JPH06275534A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 反応室１１と、反応室に連結バルブを介し接
続されている基板交換室と、前記反応室及び基板交換室
間で前記基板の授受を行なわせるための基板搬送機構と
を具えるコールドウォール型のＣＶＤ装置において、反
応室に残留する原料ガスにより成膜前の基板表面が変化
するのを防止若しくは従来より低減する。 【構成】 反応室及び基板交換室各々に、アルゴンガス
を供給するための機構４１（４５）と、該アルゴンガス
供給機構から前記基板面に供給するアルゴンガスの量を
制御するための制御機構４３（４７）とをそれぞれ設け
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、コールドウォール型
のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】ＣＶＤ装置の一種として、基板を所定温
度に加熱するための手段は有するが、装置の他の部分は
基板温度より低温に保たれているＣＶＤ装置がある。こ
のようなＣＶＤ装置はコールドウォール型と称されてい
る。このコールド型のＣＶＤ装置は、基板のみならず反
応室自体をも加熱するいわゆるホットウォール型のＣＶ
Ｄ装置と比べ、例えば以下の(a) 及び(b) の特長を有し
ていた。

【０００３】(a).コールドウォール型のＣＶＤ装置の方
が、ホットウォール型のものに比べ、原料ガスの利用効
率が高いという特長。これは、ホットウォール型のＣＶ
Ｄ装置では反応室をも加熱するので基板以外の不要部分
にも薄膜が堆積されその分原料ガスの消費が多くなるの
に対し、コールドウォール型のものでは基板部分のみで
原料ガスを効率的に利用することによる。

【０００４】(b).コールドウォール型のＣＶＤ装置の方
が、ホットウォール型のものに比べ、ダスト（不要な粒
子）の発生が少ないという特長。これは、ホットウォー
ル型のＣＶＤ装置では上記(a) 項の理由に記載の通り不
要な部分にも薄膜が堆積するためこの不要部分に堆積し
た薄膜が後に剥れ落ちてダストになること、及び、原料
ガスが気相中（反応室内の空間）で加熱され易いため気
相中で原料ガスの反応が進行し易くこれによりダストが
生じ易いことによる。

【０００５】このような特長を有しているコールドウォ
ール型のＣＶＤ装置は従来は一般に以下に説明する様な
構成とされていた。図６及び図７はその説明に供する図
である。特に、図６は従来のコールドウォール型のＣＶ
Ｄ装置の全体構成を示した図、図７はこの装置に備わる
基板ホルダと基板搬送機構との関係を示した要部斜視図
である。ただし、図６及び図７においては、基板１７は
基板搬送機構２７の基板トレー２７ａに置かれた状態で
示してある（詳細は後述する。）。

【０００６】この従来のコールドウォール型のＣＶＤ装
置は、反応室１１と、この反応室１１を真空排気するた
めの排気系１３と、反応室１１に原料ガスを導入するた
めの原料ガス導入系１５と、反応室１１内に設けられ基
板１７を保持するための基板ホルダ１９と、反応室１１
に連結バルブ２１を介し接続されている基板交換室２３
と、この基板交換室２３を真空排気するための排気系２
５と、反応室１１及び基板交換室２３間で基板の授受を
行なわせるための基板搬送機構２７とを具えていた。

【０００７】ここで、原料ガス導入系１５は、原料ガス
源１５ａ（液体や固体原料をガス化する場合も含む）
と、原料ガス吹き出し部１５ｂと、原料ガスの流量制御
部１５ｃと、これらを接続するための配管１５ｄとで構
成されている。基板ホルダ１９は、詳細は後述するが、
基板受け１９ａと、基板加熱台１９ｂと、基板受け１９
ａを上下動させるための基板受け上下機構１９ｃとで構
成されている。また、基板搬送機構２７は、詳細は後述
するが、基板１７を載せるための基板トレー２７ａと、
この基板トレー２７ａを反応室２３及び基板交換室２５
間で移動させるに十分な長さを有し基板トレー２７ａに
接続されたアーム部２７ｂと、アーム部２７ｂをその長
手方向に移動させるため例えば永久磁石を用いた駆動部
２７ｃとで構成されている。

