JPH06291527A - マイクロストリップライン共振器 - Google Patents
マイクロストリップライン共振器Info
- Publication number
- JPH06291527A JPH06291527A JP9724493A JP9724493A JPH06291527A JP H06291527 A JPH06291527 A JP H06291527A JP 9724493 A JP9724493 A JP 9724493A JP 9724493 A JP9724493 A JP 9724493A JP H06291527 A JPH06291527 A JP H06291527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- dielectric
- line
- dielectric substrate
- strip line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 マイクロストリップライン共振器を小型高性
能化する。 【構成】 一方にグランド層２を備えた誘電体基板１の
他方の面にストリップ線路３を形成したマイクロストリ
ップラインにおいて、共振器ストリップ線路４と誘電体
基板１の間の共振器形成箇所を含む領域に高誘電体層５
を積層する。これによって、共振器ストリップ線路３と
グランド層２との間に介在する誘電体部材の誘電率を部
分的に高めることにより、共振波長を短くし、共振器長
を短くする。
能化する。 【構成】 一方にグランド層２を備えた誘電体基板１の
他方の面にストリップ線路３を形成したマイクロストリ
ップラインにおいて、共振器ストリップ線路４と誘電体
基板１の間の共振器形成箇所を含む領域に高誘電体層５
を積層する。これによって、共振器ストリップ線路３と
グランド層２との間に介在する誘電体部材の誘電率を部
分的に高めることにより、共振波長を短くし、共振器長
を短くする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロストリップラ
イン共振器に関し、例えばマイクロ波集積回路に使用さ
れ、誘電体基板を挟んだグランド層とストリップ状の線
路から構成されるマイクロストリップラインにおいて、
グランド層とストリップ線路との間に大きな誘電率を有
する誘電体部材を介在させることにより共振器を小型化
する技術に関する。
イン共振器に関し、例えばマイクロ波集積回路に使用さ
れ、誘電体基板を挟んだグランド層とストリップ状の線
路から構成されるマイクロストリップラインにおいて、
グランド層とストリップ線路との間に大きな誘電率を有
する誘電体部材を介在させることにより共振器を小型化
する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、マイクロ波集積回路に用いられ
るマイクロ波伝送線路として、マイクロストリップライ
ンが使用されている。マイクロストリップラインはアル
ミナセラミック等の誘電体基板の一方の面に平面的な導
電体層のグランド層を形成し、他方の面にストリップ状
の線路を形成して伝送線路を構成している。このストリ
ップ線路の特性は同軸ケーブルを平面的に展開したもの
と等価であり、特性インピーダンスはストリップ線路の
幅、厚さ、誘電体基板の誘電率、厚さによって決定され
る。
るマイクロ波伝送線路として、マイクロストリップライ
ンが使用されている。マイクロストリップラインはアル
ミナセラミック等の誘電体基板の一方の面に平面的な導
電体層のグランド層を形成し、他方の面にストリップ状
の線路を形成して伝送線路を構成している。このストリ
ップ線路の特性は同軸ケーブルを平面的に展開したもの
と等価であり、特性インピーダンスはストリップ線路の
幅、厚さ、誘電体基板の誘電率、厚さによって決定され
る。
【０００３】このようなマイクロストリップラインを利
用して各種電子回路を構成することができる。例えば、
マイクロストリップライン共振器は、共振周波数に応じ
て固有の共振器長を有する分断されたストリップ線路と
して形成される。この共振器長と共振周波数との関係
は、共振波長をλｇ、実効誘電率をεｅｆｆ、とする
と、 λｇ＝λｏ／（εｅｆｆ）１／２ λｏ：真空中波長 となる。従って、真空中波長λｏのマイクロ波の共振回
路をマイクロストリップラインで形成するためには、λ
ｇ／２の長さの共振器が必要となる。
用して各種電子回路を構成することができる。例えば、
マイクロストリップライン共振器は、共振周波数に応じ
て固有の共振器長を有する分断されたストリップ線路と
して形成される。この共振器長と共振周波数との関係
は、共振波長をλｇ、実効誘電率をεｅｆｆ、とする
と、 λｇ＝λｏ／（εｅｆｆ）１／２ λｏ：真空中波長 となる。従って、真空中波長λｏのマイクロ波の共振回
路をマイクロストリップラインで形成するためには、λ
ｇ／２の長さの共振器が必要となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなマイクロストリップライン共振器においては、数
ＧＨｚ以下の低い周波数では形成される共振器長が数ｃ
