JPH06267802A - 低インピーダンス形固体電解コンデンサ - Google Patents
低インピーダンス形固体電解コンデンサInfo
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- JPH06267802A JPH06267802A JP8136893A JP8136893A JPH06267802A JP H06267802 A JPH06267802 A JP H06267802A JP 8136893 A JP8136893 A JP 8136893A JP 8136893 A JP8136893 A JP 8136893A JP H06267802 A JPH06267802 A JP H06267802A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数領域でイン
ピーダンス及び等価直列抵抗が１０ｍΩ以下で、初期特
性値が非常に小さく、且つ容量の大きい低インピーダン
ス形固体電解コンデンサを提供すること。 【構成】 表面に誘電体酸化被膜が形成した金属基板１
の誘電体酸化被膜の表面に導電性を有する機能性高分子
膜を形成したコンデンサ部３を具備する固体電解コンデ
ンサにおいて、コンデンサ部３を金属基板１の略中央部
に形成すると共に、該コンデンサ表面に陰極取り出し端
子を接合し、陰極取り出し端子に入出力外部陰極端子
４，５を設けると共に、基板の両端に入出力外部陽極端
子７−１，７−２を設けた。
ピーダンス及び等価直列抵抗が１０ｍΩ以下で、初期特
性値が非常に小さく、且つ容量の大きい低インピーダン
ス形固体電解コンデンサを提供すること。 【構成】 表面に誘電体酸化被膜が形成した金属基板１
の誘電体酸化被膜の表面に導電性を有する機能性高分子
膜を形成したコンデンサ部３を具備する固体電解コンデ
ンサにおいて、コンデンサ部３を金属基板１の略中央部
に形成すると共に、該コンデンサ表面に陰極取り出し端
子を接合し、陰極取り出し端子に入出力外部陰極端子
４，５を設けると共に、基板の両端に入出力外部陽極端
子７−１，７−２を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミニウム等の表面に
誘電体酸化被膜を形成した金属基板の該誘電体酸化被膜
の表面に導電性を有する機能高分子膜を形成したコンデ
ンサ部を具備する低インピーダンス形固体電解コンデン
サに関し、特に１００ＫＨｚ以上の高周波領域におい
て、低インピーダンス、低等価直列抵抗（ＥＳＲ）を有
する低インピーダンス固体電解コンデンサに関するもの
である。
誘電体酸化被膜を形成した金属基板の該誘電体酸化被膜
の表面に導電性を有する機能高分子膜を形成したコンデ
ンサ部を具備する低インピーダンス形固体電解コンデン
サに関し、特に１００ＫＨｚ以上の高周波領域におい
て、低インピーダンス、低等価直列抵抗（ＥＳＲ）を有
する低インピーダンス固体電解コンデンサに関するもの
である。
【０００２】
【従来技術】電子機器の高性能化、小型化、軽量化に伴
い、電源の小型化及び長寿命化が急速に発展してきた。
電源の小型化は、動作周波数を高周波化することにより
実現可能であるが、動作周波数を１００ＫＨｚ→２００
ＫＨｚ→５００ＫＨｚ→１ＭＨｚと高周波化するにつれ
て電源回路に使用される部品、特にコンデンサの性能に
対する要求が厳しく、従来既存のコンデンサでは、要求
を満足することができない場合があった。
い、電源の小型化及び長寿命化が急速に発展してきた。
電源の小型化は、動作周波数を高周波化することにより
実現可能であるが、動作周波数を１００ＫＨｚ→２００
ＫＨｚ→５００ＫＨｚ→１ＭＨｚと高周波化するにつれ
て電源回路に使用される部品、特にコンデンサの性能に
対する要求が厳しく、従来既存のコンデンサでは、要求
を満足することができない場合があった。
【０００３】前記要求に応えて、最近導電性を有する機
能高分子を用いたアルミニウム固体電解コンデンサが開
発され、実用化されている。該アルミニウム固体電解コ
ンデンサは、同一ＣＶ（容量と体積の積）での、従来の
小型アルミニウムに対して、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの
領域で、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が１／５０〜１／１０
０と非常に低い。また、タンタル固体電解コンデンサに
対しても等価直列抵抗は１／１０〜１／２０と低い。
能高分子を用いたアルミニウム固体電解コンデンサが開
発され、実用化されている。該アルミニウム固体電解コ
ンデンサは、同一ＣＶ（容量と体積の積）での、従来の
