JPH06279103A - ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型水晶振動子 - Google Patents
ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型水晶振動子Info
- Publication number
- JPH06279103A JPH06279103A JP5066577A JP6657793A JPH06279103A JP H06279103 A JPH06279103 A JP H06279103A JP 5066577 A JP5066577 A JP 5066577A JP 6657793 A JP6657793 A JP 6657793A JP H06279103 A JPH06279103 A JP H06279103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- ceramic composite
- ceramic
- whiskers
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】表面実装型の水晶振動子用パッケージにおい
て，水晶片の封止時や半田リフロー時の熱処理による共
振特性の変動を小さくすると共に、パッケージ厚みを薄
くする。 【構成】 熱膨張率が水晶片２のそれに近いガラス材料
とセラミック材料を組み合わせてパッケージ５０を構成
する。さらに、前記材料にセラミックウイスカーを添加
し、抗折強度を補強する。さらに、ジルコニアの微粉を
微量添加し、焼成時にガラスを部分的に結晶化させ、抗
折強度として十分な強さを確保する。 【効果】 パッケージの材料組成を工夫して熱膨張率を
水晶片のそれに近似させたので、熱処理による共振特性
の変動を従来のセラミックパッケージと比較して大幅に
抑制できる。
て，水晶片の封止時や半田リフロー時の熱処理による共
振特性の変動を小さくすると共に、パッケージ厚みを薄
くする。 【構成】 熱膨張率が水晶片２のそれに近いガラス材料
とセラミック材料を組み合わせてパッケージ５０を構成
する。さらに、前記材料にセラミックウイスカーを添加
し、抗折強度を補強する。さらに、ジルコニアの微粉を
微量添加し、焼成時にガラスを部分的に結晶化させ、抗
折強度として十分な強さを確保する。 【効果】 パッケージの材料組成を工夫して熱膨張率を
水晶片のそれに近似させたので、熱処理による共振特性
の変動を従来のセラミックパッケージと比較して大幅に
抑制できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は信頼性の高い水晶振動子
用の面実装用フラットパッケージに関するものである。
用の面実装用フラットパッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】水晶振動子等のデバイスを面実装部品と
して使用する場合、図３に示すようにアルミナを主材料
とするベース部材１に水晶片２を固着したのちアルミナ
を主材とするキャップ部材３をかぶせ、低融点のガラス
封止部４で気密封止して使用している。封止されたパッ
ケージ５は回路基板上に半田リフロー法等で実装され
る。パッケージを封止する際や、回路基板に実装する際
には、パッケージは加熱されるが、パッケージ５と、水
晶片２の熱膨張率が異なるため、加熱冷却後に水晶片２
に応力歪が発生する。そのため水晶片２の共振周波数が
変動し、目的とする周波数特性が得られない。その対策
として、例えば、ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＵＰＤＡＴ
Ｅ，Ｎｏ．４，ｐｐ．８３−８８，１９９０に述べられ
ている前記図３の構造のようにベース部材１に水晶片２
をばね性のサポータ６を介して固着した後、気密封止し
て使用している。あるいは図４のごとく特開平２−１０
５７１０号公報に述べられているように、水晶片２の電
極リード部７を水晶片２の同じ端部に導き、水晶片２を
直接ベース部材１上にサポータを介さずに電極パッド部
８に固着する方法も提案されている。
して使用する場合、図３に示すようにアルミナを主材料
とするベース部材１に水晶片２を固着したのちアルミナ
を主材とするキャップ部材３をかぶせ、低融点のガラス
封止部４で気密封止して使用している。封止されたパッ
ケージ５は回路基板上に半田リフロー法等で実装され
る。パッケージを封止する際や、回路基板に実装する際
には、パッケージは加熱されるが、パッケージ５と、水
晶片２の熱膨張率が異なるため、加熱冷却後に水晶片２
に応力歪が発生する。そのため水晶片２の共振周波数が
変動し、目的とする周波数特性が得られない。その対策
として、例えば、ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＵＰＤＡＴ
Ｅ，Ｎｏ．４，ｐｐ．８３−８８，１９９０に述べられ
ている前記図３の構造のようにベース部材１に水晶片２
をばね性のサポータ６を介して固着した後、気密封止し
て使用している。あるいは図４のごとく特開平２−１０
５７１０号公報に述べられているように、水晶片２の電
極リード部７を水晶片２の同じ端部に導き、水晶片２を
直接ベース部材１上にサポータを介さずに電極パッド部
