効である。この場合、畝状突起構
造の側方だけでなく上方においても排除体積効果を発揮
させることができる。なお、この効果は、２つの畝状突
起構造を僅かな間隙を隔てて平行に配置した場合におい
ても同様に得られる。

【００５８】以上説明した第１及び第２の実施形態にお
いて、畝状突起構造２０は画素電極１０に対して様々な
位置に配置することができる。これについては、図７
（ａ）〜（ｄ）及び図８（ｅ）〜（ｈ）を参照しながら
説明する。

【００５９】図７（ａ）〜（ｄ）及び図８（ｅ）〜
（ｈ）は、それぞれ、本発明の第１及び第２の実施形態
に係る液晶表示装置１で利用可能な構造を概略的に示す
平面図である。なお、図７（ａ），（ｃ），（ｄ）及び
図８（ｆ）のそれぞれにおいて、画素電極１０は複数の
部分へと分割されているが、それらは互いに電気的に接
続されている。

【００６０】図７（ａ）に示す構造では、畝状突起部２
０は画素電極１０の外周部に沿って位置している。この
ような構造では、隣り合う画素電極１０間のギャップを
配向制御に利用できない。そのため、画素電極１０にス
リット２１を設け、このスリット２１と畝状突起部２０
によって形成される畝状突起構造との組み合わせにより
配向制御を行う。

【００６１】図７（ｂ）及び図８（ｇ），（ｈ）に示す
構造では、畝状突起部２０は画素電極１０を横切るよう
に位置している。このような構造では、畝状突起部２０
によって形成される畝状突起構造と、隣り合う画素電極
１０間のギャップ或いは画素電極１０とそれに隣り合う
配線との間のギャップとの組み合わせにより配向制御を
行うことができる。

【００６２】なお、図７（ｃ），（ｄ）及び図８
（ｅ），（ｆ）に示す構造では、スリット２１と、畝状
突起部２０によって形成される畝状突起構造と、隣り合
う画素電極１０間のギャップ或いは画素電極１０とそれ
に隣り合う配線との間のギャップとの組み合わせにより
配向制御を可能としている。

【００６３】以上説明した第１及び第２の実施形態に係
る液晶表示装置１には、カラーフィルタ層を設けること
ができる。カラーフィルタ層はアレイ基板２及び対向基
板３のいずれに設けてもよいが、アレイ基板２に設けた
場合、アレイ基板２と対向基板３とを貼り合わせてセル
を形成する際にアライメントマークなどを利用した高精
度な位置合わせが不要となる。

【００６４】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 （実施例１）図９は、本発明の実施例１に係る液晶表示
装置１を概略的に示す断面図である。本実施例では、図
９に示す液晶表示装置１を以下に説明する方法により作
製した。なお、本実施例では、画素電極１０及び畝状突
起部２０に図７（ｂ）に示す構造を採用した。

【００６５】まず、通常のＴＦＴ形成プロセスと同様に
成膜とパターニングとを繰返し、ガラス基板７上に走査
線及び信号線等の配線並びにＴＦＴ８を形成した。次
に、ガラス基板７のＴＦＴ８等を形成した面に、感光性
樹脂を塗布し、それにより得られた塗膜をパターニング
することにより透明絶縁膜９を形成した。この塗膜のパ
ターニングは、後で形成する画素電極１０とＴＦＴ８と
を接続するコンタクトホールが形成されるように行っ
た。

【００６６】次に、透明絶縁膜９上に感光性樹脂を塗布
し、得られた塗膜を露光・現像することにより畝状突起
部２０を形成した。なお、畝状突起部２０の高さは０．
５μｍとし、その頂部の曲率半径は０．３μｍとした。

【００６７】次いで、ガラス基板７の畝状突起部２０を
形成した面に対し、所定のパターンのマスクを介してＩ
ＴＯをスパッタリングすることにより画素電極１０を形
成した。なお、これら画素電極１０は、それぞれコンタ
クトホールを介してＴＦＴ８と接続した。

【００６８】その後、ガラス基板７の画素電極１０を形
成した面の全面に厚さ７０ｎｍの垂直配向膜１１を形成
した。以上のようにして、アクティブマトリクス基板２
を作製した。