小型アルミニウムに対して、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの
領域で、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が１／５０〜１／１０
０と非常に低い。また、タンタル固体電解コンデンサに
対しても等価直列抵抗は１／１０〜１／２０と低い。
【０００４】図８は上記従来のアルミニウム固体電解コ
ンデンサの概略構造を示す図で、１０５は表面に陽極酸
化被膜を形成したアルミニウム基板であり、１０１は該
アルミニウム基板１０５の陽極酸化被膜の表面に導電性
を有する機能高分子膜（例えば、ポリ・ピロール、ポリ
・チオフェン、ポリ・アニリン等）を形成した後、該機
能高分子膜の表面にグラハイト層、銀ペースト層を順次
形成してなるコンデンサ部である。該コンデンサ部１０
１に外部陰極端子１０３を設けると共に、アルミニウム
基板１０５に外部陽極端子１０２を設け、外表面に樹脂
剤等の外装４を形成している。
ンデンサの概略構造を示す図で、１０５は表面に陽極酸
化被膜を形成したアルミニウム基板であり、１０１は該
アルミニウム基板１０５の陽極酸化被膜の表面に導電性
を有する機能高分子膜（例えば、ポリ・ピロール、ポリ
・チオフェン、ポリ・アニリン等）を形成した後、該機
能高分子膜の表面にグラハイト層、銀ペースト層を順次
形成してなるコンデンサ部である。該コンデンサ部１０
１に外部陰極端子１０３を設けると共に、アルミニウム
基板１０５に外部陽極端子１０２を設け、外表面に樹脂
剤等の外装４を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５は各種コンデンサ
の周波数の特性（周波数に対するインピーダンスと等価
直列抵抗の関係）を示す図で、図中曲線Ｃ及びＤはそれ
ぞれ図８に示す構造のアルミニウム固体電解コンデンサ
のインピーダンス特性と等価直列抵抗（ＥＳＲ）特性を
示す。図示するように、図８に示す構造のアルミニウム
固体電解コンデンサは一般のアルミニウムコンデンサ
（曲線Ａ，曲線Ｂがそれぞれインピーダンス特性と等価
直列抵抗特性を示す）に比較し、インピーダンス及び等
価直列抵抗は小さい。しかしながら、なお一層低い等価
直列抵抗値（例えば、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数
領域で１０ｍΩ以下）を有する固体電解コンデンサの開
発が要望されつつあるが、これまでの固体電解コンデン
サではこれに応えることができなかった。
の周波数の特性（周波数に対するインピーダンスと等価
直列抵抗の関係）を示す図で、図中曲線Ｃ及びＤはそれ
ぞれ図８に示す構造のアルミニウム固体電解コンデンサ
のインピーダンス特性と等価直列抵抗（ＥＳＲ）特性を
示す。図示するように、図８に示す構造のアルミニウム
固体電解コンデンサは一般のアルミニウムコンデンサ
（曲線Ａ，曲線Ｂがそれぞれインピーダンス特性と等価
直列抵抗特性を示す）に比較し、インピーダンス及び等
価直列抵抗は小さい。しかしながら、なお一層低い等価
直列抵抗値（例えば、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数
領域で１０ｍΩ以下）を有する固体電解コンデンサの開
発が要望されつつあるが、これまでの固体電解コンデン
サではこれに応えることができなかった。
【０００６】また、初期特性値が大幅に改善されても、
例えば１０５℃の高温負荷試験において、値が変化しや
すいものであった場合には、実用上使用できないものと
なってしまう。従って、初期特性値が非常に小さく且
つ、殆ど特性変化がない固体電解コンデンサの開発が要
求されている。
例えば１０５℃の高温負荷試験において、値が変化しや
すいものであった場合には、実用上使用できないものと
なってしまう。従って、初期特性値が非常に小さく且
つ、殆ど特性変化がない固体電解コンデンサの開発が要
求されている。
【０００７】また、電源の出力平滑回路に使用するコン
デンサの場合は、電源の過渡応答（主に、出力電圧の維
持）の関係である程度、大容量の固体電解コンデンサが
要望されている。
デンサの場合は、電源の過渡応答（主に、出力電圧の維
持）の関係である程度、大容量の固体電解コンデンサが
要望されている。
【０００８】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数領域でインピーダ
ンス及び等価直列抵抗が１０ｍΩ以下で、初期特性値が
非常に小さく、且つ容量の大きい低インピーダンス形固
体電解コンデンサを提供することを目的とする。
で、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの周波数領域でインピーダ