【０００８】また、上記基板搬送機構２７の基板トレー
２７ａは、図７に示したように、基板１７の中央の帯状
の部分を保持でき、かつ、この帯状部分以外の部分は解
放状態とできる構造とされていた。また、基板ホルダ１
９の基板受け１９ａは、図７に示したように、基板１７
の主面のできる限り広い面積を露出できるようにするた
め基板１７の縁部分のみを保持でき、かつ、基板搬送機
構２７の基板トレー２７ａをこの基板受け１９ａ内に組
み入れるられるような切り欠き部１９ａａを有した構造
とされていた。

【０００９】このＣＶＤ装置では、基板搬送機構２７に
より基板ホルダ１９の基板受け１９ａまで搬送されきた
基板１７が、この基板受け１９ａを基板受け上下機構１
９ｃにより上方向に引き上げることによりすくい上げら
れ、さらに基板加熱台１９ｃに押し当てられる。基板加
熱台１９ｃに押し当てられた基板１７はこの基板加熱台
によって加熱される。そして、基板１７の基板加熱台１
９ｃとは反対面に所望の薄膜が堆積される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
コールドウォール型のＣＶＤ装置では、原料ガスとして
特に蒸気圧が低いガスを用いた場合、基板１７の、基板
搬送機構２７の基板トレー２７ａに接していた部分上と
そうでなかった部分上に堆積する各薄膜の状態に違いが
生じてしまい、基板面に均一な膜質の薄膜が堆積できな
いう問題点が生じることが、この出願に係る発明者の研
究によって明らかになった。図８はこの現象を模式的に
示した図であり、基板１７としての例えばシリコン基板
１７上にアルミニウム（Ａｌ）膜３１を図６及び図７を
用いて説明した従来のコールドウォール型のＣＶＤ装置
によって形成した試料の様子を模式的に示した図であ
る。基板１７の、基板トレー２７ａに接していた部分上
に堆積したアルミニウム膜３１ａとそうでなかった部分
上に堆積したアルミニウム膜３１ｂとによって基板１７
上に帯状のパターンが形成されている。

【００１１】基板上に形成される薄膜が上述のごとく帯
状のパターンを呈するようになる原因は次の様なことと
考える。基板上にＣＶＤ法によりアルミニウム膜を形成
する場合、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡ：常
温で液体でかつ蒸気圧が０．０５Ｔｏｒｒの物質）、若
しくは、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡ
Ｈ：常温で液体でかつ蒸気圧が２Ｔｏｒｒである物
質）、若しくは、トリメチルアミンアラン（ＴＭＡＡ：
常温で固体でかつ蒸気圧が２Ｔｏｒｒである物質）とい
った材料を原料ガス源１５ａ（図６参照）において適度
に加熱することで気化させて得られるガスが、原料ガス
として用いられる。このような原料ガスは、上述のごと
くその蒸気圧が低いため、反応室１１の内壁に吸着し易
い。また、反応室１１はこれに基板１７を搬入する前に
その内部が高真空状態となるように排気されるが、反応
室内壁に吸着した原料ガスはその蒸気圧が低いもの程短
時間には内壁から離脱しにくいため長い時間にわたって
徐々に離脱する。そのため、反応室１１内は高真空状態
となっていても、反応室内の残留ガスの大部分が原料ガ
スであるような場合が生じる。このような状態の反応室
１１に基板交換室２３から基板１７を基板搬送機構２７
によって搬入すると、基板１７の、基板トレー２７ａに
接している部分は基板トレー２７ａで覆われているので
反応室内に残留している原料ガスの影響を受けにくいが
基板トレー２７ａに接していない部分にはこのガスが吸
着する。残留原料ガスがこのように吸着した基板部分は
そうでない基板部分に比べると基板状態が異なることに
なるので後の成膜に影響を与えることとなり、この結果
両部分に形成される膜の状態に違いを生じさせる。ま
た、反応室１１に上述のごとく残留している原料ガス
は、ＣＶＤ装置の使用に伴い基板交換室２３にも至りそ
の内壁に吸着することとなるので、ＣＶＤ装置を長期間
使用した後は基板交換室２３においても反応室１１の場
合と同様な問題点が生じる。また、このような問題点は
アルミニウム膜を成膜する場合に限られず、蒸気圧が低
い原料ガスを用いる場合すべてに生じると考えられる。

