JPH06275871A - 熱電発電モジュール - Google Patents
熱電発電モジュールInfo
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- JPH06275871A JPH06275871A JP5060224A JP6022493A JPH06275871A JP H06275871 A JPH06275871 A JP H06275871A JP 5060224 A JP5060224 A JP 5060224A JP 6022493 A JP6022493 A JP 6022493A JP H06275871 A JPH06275871 A JP H06275871A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、従来に比べ発電効率が向上し、か
つ熱応力による熱電半導体素子の破壊を回避し、熱電半
導体の成分が蒸発することを回避しえることを主要な目
的とする。 【構成】高温の熱から直接電気を取り出す熱電発電モジ
ュールにおいて、ｐ型・ｎ型の熱電半導体(21)の両側に
接着層(22)を介してアモルファスＮｉ−Ｐめっき電極(2
3)を形成した熱電半導体素子と、この熱電半導体素子の
一端側に設けられた集熱板(24)と、前記熱電半導体素子
の他端側に設けられた放熱板(26)と、前記熱電半導体素
子の電極に電気的に接続された定電圧装置(27)とを具備
する熱電発電モジュール、あるいは側面にシリカガラス
をコートしたｐ型・ｎ型の熱電半導体の両側に接着層を
介して電極を形成した熱電半導体素子を具備することを
特徴とする熱電発電モジュール、あるいは高温側の電極
と集熱板間に設けられた超塑性材料を具備することを特
徴とする熱電発電モジュール。
つ熱応力による熱電半導体素子の破壊を回避し、熱電半
導体の成分が蒸発することを回避しえることを主要な目
的とする。 【構成】高温の熱から直接電気を取り出す熱電発電モジ
ュールにおいて、ｐ型・ｎ型の熱電半導体(21)の両側に
接着層(22)を介してアモルファスＮｉ−Ｐめっき電極(2
3)を形成した熱電半導体素子と、この熱電半導体素子の
一端側に設けられた集熱板(24)と、前記熱電半導体素子
の他端側に設けられた放熱板(26)と、前記熱電半導体素
子の電極に電気的に接続された定電圧装置(27)とを具備
する熱電発電モジュール、あるいは側面にシリカガラス
をコートしたｐ型・ｎ型の熱電半導体の両側に接着層を
介して電極を形成した熱電半導体素子を具備することを
特徴とする熱電発電モジュール、あるいは高温側の電極
と集熱板間に設けられた超塑性材料を具備することを特
徴とする熱電発電モジュール。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、熱を直接電気に変化
する熱電発電モジュールに関する。
する熱電発電モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、熱電発電モジュールとしては、図
２に示すものが知られている。
２に示すものが知られている。
【０００３】この熱電発電モジュールは、セラミック製
等の絶縁性の集熱板１、電極２、ｐ型・ｎ型の熱電半導
体３、接着層４、放熱板５及び定電圧装置６からなる。
ここで、前記熱電半導体３及び電極２により熱電半導体
素子が構成される。
等の絶縁性の集熱板１、電極２、ｐ型・ｎ型の熱電半導
体３、接着層４、放熱板５及び定電圧装置６からなる。
ここで、前記熱電半導体３及び電極２により熱電半導体
素子が構成される。
【０００４】こうした構成の熱電発電モジュールにおい
て、高温熱源７から低温熱源８へ熱流９が流れるとき、
ｐ型熱電半導体３では高温側から低温側へ正の電荷を持
つ正孔が拡散し、ｎ型熱電半導体３では負の電荷を持つ
電子が拡散する。そのため、ｐ型・ｎ型の熱電半導体３
を対にして連結することにより、電力出力が発生し定電
圧装置を通じて定電力装置を通じて電力10を取り出すこ
とができる。
て、高温熱源７から低温熱源８へ熱流９が流れるとき、
ｐ型熱電半導体３では高温側から低温側へ正の電荷を持
つ正孔が拡散し、ｎ型熱電半導体３では負の電荷を持つ
電子が拡散する。そのため、ｐ型・ｎ型の熱電半導体３
を対にして連結することにより、電力出力が発生し定電
圧装置を通じて定電力装置を通じて電力10を取り出すこ
とができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の熱電
発電モジュールにおいて、熱電半導体３にかかる温度差
が大きいほど、発電効率が高くなる。また、従来のモジ
ュールにおいては、高温部の電極部分では熱により、熱
電半導体３は高温熱源７から低温熱源８の方向に膨脹す
るので、応力が発生し、モジュールを構成する熱電半導
体素子の破壊等が起こる。それを防ぐために、接着層に
空隙の多い材料を挿入し熱応力を緩和している。
発電モジュールにおいて、熱電半導体３にかかる温度差
が大きいほど、発電効率が高くなる。また、従来のモジ
ュールにおいては、高温部の電極部分では熱により、熱