ンス及び等価直列抵抗が１０ｍΩ以下で、初期特性値が
非常に小さく、且つ容量の大きい低インピーダンス形固
体電解コンデンサを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、表面に誘電体酸化被膜が形成した金属基板
の、該誘電体酸化被膜の表面に導電性を有する機能性高
分子膜を形成したコンデンサ部を具備する固体電解コン
デンサにおいて、該コンデンサ部を金属基板の略中央部
に形成すると共に、該コンデンサ表面に陰極取り出し端
子を接合し、陰極取付板に入出力外部陰極端子を設ける
と共に、金属基板の両端に入出力外部陽極端子を設けた
ことを特徴とする。
本発明は、表面に誘電体酸化被膜が形成した金属基板
の、該誘電体酸化被膜の表面に導電性を有する機能性高
分子膜を形成したコンデンサ部を具備する固体電解コン
デンサにおいて、該コンデンサ部を金属基板の略中央部
に形成すると共に、該コンデンサ表面に陰極取り出し端
子を接合し、陰極取付板に入出力外部陰極端子を設ける
と共に、金属基板の両端に入出力外部陽極端子を設けた
ことを特徴とする。
【００１０】また、陰極取り出し端子が２分割され、そ
れぞれに入力又は出力外部陰極端子が設けられているこ
とを特徴とする。
れぞれに入力又は出力外部陰極端子が設けられているこ
とを特徴とする。
【００１１】また、上記低インピーダンス形固体電解コ
ンデンサは２枚のセラミック板によりサンドイッチ状に
挟み込んだ外装が施されていることを特徴とする。
ンデンサは２枚のセラミック板によりサンドイッチ状に
挟み込んだ外装が施されていることを特徴とする。
【００１２】また、前記２枚のセラミック板は、低融点
ガラス、又は耐熱性無機接着剤を用いて接合したことを
特徴とする。
ガラス、又は耐熱性無機接着剤を用いて接合したことを
特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明は上記構成を採用することにより、コン
デンサ部を金属基板の略中央部に形成し、該コンデンサ
表面に陰極取り出し端子を接合し、陰極取り出し端子に
入出力外部陰極端子を設け、金属基板の両端に入出力外
部陽極端子を設けたので、コンデンサが４端子構造とな
り、１００ＫＨｚ以上の高周波数領域において、低イン
ピーダンス値、低等価直列抵抗値、低インダクタンス値
を有する固体電解コンデンサが得られる。
デンサ部を金属基板の略中央部に形成し、該コンデンサ
表面に陰極取り出し端子を接合し、陰極取り出し端子に
入出力外部陰極端子を設け、金属基板の両端に入出力外
部陽極端子を設けたので、コンデンサが４端子構造とな
り、１００ＫＨｚ以上の高周波数領域において、低イン
ピーダンス値、低等価直列抵抗値、低インダクタンス値
を有する固体電解コンデンサが得られる。
【００１４】また、外装として、セラミック板を用いて
上下面を覆う外装構造とすることにより、非常に薄型
で、高温負荷試験においても特性変化の非常に少ない固
体電解コンデンサとなる。
上下面を覆う外装構造とすることにより、非常に薄型
で、高温負荷試験においても特性変化の非常に少ない固
体電解コンデンサとなる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の低インピーダンス形固体電解コン
デンサのコンデンサ素子の構成を示す外観図である。１
はアルミニウム基板（又は箔）で、該アルミニウム基板
１の表面は粗面化（エッチング）され、更にその表面に
は陽極酸化被膜が形成されている。アルミニウム基板１
の中央部にはコンデンサ部３を形成する。該コンデンサ
部３の形成は、アルミニウム基板１の両端部１−１，１
−２に絶縁テープ又はポリビニルアルコール等の樹脂材
で覆いマスキングを施し、マスキングが施されていない
中央部に導電性機能高分子膜（例えば、ポリ・ピロー
ル、ポリ・チオフェン、ポリ・アニリン等を形成する）
を形成し、更に導電性機能高分子膜の表面にグラファイ
ト層、銀ペースト層を順次形成して行う。
する。図１は本発明の低インピーダンス形固体電解コン
デンサのコンデンサ素子の構成を示す外観図である。１
はアルミニウム基板（又は箔）で、該アルミニウム基板
１の表面は粗面化（エッチング）され、更にその表面に
は陽極酸化被膜が形成されている。アルミニウム基板１
の中央部にはコンデンサ部３を形成する。該コンデンサ
部３の形成は、アルミニウム基板１の両端部１−１，１
−２に絶縁テープ又はポリビニルアルコール等の樹脂材
で覆いマスキングを施し、マスキングが施されていない
中央部に導電性機能高分子膜（例えば、ポリ・ピロー
ル、ポリ・チオフェン、ポリ・アニリン等を形成する）
を形成し、更に導電性機能高分子膜の表面にグラファイ
ト層、銀ペースト層を順次形成して行う。