【００１２】このような問題点を回避するためには、反
応室や基板交換室の内壁に吸着しているガスを、これら
の壁の温度を上げることによって積極的に壁から離脱さ
せ外部に排気してしまえば良いが、これを行うには多大
な時間を要するので生産性の点から好ましいことではな
い。また、基板搬送機構の基板トレーを基板全面を覆う
ことができる構造のものとすることも考えられるが、そ
うすると基板搬送機構の構造が複雑になりＣＶＤ装置を
高価なものにする原因になる。さらに、このような基板
搬送機構を採用したとしても基板ホルダ側に基板を移送
した後は残留原料ガスの基板への影響は引き続き生じる
ため成膜前の基板の表面状態を変化させてしまうので、
優れた特性の薄膜を成膜する場合の支障は依然存在して
しまう。また、基板の薄膜堆積予定面を全面的に露出さ
せて基板を搬送する方法も考えられるが、この場合も基
板の薄膜堆積予定面に残留原料ガスの影響は及ぶため成
膜前の基板の表面状態を変化させてしまうので、優れた
特性の薄膜を成膜する場合の支障は依然存在してしま
う。

【００１３】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり、したがってこの発明の目的は、コールドウオ
ール型のＣＶＤ装置であって、反応室内に残留する原料
ガスの基板への影響を簡易な構成で防止若しくは従来よ
り軽減できるＣＶＤ装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、反応室と、前述の反応室を真空
排気するための排気系と、前述の反応室に原料ガスを導
入するための原料ガス導入系と、前述の反応室内に設け
られ基板を保持するための基板ホルダと、前述の反応室
に連結バルブを介し接続されている基板交換室と、該基
板交換室を真空排気するための排気系と、前述の反応室
及び基板交換室間で前述の基板の授受を行なわせるため
の基板搬送機構とを具えるコールドウォール型のＣＶＤ
装置において、反応室内に投入された基板の少なくとも
薄膜が堆積される面に原料ガスと反応することなくかつ
薄膜堆積に影響のない無反応性ガスを供給するための無
反応性ガス供給機構と、該無反応性ガス供給機構から前
述の基板面に供給する前述の無反応性ガスの量を制御す
るための無反応性ガス供給量制御機構とを具えたことを
特徴とする。

【００１５】また、この発明の実施に当たり、基板交換
室にも、該基板交換室に投入された基板の少なくとも薄
膜が堆積される面に原料ガスと反応することなくかつ薄
膜堆積に影響のない無反応性ガスを供給するための無反
応性ガス供給機構と、該無反応性ガス供給機構から前述
の基板面に供給する前述の無反応性ガスの量を制御する
ための無反応性ガス供給量制御機構とを具える構成とす
るのが好適である。その理由は、反応室に残留している
原料ガスは反応室及び基板交換室間での基板の授受にお
いて基板交換室側にも及ぶ場合があり、そして、反応室
側から基板交換室側にこのように及んだ残留原料ガスは
ＣＶＤ装置の長期間の使用において基板交換室側におい
ても基板表面に悪影響を与える程の量となることも考え
られるからである。なお、この好適例において、基板交
換室に投入されたとは、ＣＶＤ装置外部から基板交換室
に基板が投入される場合は勿論、成膜終了後に反応室か
ら基板が基板交換室に戻される形態で投入される場合を
含んでも良い意味である。

【００１６】ここで、この発明において基板とは、薄膜
を堆積させたい種々のものであることができる。例え
ば、半導体装置の製造に使用される各種の半導体基板
や、表示装置形成のため使用されるガラス基板などの種
々の基板、これら基板に素子が作り込まれているような
中間体であることができる。

【００１７】また、原料ガスと反応することなくかつ薄
膜堆積に影響のない無反応性ガスとは、実質的に原料ガ
スと反応することなくかつ薄膜堆積に影響のないガスも
含むものとする。無反応性ガスの具体例としては、不活
性ガスを挙げることが出来る。また、成膜したい薄膜の
種類や用いる原料ガスによっては、不活性ガス以外の他
のガスも無反応性ガスとなり得る場合も考えられる。

