JPH06290489A

JPH06290489A - 光学的情報記録用媒体

Info

Publication number: JPH06290489A
Application number: JP5102781A
Authority: JP
Inventors: Michikazu Horie; 通和堀江
Original assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Current assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Priority date: 1993-02-02
Filing date: 1993-04-28
Publication date: 1994-10-18

Abstract

(57)【要約】【目的】高密度かつ高速で情報の記録再生ができる文
書及び画像ファイルに適する情報記録用媒体で、特に記
録された情報の安定保存期間を大幅に改善した、光学的
情報記録用媒体を提供することを目的とする。【構成】基板上にＴｅまたはＴｅ合金薄膜記録層を設
けた穴あけ型の光学的情報記録用媒体において、該記録
層表面にＴｅ０₂不動態膜及び、厚さ５０Å以下の有機
低分子化合物の薄膜を順次設けたことを特徴とする光学
的情報記録用媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度かつ高速で情報
の記録再生ができる文書及び画像ファイルに適する情報
記録用媒体で、特に記録された情報の安定保存期間を大
幅に改善した、光学的情報記録用媒体に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】基板上に形成された薄膜にレーザービー
ムを照射して穴（ピット）を形成するようにした光学的
記録用媒体として、従来より低融点かつ低熱伝導率であ
るために低記録パワーで穴あけ可能なＴｅ薄膜が知られ
ている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３４（１
９１７９），８３５ページ）さらに、経時安定性を増
すためにＴｅにＳｅ、Ｓｂ、Ｃｕなどを添加した合金薄
膜やこれら金属を含有しさらに、炭素、窒素、弗素、酸
素等を含むプラズマ重合膜、反応性スパッタ膜等が用い
られている（特開昭５３−３１１０４公報、特開昭５８
−５４３３８公報、特開昭５７−９８３９４公報、特開
昭６２ー２５２５４３公報、特開昭６３−１６００２７
公報、特開昭６３−９５９８３公報）。

【０００３】これらの穴あけ型ライトワンス記録媒体
は、穴あけという物理的に安定な記録状態を用いている
ためエラーレートが増加しにくく、書換不能であるが故
に改ざん不能な記録媒体として高い信頼を得ており、既
に、文書ファイル、画像ファイルとして実用化されてい
る。この穴あけ型ライトワンス媒体は、穴あけを阻害す
るような保護層を設けることが困難であるため、上記の
ような保存安定化手段をもってしても金属記録層の酸化
を本質的に防止することは不可能であった。しかしなが
ら、記録層面を内側にして２枚の基板を張り合わせる、
エアーサンドイッチ構造をもちいることにより水分の直
接の凝縮を防ぐなどして、実際上１００年以上の保存安
定性を達成している（三菱電機技報、６６（１９９
２）、４３ページ）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、より保
存安定性を向上し、公文書として耐え得る信頼性を達成
することが望まれている。また、より高密度化するため
に、ピットの大きさを小さくしても十分な信号対雑音比
（ＳＮ比）が得られことが求められ、かつこの高ＳＮ比
が長期間安定であることが求められている。

【０００５】本発明者らが行った、Ｔｅを主成分とする
記録層（Ｔｅ₇₁Ｓｅ₁₇Ｆ₂）を用いた高温高湿下での加
速試験においては、局所的微小欠陥の拡大増加によるエ
ラーレートの増加は全くみられなかった。これは、エラ
ーレートの増加が劣化の主要因である光磁気媒体とは全
く異なる。一方で、記録層の酸化による透明化が反射率
を低下させ記録面全体のコントラストが一様に低下し、
やがてドライブの検出限界以下（フォーカスあるいはト
ラッキングが不可能になる状態）に到ることが明らかと
なった。

【０００６】このコントラスト低下によるキャリア低下
はあるものの、実際のエラーレートには全く影響しない
レベルであった。したがって、この記録媒体の寿命はド
ライブで許容される反射率の下限で決まる。一般に、Ｔ
ｅを主成分とする穴開け型ライトワンス媒体においては
ほぼ同様の傾向がある。したがって、その保存安定性の
改善には、記録層酸化による反射率の低下を防止するこ
とが最も有効である。