【００１６】前記アルミニウム基板１の両端部１−１，
１−２には図２に示すように、それぞれハンダ付け可能
な金属（例えば、黄銅、ハンダ鍍金を施した鉄等）から
なる入力外部陽極端子４及び出力外部陽極端子５が電気
溶接又は超音波溶接等により取り付けられている。ま
た、コンデンサ部３の外側の銀ペースト層の表面にはハ
ンダ付け可能な金属（例えば、黄銅、ハンダ鍍金を施し
た鉄等）からなる陰極端子取付板７が取り付けられ、該
陰極端子取付板７の一方の側には入力陰極端子７−１及
び出力陰極端子７−２が所定の間隔を設けて形成されて
いる。
１−２には図２に示すように、それぞれハンダ付け可能
な金属（例えば、黄銅、ハンダ鍍金を施した鉄等）から
なる入力外部陽極端子４及び出力外部陽極端子５が電気
溶接又は超音波溶接等により取り付けられている。ま
た、コンデンサ部３の外側の銀ペースト層の表面にはハ
ンダ付け可能な金属（例えば、黄銅、ハンダ鍍金を施し
た鉄等）からなる陰極端子取付板７が取り付けられ、該
陰極端子取付板７の一方の側には入力陰極端子７−１及
び出力陰極端子７−２が所定の間隔を設けて形成されて
いる。
【００１７】上記のように入出力外部陽極端子４，５及
び入出力陰極端子７−１，７−２が取り付けられたアル
ミニウム固体電解コンデンサの単板８をセラミック板９
の上に固定し、セラミック板９の上面の単板８の周囲に
低融点ガラス又は耐熱性無機接着剤（市販のセラミック
同志を接着できる接着剤）を塗布した後、もう一方のセ
ラミック板１０をその上に載置し、単板８をセラミック
板９と１０でサンドイッチするようにした後、前記した
低融点ガラス又は耐熱性無機接着剤でセラミック板９と
１０を接合する。
び入出力陰極端子７−１，７−２が取り付けられたアル
ミニウム固体電解コンデンサの単板８をセラミック板９
の上に固定し、セラミック板９の上面の単板８の周囲に
低融点ガラス又は耐熱性無機接着剤（市販のセラミック
同志を接着できる接着剤）を塗布した後、もう一方のセ
ラミック板１０をその上に載置し、単板８をセラミック
板９と１０でサンドイッチするようにした後、前記した
低融点ガラス又は耐熱性無機接着剤でセラミック板９と
１０を接合する。
【００１８】図３は、上記のようにアルミニウム固体電
解コンデンサの単板８をセラミック板９と１０でサンド
イッチ状に挟んで外装を施した低インピーダンス形固体
電解コンデンサの構造を示す図である。図示するよう
に、セラミック板９と１０との間に低融点ガラス又は耐
熱性無機接着剤１１を介在させて接合し、アルミニウム
固体電解コンデンサの単板８をセラミック板９と１０と
でサンドイッチ状に挟んで外装を施している。
解コンデンサの単板８をセラミック板９と１０でサンド
イッチ状に挟んで外装を施した低インピーダンス形固体
電解コンデンサの構造を示す図である。図示するよう
に、セラミック板９と１０との間に低融点ガラス又は耐
熱性無機接着剤１１を介在させて接合し、アルミニウム
固体電解コンデンサの単板８をセラミック板９と１０と
でサンドイッチ状に挟んで外装を施している。
【００１９】図４はアルミニウム固体電解コンデンサの
単板８の他の構成例を示す図である。本構成例では図４
に示すように、陰極端子取付板が７’と７”との２つに
分割されて、所定の間隔をおいてコンデンサ部３上に設
けられている。該陰極端子取付板７’と７”とにはそれ
ぞれ入力陰極端子７−１と出力陰極端子７−２が形成さ
れている。この単板８の上下面にも図示は省略するが、
図３に示すように、セラミック板９と１０とを低融点ガ
ラス又は耐熱性無機接着剤１１で接合した外装を施す。
単板８の他の構成例を示す図である。本構成例では図４
に示すように、陰極端子取付板が７’と７”との２つに
分割されて、所定の間隔をおいてコンデンサ部３上に設
けられている。該陰極端子取付板７’と７”とにはそれ
ぞれ入力陰極端子７−１と出力陰極端子７−２が形成さ
れている。この単板８の上下面にも図示は省略するが、
図３に示すように、セラミック板９と１０とを低融点ガ
ラス又は耐熱性無機接着剤１１で接合した外装を施す。
【００２０】図５は各種コンデンサの周波数特性を示す
図である。同図において、曲線Ａは一般アルミニウム電
解コンデンサのインピーダンス特性、曲線Ｂは一般アル
ミニウム電解コンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）特
性、曲線Ｃは図８に示す従来構成のアルミニウム固体電
解コンデンサのインピーダンス特性、曲線Ｄは図８に示
す従来構成のアルミニウム固体電解コンデンサの等価直
列抵抗特性、曲線Ｅは図２に示す構成のアルミニウム固
体電解コンデンサのインピーダンス特性、曲線Ｆは図２
に示す構成のアルミニウム固体電解コンデンサの等価直
