JPH06267960A - 配線構造及びその形成方法 - Google Patents
配線構造及びその形成方法Info
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- JPH06267960A JPH06267960A JP5218893A JP5218893A JPH06267960A JP H06267960 A JPH06267960 A JP H06267960A JP 5218893 A JP5218893 A JP 5218893A JP 5218893 A JP5218893 A JP 5218893A JP H06267960 A JPH06267960 A JP H06267960A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、Ａｌ−Ｃｕ合金膜を使用しても腐
食による導電性の低下を起こさない金属配線の構造およ
びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係る配線の形成方法は、有機Ａｌ化
合物原料ガスと有機Ｃｕ化合物原料ガスとを供給し、水
素ガス雰囲気中で化学気相成長法によって、所望の領域
にＡｌ及びＣｕを堆積させてＡｌ−Ｃｕ合金膜を形成す
る第１の工程と、有機Ａｌ化合物原料ガスを供給し、水
素ガス雰囲気中で化学気相成長法によって、Ａｌ−Ｃｕ
合金膜上にＡｌを堆積させて純Ａｌ膜を形成する第２の
工程とを有することを特徴とする。
食による導電性の低下を起こさない金属配線の構造およ
びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係る配線の形成方法は、有機Ａｌ化
合物原料ガスと有機Ｃｕ化合物原料ガスとを供給し、水
素ガス雰囲気中で化学気相成長法によって、所望の領域
にＡｌ及びＣｕを堆積させてＡｌ−Ｃｕ合金膜を形成す
る第１の工程と、有機Ａｌ化合物原料ガスを供給し、水
素ガス雰囲気中で化学気相成長法によって、Ａｌ−Ｃｕ
合金膜上にＡｌを堆積させて純Ａｌ膜を形成する第２の
工程とを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ法）を用いた配線構造及び配線の形成方法に関するも
のであり、特に半導体装置に用いる配線に関するもので
ある。
Ｄ法）を用いた配線構造及び配線の形成方法に関するも
のであり、特に半導体装置に用いる配線に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、ＬＳＩからＶＬＳ
Ｉへ、さらにはＵＬＳＩへとその集積度を向上させてお
り、これにともない配線の幅やコンタクトホールの径に
おける微細化が著しく進んでいる。このような技術開発
の進展において、半導体装置の配線材料としてＣｕとＡ
ｌとの合金を用いる技術（特開平３−１１１５６７等）
が開示されている。Ａｌ−Ｃｕ合金膜からなる配線は、
Ａｌのみからなる配線に比べ、平坦性、緻密性に優れ、
エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーショ
ンに強いという特徴を有している。
Ｉへ、さらにはＵＬＳＩへとその集積度を向上させてお
り、これにともない配線の幅やコンタクトホールの径に
おける微細化が著しく進んでいる。このような技術開発
の進展において、半導体装置の配線材料としてＣｕとＡ
ｌとの合金を用いる技術（特開平３−１１１５６７等）
が開示されている。Ａｌ−Ｃｕ合金膜からなる配線は、
Ａｌのみからなる配線に比べ、平坦性、緻密性に優れ、
エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーショ
ンに強いという特徴を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ａｌ−Ｃｕ合
金膜のようなＡｌとＣｕが共存した状態で各種溶液・溶
媒特に電離した溶液中に浸すと腐食が進行しやすいとい
う欠点があることが経験的に見出だされている。これ
は、ＡｌとＣｕの電気化学的な作用によって起こるもの
と考えられる。
金膜のようなＡｌとＣｕが共存した状態で各種溶液・溶
媒特に電離した溶液中に浸すと腐食が進行しやすいとい
う欠点があることが経験的に見出だされている。これ
は、ＡｌとＣｕの電気化学的な作用によって起こるもの
と考えられる。
【０００４】このため、半導体装置の配線としてＡｌ−
Ｃｕ合金膜を用いた場合には、洗浄工程中に腐食してし
まうという問題がある。これでは、金属配線としての導
電性が低下する等の質的低下をもたらすことになるので
望ましくない。
Ｃｕ合金膜を用いた場合には、洗浄工程中に腐食してし
まうという問題がある。これでは、金属配線としての導
