JPH06252667A - 高周波帯増幅器 - Google Patents
高周波帯増幅器Info
- Publication number
- JPH06252667A JPH06252667A JP5468493A JP5468493A JPH06252667A JP H06252667 A JPH06252667 A JP H06252667A JP 5468493 A JP5468493 A JP 5468493A JP 5468493 A JP5468493 A JP 5468493A JP H06252667 A JPH06252667 A JP H06252667A
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- JP
- Japan
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- conductor film
- output
- input
- high frequency
- strip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １枚の高周波回路基板に増幅素子を搭載した
構成の高周波帯増幅器の構成の簡略化及び小型化を図る
一方で、増幅素子の入力側と出力側との間アイソレーシ
ョン効果を高める。 【構成】 高周波回路基板２に搭載された増幅素子１の
入力側のストリップ線路ＩＮは誘電体基板３の表面に形
成されたストリップ導体膜４と裏面に形成された接地導
体膜５とで構成し、出力側のストリップ線路ＯＵＴは裏
面に形成されたストリップ導体膜６と表面に形成された
接地導体膜７とで構成する。増幅素子１の入力端子Ｇは
入力側ストリップ導体膜４に直接接続し、出力端子Ｄは
出力側ストリップ導体膜４にスルーホール９を介して接
続し、接地導体膜５Ｐ７によって入力側及び出力側を遮
断し、両者間でのアイソレーション効果を高める。
構成の高周波帯増幅器の構成の簡略化及び小型化を図る
一方で、増幅素子の入力側と出力側との間アイソレーシ
ョン効果を高める。 【構成】 高周波回路基板２に搭載された増幅素子１の
入力側のストリップ線路ＩＮは誘電体基板３の表面に形
成されたストリップ導体膜４と裏面に形成された接地導
体膜５とで構成し、出力側のストリップ線路ＯＵＴは裏
面に形成されたストリップ導体膜６と表面に形成された
接地導体膜７とで構成する。増幅素子１の入力端子Ｇは
入力側ストリップ導体膜４に直接接続し、出力端子Ｄは
出力側ストリップ導体膜４にスルーホール９を介して接
続し、接地導体膜５Ｐ７によって入力側及び出力側を遮
断し、両者間でのアイソレーション効果を高める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波帯増幅器に関し、
特に増幅素子の入出力端子にマイクロストリップ線路を
接続する高周波帯増幅器に関する。
特に増幅素子の入出力端子にマイクロストリップ線路を
接続する高周波帯増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の高周波帯増幅器の一例を
図３に示す。同図（ａ）は概略斜視図、同図（ｂ）はＣ
−Ｃ線断面図である。これらの図において、マイクロ回
路基板２２は誘電体基板２３の表面に入力側及び出力側
の各マイクロストリップ導体膜２４，２５が形成され、
裏面に接地導体膜２６が形成されており、このマイクロ
回路基板２２に高周波電界効果トランジスタ等の増幅素
子２１を搭載し、その入力端子Ｇと出力端子Ｄをそれぞ
れ整合回路や伝送線路として構成されるマイクロストリ
ップ導体膜２４，２５に接続している。このマイクロス
トリップ導体膜２４，２５は、誘電体基板２３の裏面に
形成された接地導体膜２６とにより入力側及び出力側の
各マイクロストリップ線路ＩＮ，ＯＵＴを構成し、電磁
波がマイクロストリップ伝送の形態で伝播される。即
ち、入力伝送線路及び入力整合回路としての入力側マイ
クロストリップ線路ＩＮから増幅素子２１の入力端子に
入力された信号は増幅素子において増幅され、その出力
信号は出力端子から出力整合回路及び出力伝送線路とし
ての出力側マイクロストリップ線路ＯＵＴに導かれる。
図３に示す。同図（ａ）は概略斜視図、同図（ｂ）はＣ
