JPH06253090A - 画像入出力方法およびその記録装置 - Google Patents
画像入出力方法およびその記録装置Info
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- JPH06253090A JPH06253090A JP5641193A JP5641193A JPH06253090A JP H06253090 A JPH06253090 A JP H06253090A JP 5641193 A JP5641193 A JP 5641193A JP 5641193 A JP5641193 A JP 5641193A JP H06253090 A JPH06253090 A JP H06253090A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 画素配列のピッチに多少のむらがあっても記
録むらや表示むらの発生を低減できる。 【構成】 記録すべき画素の配列を、２次元正方格子か
ら主走査方向Ｘに１ラインおきに１／２ピッチずらせ、
２次元細密格子となるようにしたことを特徴としてい
る。
録むらや表示むらの発生を低減できる。 【構成】 記録すべき画素の配列を、２次元正方格子か
ら主走査方向Ｘに１ラインおきに１／２ピッチずらせ、
２次元細密格子となるようにしたことを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高品質な記録を行うた
めの画像入力およびハードコピー出力を行う画像入出力
方法と、その記録装置に関するものである。
めの画像入力およびハードコピー出力を行う画像入出力
方法と、その記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の画像入出力方法における
画素配列であり、１は画像を構成する画素（構成画素）
である。従来の画素配列は図５の（ａ）のように縦横が
ピッチｐに配列された２次元正方格子となっているか
ら、直交方向（主走査方向Ｘおよび副走査方向Ｙ）に隣
接する画素間距離（ピッチ）ｐと斜め方向に隣接する画
素間距離ｄに大きな差があるため、図５の（ｂ）のよう
に前面を塗りつぶすためには大きな画素径が必要とさ
れ、しかも前面が塗りつぶされる画素径の場合には、直
交方向には大きな画素間のオーバーラップ部２が生じる
無駄があった。さらに出力装置によって（ｃ）のような
主走査方向Ｘの画素配列にピッチむらがあるような場合
には、副走査方向Ｙに連なった画素列と画素列の間に線
状の低濃度部（画素の隙間３）およびオーバーラップに
よる線上の高濃度部（画素の重複部４）が生じやすく、
記録むらを生じる原因となりやすい欠点があった。
画素配列であり、１は画像を構成する画素（構成画素）
である。従来の画素配列は図５の（ａ）のように縦横が
ピッチｐに配列された２次元正方格子となっているか
ら、直交方向（主走査方向Ｘおよび副走査方向Ｙ）に隣
接する画素間距離（ピッチ）ｐと斜め方向に隣接する画
素間距離ｄに大きな差があるため、図５の（ｂ）のよう
に前面を塗りつぶすためには大きな画素径が必要とさ
れ、しかも前面が塗りつぶされる画素径の場合には、直
交方向には大きな画素間のオーバーラップ部２が生じる
無駄があった。さらに出力装置によって（ｃ）のような
主走査方向Ｘの画素配列にピッチむらがあるような場合
には、副走査方向Ｙに連なった画素列と画素列の間に線
状の低濃度部（画素の隙間３）およびオーバーラップに
よる線上の高濃度部（画素の重複部４）が生じやすく、
記録むらを生じる原因となりやすい欠点があった。
【０００３】図６は従来の画像入出力方法に用いるシス
テムの一例を示す図である。
テムの一例を示す図である。
【０００４】記録制御部３３は画像読み取り装置３１か
ら読み取った画像情報あるいは画像メモリ３４から得た
画像情報を画像記録装置３２に記録出力させる。画像読
み取り装置３１の入力ヘッド、および画像記録装置３２
の出力ヘッドの画素配列は図５の（ａ）のように２次元
正方格子になっている。
ら読み取った画像情報あるいは画像メモリ３４から得た
画像情報を画像記録装置３２に記録出力させる。画像読
み取り装置３１の入力ヘッド、および画像記録装置３２
の出力ヘッドの画素配列は図５の（ａ）のように２次元
正方格子になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これら入力ヘッドや出
力ヘッドの製造過程において、図５の（ｃ）に示すよう