【０００７】Ｔｅを主成分とする合金薄膜を用いた記録
媒体においては、表面に均一かつある程度の厚みのＴｅ
Ｏ₂不動態膜がないと、バルクに酸化が進行し易く、こ
のため透明化し易いことは知られており（Ｗ．Ｙ．Ｌｅ
ｅａｎｄＲ．Ｈ．Ｇｅｉｓｓ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，５４（１９８３），１３５１ページ）、
意図的にＴｅＯ₂不動態膜を記録層の空気にさらされる
表面に設けることが提案されている（特開６１−１４２
５４４、特開昭５４ー７７９４６等）。

【０００８】しかしながら、本発明者らの検討によれ
ば、ＴｅＯ₂は金属酸化膜としては比較的水に対する溶
解度が高いために高湿下で吸着した水分により局所的に
溶解し、金属状Ｔｅが露出してバルク酸化にいたること
が確認され、ＴｅＯ₂不動態膜を設けるだけでは不十分
であることが確認された。一方、酸化防止のために酸素
の侵入を防止する保護膜を記録層上に設けることも提案
されている（特開昭５４−９７１９６、特開５６−１４
９７９）。

【０００９】しかしながら、架橋度の高い高分子を用い
ていること、数十ｕｍ以上の膜厚を用いていること、さ
らに、軟化点がプラスチック基板より高いことにより、
実際上保護層により穴開けが抑制されて記録感度が悪く
なったり、保護層部分を含む穴あけが、ピット形状を乱
したりする。また、無機物保護層、例えば酸化シリコン
膜等を用いると保護層への放熱も記録感度の低下につな
がっている（Ｍ．ＣｈｅｎａｎｄＶ．Ｍａｒｒｅｌ
ｌｏ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１
８（１９８１），７５ページ）。

【００１０】したがって、その膜厚には限度があり、実
際上１００Å未満でかつ記録層より十分低融点であるこ
とが必要である。これを満たすものとして、有機単分子
層があげられるが、数Å程度の膜厚では、酸素の透過を
完全には防止できないため、やはり十分な酸化防止効果
が得られているとは言い難い。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記Ｔｅ
Ｏ₂不動態膜または極めて薄い保護膜いずれかの単独を
用いていたのでは、十分な記録層保護効果が得られない
こと、また厚い保護膜や高融点の無機物保護膜を用いた
のでは穴形成が阻害されることに鑑み、化学的に安定な
ＴｅＯ₂不動態膜と穴あけに影響を及ぼさずかつＴｅＯ₂
不動態膜への水分の吸着を防止できる保護層との組み合
わせについて鋭意検討した結果、本発明に到達した。

【００１２】すなわち、本発明は基板上にＴｅまたはＴ
ｅ合金薄膜記録層を設けた穴あけ型光学的情報記録用媒
体において、該記録層表面にＴｅＯ₂不動態膜及び、厚
さ５０Å以下の有機低分子化合物の薄膜を設けたことを
特徴とする光学的情報記録用媒体である。以下、本発明
を更に具体的に説明する。

【００１３】本発明の光学的情報記録媒体を構成する基
板としては、ガラス等のセラミックス、Ａｌ等の金属、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のプラ
スチックが用いられる。基板を介して集束したレーザー
光を入射し、穴あけ記録及び、再生が行うことが広く実
用化されているが、この場合には、レーザー光波長に対
して透明な基板を用いる。基板には、特定の順に配列さ
れた穴（ピット）を追跡（トラッキング）するための、
溝や凹凸を設けたり、アドレス情報等の穴を別途形成す
るのが普通である。

【００１４】このために、逆パターンの溝や凹凸を設け
たスタンパーを備えた射出成形装置により成形したプラ
スチック基板を用いることが、価格、生産性の上で好ま
しい。基板の表面にはＴｅまたはＴｅ合金薄膜記録層が
設けられる。ここでレーザー光や、電子ビーム等のエネ
ルギービームを吸収し、溶融・蒸発が起こって穴が形成
される。

【００１５】記録層の膜厚としては１００〜１０００Å
であることが望ましい。１００Å未満下では、本発明の
不動態膜と有機保護膜の組み合わせを適用しても、酸化
等の影響が容易に膜全体におよび保存安定性に問題を生
じ易い。また、反射率が低くなりドライブでの再生が困
難となり易い。一方、１０００Åより厚い場合には、穴
あけに要するエネルギーが大きくなりすぎ、安価な半導
体レーザーを用いることが難しく実用的ではない。