列抵抗特性、曲線Ｇは図４に示す構成のアルミニウム固
体電解コンデンサのインピーダンス特性、曲線Ｈは図４
に示す構成のアルミニウム固体電解コンデンサの等価直
列抵抗特性を示す図である。
図である。同図において、曲線Ａは一般アルミニウム電
解コンデンサのインピーダンス特性、曲線Ｂは一般アル
ミニウム電解コンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）特
性、曲線Ｃは図８に示す従来構成のアルミニウム固体電
解コンデンサのインピーダンス特性、曲線Ｄは図８に示
す従来構成のアルミニウム固体電解コンデンサの等価直
列抵抗特性、曲線Ｅは図２に示す構成のアルミニウム固
体電解コンデンサのインピーダンス特性、曲線Ｆは図２
に示す構成のアルミニウム固体電解コンデンサの等価直
列抵抗特性、曲線Ｇは図４に示す構成のアルミニウム固
体電解コンデンサのインピーダンス特性、曲線Ｈは図４
に示す構成のアルミニウム固体電解コンデンサの等価直
列抵抗特性を示す図である。
【００２１】図５の曲線Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈから明らかなよ
うに、図２及び図４に示す構成のアルミニウム固体電解
コンデンサは高周波数領域におけるインピーダンス特性
及び等価直列抵抗特性は何れも図８に示す従来のアルミ
ニウム固体電解コンデンサ（曲線Ｃ、曲線Ｄ）に比べて
優れている。また、図４に示す構成のアルミニウム固体
電解コンデンサは、図２に示すものより高周波数領域に
おいて更に低インピーダンス及び低等価直列抵抗（１０
０ＫＨｚ〜１ＭＨｚの領域において１０ｍΩ以下）とな
る。
うに、図２及び図４に示す構成のアルミニウム固体電解
コンデンサは高周波数領域におけるインピーダンス特性
及び等価直列抵抗特性は何れも図８に示す従来のアルミ
ニウム固体電解コンデンサ（曲線Ｃ、曲線Ｄ）に比べて
優れている。また、図４に示す構成のアルミニウム固体
電解コンデンサは、図２に示すものより高周波数領域に
おいて更に低インピーダンス及び低等価直列抵抗（１０
０ＫＨｚ〜１ＭＨｚの領域において１０ｍΩ以下）とな
る。
【００２２】図５に示すように、図２及び図４に示す構
成のアルミニウム固体電解コンデンサの高周波数領域で
のインピーダンス特性及び等価直列抵抗特性（曲線Ｅ，
Ｆ，Ｇ，Ｈ）が、図８に示す従来のアルミニウム固体電
解コンデンサ（曲線Ｃ，Ｄ）に比べて低くなる理由を考
える。図６は図８に示す従来のアルミニウム固体電解コ
ンデンサの等価回路であり、図７は図２及び図４に示す
構成のアルミニウム固体電解コンデンサの等価回路であ
る。
成のアルミニウム固体電解コンデンサの高周波数領域で
のインピーダンス特性及び等価直列抵抗特性（曲線Ｅ，
Ｆ，Ｇ，Ｈ）が、図８に示す従来のアルミニウム固体電
解コンデンサ（曲線Ｃ，Ｄ）に比べて低くなる理由を考
える。図６は図８に示す従来のアルミニウム固体電解コ
ンデンサの等価回路であり、図７は図２及び図４に示す
構成のアルミニウム固体電解コンデンサの等価回路であ
る。
【００２３】従来のアルミニウム固体電解コンデンサは
図６にその等価回路を示すように、インダクタンスＬ０
や抵抗Ｒ０がコンデン容量Ｃ０に対して直列になるのに
対して、図２及び図４に示す構成のアルミニウム固体電
解コンデンサではインダクタンスＬ０1，Ｌ０2，Ｌ
０3，Ｌ０4及び抵抗Ｒ０1，Ｒ０2，Ｒ０3，Ｒ０4はコン
デン容量Ｃ０に対して並列に接続されることになる。従
って、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの高周波数領域におい
て、図２及び図３に示す４端子構造のコンデンサの方が
インピーダンス及び等価直列抵抗（ＥＳＲ）が図８に示
す２端子構造のものより低くなる。
図６にその等価回路を示すように、インダクタンスＬ０
や抵抗Ｒ０がコンデン容量Ｃ０に対して直列になるのに
対して、図２及び図４に示す構成のアルミニウム固体電
解コンデンサではインダクタンスＬ０1，Ｌ０2，Ｌ
０3，Ｌ０4及び抵抗Ｒ０1，Ｒ０2，Ｒ０3，Ｒ０4はコン
デン容量Ｃ０に対して並列に接続されることになる。従
って、１００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの高周波数領域におい
て、図２及び図３に示す４端子構造のコンデンサの方が
インピーダンス及び等価直列抵抗（ＥＳＲ）が図８に示
す２端子構造のものより低くなる。
【００２４】また、図４に示すように、陰極端子取付板
が２つに分割（７’，７”）された構成の固体電解コン
デンサにおいては、図６のインダクタンスＬ０1，Ｌ
０2，Ｌ０3，Ｌ０4の値が図２に示すように陰極端子取
付板７が１つのものに比較し、大きくなる。従って、１