電半導体３は高温熱源７から低温熱源８の方向に膨脹す
るので、応力が発生し、モジュールを構成する熱電半導
体素子の破壊等が起こる。それを防ぐために、接着層に
空隙の多い材料を挿入し熱応力を緩和している。
【０００６】しかしながら、空隙の多い材料を挿入する
と熱伝達が低下するので、熱電半導体素子の温度差が低
下し、熱電発電モジュールの発電効率が低下するという
問題があった。
と熱伝達が低下するので、熱電半導体素子の温度差が低
下し、熱電発電モジュールの発電効率が低下するという
問題があった。
【０００７】また、図示しないが、従来、図２と略同じ
構成で５００℃以下の熱源に利用される熱電発電モジュ
ールが知られている。しかしながら、こうしたモジュー
ルにおいて、高温部の電極部分では熱により、雰囲気の
気圧が宇宙空間のように低い圧力では、熱電半導体は成
分が蒸発し熱電半導体の性能が低下する問題があった。
そこで、これを防ぐため、溶融ガラスをコーティングし
ているが、溶融ガラスの軟化点は５５０℃と高く、溶融
ガラスコーティング時に熱電半導体の成分が蒸発する問
題があった。
構成で５００℃以下の熱源に利用される熱電発電モジュ
ールが知られている。しかしながら、こうしたモジュー
ルにおいて、高温部の電極部分では熱により、雰囲気の
気圧が宇宙空間のように低い圧力では、熱電半導体は成
分が蒸発し熱電半導体の性能が低下する問題があった。
そこで、これを防ぐため、溶融ガラスをコーティングし
ているが、溶融ガラスの軟化点は５５０℃と高く、溶融
ガラスコーティング時に熱電半導体の成分が蒸発する問
題があった。
【０００８】この発明はこうした事情を考慮してなされ
たもので、従来に比べ発電効率が向上するとともに、熱
応力による熱電半導体素子の破壊を回避しえ、更に溶融
ガラスコーティング時に熱電半導体の成分が蒸発するこ
とを回避しえる熱電発電モジュールを提供することを目
的とする。
たもので、従来に比べ発電効率が向上するとともに、熱
応力による熱電半導体素子の破壊を回避しえ、更に溶融
ガラスコーティング時に熱電半導体の成分が蒸発するこ
とを回避しえる熱電発電モジュールを提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、高温
の熱から直接電気を取り出す熱電発電モジュールにおい
て、ｐ型・ｎ型の熱電半導体の両側に接着層を介してア
モルファスＮｉ−Ｐめっき電極を形成した熱電半導体素
子と、この熱電半導体素子の一端側に設けられた集熱板
と、前記熱電半導体素子の他端側に設けられた放熱板
と、前記熱電半導体素子の電極に電気的に接続された定
電圧装置とを具備することを特徴とする熱電発電モジュ
ールである。
の熱から直接電気を取り出す熱電発電モジュールにおい
て、ｐ型・ｎ型の熱電半導体の両側に接着層を介してア
モルファスＮｉ−Ｐめっき電極を形成した熱電半導体素
子と、この熱電半導体素子の一端側に設けられた集熱板
と、前記熱電半導体素子の他端側に設けられた放熱板
と、前記熱電半導体素子の電極に電気的に接続された定
電圧装置とを具備することを特徴とする熱電発電モジュ
ールである。
【００１０】本願第２の発明は、高温の熱から直接電気
を取り出す熱電発電モジュールにおいて、側面にシリカ
ガラスをコートしたｐ型・ｎ型の熱電半導体の両側に接
着層を介して電極を形成した熱電半導体素子と、この熱
電半導体素子の一端側に設けられた集熱板と、前記熱電
半導体素子の他端側に設けられた放熱板と、前記熱電半
導体素子の電極に電気的に接続された定電圧装置とを具
備することを特徴とする熱電発電モジュールである。
を取り出す熱電発電モジュールにおいて、側面にシリカ
ガラスをコートしたｐ型・ｎ型の熱電半導体の両側に接
着層を介して電極を形成した熱電半導体素子と、この熱
電半導体素子の一端側に設けられた集熱板と、前記熱電
半導体素子の他端側に設けられた放熱板と、前記熱電半
導体素子の電極に電気的に接続された定電圧装置とを具
備することを特徴とする熱電発電モジュールである。
【００１１】本願第３の発明は、高温の熱から直接電気
を取り出す熱電発電モジュールにおいて、ｐ型・ｎ型の
熱電半導体の両側に接着層を介して電極を形成した熱電
半導体素子と、この熱電半導体素子の一端側に設けられ
た集熱板と、高温側の前記電極と集熱板間に設けられた
超塑性材料と、前記熱電半導体素子の他端側に設けられ
た放熱板と、前記熱電半導体素子の電極に電気的に接続
された定電圧装置とを具備することを特徴とする熱電発
電モジュールである。
を取り出す熱電発電モジュールにおいて、ｐ型・ｎ型の
熱電半導体の両側に接着層を介して電極を形成した熱電
半導体素子と、この熱電半導体素子の一端側に設けられ
た集熱板と、高温側の前記電極と集熱板間に設けられた
超塑性材料と、前記熱電半導体素子の他端側に設けられ
た放熱板と、前記熱電半導体素子の電極に電気的に接続
された定電圧装置とを具備することを特徴とする熱電発
電モジュールである。
【００１２】
【作用】本願第１の発明においては、高温部の電極にア
モルファスＮｉ−Ｐめっきすることにより、熱応力が発
生しても、アモルファスの構造不規則性が応力緩和を起
こす。