【００６９】次に、別途用意したガラス基板１５の一方
の主面上に、赤の色領域、緑の色領域、及び青の色領域
を並置した構造のカラーフィルタ層１３を形成した。次
いで、このカラーフィルタ層１３上に、共通電極１６と
して、スパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を形成した。
続いて、この共通電極１６の全面に、アクティブマトリ
クス基板２に関して説明したのと同様の方法により配向
膜１７を形成した。以上のようにして、対向基板３を作
製した。

【００７０】次に、アクティブマトリクス基板２と対向
基板３の対向面周縁部を、それらの配向膜１１，１７が
形成された面が対向するように及び液晶材料を注入する
ための注入口が残されるように接着剤で貼り合わせるこ
とにより液晶セルを形成した。なお、この液晶セルのセ
ルギャップは、アクティブマトリクス基板２と対向基板
３との間に直径４μｍの樹脂スペーサを介在させること
により一定に維持した。また、それら基板２，３を貼り
合わせる際、基板２，３の位置合わせはそれらの端面位
置を揃えることにより行い、アライメントマークなどを
利用する高精度な位置合わせは行わなかった。

【００７１】次いで、この液晶セル中に誘電率異方性が
負である液晶材料を通常の方法により注入して液晶層４
を形成した。さらに、液晶注入口を紫外線硬化樹脂で封
止し、液晶セルの両面に図示しない偏光フィルム（図示
せず）を貼り付けることにより図９に示す液晶表示装置
１を得た。

【００７２】次に、以上のようにして作製した液晶表示
装置１について、画素電極１０と共通電極１６との間に
５．５Ｖの電圧を印加して配向状態を観察した。その結
果、シュリーレンはギャップや畝状突起部２０の位置で
発生したものの、１つの画素領域内に、十分に大面積で
あり且つ配向状態が安定している複数のドメインを形成
することができた。すなわち、良好な配向分割均一性を
実現することができた。

【００７３】（実施例２）図１０は、本発明の実施例２
に係る液晶表示装置１を概略的に示す断面図である。本
実施例では、図１０に示す液晶表示装置１を以下に説明
する方法により作製した。なお、本実施例では、画素電
極１０及び畝状突起部２０に図７（ｄ）に示す構造を採
用した。

【００７４】まず、実施例１で説明したのと同様の方法
により、ガラス基板７上に走査線及び信号線等の配線並
びにＴＦＴ８を形成し、その上に透明絶縁膜９を形成し
た。次に、透明絶縁層９上に、赤の色領域、緑の色領
域、及び青の色領域を有するカラーフィルタ層１３を形
成した。なお、ここでは、それら色領域を部分的に重ね
合わせることにより、高さが２μｍであり頂部の曲率半
径が１μｍの畝状突起部２０も同時に形成した。

【００７５】次いで、ガラス基板７の畝状突起部２０を
形成した面に対し、所定のマスクを用いた蒸着法により
メタルリッチのＩＴＯ膜を成膜した。これにより、表面
に深さ或いは高さが１００ｎｍ程度の微細な凹凸を有す
る画素電極１０を得た。なお、これら画素電極１０は、
それぞれコンタクトホールを介してＴＦＴ８と接続し
た。

【００７６】次に、ガラス基板７の画素電極１０を形成
した面に対し、透明レジストを塗布して厚さ４μｍのレ
ジスト膜を成膜し、このレジスト膜を露光・現像するこ
とにより柱状スペーサ（図示せず）を形成した。

【００７７】その後、ガラス基板７の画素電極１０を形
成した面の全面に厚さ１００ｎｍの垂直配向膜１１を形
成した。以上のようにして、アクティブマトリクス基板
２を作製した。

【００７８】次に、別途用意したガラス基板１５の一方
の主面上に、共通電極１６として、スパッタリング法を
用いてＩＴＯ膜を形成した。続いて、この共通電極１６
の全面に、アクティブマトリクス基板２に関して説明し
たのと同様の方法により配向膜１７を形成した。以上の
ようにして、対向基板３を作製した。

【００７９】次いで、アクティブマトリクス基板２の画
素電極１０を形成した面の周縁部に紫外線硬化型シール
剤を塗布し、その後、誘電率異方性が負である液晶材料
を滴下した。次に、このアクティブマトリクス基板２と
対向基板３とを電極１０，１６同士が対向するように真
空下で重ね合わせ、紫外線照射により紫外線硬化型シー
ル剤を硬化させることにより液晶セルを形成した。な
お、それら基板２，３を重ね合わせる際、基板２，３の
位置合わせはそれらの端面位置を揃えることにより行
い、アライメントマークなどを利用する高精度な位置合
わせは行わなかった。さらに、液晶セルの両面に図示し
ない偏光フィルム（図示せず）を貼り付けることにより
図１０に示す液晶表示装置１を得た。