に、画素形成素子の配列にわずかなピッチむらが生じる
と、記録むらが発生する。例えば、配列のピッチにむら
のある記録ヘッドを用いた記録装置では、正確に入力さ
れた画像情報を記録しても、画素間のすきまによる低濃
度部３と、画素の密集による高濃度部４が隣接して発生
するような記録むらとなる。
力ヘッドの製造過程において、図５の（ｃ）に示すよう
に、画素形成素子の配列にわずかなピッチむらが生じる
と、記録むらが発生する。例えば、配列のピッチにむら
のある記録ヘッドを用いた記録装置では、正確に入力さ
れた画像情報を記録しても、画素間のすきまによる低濃
度部３と、画素の密集による高濃度部４が隣接して発生
するような記録むらとなる。
【０００６】本発明の目的は、画素配列のピッチに多少
のむらがあっても記録むらの発生を低減して高画質の記
録が可能な画像入出力方法を提供することにある。
のむらがあっても記録むらの発生を低減して高画質の記
録が可能な画像入出力方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる画像入出
力方法は、記録すべき画素の配列を、２次元正方格子か
ら前記主走査方向または副走査方向に１ラインおきに１
／２ピッチずらせるものである。
力方法は、記録すべき画素の配列を、２次元正方格子か
ら前記主走査方向または副走査方向に１ラインおきに１
／２ピッチずらせるものである。
【０００８】さらに、入力時の画素配列を出力画素密度
を２倍以上の偶数倍の画素密度を持つ２次元正方格子と
したものである。
を２倍以上の偶数倍の画素密度を持つ２次元正方格子と
したものである。
【０００９】また、本発明にかかる記録装置は、イオン
フロー記録装置を用いたものである。
フロー記録装置を用いたものである。
【００１０】
【作用】本発明にかかる画像入出力方法ならびに記録装
置は、従来の２次元正方格子の記録から２次元細密格子
の記録になるので記録むらが少なくなる。
置は、従来の２次元正方格子の記録から２次元細密格子
の記録になるので記録むらが少なくなる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例を説明する図であっ
て、１は画素である。図１の（ａ）のように、主走査方
向Ｘ、副走査方向Ｙにピッチｐで配列された２次元正方
格子（図５の（ａ）参照）から１ラインおきにｐ／２だ
けずらして記録するものである。以下この配列を２次元
細密格子と呼ぶ。２次元細密格子の配列にすると、直交
方向（主走査方向Ｘおよび副走査方向Ｙ）に隣接する画
素間距離、つまりピッチｐと斜め方向に隣接する画素間
距離ｄの差が小さいため、その効果としては図１の
（ｂ）のように従来と同数の画素数により全面を塗りつ
ぶすために必要とされる画素径が小さくて済み、しかも
全面が塗りつぶされる画素径の場合にも、画素間でオー
バーラップが生じる無駄が少ない。さらに出力装置によ
って図１の（ｃ）図のように主走査方向Ｘの画素列にピ
ッチむらがあるような場合にも、副走査方向Ｙに連なっ
た画素列と画素列の間に線状の低濃度部（画素の隙間
３）およびオーバーラップによる線状の高濃度部（画素
の重複部４）が生じにくく、記録むらを生じにくい。な
お、前記では主走査方向Ｘに１ラインおきに１／２ピッ
チずらせたが、副走査方向Ｙに１ラインおきに１／２ピ
ッチずらせてもよい。
て、１は画素である。図１の（ａ）のように、主走査方
向Ｘ、副走査方向Ｙにピッチｐで配列された２次元正方
格子（図５の（ａ）参照）から１ラインおきにｐ／２だ
けずらして記録するものである。以下この配列を２次元
細密格子と呼ぶ。２次元細密格子の配列にすると、直交
方向（主走査方向Ｘおよび副走査方向Ｙ）に隣接する画
素間距離、つまりピッチｐと斜め方向に隣接する画素間
距離ｄの差が小さいため、その効果としては図１の
（ｂ）のように従来と同数の画素数により全面を塗りつ
ぶすために必要とされる画素径が小さくて済み、しかも
全面が塗りつぶされる画素径の場合にも、画素間でオー
バーラップが生じる無駄が少ない。さらに出力装置によ
って図１の（ｃ）図のように主走査方向Ｘの画素列にピ
ッチむらがあるような場合にも、副走査方向Ｙに連なっ
た画素列と画素列の間に線状の低濃度部（画素の隙間
３）およびオーバーラップによる線状の高濃度部（画素
の重複部４）が生じにくく、記録むらを生じにくい。な
お、前記では主走査方向Ｘに１ラインおきに１／２ピッ
チずらせたが、副走査方向Ｙに１ラインおきに１／２ピ