モルファスＮｉ−Ｐめっきすることにより、熱応力が発
生しても、アモルファスの構造不規則性が応力緩和を起
こす。
【００１３】本願第２の発明においては、４００℃以下
でシリカガラスを形成するＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）4 ）をコーティングし、かつシリカガラスを熱
電半導体の表面に形成させることにより、熱電半導体の
材料成分の蒸発を防ぐことができる。
でシリカガラスを形成するＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）4 ）をコーティングし、かつシリカガラスを熱
電半導体の表面に形成させることにより、熱電半導体の
材料成分の蒸発を防ぐことができる。
【００１４】本願第３の発明においては、高温部の電極
と集熱板間に超塑性材料を設けることにより、熱応力が
発生しても超塑性材料が伸びて厚みを変化するので、応
力緩和が起こる。
と集熱板間に超塑性材料を設けることにより、熱応力が
発生しても超塑性材料が伸びて厚みを変化するので、応
力緩和が起こる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。 （実施例１）図１を参照する。
明する。 （実施例１）図１を参照する。
【００１６】図中の符号21は、複数のｐ型あるいはｎ型
の熱電半導体である。これらの熱電半導体21の高温熱源
側には、接着層22を介してアモルファスＮｉ−Ｐめっき
電極23が隣り合うｐ型の熱電半導体とｎ型の熱電半導体
とを対にして複数個設けられている。ここで、前記電極
23へのめっきの厚みは０．５mmである。これらの電極23
には、セラミック製等の絶縁性の集熱板24が接続されて
いる。前記熱電半導体21の低温熱源側には、接着層22を
介して電極25が任意のｐ型の熱電半導体，ｎ型の熱電半
導体，及び所定のｐ型の熱電半導体とｎ型の熱電半導体
とを対にして複数個設けられている。これらの電極25に
は、放熱板26が接続されている。前記電極25の内、任意
のｐ型の熱電半導体21とｎ型の熱電半導体21には定電圧
装置27が接続されている。
の熱電半導体である。これらの熱電半導体21の高温熱源
側には、接着層22を介してアモルファスＮｉ−Ｐめっき
電極23が隣り合うｐ型の熱電半導体とｎ型の熱電半導体
とを対にして複数個設けられている。ここで、前記電極
23へのめっきの厚みは０．５mmである。これらの電極23
には、セラミック製等の絶縁性の集熱板24が接続されて
いる。前記熱電半導体21の低温熱源側には、接着層22を
介して電極25が任意のｐ型の熱電半導体，ｎ型の熱電半
導体，及び所定のｐ型の熱電半導体とｎ型の熱電半導体
とを対にして複数個設けられている。これらの電極25に
は、放熱板26が接続されている。前記電極25の内、任意
のｐ型の熱電半導体21とｎ型の熱電半導体21には定電圧
装置27が接続されている。
【００１７】こうした構成の熱電発電モジュールにおい
て、高温熱源（１０００℃）28から低温熱源（１００
℃）29へ熱流30が流れるとき、ｐ型・ｎ型の熱電半導体
21は熱により膨脹を起こす。しかるに、この実施例１に
おいて、アモルファスＮｉ−Ｐめっきは、不規則な格子
構造を持つので、熱応力を緩和し、熱電半導体が破壊す
ることなく良好な熱伝達を起こす。そのため、ｐ型・ｎ
型の熱電半導体21にかかる温度差が大きくなり、従来の
発電モジュールと比べ、発電効率が向上する。更に、熱
応力による熱電気半導体の破壊は発生しなかった。 （実施例２）図３及び図４を参照する。
て、高温熱源（１０００℃）28から低温熱源（１００
℃）29へ熱流30が流れるとき、ｐ型・ｎ型の熱電半導体
21は熱により膨脹を起こす。しかるに、この実施例１に
おいて、アモルファスＮｉ−Ｐめっきは、不規則な格子
構造を持つので、熱応力を緩和し、熱電半導体が破壊す
ることなく良好な熱伝達を起こす。そのため、ｐ型・ｎ
型の熱電半導体21にかかる温度差が大きくなり、従来の
発電モジュールと比べ、発電効率が向上する。更に、熱
応力による熱電気半導体の破壊は発生しなかった。 （実施例２）図３及び図４を参照する。
【００１８】図中の符号31は、表面にシリカガラス層
（ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）32がコーティング
された複数個の熱電半導体である。これらの熱電半導体
31の高温熱源側には、接着層22を介して電極33が隣り合
うｐ型の熱電半導体とｎ型の熱電半導体とを対にして複
数個設けられている。
（ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）32がコーティング
された複数個の熱電半導体である。これらの熱電半導体
31の高温熱源側には、接着層22を介して電極33が隣り合
うｐ型の熱電半導体とｎ型の熱電半導体とを対にして複
数個設けられている。
【００１９】この実施例２で、前記熱電半導体31の表面
にシリカガラス層32をコーティングするには、図４に示
すように行なう。まず、熱電半導体の表面をアセトンで