【００１６】合金薄膜記録層に含まれる元素としてはＴ
ｅの他に、その経時安定性を向上させたり、ピット形状
を改善したり、記録感度を向上させたりすることを目的
としてＳｅ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｉ
ｎ、Ａｓ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｃ、
Ｆ、Ｈ、あるいはＡｒ等の不活性ガス等から１種または
２種以上の元素を好ましくは０．１〜２０原子％程度選
び、同時真空蒸着、イオンプレーティング、合金を用い
た真空蒸着、スパッタ、反応性スパッタ等の手段により
上記基板上に形成される。

【００１７】中でも、本発明者らが提案したＴｅＳｅＦ
合金薄膜記録層はＴｅまたはＴｅＳｅ合金ターゲットを
弗化セレンガスと不活性ガスの混合ガス中で反応性スパ
ッタすること、あるいは、ＴｅまたはＴｅＳｅ合金を蒸
発させ弗化セレンガスと不活性ガスの混合ガス中でイオ
ンプレーティングすることで容易に形成され、高感度、
高信号品質、長寿命の記録媒体が得られる（特公平４ー
２１９５６、４ー４９１７５）。

【００１８】なお、本発明における穴あけ型の記録媒体
とは必ずしも、穴内部が完全に溶融除去または蒸発除去
されて、基板面が露出されている場合だけでなく、穴状
の変形が形成されている場合も含まれる。上記ＴｅＳｅ
Ｆ媒体をはじめとして、真空蒸着あるいはスパッタ等で
成膜した直後の構造が非晶質である場合には、本発明の
ＴｅＯ₂不動態膜形成のための熱処理時に同時に結晶化
させて安定化することが望ましい。なぜなら、多くのＴ
ｅを主成分とする合金薄膜の結晶化温度は２００℃以下
であり、経時的に結晶化して反射率変化等の光学的情報
記録用媒体として好ましくない現象を生じるからであ
る。

【００１９】なお、下引き層を記録層と基板の間に設
け、記録感度、ピット形状の改善をはかることも可能で
ある。さらに、エアーサンドイッチ構造にして水滴やゴ
ミの付着を防ぐことも全体的な信頼性を高める上で有効
である。Ｔｅ合金薄膜記録層の大気に接する表面側には
ＴｅＯ₂不動態膜を形成する。他原子が表面に析出して
いても構わないが、Ｔｅ含有量がおおむね６０原子％以
上であれば、ほとんど全表面をＴｅＯ₂不動態膜で被覆
することができる。この不動態膜は均一で緻密であるこ
とが望ましく、また穴形成に影響を及ぼさないこと、多
大な反射率低下を生じさせないことが望ましい。

【００２０】このためにはＴｅＯ₂不動態膜の厚さを１
０〜５０Åとすることが望ましく、さらには、２０〜３
０Åとすることがより望ましい。自然酸化で形成される
ような１０Å未満の膜厚ではＴｅＯ₂が不均一または，
ＴｅＯ₂膜を介したトンネル効果で電荷移動が生じるた
め十分な不動態化ができないし、５０Åより大では、記
録層全体の反射率を低下させる傾向がある。また、Ｔｅ
Ｏ₂は通常の近赤外及び可視レーザー光を吸収しないか
ら５０Åより大の膜厚では記録感度の低下にもつなが
る。

【００２１】本発明者らが、干渉効果を考慮にいれた多
層構造の反射率を計算によって求めたところ、例えばＴ
ｅ記録層膜厚３００Å前後に対して、ＴｅＯ₂膜厚５０
Åより大では、ＴｅＯ₂膜厚０の場合に比べ数％の反射
率低下があり、好ましくない。このＴｅＯ₂不動態層の
存在及び膜厚は、通常ＸＰＳ法（Ｘ線励起光電子分光
法）及び高分解ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等の表面分
析手段によって評価できる。すなわち、熱処理後の記録
層表面を高分解ＳＥＭで１万倍以上の倍率で観察すると
均一な不動態ＴｅＯ₂膜が形成されておれば、該ＴｅＯ₂
膜は通常非晶質であるために、極めて滑らかな表面が観
察される。

