JPH06252311A - リードフレーム及びその製造方法、該リードフレームを使用した半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法、該リードフレームを使用した半導体装置Info
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- JPH06252311A JPH06252311A JP5039887A JP3988793A JPH06252311A JP H06252311 A JPH06252311 A JP H06252311A JP 5039887 A JP5039887 A JP 5039887A JP 3988793 A JP3988793 A JP 3988793A JP H06252311 A JPH06252311 A JP H06252311A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金ワイヤの銅めっきへの接近が妨げられるこ
となく接触部全体にわたり金−銅合金層が生成し、良好
な接合部を得ることのできるリードフレーム及びその製
造方法、該リードフレームを用いた半導体装置を得る。 【構成】 合金材料を素材とする金属片の表面に銅めっ
き層11の施されたリードフレームにおいて、めっき条
件として印加電波を単相半波にすることにより前記銅め
っき層11の平坦度が0.2μm以下になるようにす
る。
となく接触部全体にわたり金−銅合金層が生成し、良好
な接合部を得ることのできるリードフレーム及びその製
造方法、該リードフレームを用いた半導体装置を得る。 【構成】 合金材料を素材とする金属片の表面に銅めっ
き層11の施されたリードフレームにおいて、めっき条
件として印加電波を単相半波にすることにより前記銅め
っき層11の平坦度が0.2μm以下になるようにす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は合金材料を素材とするリ
ードフレーム及びその製造方法、該リードフレームを使
用した半導体装置に関する。
ードフレーム及びその製造方法、該リードフレームを使
用した半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6(a)及び図6(b)は、従来のリ
ードフレームの平面図及び前記リードフレームを使用し
た半導体装置の断面図である。図6(a)において、1
は銅系の合金材料(銅−2%錫−0.2%ニッケル)を
素材とするリードフレーム、11はリードフレーム1の
全表面上に形成された銅によるめっき層である。該リー
ドフレーム1は、矩形をしたダイパッド3と、該ダイパ
ッド3から放射状に配置されたインナーリード6とから
構成される。図6(b)において、2はダイパッド3上
に接着剤9を介して取り付けられた半導体チップ、4は
半導体チップ2上に設けられたチップ電極、5はチップ
電極4とインナーリード6とを接合する金等のワイヤ、
6aはインナーリード6とワイヤ5との接続面であるス
テッチ部である。
ードフレームの平面図及び前記リードフレームを使用し
た半導体装置の断面図である。図6(a)において、1
は銅系の合金材料(銅−2%錫−0.2%ニッケル)を
素材とするリードフレーム、11はリードフレーム1の
全表面上に形成された銅によるめっき層である。該リー
ドフレーム1は、矩形をしたダイパッド3と、該ダイパ
ッド3から放射状に配置されたインナーリード6とから
構成される。図6(b)において、2はダイパッド3上
に接着剤9を介して取り付けられた半導体チップ、4は
半導体チップ2上に設けられたチップ電極、5はチップ
電極4とインナーリード6とを接合する金等のワイヤ、
6aはインナーリード6とワイヤ5との接続面であるス
テッチ部である。
【0003】ここで、前記めっき層11のめっき方法及
び表面形状及びワイヤボンド性について述べる。図7
は、リードフレーム1の表面に銅めっきを施すのに用い
られるめっき装置の断面形状図である。図において、1
2はシアン化銅系のめっき液、13はリードフレームを
搬送するためのローラーであり、電流印加時に陰極とし
て作用する。14はめっき液12を吸い上げるためのポ