脱脂洗浄し、不必要なコーティング面がないようにマス
キングした（Ａ）。次に、前記熱電半導体をＴＥＯＳ
（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 とＮＨ4 ＯＨと水をモル比で
１：０．０１：４で混合した溶液に２時間浸した
（Ｂ）。更に、取り出した後、真空炉で４００℃３０分
加熱し、硬化処理を行なった（Ｃ）。
にシリカガラス層32をコーティングするには、図４に示
すように行なう。まず、熱電半導体の表面をアセトンで
脱脂洗浄し、不必要なコーティング面がないようにマス
キングした（Ａ）。次に、前記熱電半導体をＴＥＯＳ
（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 とＮＨ4 ＯＨと水をモル比で
１：０．０１：４で混合した溶液に２時間浸した
（Ｂ）。更に、取り出した後、真空炉で４００℃３０分
加熱し、硬化処理を行なった（Ｃ）。
【００２０】真空中で高温源を５００℃に、低温源を０
℃に維持して１００時間（ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）4 ）を使ってコーティングした熱電発電モジュ
ールとコーティング処理を行なわない場合の発電出力を
下記「表１」に示す。
℃に維持して１００時間（ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）4 ）を使ってコーティングした熱電発電モジュ
ールとコーティング処理を行なわない場合の発電出力を
下記「表１」に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から明らかのように、（ＴＥＯＳ（Ｓ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）によるコーティング処理を行なっ
た熱電発電モジュールの発電出力が低下しにくい原因
は、熱電半導体成分の蒸発が防止されているためであ
る。 （実施例３）図５を参照する。但し、図１及び図３と同
部材は同符号を付して説明を省略する。
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）によるコーティング処理を行なっ
た熱電発電モジュールの発電出力が低下しにくい原因
は、熱電半導体成分の蒸発が防止されているためであ
る。 （実施例３）図５を参照する。但し、図１及び図３と同
部材は同符号を付して説明を省略する。
【００２３】図中の符号41は、高温側の電極33と集熱板
24間に設けられたＴｉの超塑性材料（Ｔｉ−６Ａｌ−４
Ｖ）である。この実施例３では、超塑性材料で７５０℃
以上で超塑性効果を起こすＴｉ（Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ）
を使用した。
24間に設けられたＴｉの超塑性材料（Ｔｉ−６Ａｌ−４
Ｖ）である。この実施例３では、超塑性材料で７５０℃
以上で超塑性効果を起こすＴｉ（Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ）
を使用した。
【００２４】こうした構成の熱電発電モジューッルにお
いて、高温熱源（１０００℃）28から低温熱源（０℃）
29へ熱流30が流れるとき、ｐ型・ｎ型の熱電半導体21は
熱により膨脹を起こす。しかし、この実施例３におい
て、超塑性材料41は、超塑性効果を起こすので、密着性
を維持しながら厚みが薄くなり、良好な熱伝達を起こ
す。そのため、ｐ型・ｎ型の熱電半導体21に係る温度差
が大きくなり、従来の熱電発電モジュールと比べ、発電
効率が向上する。また、熱応力による熱電半導体21の破
壊は発生しなかった。
いて、高温熱源（１０００℃）28から低温熱源（０℃）
29へ熱流30が流れるとき、ｐ型・ｎ型の熱電半導体21は
熱により膨脹を起こす。しかし、この実施例３におい
て、超塑性材料41は、超塑性効果を起こすので、密着性
を維持しながら厚みが薄くなり、良好な熱伝達を起こ
す。そのため、ｐ型・ｎ型の熱電半導体21に係る温度差
が大きくなり、従来の熱電発電モジュールと比べ、発電
効率が向上する。また、熱応力による熱電半導体21の破
壊は発生しなかった。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
従来に比べ発電効率が向上するとともに、熱応力による
熱電半導体素子の破壊を回避しえ、更に溶融ガラスコー
ティング時に熱電半導体の成分が蒸発することを回避し
える熱電発電モジュールを提供できる。
従来に比べ発電効率が向上するとともに、熱応力による
熱電半導体素子の破壊を回避しえ、更に溶融ガラスコー
ティング時に熱電半導体の成分が蒸発することを回避し
える熱電発電モジュールを提供できる。
【図１】この発明の実施例１に係る熱電発電モジュール
の説明図。
の説明図。
【図２】従来の熱電発電モジュールの説明図。
【図３】この発明の実施例２に係る熱電発電モジュール
の説明図。
の説明図。
【図４】図３の熱電発電モジュールの一構成である熱電
半導体にシリカガラスをコーティングする説明図。
