JP2003029284A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2003029284A
JP2003029284A JP2001217228A JP2001217228A JP2003029284A JP 2003029284 A JP2003029284 A JP 2003029284A JP 2001217228 A JP2001217228 A JP 2001217228A JP 2001217228 A JP2001217228 A JP 2001217228A JP 2003029284 A JP2003029284 A JP 2003029284A
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ridge
liquid crystal
pixel electrode
crystal display
display device
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JP2001217228A
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English (en)
Inventor
Yasushi Kawada
靖 川田
Kazuyuki Haruhara
一之 春原
Shoichi Kurauchi
昭一 倉内
Takashi Yamaguchi
剛史 山口
Atsuyuki Manabe
敦行 真鍋
Natsuko Maya
奈津子 磨矢
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】アレイ基板と対向基板との間の高精度な位置合
わせが不要なMVAモードの液晶表示装置を提供するこ
と。 【解決手段】本発明の液晶表示装置1は、マルチドメイ
ン型垂直配向モードの液晶表示装置であって、画素電極
10の第1配向膜11側の表面及び第1配向膜11の露
出面のそれぞれに第1畝状突起構造をもたらす第1畝状
突起部20aがアレイ基板2の第1透明基板7と画素電
極10との間に設けられ、第1畝状突起構造20aは画
素電極10の輪郭を構成する辺のうち少なくとも互いに
異なる第1辺及び第2辺のそれぞれに対して鋭角を為し
て延在し、対向基板3に設けられた共通電極16及び第
2配向膜17の双方が平坦な連続膜として形成されたこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特にはマルチドメイン型垂直配向モードの液晶表示
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電
力である等の様々な特長を有しており、OA機器、情報
端末、時計、及びテレビ等の様々な用途に応用されてい
る。特に、薄膜トランジスタ(以下、TFTという)を
有する液晶表示装置は、その高い応答性から、携帯テレ
ビやコンピュータなどのように多量の情報を表示するモ
ニタとして用いられている。
【0003】近年、情報量の増加に伴い、画像の高精細
化や表示速度の高速化に対する要求が高まっている。こ
れら要求のうち画像の高精細化は、例えば、上述したT
FTが形成するアレイ構造を微細化することによって実
現されている。
【0004】一方、表示速度の高速化に関しては、従来
の表示モードの代わりに、ネマチック液晶を用いたVA
N(Vertical Aligned Nematic)モードを採用すること
が検討されている。
【0005】VANモードでは、従来のTN(Twisted
Nematic)モードよりも速い応答速度を得ることがで
き、しかも、垂直配向のため静電気破壊などの不良を発
生させるラビング処理が不要である。なかでも、マルチ
ドメイン型VANモード(以下、MVAモードという)
は、視野角の補償設計が比較的容易なことから特に注目
を集めている。
【0006】しかしながら、MVAモードを採用した従
来の液晶表示装置では、アレイ基板だけでなく、対向基
板に対しても畝状突起構造を形成するか或いは対向基板
上の共通電極にスリットなどを設ける必要がある。その
ため、アレイ基板と対向基板との位置合わせを極めて高
い精度で行わなければならず、その結果、コストの上昇
や信頼性の低下を生じてしまう。
【0007】また、近年では、TNモードの液晶表示装
置の製造において、アレイ基板にカラーフィルタ層を形
成する技術が実用化され始めている。この技術による
と、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせてセルを形成
する際に、カラーフィルタ層を構成する各色領域と画素
電極とを位置合わせする必要がない。したがって、この
ような技術をMVAモードの液晶表示装置の製造にも適
用することが望まれるが、従来のMVAモードの液晶表
示装置では、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせてセ
ルを形成する際に、それらの間で畝状突起構造やスリッ
トの位置合わせを行う必要がある。そのため、従来のM
VAモードの液晶表示装置では、アレイ基板にカラーフ
ィルタ層を形成したとしても、TNモードの液晶表示装
