JP3523589B2 - 低温焼成磁器および配線基板 - Google Patents
低温焼成磁器および配線基板Info
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低温焼成磁器と、
該磁器を絶縁基板として用いた配線基板に関し、より詳
細には、Ｃｕ、Ａｇ等の金属によるメタライズ配線層の
形成が可能で、且つ靱性、強度特性等に優れ、特に半導
体素子等を搭載した配線基板パッケージ等の用途に適し
た焼結体の改良に関する。
該磁器を絶縁基板として用いた配線基板に関し、より詳
細には、Ｃｕ、Ａｇ等の金属によるメタライズ配線層の
形成が可能で、且つ靱性、強度特性等に優れ、特に半導
体素子等を搭載した配線基板パッケージ等の用途に適し
た焼結体の改良に関する。
【０００２】
【従来技術】一般に、電子機器等に使用される配線基板
は絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配
設された構造から成る。また、このような配線基板を用
いた回路機器の代表例として、半導体素子、特にＬＳＩ
（大規模集積回路素子）等の半導体集積回路素子を収容
した半導体素子収納用パッケージが挙げられる。
は絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配
設された構造から成る。また、このような配線基板を用
いた回路機器の代表例として、半導体素子、特にＬＳＩ
（大規模集積回路素子）等の半導体集積回路素子を収容
した半導体素子収納用パッケージが挙げられる。
【０００３】この半導体素子収納用パッケージは、一般
にアルミナ焼結体等の電気絶縁用材料から成り、上面中
央部に半導体素子を搭載する絶縁基板と、半導体素子に
接続されて素子の周囲から下面にかけて導出されるタン
グステン、モリブデン等の高融点金属から成る複数個の
メタライズ配線層と、絶縁基板の側面または下面に形成
されてメタライズ配線層が電気的に接続される複数個の
接続端子と、蓋体とから構成され、絶縁基板上面に蓋体
をガラス、樹脂等の封止材を介して接合し、絶縁基板と
蓋体とから成る容器内部に半導体を気密に封止すること
によって形成される。
にアルミナ焼結体等の電気絶縁用材料から成り、上面中
央部に半導体素子を搭載する絶縁基板と、半導体素子に
接続されて素子の周囲から下面にかけて導出されるタン
グステン、モリブデン等の高融点金属から成る複数個の
メタライズ配線層と、絶縁基板の側面または下面に形成
されてメタライズ配線層が電気的に接続される複数個の
接続端子と、蓋体とから構成され、絶縁基板上面に蓋体
をガラス、樹脂等の封止材を介して接合し、絶縁基板と
蓋体とから成る容器内部に半導体を気密に封止すること
によって形成される。
【０００４】また、半導体素子収納用パッケージ等の配
線基板に用いる絶縁基板としては、これまでアルミナや
ムライト等の磁器が用いられていたが、最近では、低温
で焼結が可能で配線層として低抵抗なＣｕやＡｇ等を用
いることができる低温焼成磁器からなる絶縁基板が種々
提案されており、例えば、特公平４−１１４９５号、特
公平６−７６２５３号等には、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2
Ｏ3−Ｂ2Ｏ3を含有し、１０５０℃以下での焼成が可能
な磁器組成物が提案され、またアルミナ質磁器に比べて
誘電率を低減できることが記載されている。
線基板に用いる絶縁基板としては、これまでアルミナや
ムライト等の磁器が用いられていたが、最近では、低温
で焼結が可能で配線層として低抵抗なＣｕやＡｇ等を用
いることができる低温焼成磁器からなる絶縁基板が種々
提案されており、例えば、特公平４−１１４９５号、特
公平６−７６２５３号等には、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2
Ｏ3−Ｂ2Ｏ3を含有し、１０５０℃以下での焼成が可能
な磁器組成物が提案され、またアルミナ質磁器に比べて
誘電率を低減できることが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公平
４−１１４９５号や特公平６−７６２５３号等にて開示
された低温焼成磁器では、磁器の熱膨張係数が低く、絶
縁基板として用いた場合にはプリント基板等の外部回路
基板に実装した際の実装信頼性が低下するという問題が
あった。また、磁器の特に１ＧＨｚ以上の高周波帯にお
ける誘電損失が高く、高周波信号を伝送するような配線
基板の絶縁基板として用いると高周波信号の伝送損失が
増大して信号の伝送特性が悪化し、さらに、熱サイクル
によって磁器中にマイクロクラックが発生して強度劣化
が大きく、過酷な条件下では使用に耐えないという問題
があった。
４−１１４９５号や特公平６−７６２５３号等にて開示
された低温焼成磁器では、磁器の熱膨張係数が低く、絶
縁基板として用いた場合にはプリント基板等の外部回路
基板に実装した際の実装信頼性が低下するという問題が
あった。また、磁器の特に１ＧＨｚ以上の高周波帯にお
ける誘電損失が高く、高周波信号を伝送するような配線
基板の絶縁基板として用いると高周波信号の伝送損失が
増大して信号の伝送特性が悪化し、さらに、熱サイクル
によって磁器中にマイクロクラックが発生して強度劣化
が大きく、過酷な条件下では使用に耐えないという問題
があった。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、その目的は、１０５０℃以下での焼成が可
能で、磁器の熱膨張係数を高め、誘電損失を低減できる
とともに、熱サイクル処理後の磁器強度の低下を小さく
できる低温焼成磁器を得ることにある。
れたもので、その目的は、１０５０℃以下での焼成が可
能で、磁器の熱膨張係数を高め、誘電損失を低減できる
とともに、熱サイクル処理後の磁器強度の低下を小さく
できる低温焼成磁器を得ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
に対して検討を重ねた結果、磁器中に珪酸バリウム結晶
とクォーツ結晶とを含有せしめることにより、磁器の熱
膨張係数を外部回路基板に近似させることができるとと
もに、高周波帯での誘電損失を低減することができ、か
つ熱サイクルに対しても高い強度を維持できることがで
きることを見い出し、この知見に基づき本発明を完成す
るに至った。
に対して検討を重ねた結果、磁器中に珪酸バリウム結晶
とクォーツ結晶とを含有せしめることにより、磁器の熱
膨張係数を外部回路基板に近似させることができるとと
もに、高周波帯での誘電損失を低減することができ、か
つ熱サイクルに対しても高い強度を維持できることがで
きることを見い出し、この知見に基づき本発明を完成す
るに至った。
【０００８】すなわち、本発明の低温焼成磁器は、少な
くとも珪酸バリウム結晶２０〜８０重量％とクォーツ結
晶を２０〜８０重量％との割合で含有し、４０〜４００
℃における熱膨張係数が９〜１８×１０ −６ ／℃、３Ｇ
Ｈｚにおける誘電損失が３０×１０ −４ 以下であること
を特徴とするものである。
くとも珪酸バリウム結晶２０〜８０重量％とクォーツ結
晶を２０〜８０重量％との割合で含有し、４０〜４００
℃における熱膨張係数が９〜１８×１０ −６ ／℃、３Ｇ
Ｈｚにおける誘電損失が３０×１０ −４ 以下であること
を特徴とするものである。
【０００９】ここで、前記珪酸バリウム結晶の平均粒径
が３μｍ以下、前記クォーツ結晶の平均粒径が１０μｍ
以下であること、前記珪酸バリウム結晶がガラスから析
出したものであり、かつ前記クォーツ結晶がセラミック
フィラーとして添加されたものであることが望ましい。
が３μｍ以下、前記クォーツ結晶の平均粒径が１０μｍ
以下であること、前記珪酸バリウム結晶がガラスから析
出したものであり、かつ前記クォーツ結晶がセラミック
フィラーとして添加されたものであることが望ましい。
【００１０】
【００１１】さらに、本発明の配線基板は、絶縁基板の
表面および／または内部にメタライズ配線層が配設され
た配線基板であって、前記絶縁基板が、上述した低温焼
成磁器からなることを特徴とするものであり、特に、前
記メタライズ配線層が銅または銀を主とすることが望ま
しい。
表面および／または内部にメタライズ配線層が配設され
た配線基板であって、前記絶縁基板が、上述した低温焼
成磁器からなることを特徴とするものであり、特に、前
記メタライズ配線層が銅または銀を主とすることが望ま
しい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の低温焼成磁器は、図１の
模式図に示すように、少なくとも珪酸バリウム結晶３０
〜７０重量％とクォーツ結晶３０〜７０重量％とを含有
することを特徴とするものであり、この磁器は１０５０
℃以下で焼結が可能であるとともに、両結晶は４０〜４
００℃での熱膨張係数が９×１０-6／℃以上と高いこと
から、磁器の熱膨張係数および強度を高めることがで
き、かつ熱サイクルによって磁器中にマイクロクラック
が発生して磁器強度が低下することを防止することがで