ｍのオーダーとなり、非常に大きくなるためマイクロ波
回路を小型化する妨げとなる。そこで、共振器だけ高誘
電率基板に形成した部品をマイクロ波回路基板に実装す
る方法もあるが、半田付け等により接続するため、ライ
ンインピーダンスの整合が非常に難しいという欠点を有
する。また、マイクロ波回路基板全体を高誘電率基板に
形成することによっても共振器を小さくできるが、そう
すると他の回路素子も小さく形成することになり、回路
形成時のパターン精度の点で問題が発生する。
ようなマイクロストリップライン共振器においては、数
ＧＨｚ以下の低い周波数では形成される共振器長が数ｃ
ｍのオーダーとなり、非常に大きくなるためマイクロ波
回路を小型化する妨げとなる。そこで、共振器だけ高誘
電率基板に形成した部品をマイクロ波回路基板に実装す
る方法もあるが、半田付け等により接続するため、ライ
ンインピーダンスの整合が非常に難しいという欠点を有
する。また、マイクロ波回路基板全体を高誘電率基板に
形成することによっても共振器を小さくできるが、そう
すると他の回路素子も小さく形成することになり、回路
形成時のパターン精度の点で問題が発生する。
【０００５】従って、本発明の目的は、上記従来例にお
ける問題点に鑑み、マイクロ波回路基板に形成されるマ
イクロストリップライン共振器において、別個の部品を
用いることなく小型化された共振器を、他の回路素子と
同じ回路基板上に形成できるようにすることにある。
ける問題点に鑑み、マイクロ波回路基板に形成されるマ
イクロストリップライン共振器において、別個の部品を
用いることなく小型化された共振器を、他の回路素子と
同じ回路基板上に形成できるようにすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点の解決のた
め、本発明によれば、一方の面にグランド層として導電
体層を備えた誘電体基板の他方の面にストリップ状の導
電体線路を形成してマイクロストリップラインを構成
し、このマイクロストリップラインの前記導電体線路を
所定の長さに切断して共振器を形成したマイクロストリ
ップライン共振器において、ストリップ線路とグランド
層との間に介在する誘電体部材の共振器形成箇所を含む
領域に、誘電体基板の誘電率より大きな誘電率を有する
領域を形成するようにしたものである。
め、本発明によれば、一方の面にグランド層として導電
体層を備えた誘電体基板の他方の面にストリップ状の導
電体線路を形成してマイクロストリップラインを構成
し、このマイクロストリップラインの前記導電体線路を
所定の長さに切断して共振器を形成したマイクロストリ
ップライン共振器において、ストリップ線路とグランド
層との間に介在する誘電体部材の共振器形成箇所を含む
領域に、誘電体基板の誘電率より大きな誘電率を有する
領域を形成するようにしたものである。
【０００７】また、実用的には、ストリップ線路と誘電
体基板の間に誘電体基板より大きな誘電率を有する誘電
体部材を積層すると好都合である。
体基板の間に誘電体基板より大きな誘電率を有する誘電
体部材を積層すると好都合である。
【０００８】
【作用】このように、マイクロ波回路を形成する誘電体
基板を含む誘電体部材の、共振器を構成する領域の誘電
率を、誘電体基板の誘電率とは異なるように形成するこ
とにより、共振器の実効誘電率が変化し、共振波長が変
化するので、共振器長を調節することができる。例え
ば、共振器を構成する領域を部分的に高誘電率化するこ
とにより、共振波長は短くなり、共振器を小型化するこ
とができる。
基板を含む誘電体部材の、共振器を構成する領域の誘電
率を、誘電体基板の誘電率とは異なるように形成するこ
とにより、共振器の実効誘電率が変化し、共振波長が変
化するので、共振器長を調節することができる。例え
ば、共振器を構成する領域を部分的に高誘電率化するこ
とにより、共振波長は短くなり、共振器を小型化するこ
とができる。
【０００９】従って、共振器部品を回路基板に取り付け
る場合と比較してラインインピーダンスの整合が容易に
なり、また他の回路素子形成時のパターン精度にも影響
を与えることがないので、マイクロ波回路を小型化でき
ると共に信頼性を高めることができる。
る場合と比較してラインインピーダンスの整合が容易に
なり、また他の回路素子形成時のパターン精度にも影響
を与えることがないので、マイクロ波回路を小型化でき
ると共に信頼性を高めることができる。
【００１０】また、誘電体基板の誘電率とは異なる誘電
体ペーストを誘電体基板に印刷等の方法により積層して
誘電体部材の誘電率を変化させることができるので、容
易に共振器長を変化させかつ調整することができる。。
体ペーストを誘電体基板に印刷等の方法により積層して
誘電体部材の誘電率を変化させることができるので、容
易に共振器長を変化させかつ調整することができる。。
【００１１】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例につき説
明する。図１は本発明の一実施例に係わるマイクロスト
リップライン共振器の構造を示し、図２の（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ従来および本発明に係わるマイクロス