電性が低下する等の質的低下をもたらすことになるので
望ましくない。
【０００５】そこで、本発明は、このような問題点を解
決する合金膜の構造及びその形成方法を提供することを
目的とする。
決する合金膜の構造及びその形成方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明に係る配線構造は、Ａｌ−Ｃｕ合金膜と、
前記Ａｌ−Ｃｕ合金膜上に形成された純Ａｌ膜とを有す
ることを特徴とする。
めに、本発明に係る配線構造は、Ａｌ−Ｃｕ合金膜と、
前記Ａｌ−Ｃｕ合金膜上に形成された純Ａｌ膜とを有す
ることを特徴とする。
【０００７】また、上記問題点を解決するために、本発
明に係る配線の形成方法は、有機Ａｌ化合物原料ガスと
有機Ｃｕ化合物原料ガスとを供給し、水素ガス雰囲気中
で化学気相成長法によって、所望の領域にＡｌ及びＣｕ
を同時に堆積させてＡｌ−Ｃｕ合金膜を形成する第１の
工程と、有機Ａｌ化合物原料ガスを供給し、水素ガス雰
囲気中で化学気相成長法によって、Ａｌ−Ｃｕ合金膜上
にＡｌを堆積させて純Ａｌ膜を形成する第２の工程とを
有することを特徴とする。
明に係る配線の形成方法は、有機Ａｌ化合物原料ガスと
有機Ｃｕ化合物原料ガスとを供給し、水素ガス雰囲気中
で化学気相成長法によって、所望の領域にＡｌ及びＣｕ
を同時に堆積させてＡｌ−Ｃｕ合金膜を形成する第１の
工程と、有機Ａｌ化合物原料ガスを供給し、水素ガス雰
囲気中で化学気相成長法によって、Ａｌ−Ｃｕ合金膜上
にＡｌを堆積させて純Ａｌ膜を形成する第２の工程とを
有することを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記の構造によれば、Ａｌ−Ｃｕ合金膜上に純
Ａｌ膜が形成されているので、この純Ａｌによって、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金膜がキャップされている。このため、洗浄
等に際して半導体装置を各種溶液（アルカリ性、酸性、
溶液、有機溶媒等を問わない）に浸す場合でも、Ａｌ−
Ｃｕ合金膜は溶液に直接接することがないので、本発明
に係る構造では腐食がおきない。ＡｌとＣｕの金属化合
物においては腐食が進行しやすいのに対し、純Ａｌにお
いてはＡｌ−Ｃｕ合金で起きているような電気化学的な
作用は生じないので腐食が進行しにくいためである。
Ａｌ膜が形成されているので、この純Ａｌによって、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金膜がキャップされている。このため、洗浄
等に際して半導体装置を各種溶液（アルカリ性、酸性、
溶液、有機溶媒等を問わない）に浸す場合でも、Ａｌ−
Ｃｕ合金膜は溶液に直接接することがないので、本発明
に係る構造では腐食がおきない。ＡｌとＣｕの金属化合
物においては腐食が進行しやすいのに対し、純Ａｌにお
いてはＡｌ−Ｃｕ合金で起きているような電気化学的な
作用は生じないので腐食が進行しにくいためである。
【０００９】また、上記の方法によれば、ＣＶＤ法を用
いて、所望の領域にＡｌ及びＣｕを堆積させてＡｌ−Ｃ
ｕ合金膜を形成した後に、さらに、ＣＶＤ法を用いてＡ
ｌ−Ｃｕ合金膜上にＡｌを堆積させて純Ａｌ膜を形成す
るので、Ａｌ−Ｃｕ合金膜上に純Ａｌ膜が形成された配
線構造を得ることができる。
いて、所望の領域にＡｌ及びＣｕを堆積させてＡｌ−Ｃ
ｕ合金膜を形成した後に、さらに、ＣＶＤ法を用いてＡ
ｌ−Ｃｕ合金膜上にＡｌを堆積させて純Ａｌ膜を形成す
るので、Ａｌ−Ｃｕ合金膜上に純Ａｌ膜が形成された配
線構造を得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。なお、図面の説明において同一要素に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
ついて説明する。なお、図面の説明において同一要素に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】図１及び図２に基づいて本発明の実施例に
係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、図
１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０の表面に下地絶縁
膜２０を形成し、この下地絶縁膜２０上にスパッタ法で
Ａｌ合金を 300ないし 800nmの膜厚に堆積させ、Ａｌ合
金膜３１を形成する。次に、Ａｌ合金膜３１を所定の配
線パターンに加工して下層金属配線３０を形成する。配
線パターンの形成は、露光装置を用いてレジストパター
ンを形成した後、塩素系のガスを用いたＲＩＥによって