【００８０】次に、以上のようにして作製した液晶表示
装置１について、画素電極１０と共通電極１６との間に
６Ｖの電圧を印加して配向状態を観察した。その結果、
シュリーレンはギャップや畝状突起部２０の位置で発生
したものの、１つの画素領域内に、十分に大面積であり
且つ配向状態が安定している複数のドメインを形成する
ことができた。すなわち、良好な配向分割均一性を実現
することができた。また、本実施例では、カラーフィル
タ層１３をアクティブマトリクス基板２に形成したた
め、実施例１に比べて、カラーフィルタ層１３の画素電
極１０に対する相対位置の誤差が少なかった。

【００８１】（実施例３）図１０に示す液晶表示装置１
を以下に説明する方法により作製した。なお、本実施例
では、画素電極１０及び畝状突起部２０に図８（ｅ）に
示す構造を採用した。

【００８２】まず、実施例１で説明したのと同様の方法
により、ガラス基板７上に走査線及び信号線等の配線並
びにＴＦＴ８を形成し、その上に透明絶縁膜９を形成し
た。次に、透明絶縁層９上に、赤の色領域、緑の色領
域、及び青の色領域を並置した構造を有するカラーフィ
ルタ層１３を形成した。

【００８３】次いで、カラーフィルタ層１３上に、透明
レジストを塗布してレジスト膜を成膜し、このレジスト
膜を露光・現像することにより畝状突起部２０を形成し
た。なお、ここでは、現像後の本硬化は行わなかった。

【００８４】次に、ガラス基板７の畝状突起部２０を形
成した面に対し、所定のパターンのマスクを介してＩＴ
Ｏをスパッタリングした。これにより、表面に皺を有す
る高さ１μｍの畝状突起構造が畝状突起部２０の位置に
形成された画素電極１０を得た。なお、これら画素電極
１０は、それぞれコンタクトホールを介してＴＦＴ８と
接続した。

【００８５】次に、ガラス基板７の画素電極１０を形成
した面に対し、透明レジストを塗布して厚さ４μｍのレ
ジスト膜を成膜し、このレジスト膜を露光・現像するこ
とにより柱状スペーサ（図示せず）を形成した。

【００８６】その後、ガラス基板７の画素電極１０を形
成した面の全面に厚さ１００ｎｍの垂直配向膜１１を形
成した。以上のようにして、アクティブマトリクス基板
２を作製した。

【００８７】次に、別途用意したガラス基板１５の一方
の主面上に、共通電極１６として、スパッタリング法を
用いてＩＴＯ膜を形成した。続いて、この共通電極１６
の全面に、アクティブマトリクス基板２に関して説明し
たのと同様の方法により配向膜１７を形成した。以上の
ようにして、対向基板３を作製した。

【００８８】次いで、アクティブマトリクス基板２の画
素電極１０を形成した面の周縁部に紫外線硬化型シール
剤を塗布し、その後、誘電率異方性が負である液晶材料
を滴下した。次に、このアクティブマトリクス基板２と
対向基板３とを電極１０，１６同士が対向するように真
空下で重ね合わせ、紫外線照射により紫外線硬化型シー
ル剤を硬化させることにより液晶セルを形成した。な
お、それら基板２，３を重ね合わせる際、基板２，３の
位置合わせはそれらの端面位置を揃えることにより行
い、アライメントマークなどを利用する高精度な位置合
わせは行わなかった。さらに、液晶セルの両面に図示し
ない偏光フィルム（図示せず）を貼り付けることにより
図１０に示す液晶表示装置１を得た。

【００８９】次に、以上のようにして作製した液晶表示
装置１について、画素電極１０と共通電極１６との間に
５Ｖの電圧を印加して配向状態を観察した。その結果、
シュリーレンはギャップや畝状突起部２０の位置で発生
したものの、１つの画素領域内に、十分に大面積であり
且つ配向状態が安定している複数のドメインを形成する
ことができた。すなわち、良好な配向分割均一性を実現
することができた。また、本実施例では、カラーフィル
タ層１３をアクティブマトリクス基板２に形成したた
め、実施例１に比べて、カラーフィルタ層１３の画素電
極１０に対する相対位置の誤差が少なかった。