トリップライン共振器を形成したマイクロストリップ回
路基板装置を上から見た概略図である。
明する。図１は本発明の一実施例に係わるマイクロスト
リップライン共振器の構造を示し、図２の（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ従来および本発明に係わるマイクロス
トリップライン共振器を形成したマイクロストリップ回
路基板装置を上から見た概略図である。
【００１２】図１において、アルミナセラミック（誘電
率：ε＝９．４）等の誘電体基板１の一方の面にはＣｕ
等からなる導電体のグランド層２が積層されており、他
方の面にはマイクロストリップ回路を構成する細長い平
板状のストリップ線路３と共振器ストリップ線路４等が
形成されている。このマイクロストリップ回路の共振器
ストリップ線路４と誘電体基板１の間には、誘電体基板
１の誘電率よりも高い誘電率を有する高誘電体層５が形
成されている。この高誘電体層５は高誘電体ペーストを
印刷かつ焼成することにより形成される。また、共振器
ストリップ線路４を含むマイクロストリップ回路のスト
リップ線路は、誘電体基板１および高誘電体層５上にま
ずＡｇの厚膜導体を形成し、さらにその上に無電解Ｃｕ
メッキ層を積層して形成される。
率：ε＝９．４）等の誘電体基板１の一方の面にはＣｕ
等からなる導電体のグランド層２が積層されており、他
方の面にはマイクロストリップ回路を構成する細長い平
板状のストリップ線路３と共振器ストリップ線路４等が
形成されている。このマイクロストリップ回路の共振器
ストリップ線路４と誘電体基板１の間には、誘電体基板
１の誘電率よりも高い誘電率を有する高誘電体層５が形
成されている。この高誘電体層５は高誘電体ペーストを
印刷かつ焼成することにより形成される。また、共振器
ストリップ線路４を含むマイクロストリップ回路のスト
リップ線路は、誘電体基板１および高誘電体層５上にま
ずＡｇの厚膜導体を形成し、さらにその上に無電解Ｃｕ
メッキ層を積層して形成される。
【００１３】以上のような構造において、誘電体基板１
の高誘電体層５を積層した領域は、誘電体基板１の誘電
率（εｅｆｆ）に高誘電体層５の誘電率が合成されるた
め、共振器ストリップ線路４とグランド層２との間に介
在する誘電体部材全体としての実効誘電率
（εｅｆｆ′）は部分的に大きくなる（εｅｆｆ′＞ε
ｅｆｆ）。従って、この共振器における共振波長
｛λｇ′＝λｏ／（εｅｆｆ′）１／２｝は他の誘電体
基板１領域に形成した場合の共振波長（λｇ）より短く
なるので（λｇ′＜λｇ）、共振器を短く形成する事が
できる（λｇ′／２＜λｇ／２）。
の高誘電体層５を積層した領域は、誘電体基板１の誘電
率（εｅｆｆ）に高誘電体層５の誘電率が合成されるた
め、共振器ストリップ線路４とグランド層２との間に介
在する誘電体部材全体としての実効誘電率
（εｅｆｆ′）は部分的に大きくなる（εｅｆｆ′＞ε
ｅｆｆ）。従って、この共振器における共振波長
｛λｇ′＝λｏ／（εｅｆｆ′）１／２｝は他の誘電体
基板１領域に形成した場合の共振波長（λｇ）より短く
なるので（λｇ′＜λｇ）、共振器を短く形成する事が
できる（λｇ′／２＜λｇ／２）。
【００１４】なお、本実施例では、誘電体基板の誘電率
より高い誘電体領域を形成することにより共振器長を短
くしているが、必要に応じて、誘電体基板の誘電率より
低い誘電体領域を形成することにより共振器長を長くす
ることもできる。
より高い誘電体領域を形成することにより共振器長を短
くしているが、必要に応じて、誘電体基板の誘電率より
低い誘電体領域を形成することにより共振器長を長くす
ることもできる。
【００１５】また、本実施例では、高誘電体層を積層し
て誘電率を変化させているが、誘電体基板の誘電率を部
分的に変化させる手段であればこの方法に限定されず、
誘電体基板を形成する段階で、共振器形成箇所の誘電率
を異ならせるように形成してもよい。
て誘電率を変化させているが、誘電体基板の誘電率を部
分的に変化させる手段であればこの方法に限定されず、
誘電体基板を形成する段階で、共振器形成箇所の誘電率
を異ならせるように形成してもよい。
【００１６】図２は、誘電体基板１の表面に共振器スト
リップ線路４を含むマイクロストリップ回路６を形成し
たマイクロストリップ回路基板装置であり、（ａ）は従
来技術によるもの、（ｂ）は本発明により共振器ストリ
ップ線路４の下に高誘電体層５を設けたものである。
リップ線路４を含むマイクロストリップ回路６を形成し
たマイクロストリップ回路基板装置であり、（ａ）は従
来技術によるもの、（ｂ）は本発明により共振器ストリ
ップ線路４の下に高誘電体層５を設けたものである。
【００１７】この図から明らかなように、共振器を小さ
く形成することにより、共振器を含むマイクロストリッ
プ回路基板装置を大幅に小型化することができる。
く形成することにより、共振器を含むマイクロストリッ
プ回路基板装置を大幅に小型化することができる。
【００１８】なお、本発明は共振器に限らず、例えばハ
ンドパスフィルタ等にも応用して小型高性能化を図るこ
とができる。
ンドパスフィルタ等にも応用して小型高性能化を図るこ
