JPH06267859A - ｐ型ＺｎＴｅの製造方法 - Google Patents
ｐ型ＺｎＴｅの製造方法Info
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- JPH06267859A JPH06267859A JP5162893A JP5162893A JPH06267859A JP H06267859 A JPH06267859 A JP H06267859A JP 5162893 A JP5162893 A JP 5162893A JP 5162893 A JP5162893 A JP 5162893A JP H06267859 A JPH06267859 A JP H06267859A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクセプタ濃度が高く結晶性も良い燐ドープ
ＺｎＴｅを提供する。 【構成】 有機金属気相成長法を用い、しかもドーピン
グガスとしてＰＨ3 あるいはＴＢＰ（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＰＨ
2 ）など、燐を構成元素として含む水素化物あるいは有
機金属を用いる。反応管１１にＧａＡｓ基板１２を入
れ、表面をクリーニングした後、ＤＭＺｎとＤＥＴｅの
バブラー１ａ、１ｂをバブリングし、ドーピングソース
ＰＨ3 を供給して成長する。成長膜の表面は鏡面で、膜
のホール濃度は最高で４．９ｘ１０1 9 ｃｍ3 であっ
た。ＴＢＰでは最高１．４×１０1 9 ｃｍ- 3 であっ
た。いずれも従来の燐ドープＺｎＴｅの最高値より二桁
高い。
ＺｎＴｅを提供する。 【構成】 有機金属気相成長法を用い、しかもドーピン
グガスとしてＰＨ3 あるいはＴＢＰ（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＰＨ
2 ）など、燐を構成元素として含む水素化物あるいは有
機金属を用いる。反応管１１にＧａＡｓ基板１２を入
れ、表面をクリーニングした後、ＤＭＺｎとＤＥＴｅの
バブラー１ａ、１ｂをバブリングし、ドーピングソース
ＰＨ3 を供給して成長する。成長膜の表面は鏡面で、膜
のホール濃度は最高で４．９ｘ１０1 9 ｃｍ3 であっ
た。ＴＢＰでは最高１．４×１０1 9 ｃｍ- 3 であっ
た。いずれも従来の燐ドープＺｎＴｅの最高値より二桁
高い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクセプタとして燐
（Ｐ）を含んだｐ型ＺｎＴｅの製造方法に関する。
（Ｐ）を含んだｐ型ＺｎＴｅの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＺｎＴｅは室温で約２．３ｅＶのバンド
ギャップを有する直接遷移型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
であるため、緑色発光素子としての応用が期待されてい
る。
ギャップを有する直接遷移型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
であるため、緑色発光素子としての応用が期待されてい
る。
【０００３】しかし、ＺｎＴｅをはじめとしてＺｎＳ
ｅ，ＺｎＳのワイドギャップＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
は、自己補償効果や残留不純物の作用により、伝導型の
制御が困難であった。例えば、ＺｎＴｅでは、上述の作
用により，ｎ型伝導を得ることは極めて難しく、比較的
容易に得られるｐ型伝導においても半導体デバイスとし
て用いるには不十分である。
ｅ，ＺｎＳのワイドギャップＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
は、自己補償効果や残留不純物の作用により、伝導型の
制御が困難であった。例えば、ＺｎＴｅでは、上述の作
用により，ｎ型伝導を得ることは極めて難しく、比較的
容易に得られるｐ型伝導においても半導体デバイスとし
て用いるには不十分である。
【０００４】近年、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法や
有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、高純度の
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が成長可能となっったが、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体も同様に研究が活発化してい
る。
有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、高純度の