半導体にシリカガラスをコーティングする説明図。
【図５】この発明の実施例３に係る熱電発電モジュール
の説明図。
の説明図。
21…熱電半導体、 22…接着層、 23…アモルファ
スＮｉ−Ｐめっき層、24…集熱板、 25，33…電
極、 26…放熱板、27…定電圧装置、 28…高温熱
源、 29…低温熱源、30…熱流、 31…シリカ
ガラスコートした熱電半導体、41…超塑性材料。
スＮｉ−Ｐめっき層、24…集熱板、 25，33…電
極、 26…放熱板、27…定電圧装置、 28…高温熱
源、 29…低温熱源、30…熱流、 31…シリカ
ガラスコートした熱電半導体、41…超塑性材料。
Claims (3)
- 【請求項１】 高温の熱から直接電気を取り出す熱電発
電モジュールにおいて、ｐ型・ｎ型の熱電半導体の両側
に接着層を介してアモルファスＮｉ−Ｐめっき電極を形
成した熱電半導体素子と、この熱電半導体素子の一端側
に設けられた集熱板と、前記熱電半導体素子の他端側に
設けられた放熱板と、前記熱電半導体素子の電極に電気
的に接続された定電圧装置とを具備することを特徴とす
る熱電発電モジュール。 - 【請求項２】 高温の熱から直接電気を取り出す熱電発
電モジュールにおいて、側面にシリカガラスをコートし
たｐ型・ｎ型の熱電半導体の両側に接着層を介して電極
を形成した熱電半導体素子と、この熱電半導体素子の一
端側に設けられた集熱板と、前記熱電半導体素子の他端
側に設けられた放熱板と、前記熱電半導体素子の電極に
電気的に接続された定電圧装置とを具備することを特徴
とする熱電発電モジュール。 - 【請求項３】 高温の熱から直接電気を取り出す熱電発
電モジュールにおいて、ｐ型・ｎ型の熱電半導体の両側
に接着層を介して電極を形成した熱電半導体素子と、こ
の熱電半導体素子の一端側に設けられた集熱板と、高温
側の前記電極と集熱板間に設けられた超塑性材料と、前
記熱電半導体素子の他端側に設けられた放熱板と、前記
熱電半導体素子の電極に電気的に接続された定電圧装置
とを具備することを特徴とする熱電発電モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5060224A JPH06275871A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 熱電発電モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5060224A JPH06275871A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 熱電発電モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275871A true JPH06275871A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13135987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5060224A Withdrawn JPH06275871A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 熱電発電モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275871A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09321354A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 金属パターンプレート |
| JPH09321356A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電モジュール及びその製造方法 |
| JP2012523110A (ja) * | 2009-04-02 | 2012-09-27 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 保護層でコーティングされている熱電材料 |
| JP2013500608A (ja) * | 2009-07-27 | 2013-01-07 | コーニング インコーポレイテッド | 熱電材料被覆及び熱電材料を含む装置 |
| US11424399B2 (en) | 2015-07-07 | 2022-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated thermoelectric devices in Fin FET technology |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP5060224A patent/JPH06275871A/ja not_active Withdrawn
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