ッチずらせてもよい。
【００１２】図２はこのような画素配列を実現する出力
手段の実施例であり、１１は記録ヘッド、１２は前記記
録ヘッド１１上の個々の画素形成用素子である。主走査
方向Ｘに主走査方向の画素数に相当する数の画素形成用
素子を有するライン状の記録ヘッドにおいて、記録ヘッ
ド上の主走査方向の偶数番素子と奇数番素子の位置を、
副走査方向に１／２ピッチずらした配置としてあるか
ら、図２（ｂ）に図２（ａ）と同じ縮尺で示すような２
次元細密格子上の画素形成を行うことができる。正方格
子状に画素を形成するための位置関係から一定距離ずら
した配置としたことにより出力画素配置を２次元細密格
子とすることができる。
手段の実施例であり、１１は記録ヘッド、１２は前記記
録ヘッド１１上の個々の画素形成用素子である。主走査
方向Ｘに主走査方向の画素数に相当する数の画素形成用
素子を有するライン状の記録ヘッドにおいて、記録ヘッ
ド上の主走査方向の偶数番素子と奇数番素子の位置を、
副走査方向に１／２ピッチずらした配置としてあるか
ら、図２（ｂ）に図２（ａ）と同じ縮尺で示すような２
次元細密格子上の画素形成を行うことができる。正方格
子状に画素を形成するための位置関係から一定距離ずら
した配置としたことにより出力画素配置を２次元細密格
子とすることができる。
【００１３】さらに具体的には、一例として図２（ａ）
の記録ヘッド１１はイオンフロー記録方式におけるイオ
ン流制御板、１２はイオン流通過孔とすれば、２次元細
密格子を実現する記録装置を用意できる。なお、図２
で、画素１と画素形成用素子１２との径が異なっている
のは、イオン流通過孔１２の場合には通過したイオン流
の径が次第に拡大されるからである。
の記録ヘッド１１はイオンフロー記録方式におけるイオ
ン流制御板、１２はイオン流通過孔とすれば、２次元細
密格子を実現する記録装置を用意できる。なお、図２
で、画素１と画素形成用素子１２との径が異なっている
のは、イオン流通過孔１２の場合には通過したイオン流
の径が次第に拡大されるからである。
【００１４】イオンフロー記録方式を出力手段として用
いる場合には、２次元細密格子として画素形式を行うこ
とにさらに別の利点が生じる。それは、イオンフロー記
録方式においては、静電潜像形成過程において先行して
形成された潜像の画素の表面電荷と、その後照射される
イオン流との間のクーロン反発力によりイオン流が偏向
し、所望の位置から外れた位置にイオン流が照射される
傾向があるが、２次元細密格子状に画素を形成する際に
は、２次元正方格子の場合と異なり、先行する周囲の画
素からの反発力は、本来画素を形成しようとする位置に
画素形成を行わせるよう安定させる方向に向かうため、
結果的にクーロン反発力による画素の位置ずれは少な
く、所望の画素配列からの画素位置のずれが起こりにく
いことである。
いる場合には、２次元細密格子として画素形式を行うこ
とにさらに別の利点が生じる。それは、イオンフロー記
録方式においては、静電潜像形成過程において先行して
形成された潜像の画素の表面電荷と、その後照射される
イオン流との間のクーロン反発力によりイオン流が偏向
し、所望の位置から外れた位置にイオン流が照射される
傾向があるが、２次元細密格子状に画素を形成する際に
は、２次元正方格子の場合と異なり、先行する周囲の画
素からの反発力は、本来画素を形成しようとする位置に
画素形成を行わせるよう安定させる方向に向かうため、
結果的にクーロン反発力による画素の位置ずれは少な
く、所望の画素配列からの画素位置のずれが起こりにく
いことである。
【００１５】このような画素配列を実現する出力手段の
別の実施例としては、主走査方向Ｘに主走査方向の画素
数に相当する数の画素形成用素子を有するライン状記録
ヘッドを用い、副走査方向Ｙには主走査方向Ｘの１／２
のピッチで画素を形成すると共に、主走査方向Ｘの画素
は主走査方向Ｘの１行ごとに交互に偶数番の画素と奇数
番の画素を省略して形成することにより、出力画素配列
を２次元細密格子とすることも可能である。
別の実施例としては、主走査方向Ｘに主走査方向の画素
数に相当する数の画素形成用素子を有するライン状記録
ヘッドを用い、副走査方向Ｙには主走査方向Ｘの１／２
のピッチで画素を形成すると共に、主走査方向Ｘの画素
は主走査方向Ｘの１行ごとに交互に偶数番の画素と奇数
番の画素を省略して形成することにより、出力画素配列
を２次元細密格子とすることも可能である。
【００１６】図３は前記の記述に対応する実施例を示す