【００１８】

【作用】この発明の構成によれば、基板搬送機構により
基板が基板交換室から反応室に投入されたときから、基
板への成膜が終了しかつこの基板が反応室より基板搬送
機構により搬出されるまでの間は、基板の、薄膜が堆積
される面に、無反応性ガスを供給することができる。ま
た、無反応性ガス供給量制御機構を設けてあるので、基
板に薄膜を堆積させている間とそうでない場合とにそれ
ぞれ好適な量で無反応性ガスを基板面に供給できる。

【００１９】また、無反応性ガス供給機構及び無反応性
ガス供給量制御機構を基板交換室側にも設ける構成とし
た場合は、基板がＣＶＤ装置外部から基板交換室に投入
されたときから、基板搬送機構により基板が反応室に投
入され、さらに基板への成膜及びこの基板が反応室より
基板搬送機構により搬出され基板交換室に放置されてい
る一連の期間中、基板の、少なくとも薄膜が堆積される
面に、無反応性ガスを供給することができる。また、無
反応性ガスの供給条件を反応室と基板交換室とでそれぞ
れ別個に設定できる。

【００２０】

【実施例】以下、図６及び図７を用いて説明したコール
ドウォール型のＣＶＤ装置にこの発明を適用した例によ
り実施例を説明する。この説明をいくつかの図面を参照
して行う。しかしながら、説明に用いる各図はこの発明
を理解できる程度に、各構成成分の寸法、形状、および
配置関係を概略的に示してあるにすぎない。また、各図
において同様な構成成分については同一の番号を付して
示してある。さらに、各図において、図６及び図７に示
した構成成分と同様な構成成分については同一の番号を
付して示しその説明を省略する場合もある。

【００２１】１．第１実施例 １−１．装置の構成の説明 図１は第１実施例のＣＶＤ装置の構成を示した図であ
る。この第１実施例のＣＶＤ装置では、反応室１１側に
反応室用の無反応性ガス供給機構４１及び無反応性ガス
供給量制御機構４３を設けてあり、基板交換室２３側に
基板交換室用の無反応性ガス供給機構４５及び無反応性
ガス供給量制御機構４７を設けてある。そして、反応室
１１及び基板交換室２３それぞれの無反応性ガス供給機
構４１，４５は、この場合図１及び図２（Ａ）に示した
ように、対応する室（反応室１１または基板交換室２３
のこと。以下同様。）内に設けられた、多数のガス吹き
出し用孔（図２（Ａ）にのみＰで示す。）を有した直線
状のパイプから成る無反応性ガス吹き出し部４１ａ（４
５ａ）と、室外に設けられた、無反応性ガス吹き出し部
４１ａ（４５ａ）に接続されている無反応性ガス供給源
４１ｂ（４５ｂ）とでそれぞれ構成してある。ただし、
この直線状のパイプから成るそれぞれの無反応性ガス吹
き出し部４１ａ，４５ａは、該パイプが対応する室にお
ける基板の搬送経路に沿うように、かつ、その一方端が
なるべく連結バルブ２１の近くまで及ぶように、然も、
ガス吹き出し用の孔が基板の搬送経路側に向くように、
反応室１１の内壁若しくは基板交換室の内壁に固定して
ある。ガス吹き出し部４１ａ，４５ａの構成としては、
原料ガスに耐性を有し、かつ、真空室内に収容するに支
障の無い従来公知の種々の材料を用いることができる。
また、反応室用の無反応性ガス供給量制御機構４３は、
無反応性ガス吹き出し部４１ａと、無反応性ガス供給源
４１ｂとの間に設けてあり、基板交換室用の無反応性ガ
ス供給量制御機構４７は、無反応性ガス吹き出し部４５
ａと、無反応性ガス供給源４５ｂとの間に設けてある。
これら無反応性ガス供給量制御機構４３，４７は例えば
公知の流量制御装置で構成できる。また、無反応性ガス
供給源４１ｂ，４５ｂは例えば不活性ガス供給源で構成
でき、この実施例ではアルゴンガス供給源で構成してい
る。なお、図示例では、反応室用及び基板交換室用にそ
れぞれ別個に無反応性ガス供給源を設けた例を示してい
るがこれは構成成分を明確にするためそうしているにす
ぎず、無反応性ガス供給源４１ｂ，４５ｂを反応室及び
基板交換室で共用のものとしても何ら問題ない（以下の
各実施例において同じ。）。また、反応室１１及び基板
交換室２３にそれぞれ設ける多数のガス吹き出し用孔を
有した直線状のパイプから成る無反応性ガス吹き出し部
４１ａ（４５ａ）の本数は、１本に限られず基板の大き
さや形状に応じもちろん変更できる。