【００９０】（実施例４）図１１は、本発明の実施例４
に係る液晶表示装置１を概略的に示す断面図である。本
実施例では、図１１に示す液晶表示装置１を以下に説明
する方法により作製した。なお、本実施例では、画素電
極１０及び畝状突起部２０に図７（ｂ）に示す構造を採
用した。

【００９１】まず、実施例１で説明したのと同様の方法
により、ガラス基板７上に走査線及び信号線等の配線並
びにＴＦＴ８を形成し、その上に透明絶縁膜９を形成し
た。次に、透明絶縁膜９上に感光性樹脂を塗布し、得ら
れた塗膜を露光・現像することにより畝状突起部２０を
形成した。なお、畝状突起部２０の高さは０．５μｍと
し、その頂部の曲率半径は０．５μｍとした。

【００９２】次いで、ガラス基板７の畝状突起部２０を
形成した面に対し、実施例１で説明したのと同様の方法
により、画素電極１０及び垂直配向膜１１を順次形成し
た。以上のようにして、アクティブマトリクス基板２を
作製した。以上のようにして得られたアクティブマトリ
クス基板２を用いたこと以外は実施例１で説明したのと
同様の方法により図１１に示す液晶表示装置１を作製し
た。

【００９３】次に、以上のようにして作製した液晶表示
装置１について、画素電極１０と共通電極１６との間に
６Ｖの電圧を印加して配向状態を観察した。その結果、
シュリーレンはギャップや畝状突起部２０の位置で発生
したものの、１つの画素領域内に、十分に大面積であり
且つ配向状態が安定している複数のドメインを形成する
ことができた。すなわち、良好な配向分割均一性を実現
することができた。

【００９４】（実施例５）図１２は、本発明の実施例５
に係る液晶表示装置１を概略的に示す断面図である。本
実施例では、それぞれ高さが２μｍの２つの畝状突起部
２０を５μｍ離間させて平行に配置したこと以外は実施
例２で説明したのと同様の方法により図１２に示す液晶
表示装置１を作製した。なお、本実施例では、画素電極
１０及び畝状突起部２０に図７（ｄ）に示す構造を採用
した。

【００９５】次に、以上のようにして作製した液晶表示
装置１について、画素電極１０と共通電極１６との間に
５．５Ｖの電圧を印加して配向状態を観察した。その結
果、シュリーレンはギャップや畝状突起部２０の位置で
発生したものの、１つの画素領域内に、十分に大面積で
あり且つ配向状態が安定している複数のドメインを形成
することができた。すなわち、良好な配向分割均一性を
実現することができた。また、本実施例では、カラーフ
ィルタ層１３をアクティブマトリクス基板２に形成した
ため、実施例４に比べて、カラーフィルタ層１３の画素
電極１０に対する相対位置の誤差が少なかった。

【００９６】（実施例６）図１３は、本発明の実施例６
に係る液晶表示装置１を概略的に示す断面図である。本
実施例では、図１３に示す液晶表示装置１を以下に説明
する方法により作製した。なお、本実施例では、画素電
極１０及び畝状突起部２０に図７（ｃ）に示す構造を採
用した。

【００９７】まず、実施例１で説明したのと同様の方法
により、ガラス基板７上に走査線及び信号線等の配線並
びにＴＦＴ８を形成し、その上に透明絶縁膜９を形成し
た。次に、透明絶縁層９上に、赤の色領域、緑の色領
域、及び青の色領域を並置した構造を有するカラーフィ
ルタ層１３を形成した。

【００９８】次いで、カラーフィルタ層１３上に、黒色
顔料を含有するレジストを塗布してレジスト膜を成膜
し、このレジスト膜を露光・現像することにより、逆テ
ーパ状の断面形状を有する畝状突起部２０を形成した。

【００９９】次に、ガラス基板７の畝状突起部２０を形
成した面に対し、所定のパターンのマスクを介してＩＴ
Ｏをスパッタリングすることにより画素電極１０を形成
した。なお、これら画素電極１０は、それぞれコンタク
トホールを介してＴＦＴ８と接続した。