もので、（ａ）図は記録ヘッド２１の構造を説明する
図、（ｂ）図は前記記録ヘッド２１により形成される用
紙上に記録される画素１の配列を説明する図である。記
録ヘッド２１上の画素形成素子２２は主走査方向Ｘの画
素配列ピッチｐに対応して配置されている。これを動作
するには、記録ヘッド２１に対して記録（図示せず）用
紙を副走査方向Ｙに主走査方向Ｘの１／２ピッチで走行
させる毎に、記録ヘッドを動作させて画素１を用紙上に
形成させるが、この際、図中１’で示される画素は画素
形成を省略することにより所望の２次元細密格子状の画
素配列を得ることができる。図３の２１、２２は図２と
同様イオンフロー記録方式におけるイオン流制御板、イ
オン流通過孔とすることができる。なお画像形成素子２
２（例えばイオン流通過孔）の配列は必ずしも図３
（ａ）のように一直線状である必要はなく、記録用紙上
に図３（ｂ）の画素１からなる２次元正方格子を形成で
きる構造を有していれば、２次元の配列であってもよ
い。なお、図３（ｂ）で、（１，１）、（１，２）……
は座標を表す。
もので、（ａ）図は記録ヘッド２１の構造を説明する
図、（ｂ）図は前記記録ヘッド２１により形成される用
紙上に記録される画素１の配列を説明する図である。記
録ヘッド２１上の画素形成素子２２は主走査方向Ｘの画
素配列ピッチｐに対応して配置されている。これを動作
するには、記録ヘッド２１に対して記録（図示せず）用
紙を副走査方向Ｙに主走査方向Ｘの１／２ピッチで走行
させる毎に、記録ヘッドを動作させて画素１を用紙上に
形成させるが、この際、図中１’で示される画素は画素
形成を省略することにより所望の２次元細密格子状の画
素配列を得ることができる。図３の２１、２２は図２と
同様イオンフロー記録方式におけるイオン流制御板、イ
オン流通過孔とすることができる。なお画像形成素子２
２（例えばイオン流通過孔）の配列は必ずしも図３
（ａ）のように一直線状である必要はなく、記録用紙上
に図３（ｂ）の画素１からなる２次元正方格子を形成で
きる構造を有していれば、２次元の配列であってもよ
い。なお、図３（ｂ）で、（１，１）、（１，２）……
は座標を表す。
【００１７】図４は、本発明における入力方法（読取方
法）の実施例を説明する図で、（ａ）は出力時の画素配
列、（ｂ）は入力時の画素配列であり、１は同じく構成
画素、１Ａは出力時の２倍の密度に配した入力時におけ
る構成画素である。２次元細密格子での出力を行う際、
入力時の画素配列も同じ２次元細密格子で同じ配列密度
とすれば、全く問題はないが、入力時の画素配列は、図
４（ｂ）に示すように、２倍の配列密度を持つ２次元正
方格子とするのが便利である。この際、（ａ）図と
（ｂ）図の構成画素内に記した同じ数字のものどうしを
対応させて、入力時の４画素の画素値を平均して出力時
の１画素の画素値とすれば良い。このような入力画素構
成とすれば画素の重複なく既存の２次元正方格子の入力
画素子をそのまま使って２次元正方格子から２次元細密
格子への対応がとれる長所があると共に、同じ入力画素
配列のままで２次元正方格子と２次元細密格子の両方の
出力画素配置に対し、単に４画素の選び方の配列を変更
するだけで対応可能な利点がある。また、入力時の画素
数を出力時よりも大きくして平均化することにより、入
力精度の向上、具体的にはノイズの低減，分解能の向上
等をもたらす効果がある。この際、エッジ強調等の効果
を期待する際には、隣接する４画素以上を使って重み付
の平均化を行っても差し支えないことはもちろんであ
る。入力時の画素配列は、上記と同様の対応関係を用い
て出力時の２倍以上の偶数倍としてもよいことは言うま
でもない。
法）の実施例を説明する図で、（ａ）は出力時の画素配
列、（ｂ）は入力時の画素配列であり、１は同じく構成
画素、１Ａは出力時の２倍の密度に配した入力時におけ
る構成画素である。２次元細密格子での出力を行う際、
入力時の画素配列も同じ２次元細密格子で同じ配列密度
とすれば、全く問題はないが、入力時の画素配列は、図
４（ｂ）に示すように、２倍の配列密度を持つ２次元正
方格子とするのが便利である。この際、（ａ）図と
（ｂ）図の構成画素内に記した同じ数字のものどうしを
対応させて、入力時の４画素の画素値を平均して出力時
の１画素の画素値とすれば良い。このような入力画素構
成とすれば画素の重複なく既存の２次元正方格子の入力
画素子をそのまま使って２次元正方格子から２次元細密
格子への対応がとれる長所があると共に、同じ入力画素
配列のままで２次元正方格子と２次元細密格子の両方の