とができる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、共振器
構成部分の誘電体部材の誘電率を高誘電率化することに
より、マイクロ波回路において共振器を小型化すること
ができる。従って、従来のように小型化した共振器部品
を回路基板に取り付ける場合と比較してインピーダンス
の整合が容易になり、また共振器を他の回路素子と同一
基板上に形成できるので、マイクロ波回路を小型化でき
ると共に信頼性を高めることができる。
構成部分の誘電体部材の誘電率を高誘電率化することに
より、マイクロ波回路において共振器を小型化すること
ができる。従って、従来のように小型化した共振器部品
を回路基板に取り付ける場合と比較してインピーダンス
の整合が容易になり、また共振器を他の回路素子と同一
基板上に形成できるので、マイクロ波回路を小型化でき
ると共に信頼性を高めることができる。
【００２０】また、高価な高誘電体基板を使用せずに、
高誘電体ペーストを誘電体基板に印刷等の方法で積層す
ることにより、誘電体基板を高誘電率化することができ
るので、マイクロ波回路のコストダウンを図ることもで
きる。
高誘電体ペーストを誘電体基板に印刷等の方法で積層す
ることにより、誘電体基板を高誘電率化することができ
るので、マイクロ波回路のコストダウンを図ることもで
きる。
【図１】本発明の一実施例に係るマイクロストリップラ
イン共振器の構造を示す斜視図である。
イン共振器の構造を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は従来のマイクロストリップ共振器を含
む回路基板装置を示し、（ｂ）は本実施によるマイクロ
ストリップ共振器を含む回路基板装置を示す平面図であ
る。
む回路基板装置を示し、（ｂ）は本実施によるマイクロ
ストリップ共振器を含む回路基板装置を示す平面図であ
る。
１ 誘電体基板 ２ グランド層 ３ ストリップ線路 ４ 共振器ストリップ線路 ５ 高誘電体層 ６ マイクロストリップ回路
Claims (2)
- 【請求項１】 一方の面にグランド層として導電体層を
備えた誘電体基板の他方の面にストリップ状の導電体線
路を形成してマイクロストリップラインを構成し、該マ
イクロストリップラインの前記導電体線路を所定の長さ
に切断して共振器を形成したマイクロストリップライン
共振器において、 前記導電体層と前記導電体線路との間に介在する誘電体
部材の、前記共振器形成箇所を含む領域に、前記誘電体
基板の誘電率より大きな誘電率を有する領域を形成する
ことを特徴とするマイクロストリップライン共振器。 - 【請求項２】 前記導電体線路と前記誘電体基板の間
に、該誘電体基板の誘電率より大きな誘電率を有する誘
電体層を積層することにより、前記誘電体基板の誘電率
より大きな誘電率を有する領域を形成することを特徴と
する請求項１に記載のマイクロストリップライン共振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9724493A JPH06291527A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | マイクロストリップライン共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9724493A JPH06291527A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | マイクロストリップライン共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291527A true JPH06291527A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14187182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9724493A Pending JPH06291527A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | マイクロストリップライン共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291527A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008029025A (ja) * | 2002-06-27 | 2008-02-07 | Harris Corp | 高効率共振線 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP9724493A patent/JPH06291527A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008029025A (ja) * | 2002-06-27 | 2008-02-07 | Harris Corp | 高効率共振線 |
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