なされる。次に、図１（ｂ）に示すように、下層金属配
線３０の形成された下地絶縁膜２０上に層間絶縁膜４０
を形成する。この層間絶縁膜４０は、プラズマＣＶＤ法
によってＳｉＯ2 を堆積させてＳｉＯ2 膜を形成し、Ｓ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を塗布してＳＯＧ
膜を形成し、必要な温度で加熱処理を行うことによって
形成される。その後、再びプラズマＣＶＤ法によってＳ
ｉＯ2 を堆積させてＳｉＯ2 膜を形成する。
係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、図
１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０の表面に下地絶縁
膜２０を形成し、この下地絶縁膜２０上にスパッタ法で
Ａｌ合金を 300ないし 800nmの膜厚に堆積させ、Ａｌ合
金膜３１を形成する。次に、Ａｌ合金膜３１を所定の配
線パターンに加工して下層金属配線３０を形成する。配
線パターンの形成は、露光装置を用いてレジストパター
ンを形成した後、塩素系のガスを用いたＲＩＥによって
なされる。次に、図１（ｂ）に示すように、下層金属配
線３０の形成された下地絶縁膜２０上に層間絶縁膜４０
を形成する。この層間絶縁膜４０は、プラズマＣＶＤ法
によってＳｉＯ2 を堆積させてＳｉＯ2 膜を形成し、Ｓ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を塗布してＳＯＧ
膜を形成し、必要な温度で加熱処理を行うことによって
形成される。その後、再びプラズマＣＶＤ法によってＳ
ｉＯ2 を堆積させてＳｉＯ2 膜を形成する。
【００１２】次に、層間絶縁膜４０の上にフォトマスク
をセットし、露光装置を用いてレジストパターンを形成
した後、フッ素系のガスを用いたＲＩＥ（リアクティブ
・イオン・エッチング）によって図１（ｃ）に示すよう
に、層間絶縁膜４０にヴィア孔５０を形成する。次に、
塩素系ガスを用いたプラズマエッチングによりヴィア孔
５０底部に露出した下層金属配線３０（Ａｌ合金膜）の
清浄化処理を行う。この処理を行うのは、ヴィア孔５０
底部に露出した下層金属配線３０の表面には、ＲＩＥを
行った際及びＲＩＥの後に大気に曝した際に堆積物やア
ルミナ膜等が付着し、これらの堆積物やアルミナ膜はＣ
ＶＤ法におけるＡｌ堆積を阻害するため除去する必要が
あるからである。
をセットし、露光装置を用いてレジストパターンを形成
した後、フッ素系のガスを用いたＲＩＥ（リアクティブ
・イオン・エッチング）によって図１（ｃ）に示すよう
に、層間絶縁膜４０にヴィア孔５０を形成する。次に、
塩素系ガスを用いたプラズマエッチングによりヴィア孔
５０底部に露出した下層金属配線３０（Ａｌ合金膜）の
清浄化処理を行う。この処理を行うのは、ヴィア孔５０
底部に露出した下層金属配線３０の表面には、ＲＩＥを
行った際及びＲＩＥの後に大気に曝した際に堆積物やア
ルミナ膜等が付着し、これらの堆積物やアルミナ膜はＣ
ＶＤ法におけるＡｌ堆積を阻害するため除去する必要が
あるからである。
【００１３】次に、Ａｌ原料であるＤＭＡＨ（ＡｌＨ
（ＣＨ3 ）2 ：Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ａｌｍｉｎｉｕｍ−
ｈｙｄｒｉｄｅ）のガスと、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴ
ＥＰ（Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ：Ｃｙｃｌｏｐｅ
ｎｔａｄｉｅｎｙｌ−ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｉ
ｎｅ−ｃｏｐｐｅｒ）のガスと、水素とを原料とするプ
ラズマＣＶＤ法でヴィア孔５０内にのみ選択的にＡｌ−
Ｃｕ合金を堆積させることによって図２（ａ）に示すよ
うに、ヴィア孔５０内にＡｌ−Ｃｕ合金膜５１を形成す
る。このとき用いるＣＶＤ法は上述したプラズマＣＶＤ
法に限らず熱ＣＶＤ法を用いてもよいことはいうまでも
ない。
（ＣＨ3 ）2 ：Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ａｌｍｉｎｉｕｍ−
ｈｙｄｒｉｄｅ）のガスと、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴ
ＥＰ（Ｃ5 Ｈ5 ＣｕＰ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ：Ｃｙｃｌｏｐｅ
ｎｔａｄｉｅｎｙｌ−ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｉ
ｎｅ−ｃｏｐｐｅｒ）のガスと、水素とを原料とするプ
ラズマＣＶＤ法でヴィア孔５０内にのみ選択的にＡｌ−
Ｃｕ合金を堆積させることによって図２（ａ）に示すよ
うに、ヴィア孔５０内にＡｌ−Ｃｕ合金膜５１を形成す
る。このとき用いるＣＶＤ法は上述したプラズマＣＶＤ
法に限らず熱ＣＶＤ法を用いてもよいことはいうまでも
ない。
【００１４】次に、ＤＭＡＨと水素とを原料とする熱Ｃ
ＶＤ法でヴィア孔５０内のＡｌ−Ｃｕ合金膜５１上にの
み選択的にＡｌを堆積させることによって図２（ｂ）に
示すように、Ａｌ膜５２を形成する。このようにして下
層がＡｌ−Ｃｕ合金膜５１で上層がＡｌ膜５２からなる
ヴィアプラグ５３を形成する。このとき用いるＣＶＤ法
は上述した熱ＣＶＤ法に限らずプラズマＣＶＤ法を用い
てもよいことはいうまでもない。
ＶＤ法でヴィア孔５０内のＡｌ−Ｃｕ合金膜５１上にの
み選択的にＡｌを堆積させることによって図２（ｂ）に
示すように、Ａｌ膜５２を形成する。このようにして下
層がＡｌ−Ｃｕ合金膜５１で上層がＡｌ膜５２からなる
ヴィアプラグ５３を形成する。このとき用いるＣＶＤ法
は上述した熱ＣＶＤ法に限らずプラズマＣＶＤ法を用い
てもよいことはいうまでもない。
【００１５】次に、ヴィアプラグ５３の露出した表面及
び層間絶縁膜４０の表面の洗浄処理を行う。この処理を
行うのは、プラズマＣＶＤ及び熱ＣＶＤを行った際にヴ
ィアプラグ５３及び層間絶縁膜４０上に堆積した付着物
を取り除くためである。
び層間絶縁膜４０の表面の洗浄処理を行う。この処理を
行うのは、プラズマＣＶＤ及び熱ＣＶＤを行った際にヴ
ィアプラグ５３及び層間絶縁膜４０上に堆積した付着物
を取り除くためである。
【００１６】このとき、ヴィアプラグ５３の表面はＡｌ
膜５２のみが露出しており、Ａｌ−Ｃｕ合金は完全に覆
われている。これは上述したようにヴィアプラグ５３を
形成したために、図２（ｂ）で示す構造を形成すること
ができたためである。従って、Ａｌ−Ｃｕ合金膜は、純
Ａｌによってキャップされているので、洗浄処理が成さ
れても、Ａｌ−Ｃｕ合金は洗浄液に直接接しないので、
ヴィアプラグ５３が腐食されることはない。
膜５２のみが露出しており、Ａｌ−Ｃｕ合金は完全に覆
われている。これは上述したようにヴィアプラグ５３を
形成したために、図２（ｂ）で示す構造を形成すること
ができたためである。従って、Ａｌ−Ｃｕ合金膜は、純
Ａｌによってキャップされているので、洗浄処理が成さ
れても、Ａｌ−Ｃｕ合金は洗浄液に直接接しないので、
ヴィアプラグ５３が腐食されることはない。
【００１７】次にスパッタ法でＡｌを 400ないし1000nm
の膜厚に堆積させＡｌ合金膜を形成し、上述した下層金
属配線３０を形成するときと同様の方法を用いて、図２
（ｃ）に示すように、上層金属配線６０を形成して多層
配線構造の半導体装置を製造する。なお、上層金属配線
６０を形成した後、アニール処理を行いヴィアプラグ５
３を構成するＡｌ膜５２にＡｌ−Ｃｕ合金膜５１中のＣ
ｕ原子を拡散させて、図３に示すような、ヴィアプラグ
５３全体をＡｌ−Ｃｕ合金としてもよい。Ａｌ−Ｃｕ合
金膜５１中のＣｕ成分は上部付近に偏析していることが
多いが、このアニール処理によってＡｌ−Ｃｕ合金膜５
１の膜質が均一化することはいうまでもない。また、本
発明のヴィア構造を使用した半導体装置を完成するまで
には、ヴィアプラグ５３形成後に表面保護膜の形成や、
プロセスダメージを除去するための熱処理等が行われ
る。
の膜厚に堆積させＡｌ合金膜を形成し、上述した下層金
属配線３０を形成するときと同様の方法を用いて、図２
（ｃ）に示すように、上層金属配線６０を形成して多層
配線構造の半導体装置を製造する。なお、上層金属配線
６０を形成した後、アニール処理を行いヴィアプラグ５
３を構成するＡｌ膜５２にＡｌ−Ｃｕ合金膜５１中のＣ
ｕ原子を拡散させて、図３に示すような、ヴィアプラグ
５３全体をＡｌ−Ｃｕ合金としてもよい。Ａｌ−Ｃｕ合
金膜５１中のＣｕ成分は上部付近に偏析していることが
多いが、このアニール処理によってＡｌ−Ｃｕ合金膜５
１の膜質が均一化することはいうまでもない。また、本
発明のヴィア構造を使用した半導体装置を完成するまで
には、ヴィアプラグ５３形成後に表面保護膜の形成や、
プロセスダメージを除去するための熱処理等が行われ
る。
【００１８】さらに、Ｓｉ基板１０内および表面には拡
散層、ゲート電極等の半導体装置として必要な構造が形
成されている。下地絶縁膜２０の必要な位置にはコンタ
クト孔が存在し、下層金属配線３０と、拡散層もしくは
ゲート電極あるいはその他の構造とを接続するコンタク
ト構造が形成されている。金属配線等と絶縁膜との間に
は、必要に応じてＷ等を用いた反射防止膜やＴｉＮ等を