−Ｃ線断面図である。これらの図において、マイクロ回
路基板２２は誘電体基板２３の表面に入力側及び出力側
の各マイクロストリップ導体膜２４，２５が形成され、
裏面に接地導体膜２６が形成されており、このマイクロ
回路基板２２に高周波電界効果トランジスタ等の増幅素
子２１を搭載し、その入力端子Ｇと出力端子Ｄをそれぞ
れ整合回路や伝送線路として構成されるマイクロストリ
ップ導体膜２４，２５に接続している。このマイクロス
トリップ導体膜２４，２５は、誘電体基板２３の裏面に
形成された接地導体膜２６とにより入力側及び出力側の
各マイクロストリップ線路ＩＮ，ＯＵＴを構成し、電磁
波がマイクロストリップ伝送の形態で伝播される。即
ち、入力伝送線路及び入力整合回路としての入力側マイ
クロストリップ線路ＩＮから増幅素子２１の入力端子に
入力された信号は増幅素子において増幅され、その出力
信号は出力端子から出力整合回路及び出力伝送線路とし
ての出力側マイクロストリップ線路ＯＵＴに導かれる。
【０００３】このような構成の高周波帯増幅器では、図
３（ｂ）に破線で示すように、入力側及び出力側の各マ
イクロストリップ線路ＩＮ，ＯＵＴにおいて空間への高
周波漏洩が生じ、増幅素子２１の利得に対して増幅素子
の出力から入力への空間を通しての正帰還による発振が
生じ易い。このため、従来では、図示したように増幅素
子２１の入力端子と出力端子との間に金属板等の遮蔽板
２７を立設し、この遮蔽板２７により入力側と出力側と
の間のアイソレーションをとり、前記した正帰還による
発振を防止する試みがなされている。この遮蔽板２７
は、例えば下縁部の複数箇所に接続片２７ａを突設し、
この接続片２７ａを誘電体基板２３に開設した透孔２８
内に挿通させ、かつ接続片２７ａの先端を裏面の接地導
体膜２６に半田２９により接続した構成が取られる。ま
た、詳細な説明は省略するが、他の対策として、増幅素
子を搭載するマイクロ回路基板を多層構造とし、信号伝
送用のマイクロストリップ導体膜を基板の内部に設け、
基板の表裏面には接地導体膜を設けることで、マイクロ
ストリップ導体膜を接地導体膜によって挟み込み、マイ
クロストリップ線路を伝播される高周波信号が空間に漏
洩しないようにした試みもなされている。
３（ｂ）に破線で示すように、入力側及び出力側の各マ
イクロストリップ線路ＩＮ，ＯＵＴにおいて空間への高
周波漏洩が生じ、増幅素子２１の利得に対して増幅素子
の出力から入力への空間を通しての正帰還による発振が
生じ易い。このため、従来では、図示したように増幅素
子２１の入力端子と出力端子との間に金属板等の遮蔽板
２７を立設し、この遮蔽板２７により入力側と出力側と
の間のアイソレーションをとり、前記した正帰還による
発振を防止する試みがなされている。この遮蔽板２７
は、例えば下縁部の複数箇所に接続片２７ａを突設し、
この接続片２７ａを誘電体基板２３に開設した透孔２８
内に挿通させ、かつ接続片２７ａの先端を裏面の接地導
体膜２６に半田２９により接続した構成が取られる。ま
た、詳細な説明は省略するが、他の対策として、増幅素
子を搭載するマイクロ回路基板を多層構造とし、信号伝
送用のマイクロストリップ導体膜を基板の内部に設け、
基板の表裏面には接地導体膜を設けることで、マイクロ
ストリップ導体膜を接地導体膜によって挟み込み、マイ
クロストリップ線路を伝播される高周波信号が空間に漏
洩しないようにした試みもなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような高周波帯増
幅器において、図３に示したように、増幅素子２１の入
力側と出力側との間に遮蔽板２７を設けたものは、構造
が複雑化するとともに、遮蔽板２７をマイクロ回路基板
に組み付けるための作業が必要となり、そのための作業
が繁雑になり、かつ組付工数によるコスト高をまねくこ
とになる。また、増幅素子の入出力間での高周波の空間
結合を有効に防止するためには所定寸法以上の大きさの
遮蔽板が必要とされるため、遮蔽板２７の寸法が大きく
なるとともに、高周波帯増幅器の全体が大型化するとい
う問題がある。また、遮蔽板の構造や組付け方によって
は十分なアイソレーション効果が得られないという問題
がある。一方、マイクロ回路基板を多層構造としたもの
は、基板の構造が複雑化する上に特注の基板が必要とさ