８に固着する方法も提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
水晶振動子では、パッケージ５と水晶片２の熱膨張率が
異なるので、加熱冷却後に、応力歪が発生し水晶振動子
の共振周波数が変動し、目的とする周波数特性が得られ
ない。
水晶振動子では、パッケージ５と水晶片２の熱膨張率が
異なるので、加熱冷却後に、応力歪が発生し水晶振動子
の共振周波数が変動し、目的とする周波数特性が得られ
ない。
【０００４】また、前記課題を解決するために、水晶片
２をばね性のサポータ６を介してパッケージ５に接続す
る場合、製造コストが高くなる。また、パッケージ５が
厚くなる等の問題がある。
２をばね性のサポータ６を介してパッケージ５に接続す
る場合、製造コストが高くなる。また、パッケージ５が
厚くなる等の問題がある。
【０００５】さらに、パッケージ５の主材料であるアル
ミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）は焼結温度が１５００〜１６００℃
であり、パッケージ５内部の配線導体を同時焼成する場
合、導体として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）等の高融点金属を使用する必要がある。これら高融
点金属は電気伝導率が低く、また半田付けができないの
で、ニッケル（Ｎｉ）メッキ、及び金（Ａｕ）メッキを
施す必要がある。そのため製造時に，工数，コストとも
多大なものとなっている。
ミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）は焼結温度が１５００〜１６００℃
であり、パッケージ５内部の配線導体を同時焼成する場
合、導体として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）等の高融点金属を使用する必要がある。これら高融
点金属は電気伝導率が低く、また半田付けができないの
で、ニッケル（Ｎｉ）メッキ、及び金（Ａｕ）メッキを
施す必要がある。そのため製造時に，工数，コストとも
多大なものとなっている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のガラス−セラミ
ック複合体は、熱膨張係数が１００〜１５０×１０-7／
℃のガラス中にフォルステライトを３０〜７０重量％分
散させたガラス−セラミック混合物中にウイスカーを前
記ガラス−セラミック混合物に対して５〜３０重量％添
加したことを特徴とする。
ック複合体は、熱膨張係数が１００〜１５０×１０-7／
℃のガラス中にフォルステライトを３０〜７０重量％分
散させたガラス−セラミック混合物中にウイスカーを前
記ガラス−セラミック混合物に対して５〜３０重量％添
加したことを特徴とする。
【０００７】また、前記ガラスは重量％で、ＳｉＯ2 ５
０〜７０％、Ａｌ2 Ｏ3 ２〜８％、ＣａＯ５〜１５％、
Ｂ2 Ｏ3 １〜８％、Ｒ2 Ｏ（但し、ＲはＮａ，Ｋ，およ
びＬｉから選ばれる１種類以上とする）１０〜２５％の
組成物を含むことを特徴とする。
０〜７０％、Ａｌ2 Ｏ3 ２〜８％、ＣａＯ５〜１５％、
Ｂ2 Ｏ3 １〜８％、Ｒ2 Ｏ（但し、ＲはＮａ，Ｋ，およ
びＬｉから選ばれる１種類以上とする）１０〜２５％の
組成物を含むことを特徴とする。
【０００８】また前記ガラス及びセラミックは平均粒径
が１〜３μｍであって、かつ前記ウイスカーは直径０．
１〜２μｍ、長さ１０μｍ以下であることを特徴とす
る。
が１〜３μｍであって、かつ前記ウイスカーは直径０．
１〜２μｍ、長さ１０μｍ以下であることを特徴とす
る。
【０００９】また、前記ウイスカーは、アルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、チタン酸カリウム
（Ｋ2 Ｔｉ6 Ｏ13）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、マ
グネシウムパイロボレート（Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 ）のいずれ
かであることを特徴とする。
2 Ｏ3 ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、チタン酸カリウム
（Ｋ2 Ｔｉ6 Ｏ13）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、マ
グネシウムパイロボレート（Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 ）のいずれ
かであることを特徴とする。
【００１０】また、前記ガラス−セラミック複合体中に
ジルコニア微粉末（０．１〜１μｍ）を０．２〜５重量
％添加したことを特徴とする。
ジルコニア微粉末（０．１〜１μｍ）を０．２〜５重量
％添加したことを特徴とする。
【００１１】また、フラットパッケージ型水晶振動子に
おいては、両面に電極リード部を配した水晶片と前記水
晶片に電気的かつ機械的に接続される一対の電極パッド
部を有するベース部材と、キャップ部材を備え、前記ベ
ース部材及びキャップ部材を前記ガラス−セラミック複
合体を用いて形成したことを特徴とする。
おいては、両面に電極リード部を配した水晶片と前記水