きる。
模式図に示すように、少なくとも珪酸バリウム結晶３０
〜７０重量％とクォーツ結晶３０〜７０重量％とを含有
することを特徴とするものであり、この磁器は１０５０
℃以下で焼結が可能であるとともに、両結晶は４０〜４
００℃での熱膨張係数が９×１０-6／℃以上と高いこと
から、磁器の熱膨張係数および強度を高めることがで
き、かつ熱サイクルによって磁器中にマイクロクラック
が発生して磁器強度が低下することを防止することがで
きる。
【００１３】すなわち、珪酸バリウム結晶が３０重量％
より少ないと磁器の熱膨張係数を高めることができず、
また、磁器中に多量の非晶質（ガラス）相が残存して磁
器の高周波帯での誘電損失が増大するとともに、熱サイ
クル（熱履歴）によって磁器中にマイクロクラックが発
生して強度が低下するためであり、逆に７０重量％を越
える場合には、１０５０℃以下の温度で磁器を緻密化す
ることができず磁器の熱膨張係数が低下するとともに、
強度、熱伝導率等が低下するためである。
より少ないと磁器の熱膨張係数を高めることができず、
また、磁器中に多量の非晶質（ガラス）相が残存して磁
器の高周波帯での誘電損失が増大するとともに、熱サイ
クル（熱履歴）によって磁器中にマイクロクラックが発
生して強度が低下するためであり、逆に７０重量％を越
える場合には、１０５０℃以下の温度で磁器を緻密化す
ることができず磁器の熱膨張係数が低下するとともに、
強度、熱伝導率等が低下するためである。
【００１４】また、クォーツ結晶の含有量が３０重量％
より少ないと磁器の熱膨張係数を高めることができず、
また、高周波帯での誘電損失が増大してしまうとともに
強度低下が大きいためであり、逆に、クォーツ結晶の含
有量が７０重量％より多いと磁器を１０５０℃以下の焼
成によって焼結させることができず、強度、吸水性、耐
薬品性、熱伝導率等が低下するためである。
より少ないと磁器の熱膨張係数を高めることができず、
また、高周波帯での誘電損失が増大してしまうとともに
強度低下が大きいためであり、逆に、クォーツ結晶の含
有量が７０重量％より多いと磁器を１０５０℃以下の焼
成によって焼結させることができず、強度、吸水性、耐
薬品性、熱伝導率等が低下するためである。
【００１５】なお、本発明における各結晶の含有比率
は、磁器のＸ線回折測定から各結晶のピーク強度に基づ
いてリートベルト法（泉 富士夫ら 日本結晶学会誌３
４（１９９２）７６参照）によって算出される値を指
す。
は、磁器のＸ線回折測定から各結晶のピーク強度に基づ
いてリートベルト法（泉 富士夫ら 日本結晶学会誌３
４（１９９２）７６参照）によって算出される値を指
す。
【００１６】ここで、珪酸バリウム結晶としては、メタ
珪酸バリウム（ＢａＯ・ＳｉＯ2）やジ珪酸バリウム
（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）、２ＢａＯ・３ＳｉＯ2、２Ｂａ
Ｏ・ＳｉＯ2等が挙げられるが、特に、熱膨張挙動の点
および低温焼結性の点では、ジ珪酸バリウム（ＢａＯ・
２ＳｉＯ2）結晶（４０〜４００℃での熱膨張係数９×
１０-6／℃以上）であることが望ましく、また、磁器の
靭性を高めるためには、前記珪酸バリウム結晶が平均ア
スペクト比３以上、特に４以上、さらに４．５以上の針
状のメタ珪酸バリウム結晶（４０〜４００℃での熱膨張
係数９×１０-6／℃以上）であることが望ましい。
珪酸バリウム（ＢａＯ・ＳｉＯ2）やジ珪酸バリウム
（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）、２ＢａＯ・３ＳｉＯ2、２Ｂａ
Ｏ・ＳｉＯ2等が挙げられるが、特に、熱膨張挙動の点
および低温焼結性の点では、ジ珪酸バリウム（ＢａＯ・
２ＳｉＯ2）結晶（４０〜４００℃での熱膨張係数９×
１０-6／℃以上）であることが望ましく、また、磁器の
靭性を高めるためには、前記珪酸バリウム結晶が平均ア
スペクト比３以上、特に４以上、さらに４．５以上の針
状のメタ珪酸バリウム結晶（４０〜４００℃での熱膨張
係数９×１０-6／℃以上）であることが望ましい。
【００１７】また、熱膨張係数、抗折強度、熱サイクル
後の強度維持の点で、珪酸バリウム結晶とクォーツ結晶
との総量で全量中７０重量％以上、特に８０重量％以
上、さらには９０重量％以上の比率で含有することが望
ましい。
後の強度維持の点で、珪酸バリウム結晶とクォーツ結晶
との総量で全量中７０重量％以上、特に８０重量％以
上、さらには９０重量％以上の比率で含有することが望
ましい。
【００１８】なお、抗折強度、熱サイクル後のマイクロ
クラックの発生を防止して強度を維持する点で、珪酸バ
リウム結晶の平均粒径が３μｍ以下、特に２μｍ以下、
さらに０．５〜１．５μｍ、かつクォーツ結晶の平均粒
径が１０μｍ以下、特に６μｍ以下、さらに３〜５μｍ
であることが望ましい。また、クォーツ結晶の粒径の分
布において、粒径が５μｍ以上の大きい結晶と平均粒径
１μｍ以下の小さい結晶との２つのピークを有するもの
であることが望ましい。
クラックの発生を防止して強度を維持する点で、珪酸バ
リウム結晶の平均粒径が３μｍ以下、特に２μｍ以下、
さらに０．５〜１．５μｍ、かつクォーツ結晶の平均粒
径が１０μｍ以下、特に６μｍ以下、さらに３〜５μｍ
であることが望ましい。また、クォーツ結晶の粒径の分
布において、粒径が５μｍ以上の大きい結晶と平均粒径
１μｍ以下の小さい結晶との２つのピークを有するもの
であることが望ましい。
【００１９】また、１０５０℃以下、特に８５０〜９７
０℃の焼成で上記結晶を析出させるとともに、磁器の相
対密度を９０％以上、特に９５％以上に緻密化するため
に、前記珪酸バリウム結晶をガラスから析出させ、かつ
前記クォーツ結晶をセラミックフィラーとして添加する
ことが望ましい。
０℃の焼成で上記結晶を析出させるとともに、磁器の相
対密度を９０％以上、特に９５％以上に緻密化するため
に、前記珪酸バリウム結晶をガラスから析出させ、かつ
前記クォーツ結晶をセラミックフィラーとして添加する
ことが望ましい。
【００２０】さらに、磁器中には、上記結晶以外に、セ
ルシアン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、２ＢａＯ
・ＭｇＯ・２ＳｉＯ2、３ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3、ＢａＯ・
６Ａｌ 2Ｏ3、スピネル（ＭｇO・Ａｌ2Ｏ3）、フォルス
テライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、エンスタタイト（Ｍ
ｇＯ・ＳｉＯ2）、ウォラストナイト（ＣａＯ・Ｓｉ
Ｏ2）、モンティセラナイト（ＣａＯ・ＭｇＯ・Ｓｉ
Ｏ2）、ディオプサイド（ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2）、メルビナイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2）、アケルマイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2）、ＣａＺｒＯ3、アルミナ、クリストバライト、ト
リジマイト、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ペタライト等の他の結
晶が総量で３０重量％以下、特に２０重量％以下、さら
に１０重量％以下、さらには８重量％以下の割合で含有
せしめてもよい。
ルシアン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、２ＢａＯ
・ＭｇＯ・２ＳｉＯ2、３ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3、ＢａＯ・
６Ａｌ 2Ｏ3、スピネル（ＭｇO・Ａｌ2Ｏ3）、フォルス
テライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、エンスタタイト（Ｍ
ｇＯ・ＳｉＯ2）、ウォラストナイト（ＣａＯ・Ｓｉ
Ｏ2）、モンティセラナイト（ＣａＯ・ＭｇＯ・Ｓｉ
Ｏ2）、ディオプサイド（ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2）、メルビナイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2）、アケルマイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2）、ＣａＺｒＯ3、アルミナ、クリストバライト、ト
リジマイト、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ペタライト等の他の結
晶が総量で３０重量％以下、特に２０重量％以下、さら
に１０重量％以下、さらには８重量％以下の割合で含有
せしめてもよい。
【００２１】中でも、磁器の靭性を高めるために、セル
シアン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）を含有せし