れ、かつマイクロストリップ導体膜を誘電体基板内に埋
設しているためにマイクロストリップ線路における信号
の伝播特性に影響を与えるという問題もある。本発明の
目的は、構成の簡略化及び小型化を図る一方で入力側と
出力側との間のアイソレーション効果を高めた高周波帯
増幅器を提供することにある。
幅器において、図３に示したように、増幅素子２１の入
力側と出力側との間に遮蔽板２７を設けたものは、構造
が複雑化するとともに、遮蔽板２７をマイクロ回路基板
に組み付けるための作業が必要となり、そのための作業
が繁雑になり、かつ組付工数によるコスト高をまねくこ
とになる。また、増幅素子の入出力間での高周波の空間
結合を有効に防止するためには所定寸法以上の大きさの
遮蔽板が必要とされるため、遮蔽板２７の寸法が大きく
なるとともに、高周波帯増幅器の全体が大型化するとい
う問題がある。また、遮蔽板の構造や組付け方によって
は十分なアイソレーション効果が得られないという問題
がある。一方、マイクロ回路基板を多層構造としたもの
は、基板の構造が複雑化する上に特注の基板が必要とさ
れ、かつマイクロストリップ導体膜を誘電体基板内に埋
設しているためにマイクロストリップ線路における信号
の伝播特性に影響を与えるという問題もある。本発明の
目的は、構成の簡略化及び小型化を図る一方で入力側と
出力側との間のアイソレーション効果を高めた高周波帯
増幅器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波帯増幅器
は、１枚の高周波回路基板に形成されて増幅素子の入力
端子及び出力端子にそれぞれ接続される入力側ストリッ
プ線路と出力側ストリップ線路とが高周波回路基板の表
裏面の各異なる面に形成された構成とする。即ち、入力
側又は出力側の一方のストリップ線路は、誘電体基板の
表面に形成されたストリップ導体膜と裏面に形成された
接地導体膜とで構成され、他方のストリップ線路は誘電
体基板の裏面に形成されたストリップ導体膜と表面に形
成された接地導体膜とで構成され、かつ出力側及び出力
側の各接地導体膜は相互に導通される。また、増幅素子
は高周波回路基板の表面に搭載され、その入力端子又は
出力端子の一方は表面に形成したストリップ導体膜に直
接接続され、他方は裏面に形成したストリップ導体膜に
スルーホールを介して接続される。
は、１枚の高周波回路基板に形成されて増幅素子の入力
端子及び出力端子にそれぞれ接続される入力側ストリッ
プ線路と出力側ストリップ線路とが高周波回路基板の表
裏面の各異なる面に形成された構成とする。即ち、入力
側又は出力側の一方のストリップ線路は、誘電体基板の
表面に形成されたストリップ導体膜と裏面に形成された
接地導体膜とで構成され、他方のストリップ線路は誘電
体基板の裏面に形成されたストリップ導体膜と表面に形
成された接地導体膜とで構成され、かつ出力側及び出力
側の各接地導体膜は相互に導通される。また、増幅素子
は高周波回路基板の表面に搭載され、その入力端子又は
出力端子の一方は表面に形成したストリップ導体膜に直
接接続され、他方は裏面に形成したストリップ導体膜に
スルーホールを介して接続される。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の一部を破断した斜視図、
図２（ａ），（ｂ），（ｃ）はその平面図とＡ−Ａ線、
Ｂ−Ｂ線の各断面図である。これらの図において高周波
増幅を行う増幅素子１はこの実施例では高周波電界効果
トランジスタで構成され、そのパッケージの一側から入
力端子（ゲート端子）Ｇを突出させ、これと対向する他
側から出力端子（ドレイン端子）Ｄを突出させている。
また、他の側面からは一対の接地端子（ソース端子）Ｓ
がそれぞれ突出されている。この増幅素子１はマイクロ
回路基板２上に搭載され、高周波帯増幅器を構成する。
る。図１は本発明の一実施例の一部を破断した斜視図、
図２（ａ），（ｂ），（ｃ）はその平面図とＡ−Ａ線、
Ｂ−Ｂ線の各断面図である。これらの図において高周波
増幅を行う増幅素子１はこの実施例では高周波電界効果
トランジスタで構成され、そのパッケージの一側から入
力端子（ゲート端子）Ｇを突出させ、これと対向する他
側から出力端子（ドレイン端子）Ｄを突出させている。
また、他の側面からは一対の接地端子（ソース端子）Ｓ
