JPH06295054A - フォトマスクおよび半導体装置製造方法 - Google Patents
フォトマスクおよび半導体装置製造方法Info
- Publication number
- JPH06295054A JPH06295054A JP8219993A JP8219993A JPH06295054A JP H06295054 A JPH06295054 A JP H06295054A JP 8219993 A JP8219993 A JP 8219993A JP 8219993 A JP8219993 A JP 8219993A JP H06295054 A JPH06295054 A JP H06295054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scribe
- teg
- width
- scribing
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ウエハー上のＩＣをそれぞれのチップに分離す
るスクライブ領域を有するレチクルマスクにおいて、レ
チクルマスク上の最外周スクライブ領域で天側地側のい
ずれか、および、左側右側のいずれかのスクライブ領域
の幅が、スクライブＴＥＧの幅以上であるスクライブ領
域を有するフォトマスク。および、スクライブ上のＴＥ
ＧのＰＡＤ開孔部の並び方向を全て同一にする半導体製
造方法。 【効果】レチクルマスクの最外周のスクライブ上にＴＥ
Ｇを描画してもウエハー上でショットのズレによるＴＥ
Ｇが形成されずに正確な値を測定する事ができる。ま
た、レチクルマスク上のＴＥＧを描画する領域が増加
し、全てのＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並びの方向を同一に
する事ができる。従って、測定装置の測定端子は垂直あ
るいは水平に設置するだけで全てのＴＥＧの特性を測定
する事ができ、測定装置の測定端子の変更が不要となり
ＩＣの製造納期を短縮する事が可能となる。
るスクライブ領域を有するレチクルマスクにおいて、レ
チクルマスク上の最外周スクライブ領域で天側地側のい
ずれか、および、左側右側のいずれかのスクライブ領域
の幅が、スクライブＴＥＧの幅以上であるスクライブ領
域を有するフォトマスク。および、スクライブ上のＴＥ
ＧのＰＡＤ開孔部の並び方向を全て同一にする半導体製
造方法。 【効果】レチクルマスクの最外周のスクライブ上にＴＥ
Ｇを描画してもウエハー上でショットのズレによるＴＥ
Ｇが形成されずに正確な値を測定する事ができる。ま
た、レチクルマスク上のＴＥＧを描画する領域が増加
し、全てのＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並びの方向を同一に
する事ができる。従って、測定装置の測定端子は垂直あ
るいは水平に設置するだけで全てのＴＥＧの特性を測定
する事ができ、測定装置の測定端子の変更が不要となり
ＩＣの製造納期を短縮する事が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ製造時のスクライ
ブ領域についてレチクルマスクにおける形状およびウエ
ハーにおけるスクライブＴＥＧの形状に関する。
ブ領域についてレチクルマスクにおける形状およびウエ
ハーにおけるスクライブＴＥＧの形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ製造上の特性を測定するために簡単
な数種類のトランジスタ、抵抗等の素子と、それらを接
続する配線をウエハ上に形成する必要があるが、本来Ｉ
Ｃとは無関係な回路であるため、余計な回路によりチッ
プサイズが大きくなる事がないように、これらをＩＣ内
に形成せずにスクライブ領域に形成する事により、ＩＣ
のチップサイズを大きくする事なしにウエハのチップ分
離前であれば、特性測定が可能となる。
な数種類のトランジスタ、抵抗等の素子と、それらを接
続する配線をウエハ上に形成する必要があるが、本来Ｉ
Ｃとは無関係な回路であるため、余計な回路によりチッ
プサイズが大きくなる事がないように、これらをＩＣ内
に形成せずにスクライブ領域に形成する事により、ＩＣ
のチップサイズを大きくする事なしにウエハのチップ分
離前であれば、特性測定が可能となる。
【０００３】従来のフォトマスクは、レチクルマスク上
のスクライブパターンのデータ作成が容易な事から、ス
クライブ領域の最外周については上下、左右それぞれを
必要とするスクライブ幅の半分にて作成し、レチクルマ
スクの１つの影像がそれぞれ接するようにウエハ上にシ