ンプ、15は電流印加時に陽極として作用するアノード
バックであり、アノードバック15の中には金属銅の粒
が入っている。リードフレームはローラー13で搬送さ
れる時に、ローラー13と接触するため、ローラー13
と同じ極性の陰極となる。めっき液12中の銅イオンは
陽イオンであるから、陰極となったリードフレームに析
出し、リードフレーム表面に銅めっきが施される。めっ
き液12中の銅イオンが減少すると、アノードバック1
5中から銅イオンが析出し、めっき液12中に補給され
る。
び表面形状及びワイヤボンド性について述べる。図7
は、リードフレーム1の表面に銅めっきを施すのに用い
られるめっき装置の断面形状図である。図において、1
2はシアン化銅系のめっき液、13はリードフレームを
搬送するためのローラーであり、電流印加時に陰極とし
て作用する。14はめっき液12を吸い上げるためのポ
ンプ、15は電流印加時に陽極として作用するアノード
バックであり、アノードバック15の中には金属銅の粒
が入っている。リードフレームはローラー13で搬送さ
れる時に、ローラー13と接触するため、ローラー13
と同じ極性の陰極となる。めっき液12中の銅イオンは
陽イオンであるから、陰極となったリードフレームに析
出し、リードフレーム表面に銅めっきが施される。めっ
き液12中の銅イオンが減少すると、アノードバック1
5中から銅イオンが析出し、めっき液12中に補給され
る。
【0004】従来のめっき条件は、シアン化銅めっき浴
で、組成はシアン化銅50g/1−遊離シアン20g/
1、めっき液温度50℃、印加電波は単相全波で電流密
度1.5A/dm2 、めっき時間4分、めっき液pH1
2.5〜13.0である。この方法でめっきを行ったと
きのめっき表面を走査型電子顕微鏡(Scanning
Electron Microscope:以後「S
EM」と記す。)で観察する。まず上面からめっき粒子
の形状を観察した場合、めっき粒子の粒径を表面粗度r
と定めると、図8(a)に示すように表面粗度rは1μ
m程度である。次にそのめっき表面を上面から50°傾
斜させてめっき粒子の形状を観察した場合、めっき粒子
は円錐形でその高さを平坦度hと定めると、図8(b)
に示すように平坦度hは1.5μm以上となる。
で、組成はシアン化銅50g/1−遊離シアン20g/
1、めっき液温度50℃、印加電波は単相全波で電流密
度1.5A/dm2 、めっき時間4分、めっき液pH1
2.5〜13.0である。この方法でめっきを行ったと
きのめっき表面を走査型電子顕微鏡(Scanning
Electron Microscope:以後「S
EM」と記す。)で観察する。まず上面からめっき粒子
の形状を観察した場合、めっき粒子の粒径を表面粗度r
と定めると、図8(a)に示すように表面粗度rは1μ
m程度である。次にそのめっき表面を上面から50°傾
斜させてめっき粒子の形状を観察した場合、めっき粒子
は円錐形でその高さを平坦度hと定めると、図8(b)
に示すように平坦度hは1.5μm以上となる。
【0005】更に、ワイヤとインナーリード部のめっき
との接合メカニズムを解明するために量産条件の範囲の
ワイヤボンド条件FORCE(荷重)80g POWE
R(超音波)100mV(図12中の●印)でワイヤボ
ンドした半導体装置を25%、70℃の硝酸に数十秒浸
漬し、金ワイヤのステッチ裏面を金属顕微鏡にて観察し
た結果を図9に示す。同図の斜線部はワイヤの金とめっ
きの銅との合金層である。その接合部内に図8に示す円
錐形のめっき粒子(以後「突起」と記す。)の影響と考
えられるへこみ7が発生している。図10は金ワイヤ5
とインナーリード6のめっきの接合部を拡大したモデル
である。従来のめっき仕様ではめっき表面に突起が生成
されるため、その突起部周辺ではワイヤボンド時に金ワ
イヤ5が銅めっきの表面に接近しにくくなり、そのため
銅めっき表面の酸化皮膜11aが破壊されず、金と銅と
が相互拡散できず、接合部全体にわたって合金層が形成
されなかった。
との接合メカニズムを解明するために量産条件の範囲の
ワイヤボンド条件FORCE(荷重)80g POWE
R(超音波)100mV(図12中の●印)でワイヤボ
ンドした半導体装置を25%、70℃の硝酸に数十秒浸