００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの高周波数領域において、インピ
ーダンス及び等価直列抵抗は、図２に示す構成のコンデ
ンサ（図５の曲線Ｅ，Ｆ参照）より低くなる（図５の曲
線Ｇ，Ｈ参照）。
が２つに分割（７’，７”）された構成の固体電解コン
デンサにおいては、図６のインダクタンスＬ０1，Ｌ
０2，Ｌ０3，Ｌ０4の値が図２に示すように陰極端子取
付板７が１つのものに比較し、大きくなる。従って、１
００ＫＨｚ〜１ＭＨｚの高周波数領域において、インピ
ーダンス及び等価直列抵抗は、図２に示す構成のコンデ
ンサ（図５の曲線Ｅ，Ｆ参照）より低くなる（図５の曲
線Ｇ，Ｈ参照）。
【００２５】なお、上記実施例では金属基板としてアル
ミニウム板（又は箔）を用いたが、金属基板はこれに限
定されるものではなく、表面に誘電体酸化被膜が形成で
きる金属板（又は箔）であれば勿論良く、例えば、タン
タルの焼結体を平板状に形成したものを用いても良い。
ミニウム板（又は箔）を用いたが、金属基板はこれに限
定されるものではなく、表面に誘電体酸化被膜が形成で
きる金属板（又は箔）であれば勿論良く、例えば、タン
タルの焼結体を平板状に形成したものを用いても良い。
【００２６】また、上記実施例では、外装を緻密なセラ
ミック板９，１０を用い、該セラミック板９，１０でア
ルミニウム固体電解コンデンサの単板８をサンドイッチ
状に挟み込んで構成しているが、熱硬化性エポキシ樹脂
や熱可塑性ポリフェニレンサルファイド樹脂等によるモ
ールド外装、又は熱硬化性エポキシ樹脂の粉体塗装によ
る簡易外装でもよいことは勿論である。
ミック板９，１０を用い、該セラミック板９，１０でア
ルミニウム固体電解コンデンサの単板８をサンドイッチ
状に挟み込んで構成しているが、熱硬化性エポキシ樹脂
や熱可塑性ポリフェニレンサルファイド樹脂等によるモ
ールド外装、又は熱硬化性エポキシ樹脂の粉体塗装によ
る簡易外装でもよいことは勿論である。
【００２７】また、セラミック板９と１０を接合する低
融点ガラス又は耐熱性無機接着剤は、２枚のセラミック
板を接合する目的以外に、該材料でアルミニウム固体電
解コンデンサの単板８の全体を覆うように塗装すること
により、なお一層の気密性が保持でき、特性変化の少な
い固体電解コンデンサとなる。
融点ガラス又は耐熱性無機接着剤は、２枚のセラミック
板を接合する目的以外に、該材料でアルミニウム固体電
解コンデンサの単板８の全体を覆うように塗装すること
により、なお一層の気密性が保持でき、特性変化の少な
い固体電解コンデンサとなる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、コ
ンデンサ部を金属基板の略中央部に形成し、該コンデン
サ表面に陰極取り出し端子を接合し、陰極取り出し端子
に入出力外部陰極端子を設け、金属基板の両端に入出力
外部陽極端子を設けた４端子構造としたので、上述のよ
うに１００ＫＨｚ以上の高周波数領域において、低イン
ピーダンス値、低等価直列抵抗値、低インダクタンス値
を有する固体電解コンデンサが得られる。
ンデンサ部を金属基板の略中央部に形成し、該コンデン
サ表面に陰極取り出し端子を接合し、陰極取り出し端子
に入出力外部陰極端子を設け、金属基板の両端に入出力
外部陽極端子を設けた４端子構造としたので、上述のよ
うに１００ＫＨｚ以上の高周波数領域において、低イン
ピーダンス値、低等価直列抵抗値、低インダクタンス値
を有する固体電解コンデンサが得られる。
【００２９】また、外装として、２枚のセラミック板を
用い、該セラミック板でサンドイッチ状に挟みこんだ構
造とすることにより、非常に薄型で、高温負荷試験にお
いても特性変化の非常に少ない固体電解コンデンサとな
る。
用い、該セラミック板でサンドイッチ状に挟みこんだ構
造とすることにより、非常に薄型で、高温負荷試験にお
いても特性変化の非常に少ない固体電解コンデンサとな
る。
【図１】本発明の低インピーダンス形固体電解コンデン
サのコンデンサ素子の構成を示す外観図である。
サのコンデンサ素子の構成を示す外観図である。
【図２】本発明の低インピーダンス形固体電解コンデン
サの構成を示す図である。
サの構成を示す図である。
【図３】本発明の外装を施した低インピーダンス形固体
電解コンデンサの構成を示す図である。
電解コンデンサの構成を示す図である。
【図４】本発明の低インピーダンス形固体電解コンデン
サの他の構成を示す図である。
サの他の構成を示す図である。
【図５】各種コンデンサのインピーダンスとＥＳＲ−周
波数特性を示す図である。
波数特性を示す図である。
【図６】図８に示す従来のアルミニウム固体電解コンデ
ンサの等価回路を示す図である。
