JPH06268014A

JPH06268014A - テープキャリア型半導体装置および、その構成方法

Info

Publication number: JPH06268014A
Application number: JP5053963A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Miyano; 一郎宮野; Munehiro Yamada; 宗博山田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-03-15
Filing date: 1993-03-15
Publication date: 1994-09-22

Abstract

(57)【要約】【目的】ＬＳＩの中心部分に電極が配置されているＬ
ＯＣ（リード・オン・チップ）型ＬＳＩをテープキャリ
ア型半導体として構成する技術を提供する。【構成】テープキャリアの両面に配線が形成されてい
る場合は、テープキャリア上面の配線をクランク型に成
型加工して、キャリア両面の配線先端の電極部分（ＬＳ
Ｉの電極に接続される個所）の高さを揃える。テープキ
ャリアの片面のみに配線が形成されている場合は、配線
先端部をテープの反対面側に折り返してソルダーレジス
トで電気絶縁を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はテープキャリア型半導体
に係り、特にＬＳＩ上の電極をＬＳＩ表面の中心部分に
集めることによりパターン設計の簡略化を図るとともに
グランド電極をＬＳＩ上に横たわる位置で配置して耐ノ
イズ性向上を図ったＬＯＣ型半導体装置テープキャリア
型半導体装置として構成する技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】グランド電極をＬＳＩパターン上に配置
し、その他の電極もＬＳＩ表面の中心部分に集めた構造
のＬＯＣ型半導体装置をワイヤボンディングによりリー
ドフレームに接続し、エポキシ系のレジンによりモール
ドする構造のプラスチックパッケージは既に存在する。
しかしこの種のＬＯＣ型ＬＳＩをテープキャリア型半導
体としたものは無い。またＬＯＣ型ＬＳＩを用いて少な
くとも２個以上のＬＳＩを内蔵するプラスチックパッケ
ージとしたものも無い。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ＬＳＩの設計に際して
は特にその電極配置が該ＬＳＩの面積を決める大きい要
因となりプラスチックパッケージ・テープキャリアとし
て基板上に実装する際の占有面積が大きく影響される。
近年ＬＳＩ上の電極をＬＳＩ表面の中心部分にあつめた
ＬＯＣ型半導体装置が開発された。このＬＯＣ型半導体
装置は、グランド電極をＬＳＩパターン上に配置してＬ
ＳＩのパターン設計の簡略化と合わせてノイズの低減を
図り、リードフレームとの電気的接続時ワイヤボンディ
ングされるリードフレームとＬＳＩとの両者の電極をＬ
ＳＩ面中央部に配置することで、プラスチックパッケー
ジの外形を縮小可能とする工夫が為されている。しかし
このＬＯＣ型ＬＳＩのグランド電極が接続されるリード
フレーム上の配線が、他の配線と立体的に交差する為、
ワイヤボンディングによるジャンパー配線は行えていた
ものの、２次元的な配線となるテープキャリア型半導体
とすることが難しかった。１個のパッケージ中に少なく
とも２個以上のＬＳＩを内蔵するプラスチックパッケー
ジ型半導体装置を構成しようとした場合には、リードフ
レームとワイヤボンディングによる方法では、ＬＯＣ型
ＬＳＩ上電極の配置と形状により容易には構成すること
ができなかった。

【０００４】本発明は上述の事情に鑑みて為されたもの
であって、ＬＯＣ型ＬＳＩを低コストでテープキャリア
型半導体に構成し得る技術を提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明は、両面に金属箔（例えば銅箔）による配線を
形成したテープキャリアを用いる場合にはＬＳＩ上の電
極と接続されるテープキャリア上の電極部分とに成型加
工を施し、テープキャリアの厚さ方向で他面の配線パタ
ーンの存在する側の位置と同じ高さとする。