漬し、金ワイヤのステッチ裏面を金属顕微鏡にて観察し
た結果を図9に示す。同図の斜線部はワイヤの金とめっ
きの銅との合金層である。その接合部内に図8に示す円
錐形のめっき粒子(以後「突起」と記す。)の影響と考
えられるへこみ7が発生している。図10は金ワイヤ5
とインナーリード6のめっきの接合部を拡大したモデル
である。従来のめっき仕様ではめっき表面に突起が生成
されるため、その突起部周辺ではワイヤボンド時に金ワ
イヤ5が銅めっきの表面に接近しにくくなり、そのため
銅めっき表面の酸化皮膜11aが破壊されず、金と銅と
が相互拡散できず、接合部全体にわたって合金層が形成
されなかった。
【0006】また、上記ワイヤボンド条件でワイヤボン
ドした半導体装置において、金ワイヤとインナーリード
上の銅めっきのプルテストによって接合強度を調べた結
果を図11に示す。図に示すように従来のワイヤボンド
条件では、規格を満足しない3.0g未満の強度のもの
がテストを行った半導体装置全体の25%近く発生し
た。
ドした半導体装置において、金ワイヤとインナーリード
上の銅めっきのプルテストによって接合強度を調べた結
果を図11に示す。図に示すように従来のワイヤボンド
条件では、規格を満足しない3.0g未満の強度のもの
がテストを行った半導体装置全体の25%近く発生し
た。
【0007】また、従来の量産状況をワイヤボンド性の
観点から分析すると、図12に示すように広範囲のFO
RCEとPOWERの組み合わせのワイヤボンド条件に
わたって接合不良が発生するため、ワイヤボンド条件の
マージン域が狭いことがわかる。比較のために、銀めっ
きを施したリードフレームに同一の製造装置で同一のプ
ロセスによって量産を行った現状を図13に示す。図1
2と図13により明らかに従来の銅めっきでは銀めっき
に比較してワイヤボンド条件マージンが狭くなっている
ことがわかる。
観点から分析すると、図12に示すように広範囲のFO
RCEとPOWERの組み合わせのワイヤボンド条件に
わたって接合不良が発生するため、ワイヤボンド条件の
マージン域が狭いことがわかる。比較のために、銀めっ
きを施したリードフレームに同一の製造装置で同一のプ
ロセスによって量産を行った現状を図13に示す。図1
2と図13により明らかに従来の銅めっきでは銀めっき
に比較してワイヤボンド条件マージンが狭くなっている
ことがわかる。
【0008】更に、他の従来例として、特開昭64−5
7741号公報に示されるように、表面処理なし及び銅
合金材リードフレームにおいて、ワイヤボンディング部
の表面粗度rをr≦0.2μmに仕上げたものがある。
前記公報では、めっきを施さないでも良好な接合強度を
有するリードフレームを得ることにより、リードフレー
ムのコストの低減及び製造上の安全性を確保することを
目的としている。
7741号公報に示されるように、表面処理なし及び銅
合金材リードフレームにおいて、ワイヤボンディング部
の表面粗度rをr≦0.2μmに仕上げたものがある。
前記公報では、めっきを施さないでも良好な接合強度を
有するリードフレームを得ることにより、リードフレー
ムのコストの低減及び製造上の安全性を確保することを
目的としている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来のリードフレーム
は以上のように銅めっき表面に突起が発生し、突起部周
辺においては金ワイヤが接近しにくく銅めっき表面の酸
化皮膜が破壊されず、金と銅とが相互拡散できないた
め、接合部全面にわたり合金層が形成されず、金ワイヤ
と銅めっきの十分な接合強度が得られないという問題点
があった。また、めっきを施さない従来の銅合金リード
フレームにおいてはその表面粗度rをr≦0.2μmに
仕上げたとしても、純銅に比べて銅合金は酸化を受けや
すいため銅合金リードフレーム表面は酸化の影響を受け
良好な接合状態が得られるとは考えられず、少なくとも
量産においては実現不可能という問題点があった。
は以上のように銅めっき表面に突起が発生し、突起部周
辺においては金ワイヤが接近しにくく銅めっき表面の酸
化皮膜が破壊されず、金と銅とが相互拡散できないた
め、接合部全面にわたり合金層が形成されず、金ワイヤ