め、特に平均アスペクト比３以上の針状結晶の形態で含
有せしめることが望ましい。
シアン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）を含有せし
め、特に平均アスペクト比３以上の針状結晶の形態で含
有せしめることが望ましい。
【００２２】さらに、磁器の熱膨張係数、強度、耐薬品
性、耐水性、熱伝導率の点で、磁器中の結晶総量の含有
比率（ａ重量％）と非晶質相の含有比率（ｂ重量％）の
比ａ／（ａ＋ｂ）が０．８以上、特に０．９以上、さら
に０．９５以上であることが望ましい。
性、耐水性、熱伝導率の点で、磁器中の結晶総量の含有
比率（ａ重量％）と非晶質相の含有比率（ｂ重量％）の
比ａ／（ａ＋ｂ）が０．８以上、特に０．９以上、さら
に０．９５以上であることが望ましい。
【００２３】上記態様の磁器は、４０〜４００℃におけ
る（線）熱膨張係数が９〜１８×１０-6／℃、特に１２
〜１４×１０-6／℃、また、−４０〜４００℃における
（線）熱膨張係数が８〜１７×１０-6／℃、１１〜１３
×１０-6／℃、３ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4以
下、特に２５×１０-4以下、熱サイクル後の強度の低下
率が２０％以下、特に１０％以下となる。
る（線）熱膨張係数が９〜１８×１０-6／℃、特に１２
〜１４×１０-6／℃、また、−４０〜４００℃における
（線）熱膨張係数が８〜１７×１０-6／℃、１１〜１３
×１０-6／℃、３ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4以
下、特に２５×１０-4以下、熱サイクル後の強度の低下
率が２０％以下、特に１０％以下となる。
【００２４】なお、本発明においては上記熱サイクル後
とは、−４０℃と１２５℃の各温度に制御した恒温槽に
磁器を１５分／１５分づつ保持することを１サイクルと
してこれを１０００サイクル繰り返した後を指す。
とは、−４０℃と１２５℃の各温度に制御した恒温槽に
磁器を１５分／１５分づつ保持することを１サイクルと
してこれを１０００サイクル繰り返した後を指す。
【００２５】また、この磁器の強度は１６０ＭＰａ以
上、特に１７０ＭＰａ以上、１ＭＨｚでの誘電率７以
下、特に６．５以下、さらに６以下、破壊靭性が１．４
ＧＰａ以上、特に１．５ＧＰａ以上であることが望まし
い。なお、抗折強度、耐薬品性、耐水性、熱伝導率、絶
縁抵抗の点で、磁器の相対密度が９０％以上、特に９５
％以上、さらに９８％以上であることが望ましい。
上、特に１７０ＭＰａ以上、１ＭＨｚでの誘電率７以
下、特に６．５以下、さらに６以下、破壊靭性が１．４
ＧＰａ以上、特に１．５ＧＰａ以上であることが望まし
い。なお、抗折強度、耐薬品性、耐水性、熱伝導率、絶
縁抵抗の点で、磁器の相対密度が９０％以上、特に９５
％以上、さらに９８％以上であることが望ましい。
【００２６】また、上記態様の磁器は、結晶の含有割合
を高めて高熱膨張化、高強度化、高熱伝導化を達成する
ために、磁器全体に対して、それぞれ酸化物換算量で、
ＳｉＯ2５０〜７０重量％、特に５５〜６０重量％、Ｂ
ａＯ２０〜４０重量％、特に２８〜４０重量％、Ａｌ2
Ｏ3１〜８重量％、特に４〜８重量％、Ｂ2Ｏ3１〜５重
量％、特に１〜３重量％、ＣａＯ０．０２〜５重量％、
特に０．５〜３重量％、ＺｒＯ2０．０５〜５重量％、
特に０．１〜２．５重量％との割合で含有することが望
ましい。 （製造方法）一方、上述した本発明の低温焼成磁器を作
製するには、特に主発原料を限定するものではないが、
特に、結晶相の制御の容易性からガラスとセラミックフ
ィラーとの混合物を用いるのがよい。ガラス成分として
は、例えば平均粒径０．５〜１０μｍのホウケイ酸亜鉛
系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラス、リチウム珪酸系ガラ
ス、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＢａＯ系ガラス
等が用いられるが、磁器を高熱膨張化させる上では、焼
成によりガラス中から珪酸バリウムを析出可能なＢａＯ
系結晶化ガラスを使用することが望ましい。
を高めて高熱膨張化、高強度化、高熱伝導化を達成する
ために、磁器全体に対して、それぞれ酸化物換算量で、
ＳｉＯ2５０〜７０重量％、特に５５〜６０重量％、Ｂ
ａＯ２０〜４０重量％、特に２８〜４０重量％、Ａｌ2
Ｏ3１〜８重量％、特に４〜８重量％、Ｂ2Ｏ3１〜５重
量％、特に１〜３重量％、ＣａＯ０．０２〜５重量％、
特に０．５〜３重量％、ＺｒＯ2０．０５〜５重量％、
特に０．１〜２．５重量％との割合で含有することが望
ましい。 （製造方法）一方、上述した本発明の低温焼成磁器を作
製するには、特に主発原料を限定するものではないが、
特に、結晶相の制御の容易性からガラスとセラミックフ
ィラーとの混合物を用いるのがよい。ガラス成分として
は、例えば平均粒径０．５〜１０μｍのホウケイ酸亜鉛
系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラス、リチウム珪酸系ガラ
ス、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＢａＯ系ガラス
等が用いられるが、磁器を高熱膨張化させる上では、焼
成によりガラス中から珪酸バリウムを析出可能なＢａＯ
系結晶化ガラスを使用することが望ましい。
【００２７】なお、ＢａＯ系ガラスの具体的な組成とし
ては、低温焼成化、結晶化度の向上の点で、例えば、Ｓ
ｉＯ2１０〜７０重量％、特に１５〜３０重量％、Ｂａ
Ｏ３０〜７０重量％、特に４０〜７０重量％、Ａｌ2Ｏ3
８〜１５重量％、特に８．５〜１２重量％、Ｂ2Ｏ3１〜
１０重量％、特に３〜７重量％、ＣａＯ１〜５重量％、
特に１〜３重量％、ＺｒＯ2０．０５〜５重量％、特に
０．１〜３重量％の比率で含有するガラスが望ましい。
さらに、上記組成のガラス中にＢａＯ以外のアルカリ土
類金属酸化物、アルカリ金属酸化物、希土類元素酸化
物、Ｓｂ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3を総量で５重量％以下、特に３
重量％以下の比率で含む場合もある。
ては、低温焼成化、結晶化度の向上の点で、例えば、Ｓ
ｉＯ2１０〜７０重量％、特に１５〜３０重量％、Ｂａ
Ｏ３０〜７０重量％、特に４０〜７０重量％、Ａｌ2Ｏ3
８〜１５重量％、特に８．５〜１２重量％、Ｂ2Ｏ3１〜
１０重量％、特に３〜７重量％、ＣａＯ１〜５重量％、
特に１〜３重量％、ＺｒＯ2０．０５〜５重量％、特に
０．１〜３重量％の比率で含有するガラスが望ましい。
さらに、上記組成のガラス中にＢａＯ以外のアルカリ土
類金属酸化物、アルカリ金属酸化物、希土類元素酸化
物、Ｓｂ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3を総量で５重量％以下、特に３
重量％以下の比率で含む場合もある。
【００２８】また、上記ガラスに、珪酸バリウム結晶や
クォーツ結晶をセラミックフィラーとして添加すること
も可能であり、さらに、上記ガラスにリチウム珪酸系ガ
ラス、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ホウケイ酸亜
鉛系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラス等を添加または置換
することも可能である。
クォーツ結晶をセラミックフィラーとして添加すること
も可能であり、さらに、上記ガラスにリチウム珪酸系ガ
ラス、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ホウケイ酸亜
鉛系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラス等を添加または置換
することも可能である。
【００２９】リチウム珪酸系ガラスとしては、Ｌｉ2Ｏ
を５〜３０重量％、特に５〜２０重量％の割合で含有す
るものであり、焼成後に高熱膨張係数を有するリチウム
珪酸を析出するものが好適に使用される。また、上記の
リチウム珪酸系ガラスとしては、Ｌｉ2Ｏ以外にＳｉＯ2
を必須の成分として含むが、ＳｉＯ2はガラス全量中、
６０〜８５重量％の割合で存在し、ＳｉＯ2とＬｉ2Ｏと
の合量がガラス全量中、６５〜９５重量％であることが
リチウム珪酸結晶を析出させる上で望ましい。また、こ
れらの成分以外に、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、Ｂ2Ｏ
3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ 2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｎＯ、Ｆ等が配合され
ていてもよい。
を５〜３０重量％、特に５〜２０重量％の割合で含有す
るものであり、焼成後に高熱膨張係数を有するリチウム