【０００６】片面にのみ金属箔による配線パターンを形
成したテープキャリアを利用する場合には、ＬＳＩ上の
グランド電極と接続される配線をその他の電極を取り囲
む位置で形成し、それにこれらの配線の端部に折り返し
加工を施す。この時その他の電極との電気的絶縁を保つ
ため、電極の折り返し部分が接触するテープキャリアの
配線位置にソルダーレジストを塗布するか、もしくは折
り返すとき配線の存在しない反対面側に折り返しを行
い、テープキャリアを間に挾む。ＬＳＩ上グランド電極
と接続される配線を実装時の基板等との接続で用いる外
部電極の外周に設け、中心に向かって折り返すことも考
えられる。ＬＳＩ上グランド電極と接続される配線を実
装時の基板等との接続で用いる外部電極の外周に設ける
場合には、テープキャリアごと折り返すこともできる。

【０００７】テープキャリア型半導体装置とリードフレ
ームを利用して少なくとも２個以上のＬＳＩを内蔵する
プラスチックパッケージを構成する場合には、テープキ
ャリア半導体と接続される部分のリードフレームを折り
返して、該部の厚さを他の部分の２倍とするか、テープ
キャリアの電極をガルウイング上に成型加工する。

【０００８】

【作用】両面に銅箔による電極を設けたテープキャリア
を用いる場合にはＬＳＩ上の電極と接続されるテープキ
ャリア上の電極部分に成型加工を施し、テープキャリア
の厚さ方向で他方の配線パターンの存在する側の位置と
同じ高さとすることにより、ＬＳＩ上のパターンの存在
する位置に来るグランド層電極の絶縁と、ＬＳＩとテー
プキャリアとの電気的な接続を可能とする。片側に銅箔
による配線パターンを形成するテープキャリアを利用す
る場合には、グランド電極となる銅箔パターンをその他
の電極を取り囲む位置で形成し、それを折り返し加工を
施す。この時テープキャリアに対するスルーホールの加
工は不要となるため大きな生産コストの低減を図り得
る。

【０００９】前記の手段によると、グランド電極をＬＳ
Ｉ上に複数設けることが可能となるため、耐ノイズ性の
向上、誤動作の防止をはかることも可能となる。

【００１０】テープキャリア半導体と接続される部分を
折り返し、該折り返し部の厚さを他の部分の２倍とした
リードフレームを利用して、もしくはテープキャリア上
の電極をガルウイング状に成型することにより同じパタ
ーンのＬＳＩを使った場合でも少なくとも２個以上のＬ
ＳＩを内蔵するプラスチックパッケージを構成すること
が容易にできる。

【００１１】テープキャリア型半導体装置の形状のまま
であっても、ＬＳＩ上の電極と、テープキャリア上の電
極の接続部分にポッティングレジン等による保護を行え
ば、薄型のパッケージとして回路基板に実装可能とな
る。

【００１２】

【実施例】次に、図１〜図５を参照しつつ第１の実施例
について説明する。本例は、テープキャリアにおいて両
表面に銅箔を設け、これをエッチング加工して成る配線
パターンを設けたものを用いる。この時搭載される、Ｌ
ＳＩ表面と接触する面には、図２のようにＬＳＩ上のグ
ランド電極と接続される配線１のみを配置しておく。上
記グランド（Ｖｃｃ）電極と接続される配線上からは、
ＬＳＩ上のグランド電極の位置に合わせて、接続部分と
なる部分を引き出しておく。グランド電極と接続される
部分以外の銅箔配線２を図１の様に下向きのクランク型
に成型加工し、グランド電極と接続される電極部分に比
して、テープキャリア３の厚さ方向について同じ高さに
する。また、テープキャリア３上の配線で外部と接続さ
れる電極になる部分は、ＬＳＩ表面に接触するものに対
して、テープキャリア型半導体として個片に打ち抜き加
工を施した後、図３に示すように、テープキャリアの厚
さ方向で、他の面に存在する同様の電極と同じ高さとな
るよう上向きクランク型に成型加工を施す。この時の曲
げ量は、テープの厚さにより変化する。とくに外部電極
となる配線部分では、テープキャリアの厚さが薄い場合
には成型加工を行わなくても接続可能な場合が有る。こ
の成型加工を電極部分に施す構造によれば、テープキャ
リアの両面間での電気的導電をとる目的のスルーホール
を設ける必要が無くなる為、大幅な製造コストの低減が
図れる。