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が成長可能となっったが、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体も同様に研究が活発化してい
る。
【０００５】ところで、ＺｎＴｅの結晶成長を行なうに
は基板が必要であるが、基板として一般的にはＧａＡ
ｓ，ＩｎＰといったＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が用いら
れる。その理由は、第１にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は
極めて良質な単結晶基板が商業的に容易に入手可能なこ
と、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体はその構成元素の少なく
とも一方が高い蒸気圧を有する元素であり、ストイキオ
メトリーが制御された高品質単結晶を得ることが難しい
こと、および成長直前に行なう基板表面の前処理が非常
に難しいことなどが挙げられる。
は基板が必要であるが、基板として一般的にはＧａＡ
ｓ，ＩｎＰといったＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が用いら
れる。その理由は、第１にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は
極めて良質な単結晶基板が商業的に容易に入手可能なこ
と、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体はその構成元素の少なく
とも一方が高い蒸気圧を有する元素であり、ストイキオ
メトリーが制御された高品質単結晶を得ることが難しい
こと、および成長直前に行なう基板表面の前処理が非常
に難しいことなどが挙げられる。
【０００６】ｐ型ＺｎＴｅとして従来報告されたものと
してはアクセプタ不純物としてＡｓ，Ｓｂ，Ｐ，Ｌｉ，
Ｎなどをドープしたものが報告されている。例えば、Ｍ
ＢＥ法を用いたＺｎＴｅの結晶成長では、特開平１−１
８３５００号公報やジャーナル・クリスタル・グロース
（Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）１９８９年９５
巻５１７頁〜５２１頁に詳述されている。この製造方法
は、ＧａＡｓ基板をＭＢＥ装置内に設置し、基板温度を
３２０℃に設定する。続いて、基板上にＺｎ，Ｔｅをそ
れぞれ分子線として照射する。同時に、ドーピングソー
スとしてＰ4 の分子線を照射することによってＰドープ
されたＺｎＴｅを製造している。この時に得られたＰド
ープＺｎＴｅのホール濃度は３．７×１０1 7 ｃｍ- 3
であった。他方、ＭＯＣＶＤ法を用いたＺｎＴｅの結晶
成長では、ジャーナル・クリスタル・グロース（Ｊ．Ｃ
ｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）１９９２年 １１７巻４
８０頁〜４８３頁に詳述されている。この製造方法は、
ＩｎＰ基板をＭＯＣＶＤ装置内に設置し、基板温度を４
５０℃に設定し、ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）とジエチル
テルル（ＤＥＴｅ）を基板に供給する。同時にドーピン
グソースとしてトリメチルアンチモン（ＴＭＳｂ）を供
給することによってＳｂドープされたＺｎＴｅを製造し
ている。この時得られたＳｂドープＺｎＴｅのホール濃
度は１×１０1 8 ｃｍ- 3 であった。
してはアクセプタ不純物としてＡｓ，Ｓｂ，Ｐ，Ｌｉ，
Ｎなどをドープしたものが報告されている。例えば、Ｍ
ＢＥ法を用いたＺｎＴｅの結晶成長では、特開平１−１
８３５００号公報やジャーナル・クリスタル・グロース
（Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）１９８９年９５
巻５１７頁〜５２１頁に詳述されている。この製造方法
は、ＧａＡｓ基板をＭＢＥ装置内に設置し、基板温度を
３２０℃に設定する。続いて、基板上にＺｎ，Ｔｅをそ
れぞれ分子線として照射する。同時に、ドーピングソー
スとしてＰ4 の分子線を照射することによってＰドープ
されたＺｎＴｅを製造している。この時に得られたＰド
ープＺｎＴｅのホール濃度は３．７×１０1 7 ｃｍ- 3
であった。他方、ＭＯＣＶＤ法を用いたＺｎＴｅの結晶
成長では、ジャーナル・クリスタル・グロース（Ｊ．Ｃ
ｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）１９９２年 １１７巻４
８０頁〜４８３頁に詳述されている。この製造方法は、