置で得られる利益を享受することはできなかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、アレイ基板と対向基板と
の間の高精度な位置合わせが不要なMVAモードの液晶
表示装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、マルチドメイン型垂直配向モードの液晶
表示装置であって、第1透明基板、前記第1透明基板上
に形成された画素電極、前記画素電極上に形成された第
1配向膜、前記第1透明基板と前記画素電極との間に介
在し且つ前記画素電極の前記第1配向膜側の表面及び前
記第1配向膜の露出面のそれぞれに第1畝状突起構造を
もたらす第1畝状突起部を備えたアレイ基板と、前記第
1配向膜に対向して配置された第2透明基板、前記第2
透明基板の前記第1配向膜との対向面に平坦な連続膜と
して形成された共通電極、及び前記共通電極上に平坦な
連続膜として形成された第2配向膜を備えた対向基板
と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された
液晶層とを具備し、前記第1畝状突起構造は前記画素電
極の輪郭の一部を構成する辺のうち少なくとも互いに異
なる第1辺及び第2辺のそれぞれに対して鋭角を為して
延在したことを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【0010】なお、ここで使用する用語「画素電極の輪
郭」は、画素電極の外周に加えて、画素電極の中央に外
周から離間してスリットが設けられている場合などには
画素電極の内周も包含する。
【0011】本発明の液晶表示装置では、画素電極と共
通電極との間に印加する電圧を第1表示電圧と第1表示
電圧よりも高い第2表示電圧との間で変化させることに
より表示を行うことができる。本発明の液晶表示装置で
は、画素電極と共通電極との間に印加する電圧を第2表
示電圧とした際、画素電極によって規定される画素領域
内には、例えば、液晶層に含まれる液晶分子の長軸と第
1畝状突起部の長手方向とが為す角度が第1畝状突起構
造の側部から第1辺及び前記第2辺に向けて大きくなる
ように変化する配向状態が形成される。
【0012】本発明の液晶表示装置において、アレイ基
板は、第1透明基板と画素電極との間に介在し且つ画素
電極の第1配向膜側の表面及び第1配向膜の露出面のそ
れぞれに第2畝状突起構造をもたらす第2畝状突起部、
及び、第1透明基板と画素電極との間に介在し且つ画素
電極の第1配向膜側の表面及び第1配向膜の露出面のそ
れぞれに第3畝状突起構造をもたらす第3畝状突起部を
さらに備え、第2畝状突起構造と第3畝状突起構造とは
互いに離間し、第2畝状突起構造は第1辺と交差する方
向に及び少なくとも第1辺から第1畝状突起構造まで延
在し、第3畝状突起構造は第2辺と交差する方向に及び
少なくとも第2辺から第1畝状突起構造まで延在してい
てもよい。
【0013】この場合、第2畝状突起構造及び第3畝状
突起構造のそれぞれは少なくとも第1辺から第2辺まで
延在していてもよい。また、第1畝状突起構造は少なく
とも第1辺から第2辺まで延在していてもよい。
【0014】第1辺と第2辺とは互いに平行であり、第
2畝状突起構造と第3畝状突起構造とは同一方向に延在
していてもよい。この場合、第2畝状突起構造及び第3
畝状突起構造のそれぞれは第1辺及び第2辺に対して垂
直な方向に延在していてもよい。
【0015】本発明の液晶表示装置において、アレイ基
板は第1透明基板と畝状突起部との間にカラーフィルタ
層をさらに備えていてもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面を参
照しながらより詳細に説明する。なお、各図において、
同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付
し、重複する説明は省略する。
【0017】図1は、本発明の一実施形態に係る液晶表
示装置を概略的に示す断面図である。図1に示す液晶表
示装置1は、MVAモードの液晶表示装置であって、ア
クティブマトリクス基板(或いは、アレイ基板)2と対
向基板3との間に液晶層4を挟持した構造を有してい
る。これらアクティブマトリクス基板2と対向基板3と
の間隔は図示しないスペーサによって一定に維持されて
いる。また、この液晶表示装置1の両面には、図示しな
い偏光フィルムが貼り付けられている。
【0018】アクティブマトリクス基板2は、ガラス基
板のような透明基板7を有している。透明基板7の一方
の主面上には配線及びスイッチング素子8が形成されて
いる。また、それらの上には、絶縁膜9、畝状突起部2
0a、画素電極10、及び配向膜11が順次形成されて
いる。
【0019】透明基板7上に形成する配線は、アルミニ
ウム、モリブデン、及び銅などからなる走査線及び信号
線などである。また、スイッチング素子8は、例えば、
アモルファスシリコンやポリシリコンを半導体層とした
TFTであり、走査線及び信号線などの配線並びに画素
電極10と接続されている。アクティブマトリクス基板
2では、このような構成により、所望の画素電極10に
対して選択的に電圧を印加することを可能としている。
【0020】透明基板7と画素電極10との間に介在す
る絶縁膜9には、コンタクトホールが設けられている。