ョットする事により、必要なスクライブ幅を確保してい
た。
のスクライブパターンのデータ作成が容易な事から、ス
クライブ領域の最外周については上下、左右それぞれを
必要とするスクライブ幅の半分にて作成し、レチクルマ
スクの１つの影像がそれぞれ接するようにウエハ上にシ
ョットする事により、必要なスクライブ幅を確保してい
た。
【０００４】最外周スクライブ幅が本来必要とするスク
ライブ幅の半分では、スクライブＴＥＧ幅以下となる事
があり、レチクルマスク最外周に描画されるスクライブ
ＴＥＧは、隣合う２つのレチクルマスクの影像により必
要とするスクライブＴＥＧを形成する事になる。そうし
た場合、ショットのズレ（横方向に並ぶ２つのショット
のズレはＹ方向の位置の誤差であり、縦方向のズレはＸ
方法の位置の誤差である。）により、本来必要とするス
クライブＴＥＧがずれた形で形成され、正確な測定を行
う事が出来ない。このため、従来のフォトマスクでは、
最外周にスクライブＴＥＧを描画する事ができないた
め、最外周以外にスクライブＴＥＧを描画するわけだが
他のアライメントマーク等も描画されているため、縦方
向スクライブ領域のみに数種類のスクライブＴＥＧを描
画する事が不可能な場合もあり、縦横両スクライブ領域
に描画する事になり、ウエハ上でのスクライブＴＥＧの
ＰＡＤ開孔部の並び方向も縦横混在となる。
ライブ幅の半分では、スクライブＴＥＧ幅以下となる事
があり、レチクルマスク最外周に描画されるスクライブ
ＴＥＧは、隣合う２つのレチクルマスクの影像により必
要とするスクライブＴＥＧを形成する事になる。そうし
た場合、ショットのズレ（横方向に並ぶ２つのショット
のズレはＹ方向の位置の誤差であり、縦方向のズレはＸ
方法の位置の誤差である。）により、本来必要とするス
クライブＴＥＧがずれた形で形成され、正確な測定を行
う事が出来ない。このため、従来のフォトマスクでは、
最外周にスクライブＴＥＧを描画する事ができないた
め、最外周以外にスクライブＴＥＧを描画するわけだが
他のアライメントマーク等も描画されているため、縦方
向スクライブ領域のみに数種類のスクライブＴＥＧを描
画する事が不可能な場合もあり、縦横両スクライブ領域
に描画する事になり、ウエハ上でのスクライブＴＥＧの
ＰＡＤ開孔部の並び方向も縦横混在となる。
【０００５】図３が従来のフォトマスクの例を示してい
る。図４が図３のフォトマスクを４回ショットした事に
より製造された例であり、点線による四角形内が図３の
１回のショットにより露光され、同様に、その右、下、
左と順次ショットしていく事により図４のウエハが製造
される。図３の斜線部１１が図４のスクライブ領域１８
となるが、必要とするスクライブ幅ａは、最外周におい
ては図４のようにウエハ上で隣合うショットの最外周ス
クライブ領域の合計（ａ＝ｂ＋ｃ）により確保される。
図３のようにスクライブＴＥＧ幅がｂ，ｃ以下である場
合、隣合うショットによりスクライブＴＥＧを形成する
ためには、左右にそれぞれスクライブＴＥＧパターンを
分割して描画しなくてはいけないが、図５のように隣合
うショットのズレにより正確なスクライブＴＥＧが形成
できない事がある。そのために、図６のように最外周以
外にスクライブＴＥＧを描画すれば良いが、、描画でき
るスクライブ領域の不足により、縦横両スクライブ領域
に描画しなくてはならない。図７は図６のフォトマスク
により製造されたウエハであるが、縦横両方向にＰＡＤ
開孔部の並んだスクライブＴＥＧが混在したウエハが製
造される。
る。図４が図３のフォトマスクを４回ショットした事に
より製造された例であり、点線による四角形内が図３の
１回のショットにより露光され、同様に、その右、下、
左と順次ショットしていく事により図４のウエハが製造
される。図３の斜線部１１が図４のスクライブ領域１８
となるが、必要とするスクライブ幅ａは、最外周におい
ては図４のようにウエハ上で隣合うショットの最外周ス
クライブ領域の合計（ａ＝ｂ＋ｃ）により確保される。
図３のようにスクライブＴＥＧ幅がｂ，ｃ以下である場
合、隣合うショットによりスクライブＴＥＧを形成する
ためには、左右にそれぞれスクライブＴＥＧパターンを
分割して描画しなくてはいけないが、図５のように隣合
うショットのズレにより正確なスクライブＴＥＧが形成
できない事がある。そのために、図６のように最外周以
外にスクライブＴＥＧを描画すれば良いが、、描画でき
るスクライブ領域の不足により、縦横両スクライブ領域
に描画しなくてはならない。図７は図６のフォトマスク
により製造されたウエハであるが、縦横両方向にＰＡＤ
開孔部の並んだスクライブＴＥＧが混在したウエハが製