珪酸を析出するものが好適に使用される。また、上記の
リチウム珪酸系ガラスとしては、Ｌｉ2Ｏ以外にＳｉＯ2
を必須の成分として含むが、ＳｉＯ2はガラス全量中、
６０〜８５重量％の割合で存在し、ＳｉＯ2とＬｉ2Ｏと
の合量がガラス全量中、６５〜９５重量％であることが
リチウム珪酸結晶を析出させる上で望ましい。また、こ
れらの成分以外に、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、Ｂ2Ｏ
3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ 2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｎＯ、Ｆ等が配合され
ていてもよい。
【００３０】ＰｂＯ系ガラスとしては、ＰｂＯを主成分
とし、さらにＢ2Ｏ3、ＳｉＯ2のうちの少なくとも１種
を含有するものであり、焼成後にＰｂＳｉＯ3、ＰｂＺ
ｎＳｉＯ4等の高熱膨張の結晶相が析出するものが好適
に使用される。とりわけＰｂＯ（６５〜８５重量％）−
Ｂ2Ｏ3（５〜１５重量％）−ＺｎＯ（６〜２０重量％）
−ＳｉＯ2（０．５〜５重量％）−ＢａＯ（０〜５重量
％）から成る結晶性ガラスや、ＰｂＯ（５０〜６０重量
％）−ＳｉＯ2（３５〜５０重量％）−Ａｌ2Ｏ 3（１〜
９重量％）から成る結晶性ガラスが望ましい。
とし、さらにＢ2Ｏ3、ＳｉＯ2のうちの少なくとも１種
を含有するものであり、焼成後にＰｂＳｉＯ3、ＰｂＺ
ｎＳｉＯ4等の高熱膨張の結晶相が析出するものが好適
に使用される。とりわけＰｂＯ（６５〜８５重量％）−
Ｂ2Ｏ3（５〜１５重量％）−ＺｎＯ（６〜２０重量％）
−ＳｉＯ2（０．５〜５重量％）−ＢａＯ（０〜５重量
％）から成る結晶性ガラスや、ＰｂＯ（５０〜６０重量
％）−ＳｉＯ2（３５〜５０重量％）−Ａｌ2Ｏ 3（１〜
９重量％）から成る結晶性ガラスが望ましい。
【００３１】ＺｎＯ系ガラスとしては、ＺｎＯを１０重
量％以上含有するものであり、焼成後にＺｎＯ・Ａｌ2
Ｏ3、ＺｎＯ・ｎＢ2Ｏ3等の高熱膨張係数の結晶相が析
出するものが好適に使用される。ＺｎＯ成分以外に、Ｓ
ｉＯ2（６０重量％以下）、Ａｌ2Ｏ3（６０重量％以
下）、Ｂ2Ｏ3（３０重量％以下）、Ｐ2Ｏ5（５０重量％
以下）、アルカリ土類酸化物（２０重量％以下）、Ｂｉ
2Ｏ3（３０重量％以下）等が配合されていてもよい。と
りわけＺｎＯ１０〜５０重量％−Ａｌ2Ｏ3１０〜３０重
量％−ＳｉＯ2３０〜６０重量％から成る結晶性ガラス
やＺｎＯ１０〜５０重量％−ＳｉＯ2５〜４０重量％−
Ａｌ2Ｏ3０〜１５重量％−ＢａＯ０〜６０重量％−Ｍｇ
Ｏ０〜３５重量％から成る結晶性ガラスが望ましい。
量％以上含有するものであり、焼成後にＺｎＯ・Ａｌ2
Ｏ3、ＺｎＯ・ｎＢ2Ｏ3等の高熱膨張係数の結晶相が析
出するものが好適に使用される。ＺｎＯ成分以外に、Ｓ
ｉＯ2（６０重量％以下）、Ａｌ2Ｏ3（６０重量％以
下）、Ｂ2Ｏ3（３０重量％以下）、Ｐ2Ｏ5（５０重量％
以下）、アルカリ土類酸化物（２０重量％以下）、Ｂｉ
2Ｏ3（３０重量％以下）等が配合されていてもよい。と
りわけＺｎＯ１０〜５０重量％−Ａｌ2Ｏ3１０〜３０重
量％−ＳｉＯ2３０〜６０重量％から成る結晶性ガラス
やＺｎＯ１０〜５０重量％−ＳｉＯ2５〜４０重量％−
Ａｌ2Ｏ3０〜１５重量％−ＢａＯ０〜６０重量％−Ｍｇ
Ｏ０〜３５重量％から成る結晶性ガラスが望ましい。
【００３２】一方、１０５０℃以下の焼成で磁器中にク
ォーツを析出せしめるために、フィラー成分としてクォ
ーツを必須として含有することが望ましく、また、珪酸
バリウムの他、ＢａＯ等の粉末をフィラーとして添加す
ることができる。なお、ＢａＯから珪酸バリウムに変換
させるためには、他フィラーとしてクォーツ以外に、非
晶質ＳｉＯ2、クリストバライト、トリジマイト等の他
のＳｉＯ2系フィラーとともに添加して、ＢａＯとＳｉ
Ｏ2とを反応させて珪酸バリウムを生成析出させること
ができる。なお、フィラーの平均粒径０．２〜１５μ
ｍ、特に０．５〜１０μｍであることが望ましい。
ォーツを析出せしめるために、フィラー成分としてクォ
ーツを必須として含有することが望ましく、また、珪酸
バリウムの他、ＢａＯ等の粉末をフィラーとして添加す
ることができる。なお、ＢａＯから珪酸バリウムに変換
させるためには、他フィラーとしてクォーツ以外に、非
晶質ＳｉＯ2、クリストバライト、トリジマイト等の他
のＳｉＯ2系フィラーとともに添加して、ＢａＯとＳｉ
Ｏ2とを反応させて珪酸バリウムを生成析出させること
ができる。なお、フィラーの平均粒径０．２〜１５μ
ｍ、特に０．５〜１０μｍであることが望ましい。
【００３３】その他、フィラー成分としては、上記以外
に、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、フォルステライト
（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、スピネル（ＭｇＯ、Ａｌ
2Ｏ3）、ウォラストナイト（ＣａＯ・ＳｉＯ2）、モン
ティセラナイト（ＣａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、ネフェ
リン（Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、リチウムシリケ
ート（Ｌｉ2Ｏ・ＳｉＯ2）、ディオプサイド（ＣａＯ・
ＭｇＯ・２ＳｉＯ2）、メルビナイト（２ＣａＯ・Ｍｇ
Ｏ・２ＳｉＯ2）、アケルマイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・
２ＳｉＯ2）、カーネギアイト（Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・２
ＳｉＯ2）、エンスタタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、ホウ
酸マグネシウム（２ＭｇＯ・Ｂ2Ｏ3）、セルシアン（Ｂ
ａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、Ｂ2Ｏ3・２ＭｇＯ・２
ＳｉＯ2、ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2Ｏ3）、ＣａＴｉ
Ｏ3、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＴｉＯ2等の他のセラ
ミックフィラーを総量で２０重量％以下、特に１０重量
％以下の割合で添加することもできる。
に、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、フォルステライト
（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、スピネル（ＭｇＯ、Ａｌ
2Ｏ3）、ウォラストナイト（ＣａＯ・ＳｉＯ2）、モン
ティセラナイト（ＣａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、ネフェ
リン（Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、リチウムシリケ
ート（Ｌｉ2Ｏ・ＳｉＯ2）、ディオプサイド（ＣａＯ・
ＭｇＯ・２ＳｉＯ2）、メルビナイト（２ＣａＯ・Ｍｇ
Ｏ・２ＳｉＯ2）、アケルマイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・
２ＳｉＯ2）、カーネギアイト（Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・２
ＳｉＯ2）、エンスタタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、ホウ
酸マグネシウム（２ＭｇＯ・Ｂ2Ｏ3）、セルシアン（Ｂ
ａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、Ｂ2Ｏ3・２ＭｇＯ・２
ＳｉＯ2、ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2Ｏ3）、ＣａＴｉ
Ｏ3、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＴｉＯ2等の他のセラ
ミックフィラーを総量で２０重量％以下、特に１０重量
％以下の割合で添加することもできる。
【００３４】これらのガラスおよびセラミックフィラー
は、ガラスを１０〜９０重量％、特に２０〜８０重量
％、さらに３０〜７０重量％と、フィラーを１０〜９０
重量％、特に２０〜８０重量％、さらに３０〜７０重量
％の割合で配合されたものであることが低温焼結性およ
び焼結体強度を高める上で望ましい。
は、ガラスを１０〜９０重量％、特に２０〜８０重量
％、さらに３０〜７０重量％と、フィラーを１０〜９０
重量％、特に２０〜８０重量％、さらに３０〜７０重量
％の割合で配合されたものであることが低温焼結性およ
び焼結体強度を高める上で望ましい。
【００３５】そして、上述した成分から成るガラス成分