【０１００】次いで、ガラス基板７の画素電極１０を形
成した面に対し、透明レジストを塗布して厚さ４μｍの
レジスト膜を成膜し、このレジスト膜を露光・現像する
ことにより柱状スペーサ（図示せず）を形成した。

【０１０１】その後、ガラス基板７の画素電極１０を形
成した面の全面に厚さ１００ｎｍの垂直配向膜１１を形
成した。以上のようにして、アクティブマトリクス基板
２を作製した。

【０１０２】次に、別途用意したガラス基板１５の一方
の主面上に、共通電極１６として、スパッタリング法を
用いてＩＴＯ膜を形成した。続いて、この共通電極１６
の全面に、アクティブマトリクス基板２に関して説明し
たのと同様の方法により配向膜１７を形成した。以上の
ようにして、対向基板３を作製した。

【０１０３】次いで、アクティブマトリクス基板２の画
素電極１０を形成した面の周縁部に紫外線硬化型シール
剤を塗布し、その後、誘電率異方性が負である液晶材料
を滴下した。次に、このアクティブマトリクス基板２と
対向基板３とを電極１０，１６同士が対向するように真
空下で重ね合わせ、紫外線照射により紫外線硬化型シー
ル剤を硬化させることにより液晶セルを形成した。な
お、それら基板２，３を重ね合わせる際、基板２，３の
位置合わせはそれらの端面位置を揃えることにより行
い、アライメントマークなどを利用する高精度な位置合
わせは行わなかった。さらに、液晶セルの両面に図示し
ない偏光フィルム（図示せず）を貼り付けることにより
図１３に示す液晶表示装置１を得た。

【０１０４】次に、以上のようにして作製した液晶表示
装置１について、画素電極１０と共通電極１６との間に
６Ｖの電圧を印加して配向状態を観察した。その結果、
シュリーレンはギャップや畝状突起部２０の位置で発生
したものの、１つの画素領域内に、十分に大面積であり
且つ配向状態が安定している複数のドメインを形成する
ことができた。すなわち、良好な配向分割均一性を実現
することができた。また、本実施例では、カラーフィル
タ層１３をアクティブマトリクス基板２に形成したた
め、実施例４に比べて、カラーフィルタ層１３の画素電
極１０に対する相対位置の誤差が少なかった。

【０１０５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、アレ
イ基板の透明基板と画素電極との間に画素電極の表面に
畝状突起構造をもたらす畝状突起部が設けられ、対向基
板の共通電極及び配向膜はそれぞれ平坦な連続膜として
形成される。換言すれば、本発明では、画素領域を複数
のドメインへと分割する配向制御構造と隣り合うドメイ
ン間の境界位置を規制する境界制御構造との双方がアレ
イ基板に対して選択的に設けられる。そのため、アレイ
基板と対向基板とを貼り合わせる際に、それらを高精度
に位置合わせする必要がない。すなわち、本発明による
と、アレイ基板と対向基板との間の高精度な位置合わせ
が不要なＭＶＡモードの液晶表示装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置を
概略的に示す断面図。

【図２】図１に示す液晶表示装置の一変形例を示す断面
図。

【図３】図１に示す液晶表示装置の他の変形例を示す断
面図。

【図４】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、図３に示す畝状
突起部を形成するプロセスの例を概略的に示す断面図。

【図５】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置を
概略的に示す断面図。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、図５に示す液晶
表示装置で利用可能な畝状突起部の例を示す断面図。

【図７】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、本発明の第１及
び第２の実施形態に係る液晶表示装置で利用可能な構造
を概略的に示す平面図。

【図８】（ｅ）〜（ｈ）は、それぞれ、本発明の第１及
び第２の実施形態に係る液晶表示装置で利用可能な構造
を概略的に示す平面図。

【図９】本発明の実施例１に係る液晶表示装置を概略的
に示す断面図。

【図１０】本発明の実施例２に係る液晶表示装置を概略
的に示す断面図。

【図１１】本発明の実施例４に係る液晶表示装置を概略
的に示す断面図。

【図１２】本発明の実施例５に係る液晶表示装置を概略
的に示す断面図。

【図１３】本発明の実施例６に係る液晶表示装置を概略
的に示す断面図。

【符号の説明】

１…液晶表示装置； ２…アレイ基板； ３…対向基
板； ４…液晶層；７…透明基板； ８…ＴＦＴ； ９
…透明絶縁膜； １０…画素電極；１１…配向膜； １
３…カラーフィルタ層； １５…透明基板；１６…共通
電極； １７…配向膜； ２０…畝状突起部； ２１…
スリット；２５…液晶分子； ２７…パターン；

