JPS62159904A - 高周波増幅回路装置 - Google Patents
高周波増幅回路装置Info
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- JPS62159904A JPS62159904A JP179386A JP179386A JPS62159904A JP S62159904 A JPS62159904 A JP S62159904A JP 179386 A JP179386 A JP 179386A JP 179386 A JP179386 A JP 179386A JP S62159904 A JPS62159904 A JP S62159904A
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- Japan
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- high frequency
- circuit device
- frequency amplifier
- amplifier circuit
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波トランジスタを多段接続した高周波
増幅回路装置に係り、特に高周波増幅回路装置の発振防
止に関するものである。
増幅回路装置に係り、特に高周波増幅回路装置の発振防
止に関するものである。
第３図（ａ）Ｉｒｅ、従来の高周波増幅回路装置本体の
表面の回路パターン図を、第３図（ｂ）は裏面のパター
ン図を示す。ヌｌＶＣおいて、Ｈはフッ素樹脂やガラス
エポキシ等よりなるプリント基板、（２ａ）（２ｂ）（
２ｃ）（２ｄｌｊこのプリント基板（１１の表面上に直
列接続して設けられたシリコントランジスタやガリウム
砒素電界効果トランジスタ等の４個の高周波トランジス
タ、（３）ないしく７）はプリント基板＋１１上に形成
されている銅膜よりなる導体パターンで、（３１は入力
整合回路パターン、（４）は出力整合回路パターン、（
５（は高周波トランジスタ（２）にバイアス電圧を印加
させるのに必要なバイアス回路パターン、（６）は高周
波トランジスタ（２）の接地電極をアースする為のトラ
ンジスタ接地パターン、（７１Ｈトランジスタ接地パタ
ーンとスルーホールで導通しているグランドパターン、
（８１ハ高周波トランジスタ［２１に印加される電圧を
各々分離するのに必要なりＣブロックコンデンサである
。
表面の回路パターン図を、第３図（ｂ）は裏面のパター
ン図を示す。ヌｌＶＣおいて、Ｈはフッ素樹脂やガラス
エポキシ等よりなるプリント基板、（２ａ）（２ｂ）（
２ｃ）（２ｄｌｊこのプリント基板（１１の表面上に直
列接続して設けられたシリコントランジスタやガリウム
砒素電界効果トランジスタ等の４個の高周波トランジス
タ、（３）ないしく７）はプリント基板＋１１上に形成
されている銅膜よりなる導体パターンで、（３１は入力
整合回路パターン、（４）は出力整合回路パターン、（
５（は高周波トランジスタ（２）にバイアス電圧を印加
させるのに必要なバイアス回路パターン、（６）は高周
波トランジスタ（２）の接地電極をアースする為のトラ
ンジスタ接地パターン、（７１Ｈトランジスタ接地パタ
ーンとスルーホールで導通しているグランドパターン、
（８１ハ高周波トランジスタ［２１に印加される電圧を
各々分離するのに必要なりＣブロックコンデンサである
。
第３図に示された高周波増幅回路装置本体は、通常第４
図の断面図で示すケースに実装されて使用される。図に
おいて、（９１けケース本体、［１０１はケース用フタ
、α刀は入力用コネクタ、ａ２は出力片コネクタである
。
図の断面図で示すケースに実装されて使用される。図に
おいて、（９１けケース本体、［１０１はケース用フタ
、α刀は入力用コネクタ、ａ２は出力片コネクタである
。
第３図で示される高周波増幅回路装置用のプリント基板
（１１においては、増幅デバイスである高周波トランジ
スタ（２）に、信号電力を反射させず、効率良く入力さ
せる入力整合回路パターン１３＋と信号電力を反射させ
ずに効率良く出力させる出力整合回路パターン（４）が
付いているので、第４図で示されるケースに実装するこ
とで、高−波で高利得の高周波増幅回路装置１を構成す
ることができる。
（１１においては、増幅デバイスである高周波トランジ
スタ（２）に、信号電力を反射させず、効率良く入力さ
せる入力整合回路パターン１３＋と信号電力を反射させ
ずに効率良く出力させる出力整合回路パターン（４）が
付いているので、第４図で示されるケースに実装するこ
とで、高−波で高利得の高周波増幅回路装置１を構成す
ることができる。
しかし、従来の高周波増幅回路装＃は以上のように、同
一平面上に整合回路パターンが形成されているので、終
段トランジスタ（２ｄ）の出力整合回路（４ｄ）部より
非常に少量のｔＷｉエネルギが励起され、ケースの空間
を通じてその′ｗＷ１エネルギが入力トランジスタ（２
ａ）の整合回路（４ｄ）部に帰還される。この場合、帰
還される電磁エネルギが少量で本、高周波増幅回路装置
の増幅利得は非常に高いので正帰還（帰還量と増幅利得