晶片に電気的かつ機械的に接続される一対の電極パッド
部を有するベース部材と、キャップ部材を備え、前記ベ
ース部材及びキャップ部材を前記ガラス−セラミック複
合体を用いて形成したことを特徴とする。
【００１２】
【作用】パッケージ材料と水晶板の熱膨張率が整合する
ので、加熱冷却後に水晶片の残留歪が低減され、共振周
波数の変動が抑えられる。
ので、加熱冷却後に水晶片の残留歪が低減され、共振周
波数の変動が抑えられる。
【００１３】パッケージ材料中にウイスカーを添加した
ので抗折強度が向上し、従来よりもパッケージの厚さを
薄くすることができる。
ので抗折強度が向上し、従来よりもパッケージの厚さを
薄くすることができる。
【００１４】また、ジルコニア（ＺｎＯ2 ）を微量混合
させることにより、焼成時にガラスを部分的に結晶化さ
せることができ、セラミックウイスカーの添加との相乗
効果を高め、抗折強度をさらに向上させることができ
る。パッケージの焼成温度を低下できると共に、内部導
体を同時焼成する場合、Ａｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ａｇ／Ａｕ
等の電気伝導率が高い低融点金属を使用できる。またこ
れらの金属材料の比率を選択することにより、半田付け
が可能になるためメッキ工程を必要としない。
させることにより、焼成時にガラスを部分的に結晶化さ
せることができ、セラミックウイスカーの添加との相乗
効果を高め、抗折強度をさらに向上させることができ
る。パッケージの焼成温度を低下できると共に、内部導
体を同時焼成する場合、Ａｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ａｇ／Ａｕ
等の電気伝導率が高い低融点金属を使用できる。またこ
れらの金属材料の比率を選択することにより、半田付け
が可能になるためメッキ工程を必要としない。
【００１５】よって、水晶振動子の周波数特性の変動が
少なく、またサポート部材が不要なため従来よりも厚さ
の薄い高信頼なパッケージを供給することが可能にな
る。さらに製造コストが低減し、製造工期も短縮され
る。
少なく、またサポート部材が不要なため従来よりも厚さ
の薄い高信頼なパッケージを供給することが可能にな
る。さらに製造コストが低減し、製造工期も短縮され
る。
【００１６】
【実施例】以下、本発明について実施例に基づいて、表
１と表２と図１を用いて詳細に説明する。
１と表２と図１を用いて詳細に説明する。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】まず、表１と表２に示すガラス及び、セラ
ミック、添加物（ジルコニア）を湿式ボールミルで粉砕
混合を行い、濾過，らいかい，乾燥後、表１と表２に示
すセラミックウイスカーを所定量添加して乾式混合を行
った。混合粉末にＰＶＡからなるバインダーを混合し、
粉末成形プレスをおこない、８００℃〜１０００℃で焼
成したのち直方体に切断し、抗折強度、熱膨張率を測定
した。それらの測定結果を表１と表２に示す。これよ
り、本発明のガラス−セラミック複合体の熱膨張率は約
１００〜１４０×１０-7／℃と大きく、またジルコニア
を混合したものは抗折強度が３０００Ｋｇ／ｃｍ2 以上
に改善させることがわかった。ジルコニアを添加し焼成
したものは示差熱分析およびＸ線回折の結果、部分的に
結晶化していることが確認された。
ミック、添加物（ジルコニア）を湿式ボールミルで粉砕
混合を行い、濾過，らいかい，乾燥後、表１と表２に示
すセラミックウイスカーを所定量添加して乾式混合を行
った。混合粉末にＰＶＡからなるバインダーを混合し、
粉末成形プレスをおこない、８００℃〜１０００℃で焼
成したのち直方体に切断し、抗折強度、熱膨張率を測定
した。それらの測定結果を表１と表２に示す。これよ
り、本発明のガラス−セラミック複合体の熱膨張率は約
１００〜１４０×１０-7／℃と大きく、またジルコニア
を混合したものは抗折強度が３０００Ｋｇ／ｃｍ2 以上
に改善させることがわかった。ジルコニアを添加し焼成
したものは示差熱分析およびＸ線回折の結果、部分的に
結晶化していることが確認された。
【００２０】また、セラミックウイスカーとして、チタ
ン酸カリウム（Ｋ2 Ｔｉ6 Ｏ13）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、マグネシウムパイロボレート（Ｍｇ2 Ｂ2
Ｏ5 ）を添加したロットの熱膨張率は表１と表２に示す
ようにセラミックウイスカー無添加のロットとほぼ同じ
熱膨張率を示すが、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化珪素
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を添加したロットは、セラミックウイス
カー無添加ロットよりも低い熱膨張率を示した。また、
セラミックウイスカーを添加したロットは無添加ロット
に比較して、いずれも抗折強度は高くなった。なお、ウ
イスカーの熱膨張率は母材であるガラス−セラミックの
熱膨張率にできるだけ近い方が望ましい。
ン酸カリウム（Ｋ2 Ｔｉ6 Ｏ13）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、マグネシウムパイロボレート（Ｍｇ2 Ｂ2