【００１３】テープキャリアとＬＳＩとの接続では、グ
ランド電極と接続される配線の絶縁をテープキャリアと
同じ材質のテープもしくはＬＳＩ上に塗布されたＰＩＱ
の様な有機皮膜で行いながら、ＬＳＩの電極上に設けら
れたＡｕめっきまたはボールボンディング法により設け
られたＡｕの突起状電極と、テープキャリアのＬＳＩ上
電極と接続される電極部分に施されたＡｕめっきを用い
た熱圧着等を用いる。熱圧着ではテープキャリアの銅箔
とＬＳＩ上の突起状電極とが変形する程度の荷重を加え
る。加熱ツールはすべての電極が一度に熱圧着できるだ
けの幅を持つものとする。テープキャリアの打ち抜き孔
の形状は、加熱ツールとテープキャリアの距離が十分に
とれる形状としておく。ＬＳＩとグランド電極と接続さ
れる配線の絶縁にテープを使用する場合にはその厚さ分
の電極部の成型加工が必要になる。

【００１４】ＬＳＩの位置は、グランド電極と接続され
る配線が存在する方向からテープキャリアに接続される
ように設定する。

【００１５】本実施例おける、テープキャリアの材料と
して、宇部興産株式会社製のユーピレックスもしくはデ
ュポン社製のカプトン（Ｋａｐｔｏｎ）（いずれも商標
名）が好適である。

【００１６】ＬＳＩとテープキャリアとの接続後は、図
４のように電極の接続部分には、熱硬化性のポッティン
グレジン１２を塗布し、対湿性の向上及び機械的な補強
を行う。このときテープキャリア上にポッティングにレ
ジン１２との密着性を向上させる目的で、図５の様な孔
６の加工を施しておくことも考えられる。

【００１７】ＬＳＩとテープキャリアとを、電気的に接
続するまでの工程は、すべてリール状態で作業を行うこ
とができる。

【００１８】次に、図６〜図８を参照しつつ第２の実施
例について説明する。図６の様なパターンで、ＬＳＩと
接続される電極となる配線部分、特にＬＳＩ上に複数個
存在するグランド（Ｖｃｃ）電極と接続される電極部分
を連結した配線部分が、テープキャリア３から宙吊りの
状態で、その他の電極を取り囲む形状となる様に配線し
ておく。配線はテープキャリアの片面にのみ、０．０３
５mm程度の銅箔層を設けた後エッチング等で形成する。
このグランド端子と接続される電極部分を連結した配線
部分をＬＳＩの中心側から外に向かって１８０°折り返
す。折り返す方向は、テープキャリア上の配線が存在す
る面の方向とする。折り目の位置はテープキャリアから
僅かに離れた図７の様な位置とすることで、テープキャ
リアからの銅箔配線の剥離を防止することが可能とな
る。折り返すことでその他の配線と接触する部分では、
折り返される部分が接触するテープキャリア上の電極に
ソルダーレジスト７を塗布しておきこれにより電気的な
絶縁を行う。

【００１９】ＬＳＩとテープキャリアの接続ではＬＳＩ
上に施したＡｕめっきまたはＡｕ細線のボールボンディ
ングによる突起状電極とテープキャリア上の電極の熱圧
着により接続を行う。折り返される位置に有するＬＳＩ
電極と接続される部分の長さをある程度の範囲を持って
設けておくことで、ＬＳＩとテープキャリアの熱圧着を
行う際に、折り返しの無い部分の電極の高さとの食い違
いを吸収できる。この時ＬＳＩは折り返した配線部の存
在する面の方から接続される。ＬＳＩ上のパターンと電
気的な絶縁を行う目的で、ＬＳＩとテープキャリア上の
間に図８のように新たにテープキャリアと同様の材料で
出来たテープキャリア３´を接着するか、もしくはＬＳ
Ｉ表面にＰＩＱの様な有機皮膜を塗布しておく。但しテ
ープ接着により絶縁を施すと、ＬＳＩ上の電極位置が僅
かに下に下がるので、それに合わせたテープキャリア上
電極の成型加工が必要になる。