の積が１以上）となり、発振して安定な増幅＠作が行な
われないという問題点が有った。
一平面上に整合回路パターンが形成されているので、終
段トランジスタ（２ｄ）の出力整合回路（４ｄ）部より
非常に少量のｔＷｉエネルギが励起され、ケースの空間
を通じてその′ｗＷ１エネルギが入力トランジスタ（２
ａ）の整合回路（４ｄ）部に帰還される。この場合、帰
還される電磁エネルギが少量で本、高周波増幅回路装置
の増幅利得は非常に高いので正帰還（帰還量と増幅利得
の積が１以上）となり、発振して安定な増幅＠作が行な
われないという問題点が有った。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発振のない安定な増幅動作のでき、る高周波
増幅回路装置を得ることを目的とす、る。
たもので、発振のない安定な増幅動作のでき、る高周波
増幅回路装置を得ることを目的とす、る。
この発明に係る高周波増幅回路装置は、第１の高周波ト
ランジスタをプリント基板の主表面上に、第２の高周波
トランジスタをプリント基板の裏面上に設けて、これら
−１及び第２６高周波トランジスタをコンデンサ及び整
合回路を介して直列に接続したものである。
ランジスタをプリント基板の主表面上に、第２の高周波
トランジスタをプリント基板の裏面上に設けて、これら
−１及び第２６高周波トランジスタをコンデンサ及び整
合回路を介して直列に接続したものである。
この発明における高周波増幅回路装置は、第１の高周波
トランジスタと第２の高周波トランジスタとがプリント
基板によって分離されているので、ケースの空間を介し
てなされる帰還作用を抑制することができる。
トランジスタと第２の高周波トランジスタとがプリント
基板によって分離されているので、ケースの空間を介し
てなされる帰還作用を抑制することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）は４殺トランジスタ高周波増幅回路装愛本体の
表面回路パターン図、第１図（ｂ）Ｆｉ裏面回路パター
ン閏である。図において、ａ３は前段のトランジスタ整
合回路用グランＦパターン、αΦは後段のトランジスタ
整合回路用ケランドパターン、ａＢは前段と後段の整合
回路パターン曽α脣を電気的に接続するスルーホールで
ある。
図（ａ）は４殺トランジスタ高周波増幅回路装愛本体の
表面回路パターン図、第１図（ｂ）Ｆｉ裏面回路パター
ン閏である。図において、ａ３は前段のトランジスタ整
合回路用グランＦパターン、αΦは後段のトランジスタ
整合回路用ケランドパターン、ａＢは前段と後段の整合
回路パターン曽α脣を電気的に接続するスルーホールで
ある。
第１図の高周波増幅回路装置本体は、第２図（ａ）及び
（ｂ）で示すケースに実装して使用する。なお、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）のＩ −Ｉ’断面図である。図に
おいて、０ｅけ基板止め用金属板で、ネジを介してプリ
ント基板Ｉｌｌとケース本体（９）とを止めている。
（ｂ）で示すケースに実装して使用する。なお、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）のＩ −Ｉ’断面図である。図に
おいて、０ｅけ基板止め用金属板で、ネジを介してプリ
ント基板Ｉｌｌとケース本体（９）とを止めている。
以上の様に構成された高周波増幅回路装置においては、
前段の高周波トランジスタ（２ｍ）（２ｂ）の整合回路
パターン（５ｍ）（９）（４ａ）（４ｂ）と後段のトラ
ンジスタ（２ａ）（２ｄ）の整合回路パターン（ｓａ
）（３ｄ）（４ｏ）（４ｄ）がプリント基板（ｌ！に□
よって分離さ五、スルーホール［相］によってのみ電気
的に接続さねている。従りて、終段のトランジスタ（２
ｄ）の整合回路部（４ｄ）よりケースに電磁エネルギが
励艷されても、初役のトランジスタ（２ａ）に帰還され
ないので、安定な増幅動作が行なわわるという利点があ
る。
前段の高周波トランジスタ（２ｍ）（２ｂ）の整合回路
パターン（５ｍ）（９）（４ａ）（４ｂ）と後段のトラ
ンジスタ（２ａ）（２ｄ）の整合回路パターン（ｓａ
）（３ｄ）（４ｏ）（４ｄ）がプリント基板（ｌ！に□
よって分離さ五、スルーホール［相］によってのみ電気
的に接続さねている。従りて、終段のトランジスタ（２
ｄ）の整合回路部（４ｄ）よりケースに電磁エネルギが
励艷されても、初役のトランジスタ（２ａ）に帰還され
ないので、安定な増幅動作が行なわわるという利点があ
る。
なお、上に実癩例では、前段の整合回路と後段の整合回
路との電気的接続にスル１−ホールを用いたものを示し
たが、スロットラ゛インを介して接続してもよい。
路との電気的接続にスル１−ホールを用いたものを示し
たが、スロットラ゛インを介して接続してもよい。
また、上？、実施例では高周波トランジスタ′番個で高
周波増幅回路装置を構成したものを示したが。
周波増幅回路装置を構成したものを示したが。
４個に限らず何個でも良く、要は複数の高周波トランジ
スタをプリント基板の表面♂裏面とに分割□して搭載す
れば同様の効果が得られるものである。