とフィラー成分との混合物に対して、適当な成形のため
の有機樹脂バインダーを添加した後、所望の成形手段、
例えば金型プレス、冷間静水圧プレス、射出成形、押出
し成形、ドクターブレード法、カレンダーロール法、圧
延法等により任意の形状に成形する。
とフィラー成分との混合物に対して、適当な成形のため
の有機樹脂バインダーを添加した後、所望の成形手段、
例えば金型プレス、冷間静水圧プレス、射出成形、押出
し成形、ドクターブレード法、カレンダーロール法、圧
延法等により任意の形状に成形する。
【００３６】次に、上記の成形体の焼成にあたっては、
まず、成形のために配合したバインダー成分を除去す
る。バインダーの除去は、７００℃前後の大気または窒
素雰囲気中で行われるが、配線導体として、例えばＣｕ
を用いる場合には、１００〜７００℃の水蒸気を含有す
る窒素雰囲気中で行われる。この時、成形体の収縮開始
温度は７００〜８５０℃程度であることが望ましく、か
かる収縮開始温度がこれより低いとバインダーの除去が
困難となる。
まず、成形のために配合したバインダー成分を除去す
る。バインダーの除去は、７００℃前後の大気または窒
素雰囲気中で行われるが、配線導体として、例えばＣｕ
を用いる場合には、１００〜７００℃の水蒸気を含有す
る窒素雰囲気中で行われる。この時、成形体の収縮開始
温度は７００〜８５０℃程度であることが望ましく、か
かる収縮開始温度がこれより低いとバインダーの除去が
困難となる。
【００３７】焼成は、酸化性雰囲気または非酸化性雰囲
気中で行われ、特に磁器中のガラスの結晶化度を高める
ために、昇温速度２０〜３５０℃／ｈｒ、特に５０〜２
５０℃／ｈｒで、焼成温度８００〜１０５０℃、特に８
５０〜９７０℃、さらに９２０〜９５０℃にて、０．５
〜５ｈｒ、特に１．５〜３ｈｒ焼成することによって磁
器を緻密化でき本発明の低温焼成磁器を作製することが
できる。
気中で行われ、特に磁器中のガラスの結晶化度を高める
ために、昇温速度２０〜３５０℃／ｈｒ、特に５０〜２
５０℃／ｈｒで、焼成温度８００〜１０５０℃、特に８
５０〜９７０℃、さらに９２０〜９５０℃にて、０．５
〜５ｈｒ、特に１．５〜３ｈｒ焼成することによって磁
器を緻密化でき本発明の低温焼成磁器を作製することが
できる。
【００３８】この時の焼成温度が１０５０℃を越えると
Ｃｕ等のメタライズ配線層との同時焼成でメタライズ層
が溶融してしまう。なお、Ｃｕ等の配線導体と同時焼成
する場合には、非酸化性雰囲気中で焼成すればよい。
Ｃｕ等のメタライズ配線層との同時焼成でメタライズ層
が溶融してしまう。なお、Ｃｕ等の配線導体と同時焼成
する場合には、非酸化性雰囲気中で焼成すればよい。
【００３９】さらに、本発明によれば、８３０〜９００
℃の温度範囲内で最適焼成温度よりも低い温度で一次的
に保持することにより、珪酸バリウム結晶の析出比率を
高めることができる。その後、９００〜１０５０℃の最
適焼成温度で焼成することにより、緻密化を図ることが
望ましい。
℃の温度範囲内で最適焼成温度よりも低い温度で一次的
に保持することにより、珪酸バリウム結晶の析出比率を
高めることができる。その後、９００〜１０５０℃の最
適焼成温度で焼成することにより、緻密化を図ることが
望ましい。
【００４０】このようにして作製された磁器中には、ク
ォーツ結晶と珪酸バリウム結晶以外に、ガラス成分から
生成した結晶相、ガラス成分とフィラー成分との反応に
より生成した結晶相、あるいはフィラー成分として予め
含まれていた結晶相、あるいはフィラー成分が分解乃至
変態して生成した結晶相等が存在し、これらの結晶相の
粒界にはガラス相が存在する場合もあるが、結晶の総含
有量（ａ重量％）と非晶質相の含有量（ｂ重量％）との
比ａ／（ａ＋ｂ）が０．８０以上、特に０．９０以上、
さらに０．９５以上であることが望ましい。
ォーツ結晶と珪酸バリウム結晶以外に、ガラス成分から
生成した結晶相、ガラス成分とフィラー成分との反応に
より生成した結晶相、あるいはフィラー成分として予め
含まれていた結晶相、あるいはフィラー成分が分解乃至
変態して生成した結晶相等が存在し、これらの結晶相の
粒界にはガラス相が存在する場合もあるが、結晶の総含
有量（ａ重量％）と非晶質相の含有量（ｂ重量％）との
比ａ／（ａ＋ｂ）が０．８０以上、特に０．９０以上、
さらに０．９５以上であることが望ましい。
【００４１】また、本発明の低温焼成磁器は上述したガ
ラスを用いる方法以外にも、上述した各成分の酸化物、
炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合して、成形し、焼成する
方法、ゾル−ゲル法、水熱合成法等を用いる方法等も適
応可能であるが、この場合でも、１０５０℃以下での焼
成によってクォーツ結晶および珪酸バリウム結晶を磁器
中に含有せしめるために、焼成前の成形体中にクォーツ
粉末および珪酸バリウム粉末を添加することが望まし
い。
ラスを用いる方法以外にも、上述した各成分の酸化物、
炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合して、成形し、焼成する
方法、ゾル−ゲル法、水熱合成法等を用いる方法等も適
応可能であるが、この場合でも、１０５０℃以下での焼
成によってクォーツ結晶および珪酸バリウム結晶を磁器
中に含有せしめるために、焼成前の成形体中にクォーツ
粉末および珪酸バリウム粉末を添加することが望まし
い。
【００４２】このようにして作製された本発明の低温焼
成磁器は、４０〜４００℃における熱膨張係数が９〜１
８×１０-6／℃であるために、配線基板やパッケージの
絶縁基板として用いた場合、ＰＣボード等の外部回路基
板への実装した際の熱膨張差に起因する熱応力の発生を
抑制することができる。
成磁器は、４０〜４００℃における熱膨張係数が９〜１
８×１０-6／℃であるために、配線基板やパッケージの
絶縁基板として用いた場合、ＰＣボード等の外部回路基
板への実装した際の熱膨張差に起因する熱応力の発生を
抑制することができる。
【００４３】次に、前記ガラスセラミック焼結体を絶縁
基板として用いた本発明の配線基板及びその配線基板を
用いた半導体素子収納用パッケージの実装構造を、添付
図面に基づき具体的に説明する。 （ＢＧＡ型実装構造）図２及び図３は、本発明の配線基
板の好適例である半導体素子収納用パッケージの実装構
造の一例を示す図であり、図２、図３はボールグリッド
アレイ（ＢＧＡ）型パッケージの例を示す。この半導体
素子収納用パッケージは絶縁基板の表面あるいは内部に
メタライズ配線層が配設された、いわゆる配線基板を基
礎的構造とするものである。
基板として用いた本発明の配線基板及びその配線基板を
用いた半導体素子収納用パッケージの実装構造を、添付
図面に基づき具体的に説明する。 （ＢＧＡ型実装構造）図２及び図３は、本発明の配線基
板の好適例である半導体素子収納用パッケージの実装構
造の一例を示す図であり、図２、図３はボールグリッド
アレイ（ＢＧＡ）型パッケージの例を示す。この半導体
素子収納用パッケージは絶縁基板の表面あるいは内部に
メタライズ配線層が配設された、いわゆる配線基板を基
礎的構造とするものである。
【００４４】図２において、Ａは半導体素子収納用パッ
ケージ、Ｂは外部回路基板である。図２の半導体素子収
納用パッケージＡは、絶縁基板１と蓋体２とメタライズ
配線層３と接続端子４及びパッケージの内部に収納され
る半導体素子５により構成され、絶縁基板１及び蓋体２
は半導体素子５を内部に気密に収容するためのキャビテ
ィ６を構成する。
ケージ、Ｂは外部回路基板である。図２の半導体素子収
納用パッケージＡは、絶縁基板１と蓋体２とメタライズ
配線層３と接続端子４及びパッケージの内部に収納され
る半導体素子５により構成され、絶縁基板１及び蓋体２
は半導体素子５を内部に気密に収容するためのキャビテ
ィ６を構成する。
【００４５】また、キャァビティ６内の絶縁基板１の上
面中央部には半導体素子５が接着剤を介して接着固定さ
れる。また、絶縁基板１には半導体素子５の周辺から下
面にかけて複数個のメタライズ配線層３が被着形成され
ており、さらに絶縁基板１の下面には図３に示すように
多数の接続端子４が設けられており、接続端子４はメタ
ライズ配線層３と電気的に接続されている。この接続端
子４は、電極パッド７に対して半田（錫−鉛合金）等の
ロウ材から成る突起状端子８が取着された構造から成
る。
面中央部には半導体素子５が接着剤を介して接着固定さ
れる。また、絶縁基板１には半導体素子５の周辺から下
面にかけて複数個のメタライズ配線層３が被着形成され
ており、さらに絶縁基板１の下面には図３に示すように
多数の接続端子４が設けられており、接続端子４はメタ
ライズ配線層３と電気的に接続されている。この接続端
子４は、電極パッド７に対して半田（錫−鉛合金）等の
ロウ材から成る突起状端子８が取着された構造から成
る。
【００４６】一方、外部回路基板Ｂは、有機樹脂を含む
材料から成るガラスーエポキシ樹脂の複合材料等から構
成される絶縁体９の表面に配線導体として、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｂ−Ｓｎ等の金属から成る配線導体