【００２０】ＬＳＩとテープキャリアとを接続した後
は、電極の接続部に、図４について先に説明したのと同
様にして、熱硬化性のレジンをポッティングもしくはモ
ールドし、対湿性の強化及び機械的な補強を行う。

【００２１】次に、第３の実施例について説明する。配
線パターンは第２の実施例に示したものと同様とする。
但しこの時テープキャリアを１８０°折り返す方向をテ
ープキャリア上の配線の存在しない方向とする。これに
よりテープキャリアの材料がグランド層と接続される電
極以外との間に挟まれる形状となり、電気的な絶縁を保
つことができる。折り返しの際の折り目はテープキャリ
アの縁からある程度の距離をおいておき、折り返しによ
ってテープキャリアから剥離が起きない状態にしてお
く。配線パターンについては図６に示した第２の実施例
の配線パターンと同様である。

【００２２】ＬＳＩは折り曲げたグランド層と接続され
る配線層の存在する方向から接続されるものとし、この
ときグランド層と接続される電極以外はテープキャリア
の厚さ方向で僅かに下向きにクランク型の成型加工を施
しておく。またＬＳＩ上の配線パターンとの電気的絶縁
を行うのであれば、テープキャリアと同様の材料のテー
プを用いて、折り返した配線部をカバーする程度に貼付
ることも考えられる。このときテープキャリア上の配線
はテープの厚さ分だけ僅かに下方へクランク型をなすよ
うに加工を施す。ＬＳＩ表面がＰＩＱの様な有機皮膜を
塗布されているのであれば、特に電気的絶縁材料を接着
する必要は無い。

【００２３】電極の保護と、耐湿性の向上とを目的とし
てポッティングレジンを塗布することも考えられる。テ
ープキャリア上の電極とＬＳＩ上のパターンとの電気的
絶縁を目的とするテープでＬＳＩとテープキャリアとの
仮固定を行うことも考えられるがこの場合には、接合す
る電極部分の機械的な補強効果を持たせることができ
る。次に、図９ないし図１１を参照しつつ第４の実施
例を説明する。第２の実施例および第３の実施例におけ
ると同様に、ＬＳＩ上のグランド電極と接続される配線
を連結したパターンを、ＬＳＩの内側でなく外部との接
続電極の形成される側に図９のように形成する。テープ
キャリアの外部電極となる部分を切離し、図１０の形状
とした後に、グランド電極と接続される電極を連結した
部分をＬＳＩの中心に向かって１８０°折り返す。この
工程をリール状態で行うためには、テープキャリア上で
ＬＳＩを取り囲むように存在するサポートリングと呼ば
れる部分により、リール状態に有るテープ部分と接合状
態を残しておく。テープを折り返す場合には配線が内側
になるように折り返すものとする。この時テープキャリ
ア上で電極相互が接触する部分にはソルダーレジスト等
を塗布しておき電気的な絶縁を行う。

【００２４】またグランド電極と接続される電極を連結
した部分を図１１のようにテープごと折り返す方法も考
えられる。この場合にはテープの厚さが２倍となる部分
を生じるため出来るだけテープキャリア自体の厚さは薄
くしておく。折り曲げを行うテープ部分はできるだけ配
線パターンの幅に近くしておき、折り曲げ時の抵抗を減
らす。

【００２５】ＬＳＩは折り曲げを行った配線部分の存在
する側からテープキャリアに接続されるものとする。折
り曲げの際にＵＶ効果型エポキシ系接着剤により折り曲
げ部分の戻りを防ぐとともに、ＬＳＩ表面への固定を行
うようにしておく。