用いたバリアメタルが形成されている。また、上層金属
配線６０上にさらに新たな層間絶縁膜４０および金属配
線をそれぞれ１層もしくはそれ以上積層することもでき
る。
散層、ゲート電極等の半導体装置として必要な構造が形
成されている。下地絶縁膜２０の必要な位置にはコンタ
クト孔が存在し、下層金属配線３０と、拡散層もしくは
ゲート電極あるいはその他の構造とを接続するコンタク
ト構造が形成されている。金属配線等と絶縁膜との間に
は、必要に応じてＷ等を用いた反射防止膜やＴｉＮ等を
用いたバリアメタルが形成されている。また、上層金属
配線６０上にさらに新たな層間絶縁膜４０および金属配
線をそれぞれ１層もしくはそれ以上積層することもでき
る。
【００１９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、Ａｌ−Ｃｕ合金膜上に純Ａｌ膜を形成するの
で、Ａｌ−Ｃｕ合金膜は純Ａｌ膜によって、キャップさ
れることになる。従って、Ａｌ−Ｃｕ合金膜は純Ａｌに
よってキャップされるので、洗浄工程等において解離し
た溶液に接触することがないので、腐食されることがな
い。
よれば、Ａｌ−Ｃｕ合金膜上に純Ａｌ膜を形成するの
で、Ａｌ−Ｃｕ合金膜は純Ａｌ膜によって、キャップさ
れることになる。従って、Ａｌ−Ｃｕ合金膜は純Ａｌに
よってキャップされるので、洗浄工程等において解離し
た溶液に接触することがないので、腐食されることがな
い。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の各製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の各製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置の断面図であ
る。
る。
１０…Ｓｉ基板、２０…下地絶縁膜、３０…下層金属配
線、４０…層間絶縁膜、５０…ヴィア孔、５１…Ａｌ−
Ｃｕ合金膜、５２…Ａｌ膜、５３…ヴィアプラグ、６０
…上層金属配線。
線、４０…層間絶縁膜、５０…ヴィア孔、５１…Ａｌ−
Ｃｕ合金膜、５２…Ａｌ膜、５３…ヴィアプラグ、６０
…上層金属配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 英一 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内
Claims (2)
- 【請求項１】 Ａｌ−Ｃｕ合金膜と、前記Ａｌ−Ｃｕ合
金膜上に形成された純Ａｌ膜とを有することを特徴とす
る配線構造。 - 【請求項２】 有機Ａｌ化合物原料ガスと有機Ｃｕ化合
物原料ガスとを供給し、水素ガス雰囲気中で化学気相成
長法によって、所望の領域にＡｌ及びＣｕを同時に堆積
させてＡｌ−Ｃｕ合金膜を形成する第１の工程と、 有機Ａｌ化合物原料ガスを供給し、水素ガス雰囲気中で
化学気相成長法によって、前記Ａｌ−Ｃｕ合金膜上にＡ
ｌを堆積させて純Ａｌ膜を形成する第２の工程とを有す
ることを特徴とする配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5218893A JPH06267960A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 配線構造及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5218893A JPH06267960A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 配線構造及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267960A true JPH06267960A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12907832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5218893A Pending JPH06267960A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 配線構造及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267960A (ja) |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP5218893A patent/JPH06267960A/ja active Pending
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