と銅めっきの十分な接合強度が得られないという問題点
があった。また、めっきを施さない従来の銅合金リード
フレームにおいてはその表面粗度rをr≦0.2μmに
仕上げたとしても、純銅に比べて銅合金は酸化を受けや
すいため銅合金リードフレーム表面は酸化の影響を受け
良好な接合状態が得られるとは考えられず、少なくとも
量産においては実現不可能という問題点があった。
【0010】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、金ワイヤの銅めっきへの接近
が妨げられることなく接触部全体にわたり金−銅合金層
が生成し、良好な接合部を得ることのできるリードフレ
ーム及びその製造方法、該リードフレームを用いた半導
体装置を提供することを目的とする。
るためになされたもので、金ワイヤの銅めっきへの接近
が妨げられることなく接触部全体にわたり金−銅合金層
が生成し、良好な接合部を得ることのできるリードフレ
ーム及びその製造方法、該リードフレームを用いた半導
体装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明に係るリードフ
レームは、表面に銅めっきの施された合金材料を素材と
する金属片からなり、前記銅めっきの平坦度が0.2μ
m以下であることを特徴とする。
レームは、表面に銅めっきの施された合金材料を素材と
する金属片からなり、前記銅めっきの平坦度が0.2μ
m以下であることを特徴とする。
【0012】また、前記合金材料は、銅系又は鉄・ニッ
ケル合金であることを特徴とする。
ケル合金であることを特徴とする。
【0013】更に、この発明に係るリードフレームの製
造方法は、合金材料を素材とする金属片にシアン化銅め
っき浴で印加電波として単相半波を用いて銅めっきを施
す工程を備えたことを特徴とする。
造方法は、合金材料を素材とする金属片にシアン化銅め
っき浴で印加電波として単相半波を用いて銅めっきを施
す工程を備えたことを特徴とする。
【0014】更に、この発明に係るリードフレームの製
造方法は、合金材料を素材とする金属片にシアン化銅め
っき浴で添加剤を用いて銅めっきを施す工程を備えたこ
とを特徴とする。
造方法は、合金材料を素材とする金属片にシアン化銅め
っき浴で添加剤を用いて銅めっきを施す工程を備えたこ
とを特徴とする。
【0015】更に、この発明に係るリードフレームの製
造方法は、合金材料を素材とする金属片にシアン化銅め
っき浴で印加電波として単相半波を用いて、さらに添加
剤を用いて銅めっきを施す工程を備えたことを特徴とす
る。
造方法は、合金材料を素材とする金属片にシアン化銅め
っき浴で印加電波として単相半波を用いて、さらに添加
剤を用いて銅めっきを施す工程を備えたことを特徴とす
る。
【0016】また、前記添加剤は濃度300ppb以下
のセレン、鉛、テルル、タリウム、ビスマス、鉄、ニッ
ケルのうちの1種又は2種以上を組み合わせたものであ
ることを特徴とする。
のセレン、鉛、テルル、タリウム、ビスマス、鉄、ニッ
ケルのうちの1種又は2種以上を組み合わせたものであ
ることを特徴とする。
【0017】更に、この発明に係る半導体装置は、リー
ドフレームのダイパッドにダイボンド材を介して取り付
けられた半導体素子と、前記半導体素子の電極と前記リ
ードフレームのインナーリードを結線するワイヤとを備
え、前記ワイヤと前記インナーリードとの接合部のワイ
ヤ裏面側の平坦部が0.2μm以下であることを特徴と
する。
ドフレームのダイパッドにダイボンド材を介して取り付
けられた半導体素子と、前記半導体素子の電極と前記リ
ードフレームのインナーリードを結線するワイヤとを備
え、前記ワイヤと前記インナーリードとの接合部のワイ
ヤ裏面側の平坦部が0.2μm以下であることを特徴と
する。
【0018】
【作用】この発明におけるリードフレームは、合金材料
を素材とする金属片に施された銅めっきの平坦度が0.
2μm以下であることにより、半導体素子の電極とリー
ドフレームのインナーリードを結線するワイヤの銅めっ
きへの接近が妨げられることなく接触部全体にわたり金
−銅合金層が生成し、良好な接合部を得ることができ
る。
を素材とする金属片に施された銅めっきの平坦度が0.