画素電極10は、このコンタクトホールを介してスイッ
チング素子と接続されている。なお、本実施形態では、
絶縁膜9として、赤、緑、青の色領域9a〜9cを有す
るカラーフィルタ層が設けられている。
【0021】畝状突起部20aは、例えば、紙面に対し
て垂直な方向に延在している。畝状突起部20aは、画
素電極10の配向膜11側の表面及び配向膜11の露出
面に畝状突起構造を転写する。そのような構造により、
画素電極10と共通電極16との間に閾値電圧より高い
第2表示電圧を印加した際に、後で詳述するように隣り
合う2つのドメイン間の境界位置を規制する。すなわ
ち、本実施形態において、畝状突起部20aによって形
成される畝状突起構造は、境界制御構造としての役割を
果たしている。
【0022】畝状突起部20aは、通常、1〜2μm程
度の高さに形成する。また、畝状突起部20aは、例え
ば、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術などに
より形成することができる。なお、本実施形態におい
て、畝状突起部20aは画素電極10の下地として用い
られるので、金属などのように導電性であってもよい。
また、畝状突起部20aの材料としては、無機金属酸化
物などのように有機物以外の絶縁体も使用することがで
きる。
【0023】画素電極10は、ITOのような透明導電
材料で構成され得る。画素電極10は、例えばスパッタ
リング法などにより薄膜を形成した後、フォトリソグラ
フィ技術及びエッチング技術を用いてその薄膜をパター
ニングすることにより形成することができる。なお、本
実施形態では、或る画素電極10と共通電極16との間
に第2表示電圧を印加した際、その画素電極10の両側
では画素電極10間のギャップがチルト配向を誘起して
チルト方向が互いに異なる2つのドメインを形成する。
すなわち、本実施形態において、隣り合う画素電極10
間のギャップは、配向制御構造としての役割を果たして
いる。
【0024】配向膜11は、ポリイミドなどの透明樹脂
からなる薄膜で構成されている。なお、この配向膜11
には、ラビング処理は施さない。
【0025】対向基板3は、ガラス基板のような透明基
板15上に、共通電極16及び配向膜17を順次形成し
た構造を有している。これら共通電極16及び配向膜1
7は、画素電極10及び配向膜11と同様の材料で形成
され得る。なお、本実施形態では、共通電極16及び配
向膜17はそれぞれ平坦な連続膜として形成されてい
る。
【0026】さて、本実施形態に係る液晶表示装置1で
は、共通電極16及び配向膜17はそれぞれ平坦な連続
膜として形成されている。また、隣り合う画素電極10
間のギャップは配向制御構造として機能するのに加え、
画素電極10及び配向膜11には境界制御構造として畝
状突起構造が形成されている。このように、本実施形態
では、アレイ基板2のみに配向制御構造及び境界制御構
造の双方が設けられているため、アレイ基板2と対向基
板3とを貼り合わせてセルを形成する際に、それらを高
精度に位置合わせする必要がない。すなわち、本実施形
態によると、コストの上昇や信頼性の低下を防止するこ
とができる。
【0027】次に、上述した液晶表示装置1の動作につ
いて説明する。画素電極10と共通電極16との間に閾
値電圧未満の第1表示電圧を印加している場合(画素電
極10と共通電極16との間に電圧を印加していない場
合を含む)、液晶層4を構成する液晶分子25,具体的
には誘電率異方性が負の液晶分子,は、その長軸が配向
膜11の膜面に対してほぼ垂直となるように配向してい
る。
【0028】画素電極10と共通電極16との間に閾値
電圧よりも高い第2表示電圧を印加すると、図1に示す
ように隣り合う画素電極10間のギャップの位置には湾
曲した電界が生じる。画素電極10の一端側とそれに対
向する他端側とでは電界は互いに異なる方向に湾曲して
いるので、液晶分子25は画素電極10の一端側と他端
側との間で互いに異なる方向にチルトする。その結果、
画素電極10と共通電極16との間の領域として規定さ
れる画素領域は、液晶分子25のチルト方向が互いに異
なる2つのドメインD1,D2へと分割される。
【0029】一方、畝状突起部20aの位置では、画素
電極10と共通電極16との間に生じる電界が液晶分子
25を配向膜11の膜面にほぼ平行な方向に配向させる
ように作用し、配向膜11が液晶分子25をその膜面に
垂直な方向に配向させるように作用するのに加え、配向
膜11の表面に形成された畝状突起構造の両側面とその
両脇の平坦部とは一対の溝を形成しているので、液晶分
子25は排除体積効果によって畝状突起構造の長手方向
に平行な方向に配向しようとする。
【0030】そのため、第2表示電圧が十分に高く、電
極10,16間に生じる電界が液晶分子25の配向に与
える影響が、配向膜11が液晶分子25の配向に与える
影響に比べて支配的になると、液晶分子25は配向膜1
1の膜面に平行な面内でほぼ自由に回転可能となる。そ
の結果、畝状突起構造の近傍では、液晶分子25は畝状
突起部20aの長手方向にほぼ平行な方向に配向する。
【0031】このように、本実施形態では、液晶分子2
5は、画素電極10の端部において画素電極10間のギ
ャップにほぼ垂直な方向に配向し、畝状突起構造の近傍
では畝状突起部20aの長手方向にほぼ平行な方向に配
向する。それら配向の一方から他方への移行は、概略的
