JPH0629149U - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 リ−ド片のフォ−ミング加工による薄型化の
困難性、外部電極部からの放熱効果が小なること、加工
ストレスによる信頼性低減を簡単な構造で、かつ製造容
易に解決する面実装構造の樹脂封止型半導体装置を得る
ことを目的とする。 【構成】 リ−ド片の外部電極部の厚さを、少なくと
も、該リ−ド片の半導体素子固着部の厚さより実装面に
向かって厚くしたことを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、樹脂封止型半導体装置の構造、特に、表面実装用に適した樹脂封 止型半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、外部電極を具備する樹脂封止型半導体装置、特に、外部電極を面状と して回路基板等に面実装を容易とする樹脂封止型半導体装置の構造としては 、例えば、図１の構造図のごときものがあり、（ａ）は断面図、（ｂ）は底 面図である。図１において、１はリ−ド片、２は半導体素子、３は接続子、 ４は封止樹脂であり、通常、リ−ドフレ−ムによる複数のリ−ド片１の上に 半導体素子２及び接続子３を所定の位置に半田付けし、それらをエポキシ樹 脂等の封止樹脂４により成型封止している。その後、リ−ドフレ−ムの不要 部分を切断除去し、更に、リ−ド片１の外部導出部分をフォ−ミング加工に より折り曲げ、外部電極を形成していた。
【０００３】 しかして、図１の従来構造において、封止樹脂４の厚さｔ１は、リ−ド片１ （２） のフォ−ミング加工による加圧やその他の製造上又は構造上の都合から、一 定の厚みを必要とし、半導体装置の薄型化の障害の一つであった。又、リ− ド片１の厚さｔ2は、フォ−ミング加工に適した厚み以上にすることは好ま しくなく、従って、リ−ド片１の放熱容積の増加に制限があり、半導体装置 の大電流容量化に問題があった。更に、フォ−ミング加工のストレスがリ− ド片１の導出部分の封止樹脂４にかかり、導出部分に隙間を生ずる原因とな り、信頼性の面でも問題があった。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】
解決しようとする問題点は、リ−ド片のフォ−ミング加工に伴って、リ−ド 片の折曲げ部における封止樹脂を薄型化することが困難であること、リ−ド 片の厚さによる放熱容量の増加に制限があり、大電流容量化が困難であるこ と、及びフォ−ミング加工時のストレスによる封止樹脂のリ−ド片導出部分 における隙間発生の原因となることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
リ−ド片の外部電極部の厚さを、少なくとも該リ−ド片の半導体素子固着部 の厚さより実装面に向かって厚くすることを特徴とし、リ−ド片のフォ−ミ ング加工による製造上の厄介さを解決し、電流容量の増大、小型化及び信頼 性向上を簡単な構造により実現する。
【０００６】
【実施例】
図２は本考案装置の一実施例を示す構造図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は底 面図であり、図１と同一符号は同一部分を示す。本考案装置の要部をなすリ −ド片１は、外部電極部Ａ、半導体素子固着部Ｂ及び接続子固着部Ｃの３部 分を含んでおり、外部電極部Ａの厚さは、半導体素子固着部Ｂ及び接続子固 着部Ｃの厚さより、実装面、即ち、図２（ａ）の下方に向かって厚く形成す る。つまり、実装面において、必要とする外部電極部Ａの間隔ｌを保ち、リ （３） −ド片１のＡ、Ｂ及びＣの各部により形成される凹部は封止樹脂４の一部に よりみたされる。この実施例では、リ−ドフレ−ムによる複数のリ−ド片１ のＡ部の厚さの約１０〜５０％をエッチング法で薄くしてＢ部及びＣ部の厚 さを形成した。次いで、各部の所定位置に半導体素子２及び接続子３を半田 付けし、モ−ルド法により封止樹脂４を形成した。その後、不要のリ−ドフ レ−ム部分を所定寸法で切断除去して、個別の半導体装置とした。
【０００７】 前記の実施例では、リ−ド片１のＢ部及びＣ部をＡ部に対し、薄くしたが、 外部電極部Ａ間の距離の確保ができれば、接続子固着部Ｃは必ずしも薄くす る必要はない。又、薄くする手段としては、エッチング加工の他、プレス加 工や切削加工の使用も可能であり、薄くする寸法の程度も設計に応じて任意 に選択できる。
【０００８】 図２の実施例では、外部電極部Ａを２個とする２端子型であるが、必要に応 じて、３端子型以上にも適用でき、半導体素子、接続子についても、複数個 の封入してもよい。又、ダイオ−ド、トランジスタ、サイリスタ等のいずれ の半導体素子でもよく、更に、他部品との混成装置にも適用できる。なお、 接続子は片状又はワイヤ−状のいずれでもよい。その他、本考案の要旨の範 囲で任意に変形、変換及び付加をなし得るものである。
【０００９】 前記の実施例による整流ダイオ−ドの出力電流は従来構造に比し、２０％程 度増大することができた。又、図１（ａ）の厚さｔ3に比し、図２（ａ）の 厚さｔ3の減少分だけ半導体装置の薄型化を達成できた。
【００１０】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案の樹脂封止型半導体装置は、表面実装用として のリ−ド片のフォ−ミング加工の必要がなく、薄型化、大電流容量化及び高 信頼化を製造容易に、かつ簡単な構造で達成でき、回路基板への面実装構造 （４） による電子機器等に利用して、産業上の効果大なるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来装置の構造図であり、（ａ）は断面図、
（ｂ）は底面図である。
【図２】本考案の実施例を示す構造図であり、（ａ）は
断面図、（ｂ）は底面図である。
【符号の説明】
１ リ−ド片 ２ 半導体素子 ３ 接続子 ４ 封止樹脂 Ａ １の外部電極部 Ｂ １の半導体素子固着部 Ｃ １の接続子固着部 ｔ1、ｔ2、ｔ3、ｌ 指定の寸法

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも、半導体素子、リ−ド片、接
    続子及び封止樹脂から成る樹脂封止型半導体装置におい
    て、リ−ド片の外部電極部の厚さを少なくとも該リ−ド
    片の半導体素子固着部の厚さより実装面に向かって厚く
    したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 リ−ド片の接続子固着部の厚さより該リ
    −ド片の外部電極部のの厚さを実装面に向かって厚くし
    たことを特徴とする請求項１の樹脂封止型半導体装置。
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JP2005277434A (ja) * 2005-05-09 2005-10-06 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4731021B2 (ja) * 2001-01-25 2011-07-20 ローム株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置

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