2μm以下であることにより、半導体素子の電極とリー
ドフレームのインナーリードを結線するワイヤの銅めっ
きへの接近が妨げられることなく接触部全体にわたり金
−銅合金層が生成し、良好な接合部を得ることができ
る。
【0019】また、この発明によるリードフレームの製
造方法によると、合金材料を素材とする金属片にシアン
化銅めっき浴で印加電波として単相半波を用いて銅めっ
きを施すことにより、印加電流がゼロの間に電極界面で
低下していた金属イオン濃度が回復するとともに拡散層
が薄くなり次に電流が印加されるときに新たなめっき粒
子の成長が起きるので、凸凹が拡大することなくめっき
表面が平坦となる。
造方法によると、合金材料を素材とする金属片にシアン
化銅めっき浴で印加電波として単相半波を用いて銅めっ
きを施すことにより、印加電流がゼロの間に電極界面で
低下していた金属イオン濃度が回復するとともに拡散層
が薄くなり次に電流が印加されるときに新たなめっき粒
子の成長が起きるので、凸凹が拡大することなくめっき
表面が平坦となる。
【0020】また、この発明によるリードフレームの製
造方法によると、合金材料を素材とする金属片にシアン
化銅めっき浴で平滑材として作用を損なわない量の添加
剤を用いて銅めっきを施すことにより、添加剤が電極面
の凸部に吸着し銅イオンが凹部へより多くめっきされる
ようになり、めっき表面が平坦になる。
造方法によると、合金材料を素材とする金属片にシアン
化銅めっき浴で平滑材として作用を損なわない量の添加
剤を用いて銅めっきを施すことにより、添加剤が電極面
の凸部に吸着し銅イオンが凹部へより多くめっきされる
ようになり、めっき表面が平坦になる。
【0021】
【実施例】実施例1.図1(a)はこの発明の一実施例
を示すリードフレームのめっき表面を上面からSEMで
観察したものであり、表面粗度rはほぼ0.3μmで表
面全体均一にめっきが施されていることがわかる。ま
た、図1(b)はめっき表面を上面から50°傾斜させ
てSEMで観察したものであり、丸みを帯びためっき粒
子の平坦度hはほぼ0.2μmに設定されていることが
わかる。
を示すリードフレームのめっき表面を上面からSEMで
観察したものであり、表面粗度rはほぼ0.3μmで表
面全体均一にめっきが施されていることがわかる。ま
た、図1(b)はめっき表面を上面から50°傾斜させ
てSEMで観察したものであり、丸みを帯びためっき粒
子の平坦度hはほぼ0.2μmに設定されていることが
わかる。
【0022】図6(b)の銅からなるめっき層11を形
成するめっき条件は、シアン化銅めっき浴で液組成とし
てシアン化銅50g/1−遊離シアン20g/1、めっ
き液温度50℃、電流密度1.5A/dm2 、めっき時
間4分、めっき液pH12.5〜13.0、印加電波は
単相半波である。
成するめっき条件は、シアン化銅めっき浴で液組成とし
てシアン化銅50g/1−遊離シアン20g/1、めっ
き液温度50℃、電流密度1.5A/dm2 、めっき時
間4分、めっき液pH12.5〜13.0、印加電波は
単相半波である。
【0023】この発明によるめっき方法を用いたリード
フレームのインナーリード部とワイヤとの接合性を知る
ために量産条件の範囲のワイヤボンド条件FORCE8
0gPOWER100mVでワイヤボンド工程まで終了
している半導体装置を25%硝酸70℃に数十秒浸漬
し、金ワイヤとインナーリード部のめっきとの接合部の
銅をエッチング後、金ワイヤの裏面を金属顕微鏡にて観
察したステッチ裏面を図2に示す。図において斜線部は
ワイヤの金とめっきの銅との合金層が形成されていた接
合部である。接合部の接合面積は広く又表面が平坦なこ
とにより従来みられたへこみは発生していない。この発
明によるリードフレームの接合部表面においては、表面
粗度rがほぼ0.3μmで平坦度hがほぼ0.2μmと
表面形状が滑らかであるため、図3の金ワイヤと銅めっ
き表面の接合モデル図に示すように、ワイヤボンド時に
金ワイヤが銅めっきに十分接近し銅めっき表面の酸化皮
膜を接合部全体で均一に破壊でき金と銅との相互拡散が
おこり、良好な接合状態となる。
フレームのインナーリード部とワイヤとの接合性を知る
ために量産条件の範囲のワイヤボンド条件FORCE8
0gPOWER100mVでワイヤボンド工程まで終了
している半導体装置を25%硝酸70℃に数十秒浸漬
し、金ワイヤとインナーリード部のめっきとの接合部の
銅をエッチング後、金ワイヤの裏面を金属顕微鏡にて観
察したステッチ裏面を図2に示す。図において斜線部は
ワイヤの金とめっきの銅との合金層が形成されていた接
合部である。接合部の接合面積は広く又表面が平坦なこ
とにより従来みられたへこみは発生していない。この発
明によるリードフレームの接合部表面においては、表面
粗度rがほぼ0.3μmで平坦度hがほぼ0.2μmと
表面形状が滑らかであるため、図3の金ワイヤと銅めっ
き表面の接合モデル図に示すように、ワイヤボンド時に
金ワイヤが銅めっきに十分接近し銅めっき表面の酸化皮
膜を接合部全体で均一に破壊でき金と銅との相互拡散が
おこり、良好な接合状態となる。
【0024】また図4に示すように、金ワイヤとインナ
ーリード上の銅めっきのプルテストによる接合強度を調
べた結果も、上記理由によりプル強度分布が規格3.0
g以上と安定している。また同様に上記理由により接合
不良が減少し、ワイヤボンド条件のマージン域が図5に
示すように広くなる。
ーリード上の銅めっきのプルテストによる接合強度を調