【００２６】なお、ＬＳＩ上の電極位置とテープキャリ
ア上の電極位置が異なる場合には、ＬＳＩとの接続で使
われるテープキャリア電極部分の成型加工が必要にな
る。

【００２７】次に、図１２ないし図１４を参照しつつ第
５の実施例について説明する。第１の実施例ないし第４
の実施例に記載したテープキャリア型半導体装置と銅薄
板もしくは４２アイロを材料とするリードフレームを用
いる。テープキャリアを各ＬＳＩごとの個片に切り出し
たあと、図１２のように外部電極部分をガルウイング状
に成型し、その電極に施されたＡｕめっきとリードフレ
ームの接続部分に施されたＳｎめっきを用いて、その時
のそれぞれＡｕめっき膜厚とＳｎめっき膜厚により規定
されるＡｕ−Ｓｎ合金の組成にふさわしい、温度３５０
℃〜４００℃の加熱ツールを用いて熱圧着する。この後
に所定の金型を用いて、従来行われているようにエポキ
シレジによるモールドを行いパッケージを完成させる。

【００２８】この時、従来のワイヤボンディング法を用
いてＬＳＩをリードフレームに電気的に接続する構造で
は、特に図１３に示すＬＯＣ構造のＬＳＩの電極配置で
は、１個のリードフレーム９に対して２個以上のＬＳＩ
を接続することは、その構造上難しい。しかし本発明の
テープキャリア型半導体装置を用いるならば、その薄い
外形と、外部電極の形状が比較的簡素にできることを利
用して、容易に２個以上のＬＳＩチップを１パッケージ
に相当するスペースに配置することが出来る。

【００２９】例えば搭載されてるＬＳＩがメモリＬＳＩ
だとすると、その動作の有無を規定するチップセレクト
電極以外は共通とすることが出来ることからリードフレ
ーム上の同じ位置の電極に２個以上の電極を同時に接続
することが可能となる、２個だけであればリードフレー
ムの上下から単に接続するだけで良い。また、図１４の
ようにテープキャリア位置を電極１本分前後にずらして
接続するのであれば、リードフレームの片側に、２個の
テープキャリア接続することもできる。動作するＬＳＩ
を決める、チップセレクト電極はテープキャリア内の配
線で独立した電極にしておき、この電極のみをリードフ
レームの異なる電極に接続するものとすれば、特に異な
る電極配置のＬＳＩを用いることなく、内蔵される各Ｌ
ＳＩを全て同じ方向に向けたまま、複数個のＬＳＩパッ
ケージを内蔵するパッケージを構成することができる。

【００３０】次に、図１５を参照しつつ第６の実施例に
ついて説明する。第５の実施例に記載した、リードフレ
ームとテープキャリアを用いる複数のＬＳＩを内蔵する
パッケージにおいて、リードフレーム上のテープキャリ
アの外部電極と接続される電極に対し、折り返し加工を
施して厚さを他の部分の２倍とすることで、複数のＬＳ
Ｉパッケージをリードフレームの上下に接続する際、そ
れぞれが干渉しない位置となるようにする。たとえばこ
の時２個のテープキャリア型半導体装置を用いるのであ
れば、図１５のように上もしくは下のどちらか一つのテ
ープキャリアのリードフレームに対して成型加工を施す
だけでＬＳＩ４が相互に接触することが無くなる。電気
的接続ではテープキャリア上電極に施されたＡｕめっき
とリードフレームの接続部分に施されたＳｎめっきを用
いて、その時のそれぞれＡｕめっき膜厚とＳｎめっき膜
厚により規定されるＡｕ−Ｓｎ合金の組成にふさわし
い、温度３５０℃〜４００℃の加熱ツールを用いて熱圧
着し、所定の金型によりモールドを行いパッケージを完
成させる。

【００３１】

【発明の効果】ＬＯＣ型ＬＳＩのような電極配置のＬＳ
Ｉを低コストでテープキャリア型半導体とすることがで
きる。また薄い形状を利用して複数のテープキャリアを
リードフレームの１パッケージ分の位置に接続すること
で、ワイヤボンディングにより構成するよりも容易に、
１パッケージに少なくとも２個以上のＬＳＩを内蔵する
パッケージを構成できる。ＬＳＩの種類が例えばメモリ
であった場合には１パッケージ分の、メモリ容量を実装
手段のみにより増加できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例における電極のクランク型の
成形状態を示す斜視図である。