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉内 昭一 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２ 株式 会社東芝深谷工場内 (72)発明者 山口 剛史 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２ 株式 会社東芝深谷工場内 (72)発明者 真鍋 敦行 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２ 株式 会社東芝深谷工場内 (72)発明者 磨矢 奈津子 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２ 株式 会社東芝深谷工場内 Ｆターム(参考） 2H090 LA01 LA04 MA01 MB11 MB14 2H092 GA13 GA20 NA04 PA02 PA06

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マルチドメイン型垂直配向モードの液晶
   表示装置であって、 第１透明基板、前記第１透明基板上に形成された画素電
   極、前記画素電極上に形成された第１配向膜、及び前記
   第１透明基板と前記画素電極との間に設けられ且つ前記
   画素電極の前記第１配向膜側の表面に畝状突起構造をも
   たらす畝状突起部を備えたアレイ基板と、 前記第１配向膜に対向して配置された第２透明基板、前
   記第２透明基板の前記第１配向膜との対向面に平坦な連
   続膜として形成された共通電極、及び前記共通電極上に
   平坦な連続膜として形成された第２配向膜を備えた対向
   基板と、 前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶
   層とを具備することを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記画素電極と前記共通電極との間に印
   加する電圧を第１表示電圧と前記第１表示電圧よりも高
   い第２表示電圧との間で変化させることにより表示を行
   い、 前記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧を前
   記第２表示電圧とした際に、前記畝状突起構造は、その
   両側で、前記液晶層に含まれる液晶分子を前記液晶分子
   の長軸と前記畝状突起部の長手方向とが交差し且つ前記
   液晶分子の長軸が前記畝状突起部に対向するように配向
   させることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
   置。
3. 【請求項３】 前記畝状突起構造の前記畝状突起部の長
   手方向に垂直な断面における頂部の曲率半径は前記畝状
   突起構造の高さよりも小さいことを特徴とする請求項１
   または請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記畝状突起構造は凹凸表面を有してい
   ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１
   項に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 マルチドメイン型垂直配向モードの液晶
   表示装置であって、 第１透明基板、前記第１透明基板上に形成された画素電
   極、前記画素電極上に形成された第１配向膜、及び前記
   第１透明基板と前記画素電極との間に設けられ且つ前記
   画素電極の前記第１配向膜側の表面に第１畝状突起構造
   を及び前記第１配向膜の露出面に第２畝状突起構造をそ
   れぞれもたらす畝状突起部を備えたアレイ基板と、 前記第１配向膜に対向して配置された第２透明基板、前
   記第２透明基板の前記第１配向膜との対向面に平坦な連
   続膜として形成された共通電極、及び前記共通電極上に
   平坦な連続膜として形成された第２配向膜を備えた対向
   基板と、 前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶
   層とを具備することを特徴とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記画素電極と前記共通電極との間に印
   加する電圧を第１表示電圧と前記第１表示電圧よりも高
   い第２表示電圧との間で変化させることにより表示を行
   い、 前記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧を前
   記第２表示電圧とした際に、前記画素電極によって規定
   される画素領域内に、前記液晶層に含まれる液晶分子の
   長軸と前記畝状突起部の長手方向とが為す角度が前記畝
   状突起部の側部からの距離に応じて大きくなるように変
   化する配向状態を形成することを特徴とする請求項５に
   記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 前記第２畝状突起構造の前記畝状突起部
   の長手方向に垂直な断面は矩形状部或いは逆テーパ状部
   を有していることを特徴とする請求項５または請求項６
   に記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記第２畝状突起構造には、前記第２畝
   状突起部の前記アレイ基板側の面に開口を有し且つその
   長手方向に沿って延在した少なくとも１つの溝が設けら
   れていることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいず
   れか１項に記載の液晶表示装置。
9. 【請求項９】 前記画素電極にスリットが設けられてい
   ることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１
   項に記載の液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 前記アレイ基板は前記第１透明基板と
    前記畝状突起部との間にカラーフィルタ層をさらに備え
    たことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１
    項に記載の液晶表示装置。