べた結果も、上記理由によりプル強度分布が規格3.0
g以上と安定している。また同様に上記理由により接合
不良が減少し、ワイヤボンド条件のマージン域が図5に
示すように広くなる。
【0025】以上のように、この発明によるめっき方法
を用いたリードフレームは、めっき表面が滑らかである
ため、ワイヤとの接合面を良好にすることができ、ワイ
ヤボンド条件のマージン域が広くなるので、量産に適し
たリードフレームである。
を用いたリードフレームは、めっき表面が滑らかである
ため、ワイヤとの接合面を良好にすることができ、ワイ
ヤボンド条件のマージン域が広くなるので、量産に適し
たリードフレームである。
【0026】なお本実施例においては、リードフレーム
の合金材料として銅系を用いたものを示したが、鉄−4
2%ニッケルを用いても差し支えない。また本実施例に
おいては、ワイヤとして金が主成分としたものを示した
が、銅を主成分としたものを用いても差し支えない。
の合金材料として銅系を用いたものを示したが、鉄−4
2%ニッケルを用いても差し支えない。また本実施例に
おいては、ワイヤとして金が主成分としたものを示した
が、銅を主成分としたものを用いても差し支えない。
【0027】実施例2.また従来のめっき工程におい
て、濃度300ppb以下のセレン(Se)、鉛(P
b)、テルル(Te)、タリウム(Tl)、ビスマス
(Bi)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)のうちの1種
又は2種以上を組み合わせたものを添加剤として加える
ことによっても実施例1と同様に滑らかなめっき表面を
得ることができる。
て、濃度300ppb以下のセレン(Se)、鉛(P
b)、テルル(Te)、タリウム(Tl)、ビスマス
(Bi)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)のうちの1種
又は2種以上を組み合わせたものを添加剤として加える
ことによっても実施例1と同様に滑らかなめっき表面を
得ることができる。
【0028】また実施例1のめっき工程において、濃度
300ppb以下のセレン(Se)、鉛(Pb)、テル
ル(Te)、タリウム(Tl)、ビスマス(Bi)、鉄
(Fe)、ニッケル(Ni)のうちの1種又は2種以上
を組み合わせたものを添加剤として加えると更に滑らか
なめっき表面を得ることができる。
300ppb以下のセレン(Se)、鉛(Pb)、テル
ル(Te)、タリウム(Tl)、ビスマス(Bi)、鉄
(Fe)、ニッケル(Ni)のうちの1種又は2種以上
を組み合わせたものを添加剤として加えると更に滑らか
なめっき表面を得ることができる。
【0029】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので以下に記載されるような効果を奏する。
れているので以下に記載されるような効果を奏する。
【0030】合金材料に銅めっきを施す条件として単相
半波を用いることにより、又は、添加剤を用いることに
より、銅めっきの平坦度が0.2μm以下の滑らかなめ
っき表面が得られる。
半波を用いることにより、又は、添加剤を用いることに
より、銅めっきの平坦度が0.2μm以下の滑らかなめ
っき表面が得られる。
【0031】また、めっき表面が滑らかなリードフレー
ムを使用してワイヤボンドするため、インナーリードと
ワイヤとの接合部のワイヤ裏面側の平坦度が0.2μm
以下でへこみがない半導体装置を得ることができる。
ムを使用してワイヤボンドするため、インナーリードと
ワイヤとの接合部のワイヤ裏面側の平坦度が0.2μm
以下でへこみがない半導体装置を得ることができる。
【図1】(a)は本発明の一実施例におけるリードフレ
ームのめっき表面の上面SEM観察図(5400倍)、
(b)は同めっき表面を上面から50°傾斜させたとき
のSEM観察図(5400倍)である。
ームのめっき表面の上面SEM観察図(5400倍)、
(b)は同めっき表面を上面から50°傾斜させたとき
のSEM観察図(5400倍)である。
【図2】本発明の一実施例における半導体装置のワイヤ
接合部の裏面の金属顕微鏡観察図である。
接合部の裏面の金属顕微鏡観察図である。
【図3】本発明の一実施例における半導体装置のワイヤ
とめっき表面の接合モデル図である。
とめっき表面の接合モデル図である。
【図4】本発明の一実施例における半導体装置のプル強
度分布図である。
度分布図である。
【図5】本発明の一実施例における半導体装置のワイヤ
ボンド状態図である。
ボンド状態図である。
【図6】(a)は従来のリードフレームの平面図、
(b)は同リードフレームの断面図である。
(b)は同リードフレームの断面図である。
【図7】リードフレームの表面に銅めっきを施すための
めっき装置の断面形状図である。
めっき装置の断面形状図である。
【図8】(a)は従来例におけるリードフレームのめっ
き表面の上面SEM観察図(5400倍)、(b)は同
めっき表面を上面から50°傾斜させたときのSEM観
察図(5400倍)である。
き表面の上面SEM観察図(5400倍)、(b)は同
めっき表面を上面から50°傾斜させたときのSEM観
察図(5400倍)である。
【図9】従来例における半導体装置のワイヤ接合部の裏
面の金属顕微鏡観察図である。
面の金属顕微鏡観察図である。
【図10】従来例における半導体装置のワイヤとめっき
表面の接合モデル図である。