ンサの等価回路を示す図である。
【図７】図２及び図４に示す本発明の低インピーダンス
形固体電解コンデンサの等価回路を示す図である。
形固体電解コンデンサの等価回路を示す図である。
【図８】従来のアルミニウム固体電解コンデンサの等価
回路を示す図である。
回路を示す図である。
１ 金属基板 ３ コンデンサ部 ４ 入力外部陽極端子 ５ 出力外部陽極端子 ７ 陰極端子取付板 ７’ 陰極端子取付板 ７” 陰極端子取付板 ７−１ 入力陰極端子 ７−２ 出力陰極端子 ８ 固体コンデンサの単板 ９ セラミック板 １０ セラミック板 １１ 低融点ガラス又は耐熱性無機接着剤
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に誘電体酸化被膜が形成した金属基
板の、該誘電体酸化被膜の表面に導電性を有する機能性
高分子膜を形成したコンデンサ部を具備する固体電解コ
ンデンサにおいて、 前記コンデンサ部を前記金属基板の略中央部に形成する
と共に、該コンデンサ部表面に陰極取付板を接合し、 該陰極取付板に入出力外部陰極端子を設けると共に、前
記金属基板の両端に入出力外部陽極端子を設けたことを
特徴とする低インピーダンス形固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 前記陰極取付板が２分割され、それぞれ
に入力又は出力外部陰極端子が設けられていることを特
徴とする請求項１記載の低インピーダンス形固体電解コ
ンデンサ。 - 【請求項３】 前記請求項１又は請求項２記載の低イン
ピーダンス形固体電解コンデンサにおいて、 該低インピーダンス形固体電解コンデンサは２枚のセラ
ミック板によりサンドイッチ状に挟み込んだ外装が施さ
れいることを特徴とする低インピーダンス形固体電解コ
ンデンサ。 - 【請求項４】 前記請求項３記載の低インピーダンス形
固体電解コンデンサにおいて、 前記２枚のセラミック板は、低融点ガラス、又は耐熱性
無機接着剤を用いて接合したことを特徴とする低インピ
ーダンス形固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8136893A JPH06267802A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 低インピーダンス形固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8136893A JPH06267802A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 低インピーダンス形固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267802A true JPH06267802A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13744378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8136893A Pending JPH06267802A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 低インピーダンス形固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267802A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0936642A2 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Four-terminal capacitor |
| US6580601B2 (en) | 2001-10-30 | 2003-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolyte capacitor and method for manufacturing the same |
| US6661644B2 (en) | 2001-10-05 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor |
| US6836401B2 (en) | 2001-09-20 | 2004-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor, laminated capacitor, and capacitor built-in-board |