造される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年のＩＣ大
規模化にともない１つのレチクルマスクに描画できるＩ
Ｃの数は減少し、それによりレチクルマスク上のスクラ
イブ領域も減少してきた。また、微細化による高アライ
メント精度が要求されており、フォトマスクのスクライ
ブ領域にアライメント精度を向上させるため多くのマー
クを挿入する必要がある。そのため、製造時の特性を検
査するためのＴＥＧをスクライブ領域に形成するにはレ
チクルマスク最外周スクライブ領域にＴＥＧパターンを
入れなければならない。なぜならば、アライメント用マ
ークは精度の点からマスク中心が最適であり、マスクの
中心付近ほどこれらのマークが集中するためである。従
来のフォトマスクによりスクライブ上にＴＥＧを形成し
た場合、ショットのズレによりＴＥＧが正確に形成され
ない事があり正しい測定値が得られない事があるため、
最外周以外のスクライブの空き領域にＴＥＧパターンを
描画しなければならないが、空き領域の減少から全ての
ＴＥＧのＰＡＤ開孔部の方向を同一の方向にする事は不
可能となり、ＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並び方向が水平、
垂直方向混在となる。そうした場合、スクライブＴＥＧ
のＰＡＤ開孔部の並びが、水平、垂直に並んでいるため
特性測定装置の端子もその都度水平か垂直に設定されて
いるため、ウエハ上にスクライブＴＥＧのＰＡＤ開孔部
が水平、垂直が混在していると測定端子の方向をその都
度変更しなければならず測定工数が増加してしまう。
規模化にともない１つのレチクルマスクに描画できるＩ
Ｃの数は減少し、それによりレチクルマスク上のスクラ
イブ領域も減少してきた。また、微細化による高アライ
メント精度が要求されており、フォトマスクのスクライ
ブ領域にアライメント精度を向上させるため多くのマー
クを挿入する必要がある。そのため、製造時の特性を検
査するためのＴＥＧをスクライブ領域に形成するにはレ
チクルマスク最外周スクライブ領域にＴＥＧパターンを
入れなければならない。なぜならば、アライメント用マ
ークは精度の点からマスク中心が最適であり、マスクの
中心付近ほどこれらのマークが集中するためである。従
来のフォトマスクによりスクライブ上にＴＥＧを形成し
た場合、ショットのズレによりＴＥＧが正確に形成され
ない事があり正しい測定値が得られない事があるため、
最外周以外のスクライブの空き領域にＴＥＧパターンを
描画しなければならないが、空き領域の減少から全ての
ＴＥＧのＰＡＤ開孔部の方向を同一の方向にする事は不
可能となり、ＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並び方向が水平、
垂直方向混在となる。そうした場合、スクライブＴＥＧ
のＰＡＤ開孔部の並びが、水平、垂直に並んでいるため
特性測定装置の端子もその都度水平か垂直に設定されて
いるため、ウエハ上にスクライブＴＥＧのＰＡＤ開孔部
が水平、垂直が混在していると測定端子の方向をその都
度変更しなければならず測定工数が増加してしまう。
【０００７】本発明は、前述の課題を解決するものであ
り、レチクルマスク最外周スクライブ領域上のＴＥＧパ
ターンであっても正確な測定値が得らるＴＥＧが形成さ
れ、レチクルマスクにおけるＴＥＧパターンの挿入でき
る領域が増加した事によるＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並び
の方向を全て同一にする事ができるため、測定装置の測
定端子の変更が不要となりＩＣの製造納期を短縮する事
を目的とする。
り、レチクルマスク最外周スクライブ領域上のＴＥＧパ
ターンであっても正確な測定値が得らるＴＥＧが形成さ
れ、レチクルマスクにおけるＴＥＧパターンの挿入でき
る領域が増加した事によるＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並び
の方向を全て同一にする事ができるため、測定装置の測
定端子の変更が不要となりＩＣの製造納期を短縮する事
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ウエハー上
のパターンサイズの数倍の大きさに拡大投影された形状
で作成されるフォトマスク上に描画される、ウエハー上
のＩＣをそれぞれのチップに分離するスクライブ領域を
有するレチクルマスクにおいて、レチクルマスク上の最
外周スクライブ領域で天側地側のいずれか、および、左