１０が被着形成された一般的なプリント基板である。
材料から成るガラスーエポキシ樹脂の複合材料等から構
成される絶縁体９の表面に配線導体として、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｂ−Ｓｎ等の金属から成る配線導体
１０が被着形成された一般的なプリント基板である。
【００４７】本発明によれば、絶縁基板１が４０〜４０
０℃での熱膨張係数が９〜１８×１０-6／℃の低温焼成
磁器からなることによって、ＰＣボード等の外部回路基
板への実装した際の熱膨張差に起因する熱応力の発生を
抑制することができるとともに、実装時または素子の動
作時の発熱に伴う熱サイクル後においても強度の低下を
小さくして高い強度を維持でき、かつメタライズ配線層
３に特に１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する場合にお
いても信号を良好に伝送できる配線基板を作製すること
ができる。なお、半導体素子５は充分小さければ絶縁基
板１との熱膨張差に起因してクラックや剥離は発生しな
い。
０℃での熱膨張係数が９〜１８×１０-6／℃の低温焼成
磁器からなることによって、ＰＣボード等の外部回路基
板への実装した際の熱膨張差に起因する熱応力の発生を
抑制することができるとともに、実装時または素子の動
作時の発熱に伴う熱サイクル後においても強度の低下を
小さくして高い強度を維持でき、かつメタライズ配線層
３に特に１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する場合にお
いても信号を良好に伝送できる配線基板を作製すること
ができる。なお、半導体素子５は充分小さければ絶縁基
板１との熱膨張差に起因してクラックや剥離は発生しな
い。
【００４８】なお、本発明によれば、メタライズ配線層
３は低抵抗導体である銅または銀を主とすることが望ま
しく、特に純度９９％以上の高純度金属導体からなるこ
と、さらには微細配線化、低抵抗化の点で金属箔からな
ることが望ましい。 （実装方法）半導体素子収納用パッケージＡを外部回路
基板Ｂに実装するには、パッケージＡの絶縁基板１下面
の電極パッド７に取着されている半田から成る突起状端
子８を外部回路基板Ｂの配線導体１０上に載置当接さ
せ、しかる後、約２５０〜４００℃の温度で加熱するこ
とにより、半田等のロウ材から成る突起状端子８自体が
溶融し、配線導体１０に接合させることによって外部回
路基板Ｂ上に実装させる。この時、配線導体１０の表面
には接続端子４とのロウ材による接続を容易に行うため
ロウ材が被着形成されていることが望ましい。
３は低抵抗導体である銅または銀を主とすることが望ま
しく、特に純度９９％以上の高純度金属導体からなるこ
と、さらには微細配線化、低抵抗化の点で金属箔からな
ることが望ましい。 （実装方法）半導体素子収納用パッケージＡを外部回路
基板Ｂに実装するには、パッケージＡの絶縁基板１下面
の電極パッド７に取着されている半田から成る突起状端
子８を外部回路基板Ｂの配線導体１０上に載置当接さ
せ、しかる後、約２５０〜４００℃の温度で加熱するこ
とにより、半田等のロウ材から成る突起状端子８自体が
溶融し、配線導体１０に接合させることによって外部回
路基板Ｂ上に実装させる。この時、配線導体１０の表面
には接続端子４とのロウ材による接続を容易に行うため
ロウ材が被着形成されていることが望ましい。
【００４９】また、他の例として、図３に示すように接
続端子４として電極パッド７に対して高融点材料から成
る球状端子１１を低融点ロウ材１２によりロウ付けした
ものが適用できる。この高融点材料は、ロウ付けに使用
される低融点ロウ材１２よりも高融点であることが必要
で、ロウ付け用の低融点ロウ材１２が、例えばＰｂ４０
重量％−Ｓｎ６０重量％の低融点半田から成る場合、球
状端子１１は、例えばＰｂ９０重量％−Ｓｎ１０重量％
の高融点半田や、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｆｅ等の金属により構成される。
続端子４として電極パッド７に対して高融点材料から成
る球状端子１１を低融点ロウ材１２によりロウ付けした
ものが適用できる。この高融点材料は、ロウ付けに使用
される低融点ロウ材１２よりも高融点であることが必要
で、ロウ付け用の低融点ロウ材１２が、例えばＰｂ４０
重量％−Ｓｎ６０重量％の低融点半田から成る場合、球
状端子１１は、例えばＰｂ９０重量％−Ｓｎ１０重量％
の高融点半田や、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｆｅ等の金属により構成される。
【００５０】かかる構成においてはパッケージＡの絶縁
基板１下面の電極パッド７に取着されている球状端子１
１を外部回路基板Ｂの配線導体１０に載置当接させ、し
かる後、球状端子１１を半田等の低融点ロウ材１３によ
り配線導体１０に当設させて外部回路基板Ｂ上に実装す
ることができる。また、低融点ロウ材１３としてＡｕ−
Ｓｎ合金を用いて接続端子４を外部回路基板Ｂに接続し
ても良く、さらに上記球状端子１１に替えて柱状の端子
を用いてもよい。
基板１下面の電極パッド７に取着されている球状端子１
１を外部回路基板Ｂの配線導体１０に載置当接させ、し
かる後、球状端子１１を半田等の低融点ロウ材１３によ
り配線導体１０に当設させて外部回路基板Ｂ上に実装す
ることができる。また、低融点ロウ材１３としてＡｕ−
Ｓｎ合金を用いて接続端子４を外部回路基板Ｂに接続し
ても良く、さらに上記球状端子１１に替えて柱状の端子
を用いてもよい。
【００５１】
【実施例】（実施例１）ＳｉＯ2３１．５重量％−Ｂａ
Ｏ５４重量％−Ｂ2Ｏ3４．５重量％−Ａｌ2Ｏ3９重量％
−ＣａＯ１重量％との割合からなる平均粒径２μｍのガ
ラス粉末６０重量％に対して、フィラーとして、平均粒
径５μｍのクォーツ粉末を４０重量％で添加混合し、こ
の混合物をさらに粉砕した後、有機バインダーを添加し
て、十分に混合した後、得られた混合物を一軸プレス成
形により、３．５×１５ｍｍの形状の成形体に成形し
た。そして、この成形体を７００℃のＮ2＋Ｈ2Ｏ雰囲気
中で脱バインダー処理し、窒素雰囲気中、２００℃／ｈ
ｒで昇温し８８０℃で１０分間保持した後、９５０℃で
１時間焼成した。 （特性評価）得られた磁器に対して、アルキメデス法に
よって磁器の相対密度を測定したところ、９６％であっ
た。また、この磁器のＸ線回折測定を行い、検出された
結晶の同定を行ったところ、ジ珪酸バリウム結晶（Ｂａ
Ｏ・２ＳｉＯ2）、メタ珪酸バリウム（ＢａＯ・Ｓｉ
Ｏ2）、クォーツ結晶およびセルシアン結晶（ＢａＯ・
Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）の存在が確認された。また、こ
のＸ線回折ピークからリートベルト法によって各結晶お
よび非晶質相の含有比率を算出したところ、ジ珪酸バリ
ウム結晶（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）５０重量％、メタ珪酸
バリウム（ＢａＯ・ＳｉＯ2）１重量％、クォーツ４１
重量％、セルシアン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）
６重量％であり、また、結晶の含有量（ａ重量％）と非
晶質相の含有量（ｂ重量％）との比（ａ／ｂ）は、０．
９８であった。
Ｏ５４重量％−Ｂ2Ｏ3４．５重量％−Ａｌ2Ｏ3９重量％
−ＣａＯ１重量％との割合からなる平均粒径２μｍのガ
ラス粉末６０重量％に対して、フィラーとして、平均粒
径５μｍのクォーツ粉末を４０重量％で添加混合し、こ
の混合物をさらに粉砕した後、有機バインダーを添加し
て、十分に混合した後、得られた混合物を一軸プレス成
形により、３．５×１５ｍｍの形状の成形体に成形し
た。そして、この成形体を７００℃のＮ2＋Ｈ2Ｏ雰囲気
中で脱バインダー処理し、窒素雰囲気中、２００℃／ｈ
ｒで昇温し８８０℃で１０分間保持した後、９５０℃で
１時間焼成した。 （特性評価）得られた磁器に対して、アルキメデス法に
よって磁器の相対密度を測定したところ、９６％であっ
た。また、この磁器のＸ線回折測定を行い、検出された
結晶の同定を行ったところ、ジ珪酸バリウム結晶（Ｂａ
Ｏ・２ＳｉＯ2）、メタ珪酸バリウム（ＢａＯ・Ｓｉ
Ｏ2）、クォーツ結晶およびセルシアン結晶（ＢａＯ・
Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）の存在が確認された。また、こ
のＸ線回折ピークからリートベルト法によって各結晶お
よび非晶質相の含有比率を算出したところ、ジ珪酸バリ
ウム結晶（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）５０重量％、メタ珪酸
バリウム（ＢａＯ・ＳｉＯ2）１重量％、クォーツ４１
重量％、セルシアン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）