【００２２】１−２．装置の動作の説明 次に、この第１実施例のＣＶＤ装置の動作について説明
する。

【００２３】先ず、基板交換室２３を窒素ガスによって
大気圧に戻した後にこの基板交換室２３の基板トレー２
７ａに基板１７を設置する。基板交換室用の無反応性ガ
ス供給機構４５は無反応性ガスをその吹き出し部４５ａ
から常に噴出している。こうすることにより、大気中の
水分などが無反応性ガス供給機構４５の無反応性ガス吹
き出し部４５ａ内に入ることを防止できる。この実施例
では、無反応性ガス供給機構４５は、アルゴンガスを３
００ｓｃｃｍ程度の流量で常に噴出している。次に、基
板交換室２３内を排気系２５により排気する。この排気
処理中においても、基板交換室２３内では無反応ガス供
給機構４５から所定流量で無反応性ガスが基板１７の少
なくとも薄膜堆積予定面に供給されているので、基板交
換室２３内の残留原料ガスが基板面に到達することを防
止できる。一方、反応室１１内は、基板交換室２３から
基板を搬入する前に、反応室用の無反応性ガス供給機構
４１から無反応性ガス（ここではアルゴンガス）を供給
しない状態で、排気系１３によって高真空に排気する。
そして、反応室１１内が所定の真空度になったら、無反
応性ガス供給機構４１から無反応性ガスを供給する。こ
の実施例では、反応室用の無反応性ガス吹き出し部４１
ａからアルゴンガスを３００ｓｃｃｍ程度の流量で噴出
させる。このように反応室の状態が形成できたら、次
に、基板交換室２３と反応室１１とを隔てている連結バ
ルブ２１を開き、基板１７を基板搬送機構２７によって
基板ホルダ１９まで搬送する。次に、基板ホルダ１９の
基板受け１９ａによって基板１７を基板搬送機構２７の
基板トレー２７ａから基板ホルダ１９側に移動させ、さ
らに、基板加熱台１９ｂに押しつける。この基板１７の
移動の際、反応室用の無反応性ガス吹き出し部４１ａか
らは上述のごとくアルゴンガスが３００ｓｃｃｍ程度の
流量で噴出されているので、反応室１１内の圧力は０．
０１Ｔｏｒｒ程度になっている。この圧力ではガスの平
均自由行程は約５ｍｍである。この距離はＣＶＤ装置に
おける基板と反応室壁面との典型的な距離である約１０
ｃｍに比べて十分に短い。このため、壁面から離脱した
残留原料ガスは基板表面に直接到達することはできな
い。また、壁面から離脱した残留原料ガスで反応室内を
漂うものは無反応性ガス供給機構４１から供給されたア
ルゴンガスによって散乱されアルゴンガスの流れにそっ
て下流に輸送され排気系１３によって外部に排気され
る。これらのことから、残留原料ガス粒子が基板面に到
達するのを防止できる。

【００２４】次に、原料ガス導入系１５により反応室１
１内に原料ガスを導入して基板１７の表面に所望の薄膜
を堆積させる。成膜を行う際には適正なときに無反応性
ガスの供給量を反応室用の無反応性ガス供給量制御機構
４３によって成膜前の状態より少なくするのが良い。原
料ガスの基板上での反応が無反応性ガスの影響で妨害さ
れることを防ぐためである。この際、無反応性ガスの供
給を停止することも考えられるが、無反応性ガスの供給
を停止すると無反応性ガス吹き出し部４１ａ中に原料ガ
スが入り込みその後不具合が生じる恐れが高いので、無
反応性ガス吹き出し部４１ａ中に原料ガスが入り込むこ
とを防止できる程度の流量で無反応性ガスは供給してお
くのが良い。