側右側のいずれかのスクライブ領域の幅が、スクライブ
ＴＥＧの幅以上であるスクライブ領域を有する事を特徴
とするフォトマスク。および、ＩＣ製造時にＴＥＧをス
クライブ領域に形成するＩＣ製造方法において、形成す
るスクライブＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並び方向を全て同
一にする事を特徴とする半導体装置製造方法により達成
される。
のパターンサイズの数倍の大きさに拡大投影された形状
で作成されるフォトマスク上に描画される、ウエハー上
のＩＣをそれぞれのチップに分離するスクライブ領域を
有するレチクルマスクにおいて、レチクルマスク上の最
外周スクライブ領域で天側地側のいずれか、および、左
側右側のいずれかのスクライブ領域の幅が、スクライブ
ＴＥＧの幅以上であるスクライブ領域を有する事を特徴
とするフォトマスク。および、ＩＣ製造時にＴＥＧをス
クライブ領域に形成するＩＣ製造方法において、形成す
るスクライブＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並び方向を全て同
一にする事を特徴とする半導体装置製造方法により達成
される。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図により説明す
る。図１はこの発明のフォトマスクの一例を示す図であ
る。各ＩＣの周辺の斜線部がスクライブ領域である。こ
の例の場合、最外周右側のスクライブ領域の幅ｂは、ス
クライブＴＥＧの幅以上であるため、最外周右側のスク
ライブ領域にスクライブＴＥＧ３の全てのパターンを描
画する事が可能である。このレチクルマスクを用いてウ
エハ上に露光し製造されたウエハの例が図２（ａ）であ
る。このレチクルマスクの１回のショットで露光される
部分が図２（ａ）の点線内の部分となり、スクライブＴ
ＥＧ７は、１回のショットで全て露光されるため、図５
の様なショットのズレによる不良とならないスクライブ
ＴＥＧが製造できる。同様に、このレチクルマスクでの
露光を図２（ａ）の点線内の露光に続いて、その右、
下、左と繰り返す事により図２（ａ）の様なウエハが製
造できる。また、必要なスクライブ幅ａは、最外周左側
のスクライブ領域の幅ｃをｃ＝ａ−ｂとする事により隣
合うショットの最外周右側のスクライブ領域幅ｂとで必
要な幅を確保する事ができる。
る。図１はこの発明のフォトマスクの一例を示す図であ
る。各ＩＣの周辺の斜線部がスクライブ領域である。こ
の例の場合、最外周右側のスクライブ領域の幅ｂは、ス
クライブＴＥＧの幅以上であるため、最外周右側のスク
ライブ領域にスクライブＴＥＧ３の全てのパターンを描
画する事が可能である。このレチクルマスクを用いてウ
エハ上に露光し製造されたウエハの例が図２（ａ）であ
る。このレチクルマスクの１回のショットで露光される
部分が図２（ａ）の点線内の部分となり、スクライブＴ
ＥＧ７は、１回のショットで全て露光されるため、図５
の様なショットのズレによる不良とならないスクライブ
ＴＥＧが製造できる。同様に、このレチクルマスクでの
露光を図２（ａ）の点線内の露光に続いて、その右、
下、左と繰り返す事により図２（ａ）の様なウエハが製
造できる。また、必要なスクライブ幅ａは、最外周左側
のスクライブ領域の幅ｃをｃ＝ａ−ｂとする事により隣
合うショットの最外周右側のスクライブ領域幅ｂとで必
要な幅を確保する事ができる。
【００１０】また、図１のレチクルマスクの場合、１つ
のスクライブＴＥＧパターンを分割せずにスクライブ領
域に描画できるため、描画できるスクライブ領域が増加
し、スクライブＴＥＧ３、４のように垂直に揃えて描画
する事が可能となる。また、水平スクライブ領域であっ
ても可能であり、最外周下側にスクライブＴＥＧ３を描
画し、スクライブＴＥＧ４を中心の水平スクライブ領域
に描画したレチクルマスクを作成する事により、ウエハ
に露光した場合、図２（ｂ）の用に水平にスクライブＴ
ＥＧのＰＡＤ開孔部の揃ったウエハを製造する事が可能
となる。
のスクライブＴＥＧパターンを分割せずにスクライブ領
域に描画できるため、描画できるスクライブ領域が増加
し、スクライブＴＥＧ３、４のように垂直に揃えて描画
する事が可能となる。また、水平スクライブ領域であっ
ても可能であり、最外周下側にスクライブＴＥＧ３を描
画し、スクライブＴＥＧ４を中心の水平スクライブ領域
に描画したレチクルマスクを作成する事により、ウエハ
に露光した場合、図２（ｂ）の用に水平にスクライブＴ
ＥＧのＰＡＤ開孔部の揃ったウエハを製造する事が可能
となる。
【００１１】