出力画素配置に対し、単に４画素の選び方の配列を変更
するだけで対応可能な利点がある。また、入力時の画素
数を出力時よりも大きくして平均化することにより、入
力精度の向上、具体的にはノイズの低減，分解能の向上
等をもたらす効果がある。この際、エッジ強調等の効果
を期待する際には、隣接する４画素以上を使って重み付
の平均化を行っても差し支えないことはもちろんであ
る。入力時の画素配列は、上記と同様の対応関係を用い
て出力時の２倍以上の偶数倍としてもよいことは言うま
でもない。
【００１８】入力時の画素配列としては、図４（ｃ）の
ように２次元正方格子で出力時と同じ画素配列密度とし
ても差し支えない。この際、図中で画素１内に記した数
字で言えば、 入力１’ →出力１ 入力（２’＋６’）／２→出力２ 入力３’ →出力３ 入力（４’＋８’）／２→出力４ のように対応させれば良い。
ように２次元正方格子で出力時と同じ画素配列密度とし
ても差し支えない。この際、図中で画素１内に記した数
字で言えば、 入力１’ →出力１ 入力（２’＋６’）／２→出力２ 入力３’ →出力３ 入力（４’＋８’）／２→出力４ のように対応させれば良い。
【００１９】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、記録すべ
き画素の配列を、２次元正方格子から前記主走査方向ま
たは副走査方向に１ラインおきに１／２ピッチずらせた
２次元細密格子とするので、出力画素の配列が直接に隣
接するどの画素に対しても等間隔に近い距離となるた
め、従来の２次元正方格子配列に較べて小さな画素径で
全面塗りつぶしが可能であり、記録速度等の点で有利で
あるとともに、画素のオーバーラップが少ないため画素
径変調による階調再現の際に画素径と記録濃度とのリニ
アリティが高く階調再現がやりやすく、さらに画素ピッ
チのばらつき等が生じた際にも、画素のオーバラップ等
が比較的生じにくく、記録むらがめだちにくい利点があ
る。また画像出力方法としてイオンフロー記録方式を用
いる場合はさらにクーロン反発力による画素の位置ずれ
を起こしにくく正確な位置に画素を形成できる利点があ
る。
き画素の配列を、２次元正方格子から前記主走査方向ま
たは副走査方向に１ラインおきに１／２ピッチずらせた
２次元細密格子とするので、出力画素の配列が直接に隣
接するどの画素に対しても等間隔に近い距離となるた
め、従来の２次元正方格子配列に較べて小さな画素径で
全面塗りつぶしが可能であり、記録速度等の点で有利で
あるとともに、画素のオーバーラップが少ないため画素
径変調による階調再現の際に画素径と記録濃度とのリニ
アリティが高く階調再現がやりやすく、さらに画素ピッ
チのばらつき等が生じた際にも、画素のオーバラップ等
が比較的生じにくく、記録むらがめだちにくい利点があ
る。また画像出力方法としてイオンフロー記録方式を用
いる場合はさらにクーロン反発力による画素の位置ずれ
を起こしにくく正確な位置に画素を形成できる利点があ
る。
【００２０】また入力手段としては、２次元正方格子，
２次元細密格子のいずれでも対応可能であるが、特に出
力画素の２倍以上の偶数倍の画素配列密度を持つ２次元
正方格子とすることにより、既存の入力素子等を利用で
き、かつ画素の無駄な重複なく、分解能の高い入力を実
現することができる。
２次元細密格子のいずれでも対応可能であるが、特に出
力画素の２倍以上の偶数倍の画素配列密度を持つ２次元
正方格子とすることにより、既存の入力素子等を利用で
き、かつ画素の無駄な重複なく、分解能の高い入力を実
現することができる。
【００２１】さらに、記録装置にイオンフロー記録装置
を用いるので、画素位置の決定が容易である利点を有す
る。
を用いるので、画素位置の決定が容易である利点を有す
る。
【図１】本発明の一実施例を説明する図である。
【図２】本発明における画素配列を実現する出力手段を
説明する図である。
説明する図である。
【図３】本発明における画素配列を実現する出力手段を
説明する図である。
説明する図である。
【図４】本発明における画素配列を実現する他の出力手
段を説明する図である。
段を説明する図である。
【図５】従来の画像入出力方法における画素配列を示す
図である。
図である。
【図６】従来の画素入力方法に用いるシステムの一例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