がそれぞれ突出されている。この増幅素子１はマイクロ
回路基板２上に搭載され、高周波帯増幅器を構成する。
【０００７】前記マイクロ回路基板２は、前記増幅素１
子の入力側では、誘電体基板３の表面にマイクロストリ
ップ導体膜４が形成され、その裏面に接地導体膜５が形
成され、これらで入力側マイクロストリップ線路ＩＮが
構成されている。また、前記増幅素子１の出力側では、
誘電体基板３の裏面にマイクロストリップ導体膜６が形
成され、その表面に接地導体膜７が形成され、これらで
出力側マイクロストリップ線路ＯＵＴが構成されてい
る。そして、この出力側では、誘電体基板３の表面の接
地導体膜７は増幅素子１の接地端子Ｓの位置まで延長し
て形成される一方で、増幅素子１の出力端子Ｄが位置さ
れる部位の接地導体膜が除去され、この部分に独立され
たパッド部８が導体膜で形成され、このパッド部８と裏
面のマイクロストリップ導体膜６とは誘電体基板２を貫
通するスルーホール９により相互に導通されている。ま
た、前記入力側の接地導体膜５の一部は、前記出力側の
接地導体膜７が形成されている領域まで延長されてお
り、この延長領域において各接地導体膜５，７が誘電体
基板３を貫通する複数のスルーホール１０によって相互
に導通されている。
子の入力側では、誘電体基板３の表面にマイクロストリ
ップ導体膜４が形成され、その裏面に接地導体膜５が形
成され、これらで入力側マイクロストリップ線路ＩＮが
構成されている。また、前記増幅素子１の出力側では、
誘電体基板３の裏面にマイクロストリップ導体膜６が形
成され、その表面に接地導体膜７が形成され、これらで
出力側マイクロストリップ線路ＯＵＴが構成されてい
る。そして、この出力側では、誘電体基板３の表面の接
地導体膜７は増幅素子１の接地端子Ｓの位置まで延長し
て形成される一方で、増幅素子１の出力端子Ｄが位置さ
れる部位の接地導体膜が除去され、この部分に独立され
たパッド部８が導体膜で形成され、このパッド部８と裏
面のマイクロストリップ導体膜６とは誘電体基板２を貫
通するスルーホール９により相互に導通されている。ま
た、前記入力側の接地導体膜５の一部は、前記出力側の
接地導体膜７が形成されている領域まで延長されてお
り、この延長領域において各接地導体膜５，７が誘電体
基板３を貫通する複数のスルーホール１０によって相互
に導通されている。
【０００８】そして、前記増幅素子１をマイクロ回路基
板２の表面上に搭載し、かつ入力端子Ｇを入力側のマイ
クロストリップ導体膜４の一端に、出力端子Ｄを出力側
に設けたパッド部８に、一対の接地端子Ｓを出力側の接
地導体膜７の一部にそれぞれ半田等のろう材１１により
接続し、これにより増幅素子１をマイクロ回路基板２に
対して機械的に固定するとともに、各端子を導体膜やパ
ッド部に電気接続を行っている。
板２の表面上に搭載し、かつ入力端子Ｇを入力側のマイ
クロストリップ導体膜４の一端に、出力端子Ｄを出力側
に設けたパッド部８に、一対の接地端子Ｓを出力側の接
地導体膜７の一部にそれぞれ半田等のろう材１１により
接続し、これにより増幅素子１をマイクロ回路基板２に
対して機械的に固定するとともに、各端子を導体膜やパ
ッド部に電気接続を行っている。
【０００９】この構成によれば、入力側マイクロストリ
ップ線路ＩＮを伝播された信号は増幅素子１の入力端子
Ｇから増幅素子に入力され、ここで高周波増幅された上
で出力端子Ｄから出力側マイクロストリップ線路ＯＵＴ
に導かれる。そして、この際に入力側マイクロストリッ
プ線路ＩＮと出力側マイクロストリップ線路ＯＵＴとで
高周波の空間への漏洩が生じ、両者間で高周波の空間的
な結合が生じるおそれが生じるが、入力側及び出力側の
各マイクロストリップ線路の間には、誘電体基板３の表
裏面に形成しかつスルーホール１０を介して相互に導通
された接地導体膜５，７が延在されることになるため、
その高周波の空間的な結合はこれらの接地導体膜５，７
によって遮断される。これにより、増幅素子１における
入力側と出力側との間の空間的な結合が防止でき、出力
端子から入力端子への正帰還を防止し、高周波帯増幅器
の安定動作を保証することができる。
ップ線路ＩＮを伝播された信号は増幅素子１の入力端子
Ｇから増幅素子に入力され、ここで高周波増幅された上
で出力端子Ｄから出力側マイクロストリップ線路ＯＵＴ