【発明の効果】本発明の効果は、レチクルマスクの最外
周のスクライブ上にＴＥＧを描画してもウエハー上でシ
ョットのズレによるＴＥＧが形成されずに正確な値を測
定する事ができる。また、このレチクルマスクを用いる
事により、レチクルマスク上のＴＥＧを描画する領域が
増加し、全てのＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並びの方向を同
一にする事ができる。従って、測定装置の測定端子は垂
直あるいは水平に設置するだけで全てのＴＥＧの特性を
測定する事ができ、測定装置の測定端子の変更が不要と
なりＩＣの製造納期を短縮する事が可能となる。
周のスクライブ上にＴＥＧを描画してもウエハー上でシ
ョットのズレによるＴＥＧが形成されずに正確な値を測
定する事ができる。また、このレチクルマスクを用いる
事により、レチクルマスク上のＴＥＧを描画する領域が
増加し、全てのＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並びの方向を同
一にする事ができる。従って、測定装置の測定端子は垂
直あるいは水平に設置するだけで全てのＴＥＧの特性を
測定する事ができ、測定装置の測定端子の変更が不要と
なりＩＣの製造納期を短縮する事が可能となる。
【図１】 本発明の１実施例のレチクルマスクを示した
図である。
図である。
【図２】 本発明の１実施例のウエハーを示した図であ
る。
る。
【図３】 従来のレチクルマスクを示した図である。
【図４】 従来の方法により製造されたウエハーを示す
図である。
図である。
【図５】 ショットのズレによる不良のスクライブＴＥ
を示した図である。
を示した図である。
【図６】 スクライブＴＥＧのＰＡＤ開孔部の並びが水
平、垂直に混在したレチクルマスクを示した図である。
平、垂直に混在したレチクルマスクを示した図である。
【図７】 図６のレチクルマスクを用いて製造したウエ
ハを示した図である。
ハを示した図である。
１ ＩＣパターン ２ スクライブ領域 ３ スクライブＴＥＧパターン ４ スクライブＴＥＧパターン ５ フォトマスク ６ ＰＡＤ開孔部パターン ７ スクライブＴＥＧ ８ ＩＣ ９ ウエハー １０ ＰＡＤ開孔部 １１ スクライブＴＥＧパターンの１部 １２ スクライブＴＥＧパターンの１部 １３ スクライブＴＥＧパターン１１により露光された
スクライブＴＥＧの１部 １４ スクライブＴＥＧパターン１２により露光された
スクライブＴＥＧの１部
スクライブＴＥＧの１部 １４ スクライブＴＥＧパターン１２により露光された
スクライブＴＥＧの１部
Claims (2)
- 【請求項１】ウエハー上のパターンサイズの数倍の大き
さに拡大投影された形状で作成されるフォトマスク上に
描画される、ウエハー上の半導体装置をそれぞれのチッ
プに分離するスクライブ領域を有するフォトマスクにお
いて、前記フォトマスク上の最外周スクライブ領域で天
側地側のいずれか、および、左側右側のいずれかのスク
ライブ領域の幅が、スクライブ領域に描画される特性測
定用素子群の幅以上である前記特性測定用素子群領域を
有する事を特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】ＴＥＧをスクライブ領域に形成する半導体
装置製造方法において、形成するスクライブＴＥＧのＰ
ＡＤ開孔部の並び方向を全て同一にする事を特徴とする
半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8219993A JPH06295054A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | フォトマスクおよび半導体装置製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8219993A JPH06295054A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | フォトマスクおよび半導体装置製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295054A true JPH06295054A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13767764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8219993A Withdrawn JPH06295054A (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | フォトマスクおよび半導体装置製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06295054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005084379A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Renesas Technology Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-08 JP JP8219993A patent/JPH06295054A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005084379A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Renesas Technology Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4388386A (en) | Mask set mismatch | |
| TW464939B (en) | A method of implementing electron beam lithography using uniquely positioned alignment marks and a wafer with such alignment marks | |
| JPH1069066A (ja) | マスクおよびその検査方法ならびに露光方法 | |
| JP2001022051A (ja) | レチクル及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3708058B2 (ja) | フォトマスクの製造方法およびそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP5792431B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR930002676B1 (ko) | 기판위에 규칙적으로 배열된 동일 패턴들을 제조하기 위한 스텝-앤-리피트 공정에 사용된 패턴 데이타 검증용 장치 | |
| JP2003257828A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06295054A (ja) | フォトマスクおよび半導体装置製造方法 | |
| US20030044057A1 (en) | Method of checking overlap accuracy of patterns on four stacked semiconductor layers | |
| JPH1069059A (ja) | レチクルマスクの作成方法 | |
| JP2564440B2 (ja) | ウエハ内位置表示を付したチップの製造方法 | |
| JPH06342745A (ja) | アライメント精度測定用マーク | |
| JPH07120696B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0620909A (ja) | 露光方法及び薄膜多層基板 | |
| JPH06324475A (ja) | レチクル | |
| JP2764925B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100811372B1 (ko) | 오버레이 측정 마크 | |
| KR960014961B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR0175019B1 (ko) | 반도체 칩 | |
| KR20080096297A (ko) | 반도체 소자의 오버레이 마크 | |
| JPH05217845A (ja) | アライメント測定用パターン | |
| JPS60136326A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02125256A (ja) | フォトマスク | |
| JPS5919318A (ja) | 転写パタ−ンの位置ずれ検査方法および転写パタ−ンマスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040531 |