【００２２】この場合、ＡＦＭ（原子間力走査型顕微
鏡）によって表面荒さを評価すれば、その平均荒さは２
０Å未満となるのが普通である。均一な不動態ＴｅＯ₂
膜が形成されていないと、下地の結晶粒が見えたり、平
均荒さが大きくなったりする。一方、ＴｅＯ₂膜厚の定
量的評価はＸＰＳ法によって行う。すなわち、図１にＸ
ＰＳ法による表面のＴｅ３ｄピークの１例を示すが、Ｔ
ｅピークは金属状ＴｅピークとＴｅＯ2となって４価に
帯電し束縛エネルギーが高エネルギー側にシフトしたＴ
ｅ⁴⁺ピークの２つにわかれる。各ピークの面積強度をＩ
⁰、Ｉ⁺⁴と表示すれば、不動態ＴｅＯ₂膜厚ｄは以下の様
に求められる（Ｗｅｎ−Ｙａｎ．Ｌｅｅなど、Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５４（１９８３），１３５１ペー
ジ）。

【００２３】

【数１】ｄ＝λ・Ｃｏｓθ・ｌｎ［１＋（ρ_M／ρ_OX）・（Ｉ⁴⁺／Ｉ⁰）］ここで、θは膜面垂直方向に対する光電子の脱出角度、
ρ_M．ρ_OXはそれぞれ金属状態のＴｅ及びＴｅＯ₂状態の
Ｔｅの原子密度（それぞれ２．８及び２．２ｘ２０²²／
ｃｍ³）である。また、λはＴｅからの光電子の脱出深
さ（約２０Å）である。

【００２４】上記ＴｅＯ₂不動態膜を形成する手段とし
ては通常の熱処理（アニール）で十分である。アニール
温度としては基本的に記録層の融点以下であれば問題な
いが、安価なオーブンとプラスチック基板を用いるため
には、７０Ｃ以上１３０Ｃ未満であることが望ましい。
実際のアニール温度及び時間は用いるプラスチック基
板等の熱的安定性を考慮して決定される。また、同時に
非晶質記録層の結晶化を行う場合には結晶化温度、速度
も考慮されるべきである。均一で緻密なＴｅＯ ₂不動態
膜を得るためには、やはり上記の温度範囲で３０分以上
の時間をかけてゆっくりと熱酸化させるのが望ましい。
しかしながら、適度な酸化雰囲気でフラッシュランプア
ニールを行うなどして、数秒以内に酸化を行っても実用
上十分な特性が得られる。この場合光が熱源として用い
られるだけでなく、化学的な作用を及ぼす励起源として
の効果を有していてもかまわない。電子ビーム等他の熱
源についても同様である。

【００２５】本発明における熱処理時の酸化雰囲気と
は、少なくとも酸素を含有する雰囲気をいい、通常の大
気、不活性ガスや窒素と酸素との混合ガスが挙げられ
る。もちろん、大気圧、減圧、加圧いずれの状態であっ
ても構わない。ただし、良質のＴｅＯ₂不動態膜を得る
ためには、湿度は低い方がよく、例えば大気中では、相
対湿度６０％未満であることが望ましい。

【００２６】特に、ＴｅまたはＴｅ合金薄膜記録層を真
空蒸着またはスパッタ法によって成膜した場合、大気中
に取り出す際に相対湿度６０％未満の乾燥雰囲気に取り
出し、この乾燥雰囲気を保持したまま、できるだけ速や
かに熱処理を行い、さらにできるだけ速やかに有機低分
子化合物薄膜を設けることが望ましい。本発明において
は、上記ＴｅＯ₂不動態膜上に低分子有機薄膜を形成す
る。本発明における低分子化合物の有機薄膜は、特定の
配向性や配列を有することを特に要しない。

【００２７】また、個々の分子がファンデルワールス力
のみによってＴｅＯ₂不動態膜と結合していても良い
し、相互に共有結合により結合していても良い。また、
必ずしも連続膜であることを要せず、島状構造であって
も、その被覆面積が大きければ、十分保護効果を発揮す
ることができる。薄膜を形成する有機分子としては、蒸
気圧が低く、ＴｅＯ₂不動態膜上に安定に吸着または結
合するような有機分子であれば、基本的にどのような有
機分子であってもよいが、特に、ＴｅＯ₂表面に吸着し
たあと、ＴｅＯ₂と強固な結合を形成する一方、水分の
吸着を防ぐ効果にすぐれているものが望ましい。