ＩｎＰ基板をＭＯＣＶＤ装置内に設置し、基板温度を４
５０℃に設定し、ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）とジエチル
テルル（ＤＥＴｅ）を基板に供給する。同時にドーピン
グソースとしてトリメチルアンチモン（ＴＭＳｂ）を供
給することによってＳｂドープされたＺｎＴｅを製造し
ている。この時得られたＳｂドープＺｎＴｅのホール濃
度は１×１０1 8 ｃｍ- 3 であった。
【０００７】ところで、ごく最近、ＭＢＥ法を用いて結
晶成長したＮドープＺｎＴｅにおいてホール濃度として
９×１０1 8 ｃｍ- 3 を得たとの報告がなされた。この
製造方法は、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）１９９３年 ６２巻
８４０頁〜８４２頁に詳述されている。この方法は、Ｇ
ａＡｓ基板上にＺｎ，Ｔｅをそれぞれ分子線として照射
し、同時にＮ2 をプラズマ分解できる特殊なセルを用い
てＮ2 プラズマ分子線を照射し、ＮドープされたＺｎＴ
ｅを製造している。
晶成長したＮドープＺｎＴｅにおいてホール濃度として
９×１０1 8 ｃｍ- 3 を得たとの報告がなされた。この
製造方法は、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）１９９３年 ６２巻
８４０頁〜８４２頁に詳述されている。この方法は、Ｇ
ａＡｓ基板上にＺｎ，Ｔｅをそれぞれ分子線として照射
し、同時にＮ2 をプラズマ分解できる特殊なセルを用い
てＮ2 プラズマ分子線を照射し、ＮドープされたＺｎＴ
ｅを製造している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一般に用いられるＭＯ
ＣＶＤ法やＭＢＥ法を用いた従来の製造方法では、得ら
れたｐ型ＺｎＴｅのキャリア濃度は１０1 7 から１×１
０1 8 ｃｍ- 3 にとどまっており、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体で容易に得られるような１０1 9 ｃｍ- 3が得ら
れていない。同様に、比抵抗も比較的高いため、半導体
デバイス等に応用するには更に高いキャリア濃度が切望
されている。またドーピングソースとしてＰ4 を用いる
場合は、キャリア濃度つまりドープ量の制御性がきわめ
て悪い。これはＰの蒸気圧がきわめて高いので分子線セ
ルを室温に近い温度領域で制御しなければならないが、
これは今のところ不可能であるためである。
ＣＶＤ法やＭＢＥ法を用いた従来の製造方法では、得ら
れたｐ型ＺｎＴｅのキャリア濃度は１０1 7 から１×１
０1 8 ｃｍ- 3 にとどまっており、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体で容易に得られるような１０1 9 ｃｍ- 3が得ら
れていない。同様に、比抵抗も比較的高いため、半導体
デバイス等に応用するには更に高いキャリア濃度が切望
されている。またドーピングソースとしてＰ4 を用いる
場合は、キャリア濃度つまりドープ量の制御性がきわめ
て悪い。これはＰの蒸気圧がきわめて高いので分子線セ
ルを室温に近い温度領域で制御しなければならないが、
これは今のところ不可能であるためである。
【０００９】他方、Ｎ2 のプラズマ分解セルを用いた従
来の製造方法では、プラズマを安定に発生させる条件
（Ｎ2 ガス流量、プラズマ電力、セル圧力）が極めて限
定されたものであり、得られた膜のキャリア濃度を制御
することが極めて難しいという欠点があった。同時に、
特殊なプラズマセルやプラズマ発生用電源が必要など、
製造装置が複雑、高価格になるという欠点があった。
来の製造方法では、プラズマを安定に発生させる条件
（Ｎ2 ガス流量、プラズマ電力、セル圧力）が極めて限
定されたものであり、得られた膜のキャリア濃度を制御
することが極めて難しいという欠点があった。同時に、
特殊なプラズマセルやプラズマ発生用電源が必要など、
製造装置が複雑、高価格になるという欠点があった。
【００１０】本発明の目的は、半導体デバイス等に適応
可能な高いキャリア濃度を有し、低い比抵抗をもつ結晶
性に優れたｐ型ＺｎＴｅの製造方法を提供することにあ
る。合わせて、キャリア濃度の制御性が高く、簡便な製
造手法を提供することにある。
可能な高いキャリア濃度を有し、低い比抵抗をもつ結晶
性に優れたｐ型ＺｎＴｅの製造方法を提供することにあ
る。合わせて、キャリア濃度の制御性が高く、簡便な製
造手法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の目的を
達成するために、有機金属気相成長方法を用い、ドーピ
ングソースガスとしてＰを構成元素に含む水素化物ある
いは有機金属を用いることによって、アクセプタとして