Ｏ5 ）を添加したロットの熱膨張率は表１と表２に示す
ようにセラミックウイスカー無添加のロットとほぼ同じ
熱膨張率を示すが、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化珪素
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を添加したロットは、セラミックウイス
カー無添加ロットよりも低い熱膨張率を示した。また、
セラミックウイスカーを添加したロットは無添加ロット
に比較して、いずれも抗折強度は高くなった。なお、ウ
イスカーの熱膨張率は母材であるガラス−セラミックの
熱膨張率にできるだけ近い方が望ましい。
【００２１】次に、水晶振動子用パッケージの特性を調
査するために、表１の実施例１に示す組成原料粉末を使
用して以下に述べる製造工程に従って、図１に示す構造
のパッケージ５０を作成した。
査するために、表１の実施例１に示す組成原料粉末を使
用して以下に述べる製造工程に従って、図１に示す構造
のパッケージ５０を作成した。
【００２２】（ａ）前記材料とバインダー材、溶剤を混
合し、スラリーを製造して、ドクターブレード法により
厚さ１００〜３００μｍのグリーンシートを作成する。
合し、スラリーを製造して、ドクターブレード法により
厚さ１００〜３００μｍのグリーンシートを作成する。
【００２３】（ｂ）前記グリーンシートにスルーホール
を形成し、Ａｇペーストをスクリーン印刷し、スルーホ
ールを充填するとともに内部導体部を形成する。
を形成し、Ａｇペーストをスクリーン印刷し、スルーホ
ールを充填するとともに内部導体部を形成する。
【００２４】（ｃ）別のグリーンシートにＡｇ／Ｐｄペ
ーストをスクリーン印刷し、外部取出し電極部を形成す
る。
ーストをスクリーン印刷し、外部取出し電極部を形成す
る。
【００２５】（ｄ）別のグリーンシートに水晶振動子の
キャビティ用の穴を打ち抜く。
キャビティ用の穴を打ち抜く。
【００２６】（ｅ）前記（ｂ）〜（ｄ）のグリーンシー
ト及びダミーのグリーンシートを積層し１００℃で１０
０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でホットプレスする。
ト及びダミーのグリーンシートを積層し１００℃で１０
０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でホットプレスする。
【００２７】（ｆ）前記積層体を脱バインダーし、８０
０℃〜１０００℃で焼成する。
０℃〜１０００℃で焼成する。
【００２８】（ｇ）焼成された積層体を切断し、図１に
示すパッケージのベース部材１を得る。
示すパッケージのベース部材１を得る。
【００２９】（ｈ）ベース部材１と同じ混合粉末を用い
てパッケージのキャップ部材３を粉末プレスにより形成
し、８００℃〜１０００℃で焼成しキャップ部材３を得
る。
てパッケージのキャップ部材３を粉末プレスにより形成
し、８００℃〜１０００℃で焼成しキャップ部材３を得
る。
【００３０】（ｉ）前記ベース部材１に予め低融点のガ
ラス封止部４を形成しておき、図１に示す構成で前記ベ
ース部材１上の電極パッド部８０と水晶片２の電極リー
ド部７を導電性接着剤で固着したのち、前記キャップ部
材３で封止し、水晶振動子用パッケージ５０を完成す
る。
ラス封止部４を形成しておき、図１に示す構成で前記ベ
ース部材１上の電極パッド部８０と水晶片２の電極リー
ド部７を導電性接着剤で固着したのち、前記キャップ部
材３で封止し、水晶振動子用パッケージ５０を完成す
る。
【００３１】完成した水晶振動子の共振周波数の熱処理
温度依存性を従来品と比較して調査した。水晶振動子を
４０個作成し、まず室温にてそれぞれの共振周波数（ｆ
０）をスペクトラムアナライザーで測定した。次に各１
０個をそれぞれ、１００℃，２００℃，３００℃，４０
０℃で約３０分加熱処理し、室温まで冷却し、熱処理後
の共振周波数（ｆ（Ｔ））を測定し、式１に従い△ｆ／
ｆ０を求めた。
温度依存性を従来品と比較して調査した。水晶振動子を
４０個作成し、まず室温にてそれぞれの共振周波数（ｆ
０）をスペクトラムアナライザーで測定した。次に各１
０個をそれぞれ、１００℃，２００℃，３００℃，４０
０℃で約３０分加熱処理し、室温まで冷却し、熱処理後
の共振周波数（ｆ（Ｔ））を測定し、式１に従い△ｆ／
ｆ０を求めた。
【００３２】
【式１】
【００３３】測定結果を図２に示す。図２中には前記図
３に示すアルミナを主材とする従来タイプのパッケージ
で封止された水晶振動子の結果も併せて示した。本発明
による水晶振動子の熱処理による共振周波数の変動は従
来タイプに比較し、約１／４倍に抑えられていることが
分かる。
３に示すアルミナを主材とする従来タイプのパッケージ
で封止された水晶振動子の結果も併せて示した。本発明
による水晶振動子の熱処理による共振周波数の変動は従
来タイプに比較し、約１／４倍に抑えられていることが
分かる。
【００３４】
【実施例２】表１と表２に示す実施例２，実施例３，実
施例４，および実施例５の組成の原料粉末を使用して、
実施例１で述べた手順に従い、水晶振動子用パッケージ
５０を試作し水晶片２を組み込んで完成した水晶振動子
の共振周波数の熱処理温度依存性を従来品と比較して調
査したところ、図２に示す実施例１とほぼ同様な結果が
得られた。