【００２８】ただし、本発明においては、低分子化合物
であることが肝要で、一般のハードコート剤のように記
録層表面で高度に架橋することは穴あけを阻害する要因
となるので好ましくない。また、穴あけを阻害しないた
めには、記録層の融点よりも低温で分解もしくは昇華す
ることが望ましいが、１００℃程度までは安定にＴｅＯ
₂表面に吸着しているものが望ましい。その分子量とし
ては通常数百以下が好ましい。

【００２９】より具体的には、弗素アルコール、シラン
またはチタンのカップリング剤、アルキルアミン、高級
脂肪酸等ＴｅＯ₂に吸着し易い親水性基と水分の吸着を
防ぐ疎水性基を同一分子内に有する界面活性剤のような
ものがあげられる。また、通常の接着剤に使われるアク
リレート基、イソシアネート基などの反応基を有する化
合物があげられる。これらは架橋性分子であるが、５０
Å未満といった極薄膜状態では、酸素雰囲気下では架橋
反応は阻害され、高分子化することはなく、高々オリゴ
マー状の低分子として安定にＴｅＯ₂不動態膜に吸着し
うる。

【００３０】さらに、トリアゾール類、テトラゾール
類、チアゾール類、トリアジンチオール類のような表面
処理剤を塗布することも効果的である。これらの有機物
を溶剤に溶かしてスピンコーティング法より塗布しても
よいし、蒸着重合等真空中でのモノマー昇華による成膜
法によってもよい。また、蒸気圧が高ければ大気圧中で
蒸発したモノマー蒸気中にさらすだけで吸着させること
も可能である。

【００３１】さらに、これら有機薄膜の成膜時に光、熱
等のエネルギーによりＴｅＯ₂不動態膜との結合反応を
促進することも可能である。ただし、本発明の主旨から
して、上記有機薄膜成膜時にたとえば、スピンコート法
などにおいて、水を溶媒として用いることはＴｅＯ₂不
動態膜を劣化させるので好ましくない。もちろん、水面
上に展開したいわゆるラングミュアー・ブロジェット膜
のような単分子膜を用いることも好ましくない。

【００３２】これら有機薄膜の膜厚がおおむね５０Å以
上となると記録時の穴あけ過程に影響するので望ましく
ない。上記有機薄膜の膜厚は、もし、屈折率が既知であ
ればエリプソメトリー法によって測定できる。また、有
機薄膜を形成した状態でＸＰＳ法による測定を行い下地
のＴｅＯ₂不動態膜からのＴｅピークが検出できれば、
光電子の脱出深さ（高々５０Å程度）以下であると判断
できる。

【００３３】

【実施例】以下、実施例をもって本発明を詳細に説明す
るが、本発明は、その要旨を越えない限り以下の実施例
に限定されるものではない。以下の実施例において、特
に断りのない限り記録層の経時安定性をその表面形態に
よって評価した。

【００３４】すなわち、本発明の有機分子層膜をＴｅＯ
₂不動態層と組み合わせることにより、ＴｅＯ₂不動態層
の水分による腐食が有効に防止されていることを確認す
るため、本発明記録媒体を温度８０℃，相対湿度８０％
の加速試験環境下に５００時間放置したのち高分解能Ｓ
ＥＭで１万から３万倍の倍率で観察を行った。ＴｅＯ₂
不動態膜が水分に溶融し腐食すれば、その部分は凹部と
してバルクが露出している。従って、ある限られた領域
の全表面積に対する凹部の面積の割合Ｒを求めれば腐食
の度合いを定量的に表すことができる。引き続くバルク
の酸化にともなう反射率低下はこの割合Ｒが大きければ
促進される。