【００２５】また、この成膜工程においては、所望の膜
厚の薄膜が得られるよう適切に原料ガスの供給量を制御
しかつ原料ガスの供給を停止する。その際、適切なとき
に無反応性ガスの流量を再び成膜前の流量に戻す。これ
により基板への残留原料ガスの影響を防止する。その
後、基板１７を、反応室１１への基板搬入手順と逆の手
順によって基板交換室２３に搬送し、さらに、基板交換
室２３から取り出す。

【００２６】２．第２実施例および第３実施例 第１実施例では反応室及び基板交換室にそれぞれ直線状
のパイプにより構成した無反応性ガス吹き出し部４１ａ
（４５ａ）を設ける例を説明したが、無反応性ガス吹き
出し部４１ａ（４５ａ）の構成は勿論これに限られな
い。以下に、いくつかの例を説明する。

【００２７】２−１．第２実施例 図３は、反応室１１の無反応性ガス吹き出し部４１ａ及
び基板交換室２３の無反応性ガス吹き出し部４５ａとし
て、複数のノズルを基板搬送経路に沿って、かつ、基板
面に無反応性ガスを供給できるような配置及び個数（図
示例では２個（もちろんこの数に限られない））で設け
た設けた構成例（第２実施例）を示した図である。

【００２８】２−２．第３実施例 図４は、基板交換室２３用の無反応性ガス吹き出し部４
５ａを、基板１７が基板搬送機構２７により搬送される
に伴って移動できる構成とした例（第３実施例）であ
る。具体的には、図４及び図５に示したように、基板ト
レー２７ａの下方に例えばこの基板トレー２７ａに固定
され、無反応性ガス吹き出し用孔（図５のみにＰで示
す。）を有したガス溜り４５ａａと、このガス溜り４５
ａａに接続されこのガス溜り４５ａａに無反応性ガスを
供給するための伸縮自在な配管（例えばベローズ）４５
ａｂとで構成された、無反応性ガス吹き出し部４５ａを
具えている。なお、この第３実施例の場合は、基板が反
応室１１の基板ホルダ１９に搬送されるまでの間では、
交換室２３側の無反応性ガス供給機構４５により基板１
７の少なくとも薄膜が堆積される面に無反応性ガスを供
給できるので、反応室１１用の無反応性ガス吹き出し部
４１ａは基板ホルダ１９近傍において無反応ガスを基板
面に供給できれば充分である。したがって、反応室１１
側の無反応性ガス吹き出し部４１ａは、連結バルブ２１
の近くまで延長させる必要は必ずしもない。そこで、無
反応性ガス吹き出し部４１ａとして、直線状のパイプの
代わりに、例えば図２（Ｂ）に示した様な、多数のガス
吹き出し用孔Ｐを有したリング状のものを用いても良
い。またさらに、反応室１１側の無反応性ガス吹き出し
部４１ａ自体を、基板ホルダ１９の基板受け１９ａの動
作に伴い移動するような構成としても良い。具体的に
は、図示は省略するが、基板ホルダ１９の基板受け１９
ａに無反応性ガス吹き出し用ノズルを、基板面に無反応
性ガスを供給できるに好適な配置及び数で設け、これら
ノズルに伸縮自在な配管によって無反応性ガスを供給す
る構成などである。

【００２９】上述においては、この発明のＣＶＤ装置の
実施例について説明したが、この発明は上述の実施例に
限られない。例えば、各実施例で説明した無反応性ガス
吹き出し部４１ａ，４５ａの構成は一例にすぎず、従っ
て、その構成は基板の形状や、基板ホルダ及び基板搬送
機構の構成によって任意に変更できる。