施例４，および実施例５の組成の原料粉末を使用して、
実施例１で述べた手順に従い、水晶振動子用パッケージ
５０を試作し水晶片２を組み込んで完成した水晶振動子
の共振周波数の熱処理温度依存性を従来品と比較して調
査したところ、図２に示す実施例１とほぼ同様な結果が
得られた。
【００３５】
【発明の効果】水晶振動子の熱膨張率とパッケージの熱
膨張率が整合するため、パッケージの封止時及び封止後
の熱処理において水晶振動子の周波数特性が変動しにく
くなり、高品質のフラットパッケージ型高信頼な水晶振
動子を得ることができる。
膨張率が整合するため、パッケージの封止時及び封止後
の熱処理において水晶振動子の周波数特性が変動しにく
くなり、高品質のフラットパッケージ型高信頼な水晶振
動子を得ることができる。
【００３６】また、熱処理時の応力歪を吸収するための
ばね性のサポート部材が不要になると共にパッケージの
強度が高いため、パッケージの厚さを薄く設計できる。
さらに、パッケージの焼成温度を下げられるため安価な
焼成炉を使用することができ製造コストを低減できる。
また、外部電極取出し部にメッキをする必要がないの
で、メッキに関わる製造コストが不要で製造工数も短縮
できる。
ばね性のサポート部材が不要になると共にパッケージの
強度が高いため、パッケージの厚さを薄く設計できる。
さらに、パッケージの焼成温度を下げられるため安価な
焼成炉を使用することができ製造コストを低減できる。
また、外部電極取出し部にメッキをする必要がないの
で、メッキに関わる製造コストが不要で製造工数も短縮
できる。
【図１】 本発明の一実施例であるガラス−セラミック
パッケージを用いた水晶振動子の分解斜視図
パッケージを用いた水晶振動子の分解斜視図
【図２】 本発明の一実施例であるガラス−セラミック
パッケージを使用した水晶振動子の共振周波数の熱処理
温度依存性を示す図
パッケージを使用した水晶振動子の共振周波数の熱処理
温度依存性を示す図
【図３】 従来のセラミックパッケージを用いた水晶振
動子の分解斜視図
動子の分解斜視図
【図４】 他の従来のセラミックパッケージを用いた水
晶振動子の分解斜視図
晶振動子の分解斜視図
１ ベース材料 ２ 水晶片 ３ キャップ部材 ４ ガラス封止部 ５０ パッケージ ６ サポータ ７ 電極リード部 ８０ 電極パッド
Claims (6)
- 【請求項１】熱膨張係数が１００〜１５０×１０-7／℃
のガラス中にフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）
を３０〜７０重量％分散させたガラス−セラミック混合
物中に補強材としてウイスカーを前記ガラス−セラミッ
ク混合物重量に対し５〜３０重量％添加することを特徴
とするガラス−セラミック複合体。 - 【請求項２】前記ガラスは重量％表示で、ＳｉＯ2 ５０
〜７０％、Ａｌ2 Ｏ3 ２〜８％、ＣａＯ５〜１５％、Ｂ
2 Ｏ3 １〜８％、Ｒ2 Ｏ（但し、ＲはＮａ，Ｋ，および
Ｌｉから選ばれる１種類以上とする）１０〜２５％の組
成物からなる請求項１記載のガラス−セラミック複合
体。 - 【請求項３】前記ガラス及びセラミックは平均粒径が１
〜３μｍの粉末であって、かつ前記ウイスカーは、直径
が０．１〜２μｍで、長さが１０μｍ以下であることを
特徴とする請求項１記載のガラス−セラミック複合体。 - 【請求項４】前記ウイスカーは，アルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、チタン酸カリウム（Ｋ
2 Ｔｉ6 Ｏ13）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、マグネ
シウムパイロボレート（Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 ）のいずれかで
あることを特徴とする請求項１記載のガラス−セラミッ
ク複合体。 - 【請求項５】前記ガラス−セラミック複合体中にジルコ
ニア（ＺｒＯ2 ）微粉末（粒径０．１〜１μｍ）を０．
２〜５重量％添加することを特徴とする請求項１記載の
ガラス−セラミック複合体。 - 【請求項６】両面に電極リード部を配した水晶片と、前
記水晶片に電気的かつ機械的に接続される一対の電極パ
ッド部を有するベース部材と、キャップ部材を備え、前
記ベース部材及びキャップ部材を請求項１，２，３，
４，５に記載のガラス−セラミック複合体を用いて形成
されることを特徴とするフラットパッケージ型水晶振動
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066577A JPH06279103A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型水晶振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066577A JPH06279103A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型水晶振動子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06279103A true JPH06279103A (ja) | 1994-10-04 |
Family