には、液晶分子25を配向膜17などの主面に平行な面
内で回転させることにより可能である。そのため、画素
電極10間のギャップと畝状突起構造との間で液晶分子
25の配向方向は連続的に変化し、それらの間にシュリ
ーレンが発生することはない。したがって、本実施形態
によると、図1に示すように、画素電極10と共通電極
16との間の領域として規定される画素領域を、液晶分
子25の配向状態が互いに異なる2つのドメインD1
2へと分割することができる。
【0032】また、本実施形態では、隣り合うドメイン
間の境界位置は、隣り合う画素電極10間のギャップと
畝状突起構造とによって規制されている。そのため、本
実施形態によると、ドメイン間の境界位置が移動するこ
とによる応答速度の遅延を生ずることがない。したがっ
て、速い応答速度を実現することができる。
【0033】なお、畝状突起部20aを画素電極10と
配向膜11との間に介在させた構造では、第2表示電圧
印加時に、畝状突起部20aの位置において他の位置に
比べてより大きな誘電遮蔽が生ずる。そのため、このよ
うな構造によると、画素電極20と共通電極16との間
に第2表示電圧を印加した際に、畝状突起部20aの近
傍で液晶分子25は畝状突起部20aの長手方向に平行
な方向に配向せずに、畝状突起構造の両側に、隣り合う
画素電極10間のギャップが誘起するチルト配向と干渉
し合うようなチルト配向が形成される。その結果、この
構造では、隣り合う画素電極10間のギャップと畝状突
起部20aとの間にシュリーレンが発生することがあ
る。
【0034】ところで、画素電極10の端部から畝状突
起構造に向けて変化する液晶分子25の配列構造は1種
類ではない。すなわち、対向基板2側から観察した場合
に、液晶分子25の配向方向が画素電極10の端部から
畝状突起構造に向けて右回りに変化する配列構造と左回
りに変化する配列構造とが存在する。画素電極10と共
通電極16との間に第2表示電圧を印加した際に、これ
ら2種類の配列構造が同一ドメイン内に生じると、それ
ら配列構造同士が干渉し合うため、第2表示電圧印加時
における透過率が不安定となることがある。
【0035】これに対し、本実施形態では、配向制御構
造を構成する画素電極10の端辺に対して畝状突起部2
0aを斜めに延在させているため、そのような問題を生
ずることはない。
【0036】図2は、図1に示す液晶表示装置1の一部
を概略的に示す平面図である。図2に示すように、画素
電極10と共通電極16との間に第2表示電圧を印加し
た場合、画素電極10の端部から畝状突起構造に向けて
左回りに変化する配列構造Aと右回りに変化する配列構
造Bとの2種類の配列構造が生じ得る。
【0037】畝状突起部20aを挟んで両側に位置する
画素電極10の一対の端辺に対して畝状突起部20aが
平行な方向に延在している場合、液晶分子20が画素電
極10の端部から畝状突起部20aまでの間に回転する
角度は配列構造A,B間で同一である。そのため、この
場合、配列構造Aと配列構造Bとの間でエネルギー的な
安定性に違いはない。したがって、同一ドメイン内に配
列構造Aと配列構造Bとが生じた場合、配列構造Aの領
域と配列構造Bの領域とが形成されるのに加え、それら
の間の境界位置が不規則に移動し、その結果、第2表示
電圧印加時における透過率が不安定となる。
【0038】一方、図2に示すように、畝状突起部20
aを挟んで両側に位置する画素電極10の一対の端辺に
対して畝状突起部20aが鋭角θを為して延在している
場合、液晶分子20が画素電極10の端部から畝状突起
部20aまでの間に回転する角度は、配列構造Bに比べ
配列構造Aにおいてより小さい。当然の如く、そのよう
な液晶分子25の回転角が小さいほどエネルギー的によ
り安定となる。したがって、図2に示す構造では、配列
構造Bに対して配列構造Aが支配的となり、ドメインD
1,D2のそれぞれにおいては実質的に配列構造Aのみが
形成される。それゆえ、図2に示す構造によると、第2
表示電圧印加時における透過率が不安定となることはな
い。
【0039】上述のように、本実施形態では、畝状突起
構造(或いは、畝状突起部20a)が配向制御構造を構
成する画素電極10の端辺に対して鋭角θを為して延在
した構造を採用することにより、第2表示電圧印加時に
おける透過率が不安定となるのを防止している。角度θ
と応答速度とは相関しており、上述した効果は角度θが
以下の不等式: 0°<θ<90° …(1) に示す関係を満足していれば得ることができるが、以下
の不等式: 25°<θ …(2) に示す関係を満足していることが好ましい。この場合、
上記の効果がより顕著となる。また、角度θは、以下の
不等式: 25°<θ<65° …(3) を満足していることが好ましい。一般に、ドメインを十
分に大きな面積に設計する場合、角度θを上記不等式
(3)に示す範囲内とすることがより現実的である。
【0040】上述した液晶表示装置1には、畝状突起部
20aに加え、絶縁膜9と画素電極10との間にさらに
他の畝状突起部を設けることが好ましい。図2に示す構
造では、畝状突起部20aを挟んで左右に位置する画素
電極10の端辺がチルト配向を誘起する配向制御構造を
構成するが、画素電極10の上下の端辺もまたチルト配
向を誘起することがある。画素電極10の左右の端辺が