【００３０】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のＣＶＤ装置によれば、反応室に、基板の薄膜堆
積面に所定の無反応性ガスを供給できる機構及びそのガ
スの供給量を制御する機構を設ける。また、これら機構
を設けることは、基板搬送機構を改良することや反応室
壁から残留ガスを排除しようとする行為に比べ容易であ
る。したがって、反応室においてそこに残留している原
料ガスに起因して基板面が成膜前に変化することを防止
若しくは従来より低減することを、従来より簡易に行え
る。このため、基板搬送機構が基板搬送中に基板の一部
を覆い他の部分を露出するような構造となっていたとし
ても、両部分の表面状態に残留原料ガスが原因で違いが
生じる危険性が無くなるかまたは従来より軽減できる。
このため、基板全面にわたって均一な膜質の所望の薄膜
の形成が期待できる。

【００３１】また、基板交換室にも無反応性ガス供給機
構及び無反応性ガス供給量制御機構を具える構成の場
合、基板がＣＶＤ装置外部から基板交換室に投入された
ときから、反応室での成膜過程を経て再び基板が基板交
換室に戻されるまでの間、基板の、少なくとも薄膜が堆
積される面に、無反応性ガスを供給することができる。
このため、基板交換室側において残留原料ガスが問題と
なる場合にも対応できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例のＣＶＤ装置の説明に供する図であ
る。

【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は実施例の説明に供する図で
あり、無反応性ガス吹き出し機構に備わる無反応性ガス
吹き出し部の説明に供する図である。

【図３】第２実施例のＣＶＤ装置の説明に供する図であ
る。

【図４】第３実施例のＣＶＤ装置の説明に供する図であ
る。

【図５】第３実施例のＣＶＤ装置の説明に供する図であ
り、特に基板ホルダと基板搬送機構との要部を示した図
である。

【図６】従来のＣＶＤ装置の全体構成を示した図であ
る。

【図７】従来及びこの発明の説明に供する図であり、基
板ホルダと基板搬送機構との説明図である。

【図８】従来技術の問題点の説明図である。

【符号の説明】

１１：反応室 １３：反応室用の
排気系 １５：原料ガス導入系 １７：基板 １９：基板ホルダ １９ａ：基板受け １９ｂ：基板加熱台 １９ｃ：基板受け
上下機構 ２１：連結バルブ ２３：基板交換室 ２５：基板交換室用の排気系 ２７：基板搬送機
構 ２７ａ：基板トレー ２７ｂ：アーム部 ２７ｃ：駆動部 ４１：反応室用の無反応性ガス供給機構 ４１ａ：反応室用の無反応性ガス吹き出し部 ４１ｂ：反応室用の無反応性ガス供給源 ４３：反応室用の無反応性ガス供給量制御機構 ４５：基板交換室用の無反応性ガス供給機構 ４５ａ：基板交換室用の無反応性ガス吹き出し部 ４５ａａ：ガス溜り ４５ａｂ：伸縮自
在な配管 ４５ｂ：基板交換室用の無反応性ガス供給源 ４７：基板交換室用の無反応性ガス供給量制御機構

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応室と、前記反応室を真空排気するた
   めの排気系と、前記反応室に原料ガスを導入するための
   原料ガス導入系と、前記反応室内に設けられ基板を保持
   するための基板ホルダと、前記反応室に連結バルブを介
   し接続されている基板交換室と、前記基板交換室を真空
   排気するための排気系と、前記反応室及び基板交換室間
   で前記基板の授受を行なわせるための基板搬送機構とを
   具えるコールドウォール型のＣＶＤ装置において、 反応室内に投入された基板の少なくとも薄膜が堆積され
   る面に原料ガスと反応することなくかつ薄膜堆積に影響
   のない無反応性ガスを供給するための無反応性ガス供給
   機構と、 該無反応性ガス供給機構から前記基板面に供給する前記
   無反応性ガスの量を制御するための無反応性ガス供給量
   制御機構とを具えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のＣＶＤ装置において、 基板交換室にも、 前記基板交換室に投入された基板の少なくとも薄膜が堆
   積される面に原料ガスと反応することなくかつ薄膜堆積
   に影響のない無反応性ガスを供給するための無反応性ガ
   ス供給機構と、 該無反応性ガス供給機構から前記基板面に供給する前記
   無反応性ガスの量を制御するための無反応性ガス供給量
   制御機構とを具えたことを特徴とするＣＶＤ装置。