に導かれる。そして、この際に入力側マイクロストリッ
プ線路ＩＮと出力側マイクロストリップ線路ＯＵＴとで
高周波の空間への漏洩が生じ、両者間で高周波の空間的
な結合が生じるおそれが生じるが、入力側及び出力側の
各マイクロストリップ線路の間には、誘電体基板３の表
裏面に形成しかつスルーホール１０を介して相互に導通
された接地導体膜５，７が延在されることになるため、
その高周波の空間的な結合はこれらの接地導体膜５，７
によって遮断される。これにより、増幅素子１における
入力側と出力側との間の空間的な結合が防止でき、出力
端子から入力端子への正帰還を防止し、高周波帯増幅器
の安定動作を保証することができる。
【００１０】したがって、図３に示したような遮蔽板は
不要となり、部品点数を削減し、かつその組付作業の簡
略化を図ることができる。また、遮蔽板が不要となるこ
とで、増幅器全体の物理的な寸法を小さくし、その小型
化を図ることができる。また、マイクロストリップ線路
を形成するマイクロ回路基板は、誘電体基板の表面及び
裏面にのみ導体膜が形成されている一般的なものが使用
でき、誘電体基板の内部に導体膜を形成するような多層
構造の回路基板を用いる必要がなく、低価格に構成でき
るとともに、高周波の伝播に影響を与えることもない。
なお、本発明は増幅素子としてバイポーラトランジスタ
を用いる高周波帯増幅器においても同様に適用できる。
また、入力側と出力側の各マイクロストリップ線路の表
裏面を逆に構成してもよい。
不要となり、部品点数を削減し、かつその組付作業の簡
略化を図ることができる。また、遮蔽板が不要となるこ
とで、増幅器全体の物理的な寸法を小さくし、その小型
化を図ることができる。また、マイクロストリップ線路
を形成するマイクロ回路基板は、誘電体基板の表面及び
裏面にのみ導体膜が形成されている一般的なものが使用
でき、誘電体基板の内部に導体膜を形成するような多層
構造の回路基板を用いる必要がなく、低価格に構成でき
るとともに、高周波の伝播に影響を与えることもない。
なお、本発明は増幅素子としてバイポーラトランジスタ
を用いる高周波帯増幅器においても同様に適用できる。
また、入力側と出力側の各マイクロストリップ線路の表
裏面を逆に構成してもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、高周波回
路基板に形成される入力側ストリップ線路と出力側スト
リップ線路とが高周波回路基板の表裏面の各異なる面に
形成されているので、入力側及び出力側の各ストリップ
線路は高周波回路基板の接地導体膜によって遮断される
ことになり、各ストリップ線路間での高周波の空間結合
を回避して増幅動作の安定化を図ることができる。これ
により、遮蔽板を不要にでき、増幅器の構成を簡略化す
るとともに、その小型化を図り、かつ組付作業を容易に
行うことができる。その一方で、増幅素子の入力側と出
力側とのアイソレーション効果を高め、高周波帯増幅器
の安定動作を確保することができる効果がある。特に、
入力側又は出力側の一方のストリップ線路は、誘電体基
板の表面に形成されたストリップ導体膜と裏面に形成さ
れた接地導体膜とで構成され、他方のストリップ線路は
誘電体基板の裏面に形成されたストリップ導体膜と表面
に形成された接地導体膜とで構成され、かつ出力側及び
出力側の各接地導体膜は相互に導通される構成とするこ
とで、入力側と出力側の各ストリップ線路を両者間に延
在される接地導体膜によって遮断し、両者間での高周波
の空間結合を確実に防止することができる。
路基板に形成される入力側ストリップ線路と出力側スト
リップ線路とが高周波回路基板の表裏面の各異なる面に
形成されているので、入力側及び出力側の各ストリップ
線路は高周波回路基板の接地導体膜によって遮断される
ことになり、各ストリップ線路間での高周波の空間結合
を回避して増幅動作の安定化を図ることができる。これ
により、遮蔽板を不要にでき、増幅器の構成を簡略化す
るとともに、その小型化を図り、かつ組付作業を容易に
行うことができる。その一方で、増幅素子の入力側と出
力側とのアイソレーション効果を高め、高周波帯増幅器
の安定動作を確保することができる効果がある。特に、
入力側又は出力側の一方のストリップ線路は、誘電体基