誘起するチルト配向と画素電極10の上下の端辺が誘起
するチルト配向とでは液晶分子のチルト方向が90°異
なり、画素電極10の上下の端辺が誘起するチルト配向
がドメインD1,D2内の液晶配向に悪影響を与えること
がある。
【0041】これに対し、例えば、画素電極10の上下
の端辺に沿って一対の畝状突起部をさらに設けた場合、
第2表示電圧印加時には、それら畝状突起部の近傍では
液晶分子25はそれらの長手方向にほぼ平行な方向に配
向する。そのような配向は、画素電極10の左右の端辺
が誘起するチルト配向や畝状突起部20aの近傍におけ
る液晶分子25の配向と干渉し合うことはなく、むし
ろ、ドメインD1,D2内における配列構造Aの形成を促
進する。したがって、そのような畝状突起部をさらに設
けることにより、上記の効果がより顕著となる。なお、
それら畝状突起部は、畝状突起部20aを形成するのと
同時に形成することができる。
【0042】以上、画素電極10間のギャップを利用し
て第2表示電圧印加時にチルト配向を誘起させることに
ついて説明したが、画素電極10にスリットを設け、こ
のスリットを利用してチルト配向を誘起させることもで
きる。
【0043】また、畝状突起部20aの上面には、画素
電極10は必ずしも設けられている必要はない。畝状突
起部20aの上面の位置で、その長手方向に沿って画素
電極10にスリットを設けた場合、ドメインD1,D2
の境界部を安定に形成することができる。このような効
果は、通常、畝状突起部20aが絶縁性であり且つ上記
スリットの幅が4μmよりも広く且つ10μm未満であ
る場合に顕著に現れる。
【0044】さらに、上述の液晶表示装置1では、アク
ティブマトリクス基板2にカラーフィルタ層9を設けた
が、対向基板3にカラーフィルタ層9を設けることもで
きる。但し、アクティブマトリクス基板2にカラーフィ
ルタ層9を設けた場合、アクティブマトリクス基板2と
対向基板3とを貼り合わせてセルを形成する際にアライ
メントマークなどを利用しなくとも、カラーフィルタ層
9の各色領域9a〜9cと画素電極10との位置を高精
度に対応させることができる。
【0045】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 (実施例1)図3は、本発明の実施例1で利用する画素
電極と畝状突起部との配置を概略的に示す平面図であ
る。なお、図3において、参照番号20bは畝状突起部
を示している。また、図3において、畝状突起部20a
はチルト配向を誘起する画素電極10の端辺に対して3
0°の角度を為しており、畝状突起部20bはチルト配
向を誘起する画素電極10の端辺に対して90°の角度
を為している。本実施例では、図3に示す配置を採用し
て図1に示す液晶表示装置1を以下に説明する方法によ
り作製した。
【0046】まず、通常のTFT形成プロセスと同様に
成膜とパターニングとを繰返し、ガラス基板7上に走査
線及び信号線等の配線並びにTFT8を形成した。次
に、ガラス基板7のTFT8等を形成した面に、フォト
リソグラフィ技術を用いてカラーフィルタ層9を形成し
た。なお、カラーフィルタ層9には、後で形成する画素
電極10とTFT8とを接続するコンタクトホールを設
けた。
【0047】次に、カラーフィルタ層9上にJSR株式
会社製の感光性樹脂を塗布し、得られた塗膜を露光・現
像することにより図3に示すように畝状突起部20a,
20bを形成した。なお、畝状突起部20a,20bの
高さは1.4μmとした。
【0048】次いで、ガラス基板7の畝状突起部20
a,20bを形成した面に対し、ITOをスパッタリン
グすることによりITO膜を成膜し、このITO膜をパ
ターニングすることにより画素電極10を形成した。な
お、これら画素電極10は、それぞれコンタクトホール
を介してTFT8と接続した。
【0049】その後、ガラス基板7の画素電極10を形
成した面の全面に、JSR社製のポリイミドを印刷し、
180℃の温度で焼成することにより、厚さ70nmの
垂直配向膜11を形成した。以上のようにして、アクテ
ィブマトリクス基板2を作製した。
【0050】次に、別途用意したガラス基板15の一方
の主面上に、共通電極16として、スパッタリング法を
用いてITO膜を形成した。続いて、この共通電極16
の全面に、アクティブマトリクス基板2に関して説明し
たのと同様の方法により配向膜17を形成した。以上の
ようにして、対向基板3を作製した。
【0051】次に、アクティブマトリクス基板2と対向
基板3の対向面周縁部を、それらの配向膜11,17が
形成された面が対向するように及び液晶材料を注入する
ための注入口が残されるように接着剤で貼り合わせるこ
とにより液晶セルを形成した。なお、この液晶セルのセ
ルギャップは、アクティブマトリクス基板2と対向基板
3との間に直径3.5μmの樹脂スペーサ(積水ファイ
ンケミカル社製のミクロパール)を介在させることによ
り一定に維持した。また、それら基板2,3を貼り合わ
せる際、基板2,3の位置合わせはそれらの端面位置を
揃えることにより行い、アライメントマークなどを利用
する高精度な位置合わせは行わなかった。
【0052】次いで、この液晶セル中に誘電率異方性が
負である液晶材料(MERCK社製)を通常の方法によ
り注入して液晶層4を形成した。以上のようにして、図
1に示す液晶表示装置1を得た。