【００３５】以下に述べる実施例においては、記録層は
射出成形によってトラッキング用の溝を設けたポリカー
ボネート樹脂基板上にスパッタまたは反応性スパッタに
より成膜した。なお、記録層膜厚は触針式膜厚計によっ
て求め、ＴｅＯ₂不動態膜厚は既に述べたようにＸＰＳ
法で求めた。実施例１および比較例１、２Ｔｅ₍₈₅₎Ｓｅ₍₁₅₎（数値は成分割合）ターゲットをＳｅ
Ｆ₆／Ａｒ混合ガス中で反応性スパッタし、膜厚３００
ÅのＴｅＳｅＦ膜を成膜後ただちに、オーブンに投入し
大気中で９０℃１時間のアニールを行ったのち、２ーヒ
ドロキシプロピルメタアクリレートまたは３ーヒドロキ
シメタアクリレートを加熱して得られた蒸気に記録層表
面を数秒さらした。

【００３６】この間、記録層を８０℃に加熱した。有機
薄膜を形成しない状態でＸＰＳ法によって測定したＴｅ
Ｏ₂不動態膜厚は２０Åであった。有機薄膜そのものが
形成されていることは、同じく有機薄膜形成後ＸＰＳ法
で測定した記録層表面の炭素ピーク（Ｃ１ｓピーク）の
強度が未処理の場合と比較して著しく増大していること
から確認できた。また、下地のＴｅピークが検出される
ことから、この有機薄膜の膜厚は光電子の脱出深さ以下
（高々５０Å程度）であることが確認できた。

【００３７】一方、比較例１として上記有機薄膜を形成
していない媒体を用意し、比較例２としてオーブンで熱
処理を行わないで、有機薄膜のみを形成した媒体を用意
した。実施例１と比較例１の記録特性を評価したとこ
ろ、全く同等の特性で、有機薄膜形成による悪影響は見
られなかった。

【００３８】引き続き、温度８０℃、８０％相対湿度下
で５００時間の加速試験を行い、表面のＳＥＭ観察を行
ったところ、実施例では腐食領域はほとんど０であり、
良好な保護特性を示した。一方、比較例１では腐食面積
の割合がほぼ半分に広がっていた。また、比較例２で
は、全表面が荒れていた。記録特性では、実施例のみが
ほとんど劣化を示さなかった。

【００３９】比較例３実施例１の媒体上に有機保護膜として、膜厚８０Åのポ
リ４弗化エチレンのスパッタ膜を形成した。腐食防止効
果には優れていたものの、有機保護膜の膜厚が厚く、高
度に架橋しているために穴あけが阻害され、記録感度が
悪くなり、かつ、ピット形状が悪くなって雑音が増加し
た。

【００４０】実施例２実施例１と同様に、アニールによって、厚さ約２０Åの
ＴｅＯ₂不動態膜を形成した後、Ｔｉイソシアネート
（イソプロパノール７５％希釈液）をエタノールでさら
に３倍に希釈した溶液を、スピンコート法により塗布し
た。一方、ＨＭＤＳ（ヘキサ・メチル・ジ・シラザン）
の原液をスピンコート法により塗布した。Ｔｉイソシア
ネートほどではなかったが、表面荒れの抑制効果があっ
た。

【００４１】実施例３実施例１と同様に、アニールによって、厚さ約２０Åの
ＴｅＯ₂不動態膜を形成した後、市販の界面活性剤｛マ
マレモン（商品名）ライオン（株）製｝を純水にて２０
０倍に希釈して、スピンコート法により塗布した。温度
８０℃、８０％相対湿度下で５００時間の加速試験を行
い、表面のＳＥＭ観察を行ったところ、表面荒れは全く
見られなかった。

【００４２】

【発明の効果】本発明におけるＴｅＯ₂不動態膜と有機
低分子化合物の薄膜を記録膜上に形成することにより、
高温高湿下での記録層の腐食が抑制され、記録層酸化の
進行による、反射率低下、記録感度低下のほとんどな
い、経時安定性にすぐれた穴あけ型光学的情報記録用媒
体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＸＰＳ法による表面のＴｅ３ｄピークの１例を
示す図

【符号の説明】

１：Ｔｅ３ｄピークの１例を示すグラフ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にＴｅまたはＴｅ合金薄膜記録層
を設けた穴あけ型の光学的情報記録用媒体において、該
記録層表面にＴｅ０₂不動態膜及び、厚さ５０Å以下の
有機低分子化合物の薄膜を順次設けたことを特徴とする
光学的情報記録用媒体。