【図２】同じく、上下両面に配線を有するテープキャリ
アの配線を示す斜視図である。

【図３】外部電極に対する成型加工を説明するための斜
視図である。

【図４】電極部分のレジンのポッティング状態を示す斜
視図である。

【図５】テープとレジンの密着性向上のための穴開け加
工を説明するための斜視図である。

【図６】テープ内側に形成した折り曲げぐグランド電極
を示す平面図である。

【図７】グランド電極折り返し構造の説明図である。

【図８】絶縁用テープの接着状態。

【図９】テープ外側に形成した折り曲げグランド電極。

【図１０】銅箔製電極のみ折り返し（外側グランド電
極）。

【図１１】テープごと折り返し（外側グランド電極）。

【図１２】テープキャリア上電極に対するガルウイング
状成型加工とリードフレームとの接続。

【図１３】ＬＯＣ型ＬＳＩの従来構造。

【図１４】リードフレーム片側にテープキャリアを配置
する構造例。

【図１５】リードフレームを折り曲げる場合の構造。

【符号の説明】

１…グランド層電極と接続される配線，２…グランド層
以外の電極と接続される配線，３…テープキャリア，４
…ＬＳＩ，５…ＬＳＩ上の電極，６…ポッティングレジ
ンとの密着性を向上させる目的のテープキャリア上の
孔，７…ソルダーレジスト，８…絶縁用テープ材，９…
リードフレーム，１０…モールドレジン，１１…ワイヤ
ーボンディング材，１２…ポッティングレジン。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上下両表面に金属層を設けて、その一部
分を除去加工してなる配線を設けたＬＳＩテープキャリ
アにおいて、ＬＳＩ上の電極と接続されるテープキャリ
ア上面の電極部分を、テープ下面で対応する同様の電極
部分と同じ高さとなるようにクランク型に成型加工し
て、ＬＳＩ上のパターンに横たわる位置でグランド電極
と接続される配線を配置するＬＯＣ型ＬＳＩをもテープ
型半導体として構成することを可能ならしめたテープキ
ャリア型半導体装置。
【請求項２】片側の表面にのみ金属層を設けて、その
一部分を除去加工してなる配線を設けたＬＳＩテープキ
ャリアにおいて、ＬＳＩ上の電極と接続される配線の一
部を、その他の配線との干渉を避けた位置で、他の同様
の配線を取り囲むように形成しておき、この部分を配線
の存在する面側に折り返し、この折り返す配線部分と接
触するその他の配線上に、ソルダーレジストによる電気
的絶縁を施して、ＬＳＩ上のパターンに横たわる位置で
グランド電極に関する配線が位置するＬＯＣ型ＬＳＩを
もテープキャリア型半導体として構成することを可能な
らしめたテープキャリア型半導体装置。
【請求項３】片側の表面にのみ金属層を設けて、その
一部分を除去加工してなる配線を設けたＬＳＩテープキ
ャリアにおいて、ＬＳＩ上の電極と接続される配線の少
なくとも一部を、その他の配線との干渉を避けた位置
で、他の同様の配線を取り囲むように形成しておき、こ
の部分を配線の存在しない面側に折り返し、テープの介
在により折り返す配線部分と他の配線の電気的絶縁をは
かる構造として、ＬＳＩ上パターンに横たわる位置にグ
ランド電極に関する配線が位置するＬＯＣ型ＬＳＩをも
テープキャリア型半導体として構成することを可能なら
しめたテープキャリア型半導体装置。
【請求項４】片側の表面にのみ金属層を設けて、その
一部分を除去加工してなる配線を設けたＬＳＩテープキ
ャリアにおいて、ＬＳＩ上の電極と接続される配線の少
なくとも一部を、その他の電極との干渉を避けた位置
で、実装時の基板等外部への接続電極となる部分の外側
に、その他の電極を取り囲むようにテープの無い部分へ
形成しておき、この部分をテープ上、配線の存在しない
側へ、搭載ＬＳＩの中心に向かうように折り返し、その