【0053】次に、以上のようにして作製した液晶表示
装置1について、画素電極10と共通電極16との間に
閾値電圧よりも高い電圧を印加した際に生じる配向状態
の変化を偏光顕微鏡を用いて観察した。その結果、各ド
メインにおいて、図3に示すような均一な配列構造が誘
起されることが確認された。
【0054】(比較例)図4は、本発明の比較例で利用
する画素電極と畝状突起部との配置を概略的に示す平面
図である。なお、図4において、畝状突起部20aはチ
ルト配向を誘起する画素電極10の端辺に対して平行な
方向に延在しており、畝状突起部20bはチルト配向を
誘起する画素電極10の端辺に対して90°の角度を為
している。本比較例では、図4に示す配置を採用したこ
と以外は実施例1で説明したのと同様の方法により図1
に示す液晶表示装置1を作製した。
【0055】以上のようにして作製した液晶表示装置1
について、画素電極10と共通電極16との間に閾値電
圧よりも高い電圧を印加した際に生じる配向状態の変化
を偏光顕微鏡を用いて観察した。その結果、図4に示す
ように、各ドメインにおいて、互いに異なる複数の配列
構造が誘起されることが確認された。
【0056】(実施例2)図5は、本発明の実施例2で
利用する画素電極と畝状突起部との配置を概略的に示す
平面図である。なお、図5において、参照番号21は画
素電極10に設けたスリットを示している。また、図5
において、畝状突起部20aはチルト配向を誘起する画
素電極10の端辺及びスリット21に対して45°の角
度を為しており、畝状突起部20bはチルト配向を誘起
する画素電極10の端辺及びスリット21に対して90
°の角度を為している。本実施例では、図5に示す配置
を採用し、畝状突起部20a,20bの高さを1.2μ
mとし、直径3.0μmの樹脂スペーサ(積水ファイン
ケミカル社製のミクロパール)を使用したこと以外は実
施例1で説明したのと同様の方法により図1に示す液晶
表示装置1を作製した。
【0057】以上のようにして作製した液晶表示装置1
について、画素電極10と共通電極16との間に閾値電
圧よりも高い電圧を印加した際に生じる配向状態の変化
を偏光顕微鏡を用いて観察した。その結果、各ドメイン
において、均一な配列構造が誘起されることが確認され
た。
【0058】(実施例3)図6は、本発明の実施例3で
利用する画素電極と畝状突起部との配置を概略的に示す
平面図である。なお、図6において、畝状突起部20a
はチルト配向を誘起する画素電極10の端辺に対して4
5°の角度を為しており、畝状突起部20bはチルト配
向を誘起する画素電極10の端辺に対して90°の角度
を為している。本実施例では、図6に示す配置を採用し
たこと以外は実施例2で説明したのと同様の方法により
図1に示す液晶表示装置1を作製した。
【0059】以上のようにして作製した液晶表示装置1
について、画素電極10と共通電極16との間に閾値電
圧よりも高い電圧を印加した際に生じる配向状態の変化
を偏光顕微鏡を用いて観察した。その結果、各ドメイン
において、均一な配列構造が誘起されることが確認され
た。
【0060】(実施例4)図7は、本発明の実施例4で
利用する画素電極と畝状突起部との配置を概略的に示す
平面図である。なお、図7において、畝状突起部20a
はチルト配向を誘起する画素電極10の端辺に対して2
5°の角度を為しており、畝状突起部20bはチルト配
向を誘起する画素電極10の端辺に対して90°の角度
を為している。本実施例では、図7に示す配置を採用し
たこと以外は実施例2で説明したのと同様の方法により
図1に示す液晶表示装置1を作製した。
【0061】以上のようにして作製した液晶表示装置1
について、画素電極10と共通電極16との間に閾値電
圧よりも高い電圧を印加した際に生じる配向状態の変化
を偏光顕微鏡を用いて観察した。その結果、各ドメイン
において、均一な配列構造が誘起されることが確認され
た。
【0062】(実施例5)図8は、本発明の実施例5で
利用する画素電極と畝状突起部との配置を概略的に示す
平面図である。なお、図8において、畝状突起部20a
はチルト配向を誘起する画素電極10に対して25°の
角度を為しており、畝状突起部20bはチルト配向を誘
起する画素電極10の端辺に対して90°の角度を為し
ている。また、図8において、画素電極10には畝状突
起部20bの上面の位置にスリット21が設けられてい
る。本実施例では、図8に示す配置を採用したこと以外
は実施例2で説明したのと同様の方法により図1に示す
液晶表示装置1を作製した。
【0063】以上のようにして作製した液晶表示装置1
について、画素電極10と共通電極16との間に閾値電
圧よりも高い電圧を印加した際に生じる配向状態の変化
を偏光顕微鏡を用いて観察した。その結果、各ドメイン
において、均一な配列構造が誘起されることが確認され
た。
【0064】(実施例6)図9は、本発明の実施例6で
利用する画素電極と畝状突起部との配置を概略的に示す
平面図である。なお、図9において、畝状突起部20a
はチルト配向を誘起する画素電極10に対して25°の
角度を為しており、畝状突起部20bはチルト配向を誘
起する画素電極10の端辺に対して90°の角度を為し
ている。また、図9において、畝状突起部20bは隣り
合う画素電極10間のギャップを跨るように設けられて
いる。本実施例では、図9に示す配置を採用したこと以