板の表面に形成されたストリップ導体膜と裏面に形成さ
れた接地導体膜とで構成され、他方のストリップ線路は
誘電体基板の裏面に形成されたストリップ導体膜と表面
に形成された接地導体膜とで構成され、かつ出力側及び
出力側の各接地導体膜は相互に導通される構成とするこ
とで、入力側と出力側の各ストリップ線路を両者間に延
在される接地導体膜によって遮断し、両者間での高周波
の空間結合を確実に防止することができる。
【図１】本発明の高周波帯増幅器の一実施例の一部を破
断した斜視図である。
断した斜視図である。
【図２】図１の増幅器の（ａ）平面図、（ｂ）Ａ−Ａ線
断面図、（ｃ）Ｂ−Ｂ線断面図である。
断面図、（ｃ）Ｂ−Ｂ線断面図である。
【図３】従来の増幅器の（ａ）斜視図、（ｂ）Ｃ−Ｃ線
断面図である。
断面図である。
１ 増幅素子 ２ マイクロ回路基板 ３ 誘電体基板 ４，６ マイクロストリップ導体膜 ５，７ 接地導体膜 ８ パッド部 ９，１０ スルーホール
Claims (3)
- 【請求項１】 １枚の高周波回路基板に増幅素子を搭載
し、この増幅素子の入力端子及び出力端子をそれぞれ前
記高周波回路基板に構成された入力側及び出力側の各ス
トリップ線路に接続する高周波帯増幅器において、前記
入力側ストリップ線路と出力側ストリップ線路とが高周
波回路基板の表裏面の各異なる面に形成されたことを特
徴とする高周波帯増幅器。 - 【請求項２】 入力側又は出力側の一方のストリップ線
路は、誘電体基板の表面に形成されたストリップ導体膜
と裏面に形成された接地導体膜とで構成され、他方のス
トリップ線路は誘電体基板の裏面に形成されたストリッ
プ導体膜と表面に形成された接地導体膜とで構成され、
かつ出力側及び出力側の各接地導体膜は相互に導通され
てなる請求項１の高周波帯増幅器。 - 【請求項３】 増幅素子は高周波回路基板の表面に搭載
され、その入力端子又は出力端子の一方は表面に形成し
たストリップ導体膜に直接接続され、他方は裏面に形成
したストリップ導体膜にスルーホールを介して接続され
てなる請求項１又は２の高周波帯増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5468493A JPH06252667A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 高周波帯増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5468493A JPH06252667A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 高周波帯増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252667A true JPH06252667A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12977627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5468493A Pending JPH06252667A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 高周波帯増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252667A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62159904A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅回路装置 |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP5468493A patent/JPH06252667A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62159904A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅回路装置 |
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