燐（Ｐ）が取り込まれたＺｎＴｅを成長させることを特
徴とするものである。
達成するために、有機金属気相成長方法を用い、ドーピ
ングソースガスとしてＰを構成元素に含む水素化物ある
いは有機金属を用いることによって、アクセプタとして
燐（Ｐ）が取り込まれたＺｎＴｅを成長させることを特
徴とするものである。
【００１２】
【作用】従来法でＭＢＥ装置を用いて製造したＰドープ
ＺｎＴｅはホール濃度が最高でも３．７ｘ１０1 7 ｃｍ
- 3 にとどまっている。これに対し、本方法を用いれば
ホール濃度を２桁改善でき、４ｘ１０1 9 ｃｍ- 3 のも
のが容易に得られる。
ＺｎＴｅはホール濃度が最高でも３．７ｘ１０1 7 ｃｍ
- 3 にとどまっている。これに対し、本方法を用いれば
ホール濃度を２桁改善でき、４ｘ１０1 9 ｃｍ- 3 のも
のが容易に得られる。
【００１３】この違いは、おそらくドーピングソースの
Ｐ4 とＰＨ3 にあると推測できる。すなわち、Ｐ4 の分
子線は基板表面上で解離してＺｎＴｅ結晶中に取り込ま
れなくてはならないが、一般にＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体の成長温度はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のそれに対し
低い。従って、ＺｎＴｅの成長の際、Ｐ4 は充分解離で
きず結晶に取り込まれない。もしくはＰn （ｎ＝１−
４）となって結晶内に取り込まれて結晶性を低下させて
いるものと考えられる。事実、ＭＢＥ製ＰドープＺｎＴ
ｅの結晶性は低いことが報告されている。
Ｐ4 とＰＨ3 にあると推測できる。すなわち、Ｐ4 の分
子線は基板表面上で解離してＺｎＴｅ結晶中に取り込ま
れなくてはならないが、一般にＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体の成長温度はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のそれに対し
低い。従って、ＺｎＴｅの成長の際、Ｐ4 は充分解離で
きず結晶に取り込まれない。もしくはＰn （ｎ＝１−
４）となって結晶内に取り込まれて結晶性を低下させて
いるものと考えられる。事実、ＭＢＥ製ＰドープＺｎＴ
ｅの結晶性は低いことが報告されている。
【００１４】他方、ＰＨ3 を用いた場合には、それ自身
の分解温度が充分低いこと、よく知られているように基
板表面の触媒作用により容易に分解しやすいことなどか
ら、結晶中に多量に取り込まれると考えられる。同時に
上述したＰn （ｎ＝１−４）が結晶中に取り込まれるこ
ともなく良質なＺｎＴｅが得られるものと考えられる。
の分解温度が充分低いこと、よく知られているように基
板表面の触媒作用により容易に分解しやすいことなどか
ら、結晶中に多量に取り込まれると考えられる。同時に
上述したＰn （ｎ＝１−４）が結晶中に取り込まれるこ
ともなく良質なＺｎＴｅが得られるものと考えられる。
【００１５】
（実施例１）以下、本発明の一実施例を図面を用いて説
明する。図１は本実施例を説明するために用いたＭＯＣ
ＶＤ装置の概略図である。用いた成長装置は、反応管１
１内に設置された基板１２を高周波コイル１３の誘導加
熱によって加熱するようになっている。また、反応管１
１には、Ｈ2 をキャリアガスとして、ＡｓＨ3 およびＰ
Ｈ3 の他複数の有機金属がＨ2 のバブリングによって供
給されるようになっている。本実施例では基板としてＧ
ａＡｓを用いた場合について説明する。成長の手順は以
下のようである。
明する。図１は本実施例を説明するために用いたＭＯＣ
ＶＤ装置の概略図である。用いた成長装置は、反応管１
１内に設置された基板１２を高周波コイル１３の誘導加
熱によって加熱するようになっている。また、反応管１
１には、Ｈ2 をキャリアガスとして、ＡｓＨ3 およびＰ
Ｈ3 の他複数の有機金属がＨ2 のバブリングによって供
給されるようになっている。本実施例では基板としてＧ
ａＡｓを用いた場合について説明する。成長の手順は以
下のようである。
【００１６】反応管１１内の圧力を７０Ｔｏｒｒに設定
した後、ＡｓＨ3 を反応管１１に供給しながら基板１２
を５８０℃まで昇温し、基板の表面クリーニングを１０
分間行なった。バブラー１ａに納められたジメチル亜鉛
（ＤＭＺｎ）をＨ2 でバブリングし、同様にバブラー１
ｂに納められたジエチルテルル（ＤＥＴｅ）をバブリン
グした。基板温度を４５０℃に設定し、ＡｓＨ3 の供給
を停止した後、それぞれの有機原料、およびドーピング
ソースとしてＰＨ3 を反応管１１に供給した。この時の
ＤＭＺｎの流量は２０μｍｏｌ／ｍｉｎ，ＤＥＴｅの流
量は４０μｍｏｌ／ｍｉｎであり、全キャリア流量は５
０００ｓｃｃｍとした。ＰＨ3 の供給量を０から４００