６重量％であり、また、結晶の含有量（ａ重量％）と非
晶質相の含有量（ｂ重量％）との比（ａ／ｂ）は、０．
９８であった。
【００５２】また、焼結体のＳＥＭ観察およびＥＰＭＡ
分析によって、磁器の研磨表面に確認される各結晶の性
状を観察したところ、ジ珪酸バリウム結晶（ＢａＯ・２
ＳｉＯ2）の平均粒径１．５μｍ、クォーツ結晶の平均
粒径５μｍ、セルシアン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ
2）の平均粒径０．３μｍであった。
分析によって、磁器の研磨表面に確認される各結晶の性
状を観察したところ、ジ珪酸バリウム結晶（ＢａＯ・２
ＳｉＯ2）の平均粒径１．５μｍ、クォーツ結晶の平均
粒径５μｍ、セルシアン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ
2）の平均粒径０．３μｍであった。
【００５３】さらに、得られた焼結体に対して、ＪＩＳ
Ｒ１６０１に基づき４点曲げ抗折強度を測定したとこ
ろ、２００ＭＰａであった。また、大気の雰囲気にて−
４０℃と１２５℃の各温度に制御した恒温槽に試験サン
プルを１５分／１５分の保持を１サイクルとして最高１
０００サイクル繰り返した後、同様に強度測定を行い、
熱サイクル後の強度を測定したところ１７０ＭＰａであ
った。さらに、破壊靱性については、ＪＩＳＲ１６０２
に基づくＩＦ法に従って求めたところ１．８ＭＰａ／ｍ
1/2であった。また、熱膨張係数を測定したところ、４
０〜４００℃で１３×１０-6／℃、−４０〜４００℃で
１２．５×１０-6／℃であった。
Ｒ１６０１に基づき４点曲げ抗折強度を測定したとこ
ろ、２００ＭＰａであった。また、大気の雰囲気にて−
４０℃と１２５℃の各温度に制御した恒温槽に試験サン
プルを１５分／１５分の保持を１サイクルとして最高１
０００サイクル繰り返した後、同様に強度測定を行い、
熱サイクル後の強度を測定したところ１７０ＭＰａであ
った。さらに、破壊靱性については、ＪＩＳＲ１６０２
に基づくＩＦ法に従って求めたところ１．８ＭＰａ／ｍ
1/2であった。また、熱膨張係数を測定したところ、４
０〜４００℃で１３×１０-6／℃、−４０〜４００℃で
１２．５×１０-6／℃であった。
【００５４】さらに、空洞共振器法によって１ＭＨｚで
の誘電率および誘電損失を測定した結果、誘電率５．
７、誘電損失２０×１０-4であった。レーザーフラッシ
ュ法にて１ｍｍ厚みの試料について熱伝導率を測定した
ところ２．１Ｗ／ｍＫであった。 （実装時の熱サイクル特性（ＴＣＴ））また、上各原料
組成物を用いて、ドクターブレード法により厚み５００
μｍのグリーンシートを作製し、このシート表面にＣｕ
メタライズペーストをスクリーン印刷法に基づき塗布し
た。また、グリーンシートの所定箇所にスルーホールを
形成しその中にもＣｕメタライズペーストを充填した。
そして、メタライズペーストが塗布されたグリーンシー
トをスルーホール間で位置合わせしながら６枚積層し圧
着した。この積層体を７００℃のＮ2＋Ｈ2Ｏ雰囲気中で
脱バインダー処理した後、窒素雰囲気中、上述した焼成
条件でメタライズ配線層と絶縁基板とを同時焼成し配線
基板を作製した。
の誘電率および誘電損失を測定した結果、誘電率５．
７、誘電損失２０×１０-4であった。レーザーフラッシ
ュ法にて１ｍｍ厚みの試料について熱伝導率を測定した
ところ２．１Ｗ／ｍＫであった。 （実装時の熱サイクル特性（ＴＣＴ））また、上各原料
組成物を用いて、ドクターブレード法により厚み５００
μｍのグリーンシートを作製し、このシート表面にＣｕ
メタライズペーストをスクリーン印刷法に基づき塗布し
た。また、グリーンシートの所定箇所にスルーホールを
形成しその中にもＣｕメタライズペーストを充填した。
そして、メタライズペーストが塗布されたグリーンシー
トをスルーホール間で位置合わせしながら６枚積層し圧
着した。この積層体を７００℃のＮ2＋Ｈ2Ｏ雰囲気中で
脱バインダー処理した後、窒素雰囲気中、上述した焼成
条件でメタライズ配線層と絶縁基板とを同時焼成し配線
基板を作製した。
【００５５】次に、配線基板の下面に設けられた電極パ
ッドに図１に示すようにＰｂ９０重量％、Ｓｎ１０重量
％から成る球状半田ボール（球状端子）を低融点半田
（Ｐｂ３７％−Ｓｎ６３％）により取着した。なお、接
続端子は、１ｃｍ2当たり３０端子の密度で配線基板の
下面全体に形成した。
ッドに図１に示すようにＰｂ９０重量％、Ｓｎ１０重量
％から成る球状半田ボール（球状端子）を低融点半田
（Ｐｂ３７％−Ｓｎ６３％）により取着した。なお、接
続端子は、１ｃｍ2当たり３０端子の密度で配線基板の
下面全体に形成した。
【００５６】そして、この配線基板を、ガラス−エポキ
シ基板から成る４０〜８００℃における熱膨張係数が１
３×１０-6／℃の絶縁体の表面に銅箔から成る配線導体
が形成されたプリント基板表面に実装した。実装は、プ
リント基板の上の配線導体と配線基板の球状端子とを位
置合わせし、低融点ロウ材によって接続実装した。
シ基板から成る４０〜８００℃における熱膨張係数が１
３×１０-6／℃の絶縁体の表面に銅箔から成る配線導体
が形成されたプリント基板表面に実装した。実装は、プ
リント基板の上の配線導体と配線基板の球状端子とを位
置合わせし、低融点ロウ材によって接続実装した。
【００５７】次に、上記のようにしてパッケージ用配線
基板をプリント基板表面に実装したものを大気の雰囲気
にて−４０℃と１２５℃の各温度に制御した恒温槽に試
験サンプルを１５分／１５分の保持を１サイクルとして
最高１０００サイクル繰り返した。そして、各サイクル
毎にプリント基板の配線導体とパッケージ用配線基板と
の電気抵抗を測定し電気抵抗に変化が現れるまでのサイ
クル数を測定したところ、１０００サイクル後も変化が
なく良好な接続状態を維持していた。
基板をプリント基板表面に実装したものを大気の雰囲気
にて−４０℃と１２５℃の各温度に制御した恒温槽に試
験サンプルを１５分／１５分の保持を１サイクルとして
最高１０００サイクル繰り返した。そして、各サイクル
毎にプリント基板の配線導体とパッケージ用配線基板と
の電気抵抗を測定し電気抵抗に変化が現れるまでのサイ
クル数を測定したところ、１０００サイクル後も変化が
なく良好な接続状態を維持していた。
【００５８】（実施例２）平均粒径１μｍのクォーツ粉
末３５重量％、ＢａＯ・２ＳｉＯ2粉末５６．５重量
％、Ｂ2Ｏ3粉末２．６重量％、Ａｌ2Ｏ3粉末５．３重量
％、ＣａＯ粉末０．６重量％との割合で添加混合し、実
施例１と同様に成形体を作製した後、この成形体を７０
０℃のＮ2＋Ｈ2Ｏ雰囲気中で脱バインダー処理し、窒素
雰囲気中、２００℃／ｈｒで昇温し、８８０℃で１０分
間保持した後、９５０℃で１時間焼成した。
末３５重量％、ＢａＯ・２ＳｉＯ2粉末５６．５重量
％、Ｂ2Ｏ3粉末２．６重量％、Ａｌ2Ｏ3粉末５．３重量
％、ＣａＯ粉末０．６重量％との割合で添加混合し、実
施例１と同様に成形体を作製した後、この成形体を７０
０℃のＮ2＋Ｈ2Ｏ雰囲気中で脱バインダー処理し、窒素
雰囲気中、２００℃／ｈｒで昇温し、８８０℃で１０分
間保持した後、９５０℃で１時間焼成した。
【００５９】実施例１と同様に特性を評価したところ、
相対密度９７％、検出が確認された結晶はジ珪酸バリウ
ム結晶（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）、クォーツおよびセルシ
アン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、各結晶の含有
比率は、ジ珪酸バリウム結晶（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）４
０重量％、クォーツ３６重量％、セルシアン（ＢａＯ・
Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）１重量％であり、また、結晶の
含有量（ａ重量％）と非晶質相の含有量（ｂ重量％）と
の比（ａ／（ａ＋ｂ））は、０．９５であった。
相対密度９７％、検出が確認された結晶はジ珪酸バリウ
ム結晶（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）、クォーツおよびセルシ
アン（ＢａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、各結晶の含有
比率は、ジ珪酸バリウム結晶（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）４
０重量％、クォーツ３６重量％、セルシアン（ＢａＯ・
Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）１重量％であり、また、結晶の
含有量（ａ重量％）と非晶質相の含有量（ｂ重量％）と
の比（ａ／（ａ＋ｂ））は、０．９５であった。
【００６０】さらに、４点曲げ抗折強度１７０ＭＰａ、
熱サイクル試験後の強度１６５ＭＰａ、破壊靱性１．５
ＭＰａ／ｍ1/2、熱膨張係数は４０〜４００℃で１２×