スタをプリント基板の表面♂裏面とに分割□して搭載す
れば同様の効果が得られるものである。
以上のように、この発明によれば、第１の高周波トラン
ジスタと９！、２の高周波トランジスタとが、プリント
基板によって分離されている□ので、ケースの空間を介
してなされる帰還作用を抑制することができ、もって高
周波増幅回路装置の発振を防止することができるという
効果がある。
ジスタと９！、２の高周波トランジスタとが、プリント
基板によって分離されている□ので、ケースの空間を介
してなされる帰還作用を抑制することができ、もって高
周波増幅回路装置の発振を防止することができるという
効果がある。
第１図（ａｌ及び（ｂ）はこの発明の一実施例による高
周波増幅回路装置本体の表面と裏面のパターン図、＠２
図（ａ）及び（ｂ）は第１図における高周波増幅回路装
置本体を容器に実装した高周波増幅回路装置の正面図と
断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来の高周波増幅
回路装置本体の表面と裏面のパターン図、第４図は従来
の高周波増幅回路袋＃を容器に実装した高周波増幅回路
装置の断面図を示す。 図において、（１１はプリント基板、（２）は高周波ト
ランジスタ、（３１及び（４）ハ整合回路、（８）はコ
ンデンサである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
周波増幅回路装置本体の表面と裏面のパターン図、＠２
図（ａ）及び（ｂ）は第１図における高周波増幅回路装
置本体を容器に実装した高周波増幅回路装置の正面図と
断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来の高周波増幅
回路装置本体の表面と裏面のパターン図、第４図は従来
の高周波増幅回路袋＃を容器に実装した高周波増幅回路
装置の断面図を示す。 図において、（１１はプリント基板、（２）は高周波ト
ランジスタ、（３１及び（４）ハ整合回路、（８）はコ
ンデンサである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）プリント基板の主表面上に設けられた第１の高周
波トランジスタ、上記プリント基板の裏面上に設けられ
、上記第１の高周波トランジスタにコンデンサ及び整合
回路を介して直列接続された第２の高周波トランジスタ
を備えたことを特徴とする高周波増幅回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP179386A JPS62159904A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 高周波増幅回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP179386A JPS62159904A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 高周波増幅回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159904A true JPS62159904A (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=11511451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP179386A Pending JPS62159904A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 高周波増幅回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62159904A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06188655A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Nec Corp | マイクロ波帯増幅器 |
| JPH06252667A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Nec Corp | 高周波帯増幅器 |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP179386A patent/JPS62159904A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06188655A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Nec Corp | マイクロ波帯増幅器 |
| JPH06252667A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Nec Corp | 高周波帯増幅器 |
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