μｍｏｌ／ｍｉｎまで変化させてそれぞれＺｎＴｅの成
長膜を得た。
した後、ＡｓＨ3 を反応管１１に供給しながら基板１２
を５８０℃まで昇温し、基板の表面クリーニングを１０
分間行なった。バブラー１ａに納められたジメチル亜鉛
（ＤＭＺｎ）をＨ2 でバブリングし、同様にバブラー１
ｂに納められたジエチルテルル（ＤＥＴｅ）をバブリン
グした。基板温度を４５０℃に設定し、ＡｓＨ3 の供給
を停止した後、それぞれの有機原料、およびドーピング
ソースとしてＰＨ3 を反応管１１に供給した。この時の
ＤＭＺｎの流量は２０μｍｏｌ／ｍｉｎ，ＤＥＴｅの流
量は４０μｍｏｌ／ｍｉｎであり、全キャリア流量は５
０００ｓｃｃｍとした。ＰＨ3 の供給量を０から４００
μｍｏｌ／ｍｉｎまで変化させてそれぞれＺｎＴｅの成
長膜を得た。
【００１７】得られたＺｎＴｅの表面はＧａＡｓとＺｎ
Ｔｅの格子定数差が約８％あるのにかかわらず、鏡面で
あった。また、得られた膜のホール濃度はＰＨ3 流量が
３６０μｍｏｌ／ｍｉｎの時最高値を示し、その値は
４．９ｘ１０1 9 ｃｍ- 3 であった。 （実施例２）ドーピングソースとしてターシャルブチル
フォスフィン（ＴＢＰ；ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＰＨ2 ）を用いた
場合について詳細に説明する。
Ｔｅの格子定数差が約８％あるのにかかわらず、鏡面で
あった。また、得られた膜のホール濃度はＰＨ3 流量が
３６０μｍｏｌ／ｍｉｎの時最高値を示し、その値は
４．９ｘ１０1 9 ｃｍ- 3 であった。 （実施例２）ドーピングソースとしてターシャルブチル
フォスフィン（ＴＢＰ；ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＰＨ2 ）を用いた
場合について詳細に説明する。
【００１８】反応管内の圧力を７０Ｔｏｒｒに設定した
後、ＡｓＨ3 を反応管１１に供給しながら基板１２を５
８０℃まで昇温し、基板の表面クリーニングを１０分間
行なった。バズラー１ａに納められたジメチル亜鉛（Ｄ
ＭＺｎ）をＨ2 でバブリングし、同様にバブラー１ｂに
納められたジエチルテルル（ＤＥＴｅ）を、バブラー１
ｃに納められたＴＢＰをそれぞれバブリングした。基板
温度を４５０℃に設定し、ＡｓＨ3 の供給を停止した
後、それぞれの有機原料を反応管１１に供給した。この
時のＤＭＺｎの流量は２０μｍｏｌ／ｍｉｎ，ＤＥＴｅ
の流量は４０μｍｏｌ／ｍｉｎであり、全キャリア流量
は５０００ｓｃｃｍとした。ＴＢＰの供給量を０から２
０μｍｏｌ／ｍｉｎまで変化させてそれぞれＺｎＴｅの
成長膜を得た。 得られたＺｎＴｅの表面は鏡面であっ
た。また、得られた膜のホール濃度はＴＢＰ流量が５μ
ｍｏｌ／ｍｉｎの時最高値を示し、その値は１．４ｘ１
０19 ｃｍ- 3 であった。
後、ＡｓＨ3 を反応管１１に供給しながら基板１２を５
８０℃まで昇温し、基板の表面クリーニングを１０分間
行なった。バズラー１ａに納められたジメチル亜鉛（Ｄ
ＭＺｎ）をＨ2 でバブリングし、同様にバブラー１ｂに
納められたジエチルテルル（ＤＥＴｅ）を、バブラー１
ｃに納められたＴＢＰをそれぞれバブリングした。基板
温度を４５０℃に設定し、ＡｓＨ3 の供給を停止した
後、それぞれの有機原料を反応管１１に供給した。この
時のＤＭＺｎの流量は２０μｍｏｌ／ｍｉｎ，ＤＥＴｅ
の流量は４０μｍｏｌ／ｍｉｎであり、全キャリア流量
は５０００ｓｃｃｍとした。ＴＢＰの供給量を０から２
０μｍｏｌ／ｍｉｎまで変化させてそれぞれＺｎＴｅの
成長膜を得た。 得られたＺｎＴｅの表面は鏡面であっ
た。また、得られた膜のホール濃度はＴＢＰ流量が５μ
ｍｏｌ／ｍｉｎの時最高値を示し、その値は１．４ｘ１
０19 ｃｍ- 3 であった。
【００１９】上記実施例では、成長原料としてジメチル
亜鉛、ジエチルテルルを用いたが、本発明ではこれに限
定されず亜鉛の原料としてジエチル亜鉛、テルルの原料
としてジイソプロピルテルルやターシャルブチルテルル
等の他の原料でもよく、その組合わせも限定されないの
は明らかである。
亜鉛、ジエチルテルルを用いたが、本発明ではこれに限
定されず亜鉛の原料としてジエチル亜鉛、テルルの原料
としてジイソプロピルテルルやターシャルブチルテルル
等の他の原料でもよく、その組合わせも限定されないの
は明らかである。
【００２０】また上記実施例では、Ｐを構成元素とする
ドーピングソースガスとしてフォスフィンやターシャル
ブチルフォスフィンを用いたが、本発明はこれに限定さ
れずジフォスフィン，イソプロピルフォスフィンやトリ
メチルリンなど他の原料でもよい。
ドーピングソースガスとしてフォスフィンやターシャル
ブチルフォスフィンを用いたが、本発明はこれに限定さ
れずジフォスフィン，イソプロピルフォスフィンやトリ