表面の接合モデル図である。
【図11】従来例における半導体装置のプル強度分布図
である。
である。
【図12】従来例における半導体装置のワイヤボンド状
態図である。
態図である。
【図13】銀めっき仕様のリードフレームを用いた半導
体装置のワイヤボンド状態図である。
体装置のワイヤボンド状態図である。
1 リードフレーム 2 半導体チップ 3 ダイパッド 5 ワイヤ 6 インナーリード 6a ステッチ部 7 へこみ 11 めっき層 11a 酸化皮膜
Claims (7)
- 【請求項1】 表面に銅めっきの施された合金材料を素
材とする金属片からなり、前記めっきの平坦度が0.2
μm以下であることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項2】 前記合金材料が銅系又は鉄・ニッケル合
金であることを特徴とする請求項第1項記載のリードフ
レーム。 - 【請求項3】 合金材料を素材とする金属片にシアン化
銅めっき浴で印加電波として単相半波を用いて銅めっき
を施す工程を備えたことを特徴とするリードフレームの
製造方法。 - 【請求項4】 合金材料を素材とする金属片にシアン化
銅めっき浴で添加剤を用いて銅めっきを施す工程を備え
たことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項5】 合金材料を素材とする金属片にシアン化
銅めっき浴で印加電波として単相半波を用いて、さらに
添加剤を用いて銅めっきを施す工程を備えたことを特徴
とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項6】 前記添加剤は濃度300ppb以下のセ
レン、鉛、テルル、タリウム、ビスマス、鉄、ニッケル
のうちの1種又は2種以上を組み合わせたものであるこ
とを特徴とする請求項第4項又は請求項第5項記載のリ
ードフレームの製造方法。 - 【請求項7】 リードフレームのダイパッドにダイボン
ド材を介して取り付けられた半導体素子と、前記半導体
素子の電極と前記リードフレームのインナーリードを結
線するワイヤとを備え、前記ワイヤと前記インナーリー
ドとの接合部のワイヤ裏面側の平坦度が0.2μm以下
であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5039887A JPH06252311A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | リードフレーム及びその製造方法、該リードフレームを使用した半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5039887A JPH06252311A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | リードフレーム及びその製造方法、該リードフレームを使用した半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06252311A true JPH06252311A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12565491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5039887A Pending JPH06252311A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | リードフレーム及びその製造方法、該リードフレームを使用した半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06252311A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014099637A (ja) * | 2009-03-12 | 2014-05-29 | Lg Innotek Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
CN111557043A (zh) * | 2018-03-23 | 2020-08-18 | 古河电气工业株式会社 | 引线框材料及其制造方法、以及使用其的半导体封装体 |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP5039887A patent/JPH06252311A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014099637A (ja) * | 2009-03-12 | 2014-05-29 | Lg Innotek Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
CN111557043A (zh) * | 2018-03-23 | 2020-08-18 | 古河电气工业株式会社 | 引线框材料及其制造方法、以及使用其的半导体封装体 |
CN111557043B (zh) * | 2018-03-23 | 2024-09-17 | 古河电气工业株式会社 | 引线框材料及其制造方法、以及使用其的半导体封装体 |
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