１０- 6／℃、−４０〜４００℃で１１．５×１０-6／
℃、１ＭＨｚにおける誘電率６．０、誘電損失が３０×
１０-4、熱伝導率１．８Ｗ／ｍＫであった。
熱サイクル試験後の強度１６５ＭＰａ、破壊靱性１．５
ＭＰａ／ｍ1/2、熱膨張係数は４０〜４００℃で１２×
１０- 6／℃、−４０〜４００℃で１１．５×１０-6／
℃、１ＭＨｚにおける誘電率６．０、誘電損失が３０×
１０-4、熱伝導率１．８Ｗ／ｍＫであった。
【００６１】また、実施例１と同様に配線基板を作製
し、プリント基板表面に実装して、実施例１と同様に熱
サイクル試験を行ったところ、１０００サイクル後も変
化がなく良好な接続状態を維持していた。
し、プリント基板表面に実装して、実施例１と同様に熱
サイクル試験を行ったところ、１０００サイクル後も変
化がなく良好な接続状態を維持していた。
【００６２】（比較例）平均粒径１μｍのアモルファス
シリカ粉末５０重量％、ＢａＣＯ3粉末をＢａＯ換算で
４０重量％、Ｂ2Ｏ3粉末４．５重量％、Ａｌ2Ｏ3粉末
５．４重量％、ＣａＯ粉末０．１重量％との割合で添加
混合し、実施例１と同様に成形体を作製した後、この成
形体を７００℃のＮ2＋Ｈ2Ｏ雰囲気中で脱バインダー処
理し、窒素雰囲気中、２００℃／ｈｒで昇温し、８８０
℃で１０分間保持した後、９５０℃で１時間焼成した。
シリカ粉末５０重量％、ＢａＣＯ3粉末をＢａＯ換算で
４０重量％、Ｂ2Ｏ3粉末４．５重量％、Ａｌ2Ｏ3粉末
５．４重量％、ＣａＯ粉末０．１重量％との割合で添加
混合し、実施例１と同様に成形体を作製した後、この成
形体を７００℃のＮ2＋Ｈ2Ｏ雰囲気中で脱バインダー処
理し、窒素雰囲気中、２００℃／ｈｒで昇温し、８８０
℃で１０分間保持した後、９５０℃で１時間焼成した。
【００６３】実施例１と同様に特性を評価したところ、
相対密度９０％、検出が確認された主な結晶はジ珪酸バ
リウム結晶（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）が１５重量％のみで
あり、また、結晶の含有量（ａ重量％）と非晶質相の含
有量（ｂ重量％）との比（ａ／（ａ＋ｂ））は、０．１
８であった。
相対密度９０％、検出が確認された主な結晶はジ珪酸バ
リウム結晶（ＢａＯ・２ＳｉＯ2）が１５重量％のみで
あり、また、結晶の含有量（ａ重量％）と非晶質相の含
有量（ｂ重量％）との比（ａ／（ａ＋ｂ））は、０．１
８であった。
【００６４】さらに、４点曲げ抗折強度１５０ＭＰａ、
熱サイクル試験後の強度１２０ＭＰａ、破壊靱性１．２
ＭＰａ／ｍ1/2、熱膨張係数は４０〜４００℃で８．２
×１０-6／℃、−４０〜４００℃で７．９×１０-6／
℃、誘電率７、誘電損失５０×１０-4、熱伝導率１Ｗ／
ｍＫであった。
熱サイクル試験後の強度１２０ＭＰａ、破壊靱性１．２
ＭＰａ／ｍ1/2、熱膨張係数は４０〜４００℃で８．２
×１０-6／℃、−４０〜４００℃で７．９×１０-6／
℃、誘電率７、誘電損失５０×１０-4、熱伝導率１Ｗ／
ｍＫであった。
【００６５】また、実施例１と同様に配線基板を作製
し、プリント基板表面に実装して、実施例１と同様に熱
サイクル試験を行ったところ、５０サイクル後に抵抗の
増大が見られ、接続（端子）部分にクラックが発生して
いた。
し、プリント基板表面に実装して、実施例１と同様に熱
サイクル試験を行ったところ、５０サイクル後に抵抗の
増大が見られ、接続（端子）部分にクラックが発生して
いた。
【００６６】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の低温焼成磁
器は、１０５０℃以下の低温で焼成できるためＡｇ、Ｃ
ｕ金属を用いたメタライズ配線層の形成が可能で、熱膨
張係数が高く、高周波帯での誘電特性に優れ、かつ熱サ
イクル後の高い強度を維持できることから、電子機器等
を搭載し、かつプリント基板等の外部回路基板に実装す
るような配線基板用の絶縁基板材料として特に好適であ
る。また、この磁器を絶縁基板として用いた配線基板及
びその実装構造は高集積大型パッケージにおいても高度
の信頼性を有し、特に高周波信号を伝送する場合でも良
好な伝送特性を有する。
器は、１０５０℃以下の低温で焼成できるためＡｇ、Ｃ
ｕ金属を用いたメタライズ配線層の形成が可能で、熱膨
張係数が高く、高周波帯での誘電特性に優れ、かつ熱サ
イクル後の高い強度を維持できることから、電子機器等
を搭載し、かつプリント基板等の外部回路基板に実装す
るような配線基板用の絶縁基板材料として特に好適であ
る。また、この磁器を絶縁基板として用いた配線基板及
びその実装構造は高集積大型パッケージにおいても高度
の信頼性を有し、特に高周波信号を伝送する場合でも良
好な伝送特性を有する。
【図１】本発明の低温焼成磁器の模式図である。
【図２】本発明のＢＧＡ型半導体素子収納用パッケージ
の実装構造を説明する図面（断面図）である。
の実装構造を説明する図面（断面図）である。
【図３】接続端子の他の実施例における要部拡大断面図
である。
である。
ＢＳ2 珪酸バリウム結晶
Ｓ クォーツ結晶
Ｃ セルシアン
Ｇ 非晶質相
１ 絶縁基板
２ 蓋体
３ メタライズ配線層
４ 接続端子
５ 半導体素子
６ キャビティ
７ 電極パッド
８ 突起状端子
９ 絶縁体
１０ 配線導体
１１ 球状端子
１２、１３ 低融点ロウ材
Ａ 半導体素子収納用（ＢＧＡ型）パッケージ
Ｂ 外部回路基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 東 昌彦
鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ
株式会社総合研究所内
(56)参考文献 特開2000−223619（ＪＰ，Ａ)
特公 平４−11495（ＪＰ，Ｂ２)
特公 平６−76253（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/00 - 35/50
Claims (5)
- 【請求項１】少なくとも珪酸バリウム結晶２０〜８０重
量％とクォーツ結晶を２０〜８０重量％との割合で含有
し、４０〜４００℃における熱膨張係数が９〜１８×１
０ −６ ／℃、３ＧＨｚにおける誘電損失が３０×１０
−４ 以下であることを特徴とする低温焼成磁器。 - 【請求項２】前記珪酸バリウム結晶の平均粒径が３μｍ
以下、前記クォーツ結晶の平均粒径が１０μｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の低温焼成磁器。 - 【請求項３】前記珪酸バリウム結晶がガラスから析出し
たものであり、かつ前記クォーツ結晶がセラミックフィ
ラーとして分散して存在することを特徴とする請求項１
または２記載の低温焼成磁器。 - 【請求項４】絶縁基板の表面および／または内部にメタ
ライズ配線層が配設された配線基板であって、前記絶縁
基板が、請求項１乃至３のいずれか記載の低温焼成磁器
からなることを特徴とする配線基板。 - 【請求項５】前記メタライズ配線層が銅または銀を主と
することを特徴とする請求項４記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000332656A JP3523589B2 (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 低温焼成磁器および配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000332656A JP3523589B2 (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 低温焼成磁器および配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002137961A JP2002137961A (ja) | 2002-05-14 |
| JP3523589B2 true JP3523589B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=18808834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000332656A Expired - Fee Related JP3523589B2 (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 低温焼成磁器および配線基板 |
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| Country | Link |
|---|---|
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-
2000
- 2000-10-31 JP JP2000332656A patent/JP3523589B2/ja not_active Expired - Fee Related
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