メチルリンなど他の原料でもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれば
キャリア濃度が高く、比抵抗が低い結晶性に優れたｐ型
ＺｎＴｅが容易に製造できる。また、キャリア濃度の制
御性は極めて高い。これは、本発明ではＰＨ3 ，ＴＢＰ
等のソースガスの流量を制御すればキャリア濃度を制御
できるが、流量制御は簡単だからである。本発明手法は
従来より用いられている成長装置をそのまま用いること
ができ極めて簡便な方法である。
キャリア濃度が高く、比抵抗が低い結晶性に優れたｐ型
ＺｎＴｅが容易に製造できる。また、キャリア濃度の制
御性は極めて高い。これは、本発明ではＰＨ3 ，ＴＢＰ
等のソースガスの流量を制御すればキャリア濃度を制御
できるが、流量制御は簡単だからである。本発明手法は
従来より用いられている成長装置をそのまま用いること
ができ極めて簡便な方法である。
【００２２】本発明の方法によって得られる膜は、緑色
半導体発光素子などに用いることができ、工業的に有用
である。
半導体発光素子などに用いることができ、工業的に有用
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法に用いられる成長装置の一例の概
略構成図である。
略構成図である。
１ａ〜１ｃ バブラー １１ 反応管 １２ 基板 １３ 高周波コイル
Claims (1)
- 【請求項１】 有機金属気相成長方法を用い、ドーピン
グソースガスとしてＰを構成元素に含む水素化物あるい
は有機金属を用いることによって、アクセプタとして燐
（Ｐ）が取り込まれたＺｎＴｅを成長させることを特徴
としたｐ型ＺｎＴｅの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5162893A JPH07101673B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | ｐ型ＺｎＴｅの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5162893A JPH07101673B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | ｐ型ＺｎＴｅの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267859A true JPH06267859A (ja) | 1994-09-22 |
| JPH07101673B2 JPH07101673B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12892122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5162893A Expired - Fee Related JPH07101673B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | ｐ型ＺｎＴｅの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101673B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008047731A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Saga Univ | 半導体の製造方法 |
| JP2012129459A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Stanley Electric Co Ltd | 酸化亜鉛系半導体の成長方法 |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP5162893A patent/JPH07101673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008047731A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Saga Univ | 半導体の製造方法 |
| JP2012129459A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Stanley Electric Co Ltd | 酸化亜鉛系半導体の成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07101673B2 (ja) | 1995-11-01 |
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