| US7184257B2 (en) | 2003-02-26 | 2007-02-27 | Tdk Corporation | Solid electrolytic capacitor |
| US7385804B2 (en) * | 2003-08-12 | 2008-06-10 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor, electric circuit, and solid electrolytic capacitor mounting structure |
| US8027146B2 (en) * | 2005-12-26 | 2011-09-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electric circuit device enabling impedance reduction |
| JP2012146827A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP8136893A patent/JPH06267802A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0936642A2 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Four-terminal capacitor |
| EP0936642A3 (en) * | 1998-02-09 | 2000-05-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Four-terminal capacitor |
| US6185091B1 (en) | 1998-02-09 | 2001-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Four-terminal capacitor |
| EP1372167A1 (en) * | 1998-02-09 | 2003-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Four-terminal capacitor |
| US6836401B2 (en) | 2001-09-20 | 2004-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor, laminated capacitor, and capacitor built-in-board |
| US6661644B2 (en) | 2001-10-05 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor |
| US6580601B2 (en) | 2001-10-30 | 2003-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolyte capacitor and method for manufacturing the same |
| US7184257B2 (en) | 2003-02-26 | 2007-02-27 | Tdk Corporation | Solid electrolytic capacitor |
| US7385804B2 (en) * | 2003-08-12 | 2008-06-10 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor, electric circuit, and solid electrolytic capacitor mounting structure |
| US7929275B2 (en) | 2003-08-12 | 2011-04-19 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor, electric circuit, and solid electrolytic capacitor mounting structure |
| US8027146B2 (en) * | 2005-12-26 | 2011-09-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electric circuit device enabling impedance reduction |
| JP2012146827A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
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