外は実施例2で説明したのと同様の方法により図1に示
す液晶表示装置1を作製した。
【0065】以上のようにして作製した液晶表示装置1
について、画素電極10と共通電極16との間に閾値電
圧よりも高い電圧を印加した際に生じる配向状態の変化
を偏光顕微鏡を用いて観察した。その結果、各ドメイン
において、均一な配列構造が誘起されることが確認され
た。
【0066】(実施例7)図10は、本発明の実施例7
で利用する画素電極と畝状突起部との配置を概略的に示
す平面図である。なお、図10において、畝状突起部2
0aはチルト配向を誘起する画素電極10に対して65
°の角度を為しており、畝状突起部20bはチルト配向
を誘起する画素電極10の端辺に対して90°の角度を
為している。また、図10において、画素電極10には
畝状突起部20bの上面の位置にスリット21が設けら
れている。本実施例では、図10に示す配置を採用した
こと以外は実施例2で説明したのと同様の方法により図
1に示す液晶表示装置1を作製した。
【0067】以上のようにして作製した液晶表示装置1
について、画素電極10と共通電極16との間に閾値電
圧よりも高い電圧を印加した際に生じる配向状態の変化
を偏光顕微鏡を用いて観察した。その結果、各ドメイン
において、均一な配列構造が誘起されることが確認され
た。
【0068】上述した実施例1〜実施例7及び比較例に
係る液晶表示装置1について光学応答特性を測定した。
その結果の一部を図11に示す。
【0069】図11(a)は、実施例6に係る液晶表示
装置1について得られた光学応答特性を示すグラフであ
る。また、図11(b)は、比較例に係る液晶表示装置
1について得られた光学応答特性を示すグラフである。
なお、図11(a),(b)において、横軸は信号電圧
印加時からの経過時間を示し、縦軸は透過率を示してい
る。
【0070】図11(b)に示すように、比較例に係る
液晶表示装置1では、透過率は、変化を生じてから10
0ms以上もの間にわたって変動している。それに対
し、図11(a)に示すように、実施例6に係る液晶表
示装置1では、透過率は、変化が生じた後、直ちに一定
値に安定する。このように、実施例6に係る液晶表示装
置1では、第2表示電圧印加時に透過率が不安定となる
のを防止することができた。なお、図には示していない
が、他の実施例に係る液晶表示装置1でも第2表示電圧
印加時に透過率が不安定となるのを防止することができ
た。
【0071】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、アレ
イ基板の透明基板と画素電極との間に画素電極の表面に
畝状突起構造をもたらす畝状突起部が設けられ、対向基
板の共通電極及び配向膜はそれぞれ平坦な連続膜として
形成される。換言すれば、本発明では、画素領域を複数
のドメインへと分割する配向制御構造と隣り合うドメイ
ン間の境界位置を規制する境界制御構造との双方がアレ
イ基板に対して選択的に設けられる。そのため、アレイ
基板と対向基板とを貼り合わせる際に、それらを高精度
に位置合わせする必要がない。すなわち、本発明による
と、アレイ基板と対向基板との間の高精度な位置合わせ
が不要なMVAモードの液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を概略
的に示す断面図。
【図2】図1に示す液晶表示装置の一部を概略的に示す
平面図。
【図3】本発明の実施例1で利用する画素電極と畝状突
起部との配置を概略的に示す平面図。
【図4】本発明の比較例で利用する画素電極と畝状突起
部との配置を概略的に示す平面図。
【図5】本発明の実施例2で利用する画素電極と畝状突
起部との配置を概略的に示す平面図。
【図6】本発明の実施例3で利用する画素電極と畝状突
起部との配置を概略的に示す平面図。
【図7】本発明の実施例4で利用する画素電極と畝状突
起部との配置を概略的に示す平面図。
【図8】本発明の実施例5で利用する画素電極と畝状突
起部との配置を概略的に示す平面図。
【図9】本発明の実施例6で利用する画素電極と畝状突
起部との配置を概略的に示す平面図。
【図10】本発明の実施例7で利用する画素電極と畝状
突起部との配置を概略的に示す平面図。
【図11】(a)は実施例6に係る液晶表示装置につい
て得られた光学応答特性を示すグラフ、(b)は比較例
に係る液晶表示装置について得られた光学応答特性を示
すグラフ。
【符号の説明】
1…液晶表示装置; 2…アレイ基板; 3…対向基
板; 4…液晶層;7…透明基板; 8…スイッチング
素子; 9…カラーフィルタ層;10…画素電極; 1
1…配向膜; 9a〜9c…色領域;15…透明基板;
16…共通電極; 17…配向膜;20a,20b…
畝状突起部; 21…スリット; 25…液晶分子