他の配線と電気的に絶縁して、ＬＳＩ上パターンに横た
わる位置でグランド電極に関する配線が位置するＬＯＣ
型ＬＳＩをもテープキャリア型半導体として構成するこ
とを可能ならしめたテープキャリア型半導体装置。
【請求項５】上記請求項１ないし同４の内の何れかに
記載されたテープキャリア型半導体装置において、テー
プキャリア型半導体の外部電極にＡｕめっきを施し、ガ
ルウイング状に成型し、銅薄板の上にＳｎにめっきした
リードフレームの上下両表面に、テープキャリア型半導
体熱を圧着して、少なくとも２枚のＬＳＩを内蔵したプ
ラスチックパッケージを具備する半導体パッケージ。
【請求項６】上記請求項１ないし同４の内の何れかに
記載されるテープキャリア型半導体装置において、テー
プキャリア型半導体の外部電極にＡｕめっきを施したも
のと、銅薄板の上にＳｎにめっきしテープキャリア電極
と接続される位置に折り返し加工を施して、厚さを他の
部分２倍としたリードフレームをもちい、上下両表面
に、テープキャリア型半導体を熱圧着することで少なく
とも２枚のＬＳＩを内蔵したプラスチックパッケージを
具備する半導体パッケージ。
【請求項７】片側の表面にのみ銅箔層を設け、これを
エッチング等で加工してなる配線を設けた、ＬＳＩテー
プキャリアにおいて、ＬＳＩ上の電極と接続される配線
部分の少なくとも一つを、その他の電極との干渉を避け
た位置で、実装時に外部への接続電極となる部分の外側
に、他の同様の配線部分を取り囲むようにテープ上へ形
成しておき、この配線の存在する部分をテープごと、配
線の存在しない側に折り返し、テープの介在により他の
配線と電気的に絶縁し、ＬＳＩ上に横たわる位置でグラ
ンド電極に関する配線を位置するＬＯＣ型ＬＳＩをもテ
ープキャリア型半導体として構成することを可能ならし
めたテープキャリア型半導体装置。
【請求項８】請求項７に記述のＬＳＩテープキャリア
において、ＬＳＩ上の電極と接続される部分の少なくと
も一つを、その他の電極との干渉を避けた位置で、実装
時の基板等外部への接続電極となる部分の外側に、他の
同様の配線部分を取り囲むようにテープ上へ形成してお
き、この配線の存在する部分をテープごと、配線の存在
する側に折り返し、ソルダーレジスト等により他の配線
と電気的に絶縁し、ＬＳＩ上に横たわる位置でグランド
電極に関する配線を配置するＬＯＣ型ＬＳＩをもテープ
キャリア型半導体として構成することを可能ならしめた
テープキャリア型半導体装置。
【請求項９】ＬＳＩ上のパターンに横たわる位置でグ
ランド電極に接続される配線を配設されたＬＯＣ型ＬＳ
Ｉをもテープキャリア型半導体として構成する方法であ
って、ＬＳＩ・テープキャリアの両面に金属層を成層するとと
もに、該金属層の一部分を選択的に除去加工して配線を
構成し、ＬＳＩ上の電極と接続されるテープキャリア上面の電極
部分と、テープ下面で上記電極部分に対応する電極部分
とが、前記テープキャリアの厚さ方向に関して同じ高さ
となるように、前記テープキャリア上面の電極部分をク
ランク型に成型加工することを特徴とする、テープキャ
リア型半導体装置の構成方法。
【請求項１０】ＬＳＩ上のパターンに横たわる位置で
グランド電極に関する配線が配置されているＬＯＣ型Ｌ
ＳＩをもテープキャリア型半導体として構成する方法で
あって、ＬＳＩテープキャリアの片側のみ表面に金属層
を成層するとともに、該金属層の一部分を選択的に除去
加工して配線を構成し、ＬＳＩ上の電極と接続される配線の一部と、その他の配
線との干渉を避けた位置で他の配線を取り囲むように形
成しておき、この部分を該テープキャリアの反対側の面
に折り返して、この折り返し配線部分と接触するその他
の配線に、ソルダーレジストにより電気的絶縁を施すこ
とを特徴とする、テープキャリア型半導体の構成方法。