ID=13319956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5066577A Pending JPH06279103A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型水晶振動子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06279103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140100434A (ko) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물, 전자 부품 및 복합 전자 부품 |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP5066577A patent/JPH06279103A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140100434A (ko) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물, 전자 부품 및 복합 전자 부품 |
| JP2014152059A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物、電子部品および複合電子部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2822846B2 (ja) | ガラス−セラミック複合体を用いた水晶振動子用フラットパッケージおよびこれを用いた水晶振動子 | |
| JP3516367B2 (ja) | ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品 | |
| JPH11302034A (ja) | ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品 | |
| JPH06279103A (ja) | ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型水晶振動子 | |
| WO2000076938A1 (fr) | Composition verre-ceramique, composants electroniques et multicomposant lc multicouche utilisant ladite composition | |
| JP3085667B2 (ja) | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器並びにその製造方法 | |
| JP3164700B2 (ja) | ガラスセラミック基板およびその製造方法 | |
| JPH10297960A (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 | |
| JP3719834B2 (ja) | 低温焼成セラミックス | |
| JP2002020162A (ja) | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた配線基板 | |
| JP2002255636A (ja) | 低温焼成磁器およびその製造方法 | |
| JP2000264719A (ja) | 磁器組成物および磁器並びにそれを用いた配線基板 | |
| JP3792355B2 (ja) | 高強度セラミック焼結体及びその製造方法並びに配線基板 | |
| JP3131191B2 (ja) | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器 | |
| JP2003137657A (ja) | ガラスセラミックスおよびその製造方法、並びに配線基板 | |
| JP3466545B2 (ja) | 高周波用配線基板 | |
| WO2022064906A1 (ja) | ガラスセラミック誘電体材料、焼結体及び高周波用回路部材 | |
| WO2022230475A1 (ja) | ガラスセラミック誘電体材料、焼結体及び高周波用回路部材 | |
| JP2000026162A (ja) | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器の製造方法 | |
| JP4497627B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、配線基板ならびにその実装構造 | |
| JP2004161562A (ja) | 回路基板用セラミックス材料 | |
| JP3523589B2 (ja) | 低温焼成磁器および配線基板 | |
| JP4028673B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2022171535A (ja) | ガラスセラミック誘電体材料、焼結体及び高周波用回路部材 | |
| JPH10135273A (ja) | 配線基板の実装構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020730 |