フロントページの続き (72)発明者 倉内 昭一 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2 株式 会社東芝深谷工場内 (72)発明者 山口 剛史 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2 株式 会社東芝深谷工場内 (72)発明者 真鍋 敦行 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2 株式 会社東芝深谷工場内 (72)発明者 磨矢 奈津子 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2 株式 会社東芝深谷工場内 Fターム(参考) 2H090 HA15 HB06Y HC12 JA02 KA03 LA01 MA17 MB14 2H091 FA02Y FD03 GA03 HA09 LA12 LA19 2H092 GA06 GA13 GA29 HA04 JA24 KB23 KB26 MA05 NA27 PA06 QA09

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マルチドメイン型垂直配向モードの液晶
    表示装置であって、 第1透明基板、前記第1透明基板上に形成された画素電
    極、前記画素電極上に形成された第1配向膜、前記第1
    透明基板と前記画素電極との間に介在し且つ前記画素電
    極の前記第1配向膜側の表面及び前記第1配向膜の露出
    面のそれぞれに第1畝状突起構造をもたらす第1畝状突
    起部を備えたアレイ基板と、 前記第1配向膜に対向して配置された第2透明基板、前
    記第2透明基板の前記第1配向膜との対向面に平坦な連
    続膜として形成された共通電極、及び前記共通電極上に
    平坦な連続膜として形成された第2配向膜を備えた対向
    基板と、 前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶
    層とを具備し、 前記第1畝状突起構造は前記画素電極の輪郭の一部を構
    成する辺のうち少なくとも互いに異なる第1辺及び第2
    辺のそれぞれに対して鋭角を為して延在したことを特徴
    とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記アレイ基板は、前記第1透明基板と
    前記画素電極との間に介在し且つ前記画素電極の前記第
    1配向膜側の表面及び前記第1配向膜の露出面のそれぞ
    れに第2畝状突起構造をもたらす第2畝状突起部、及び
    前記第1透明基板と前記画素電極との間に介在し且つ前
    記画素電極の前記第1配向膜側の表面及び前記第1配向
    膜の露出面のそれぞれに第3畝状突起構造をもたらす第
    3畝状突起部をさらに備え、 前記第2畝状突起構造と前記第3畝状突起構造とは互い
    に離間し、 前記第2畝状突起構造は前記第1辺と交差する方向に及
    び少なくとも前記第1辺から前記第1畝状突起構造まで
    延在し、 前記第3畝状突起構造は前記第2辺と交差する方向に及
    び少なくとも前記第2辺から前記第1畝状突起構造まで
    延在したことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装
    置。
  3. 【請求項3】 前記第2畝状突起構造及び前記第3畝状
    突起構造のそれぞれは少なくとも前記第1辺から前記第
    2辺まで延在したことを特徴とする請求項2に記載の液
    晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記第1辺と前記第2辺とは互いに平行
    であり、前記第2畝状突起構造と前記第3畝状突起構造
    とは同一方向に延在したことを特徴とする請求項2に記
    載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記第2畝状突起構造及び前記第3畝状
    突起構造のそれぞれは前記第1辺及び前記第2辺に対し
    て垂直な方向に延在したことを特徴とする請求項4に記
    載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】 前記第1畝状突起構造は少なくとも前記
    第1辺から前記第2辺まで延在したことを特徴とする請
    求項1に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項7】 前記アレイ基板は前記第1透明基板と前
    記畝状突起部との間にカラーフィルタ層をさらに備えた
    ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項8】 前記画素電極と前記共通電極との間に印
    加する電圧を第1表示電圧と前記第1表示電圧よりも高
    い第2表示電圧との間で変化させることにより表示を行
    い、 前記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧を前
    記第2表示電圧とした際に、前記画素電極によって規定
    される画素領域内に、前記液晶層に含まれる液晶分子の
    長軸と前記第1畝状突起部の長手方向とが為す角度が前
    記第1畝状突起構造の側部から前記第1辺及び前記第2
    辺に向けて大きくなるように変化する配向状態を形成す
    ることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
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