１ 画素 １Ａ ２倍の密度に配した入力時における構成画素 １１ 記録ヘッド ２１ 記録ヘッド １２ 画素形成用素子 ２２ 画素形成用素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星野 坦之 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 画像を主走査方向と副走査方向に規則的
に並んだ画素の集合体として入力する画像入出力方法に
おいて、記録すべき画素の配列を、２次元正方格子から
前記主走査方向または副走査方向に１ラインおきに１／
２ピッチずらせた２次元細密格子とすることを特徴とす
る画像入出力方法。 - 【請求項２】 入力時の画素配列を出力画素密度の２倍
以上の偶数倍の画素密度を持つ２次元正方格子とするこ
とを特徴とする請求項１に記載の画像入出力方法。 - 【請求項３】 イオン流制御板に形成されたイオン流通
過孔のイオン流の通過を制御して記録を行うイオンフロ
ー記録装置を用いた画像入出力方法において、記録すべ
き画素の配列を、２次元正方格子から前記主走査方向ま
たは副走査方向に１ラインおきに１／２ピッチずらせた
２次元細密格子とすることを特徴とする画像入出力方
法。 - 【請求項４】 イオン流制御板に形成されたイオン流通
過孔が主走査方向に主走査方向の画素数に相当する個数
備えられたイオンフロー記録装置であって、主走査方向
の偶数番のイオン流通過孔と奇数番のイオン流通過孔の
位置を２次元正方格子状に画素を形成する位置関係から
前記副走査方向に１ラインおきに１／２ピッチずらせて
配置したことを特徴とする記録装置。 - 【請求項５】 イオン流制御板に形成されたイオン流通
過孔が主走査方向に主走査方向の画素数に相当する個数
備えられたイオンフロー記録装置であって、主走査方向
の偶数番のイオン流通過孔と奇数番のイオン流通過孔に
よる記録画素の位置を２次元正方格子から前記副走査方
向に１ラインおきに１／２ピッチずらせて記録させる制
御手段を設けたことを特徴とする記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5641193A JPH06253090A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 画像入出力方法およびその記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5641193A JPH06253090A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 画像入出力方法およびその記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06253090A true JPH06253090A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13026415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5641193A Pending JPH06253090A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 画像入出力方法およびその記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06253090A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10556446B2 (en) | 2016-02-05 | 2020-02-11 | Ricoh Company, Ltd. | Image recording device and image recording method |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP5641193A patent/JPH06253090A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10556446B2 (en) | 2016-02-05 | 2020-02-11 | Ricoh Company, Ltd. | Image recording device and image recording method |
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