JPS60225455A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JPS60225455A
JPS60225455A JP59082701A JP8270184A JPS60225455A JP S60225455 A JPS60225455 A JP S60225455A JP 59082701 A JP59082701 A JP 59082701A JP 8270184 A JP8270184 A JP 8270184A JP S60225455 A JPS60225455 A JP S60225455A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
lead frame
oxide film
less
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59082701A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoji Umibe
海部　昌治
Masumitsu Soeda
副田　益光
Ryoichi Ozaki
良一 尾崎
Tatsunori Nakajima
中島　辰紀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP59082701A priority Critical patent/JPS60225455A/ja
Publication of JPS60225455A publication Critical patent/JPS60225455A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/85075—Composition of the atmosphere being inert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8521—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/85214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01007—Nitrogen [N]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＩＣやトランジスタ等の半導体利用装置（以下
半導体装置という）のリードフレームに関し、特にＡｕ
ワイヤを容易にポンディングすることができ且つそれ自
身を経済的に得ることができる様に構成したリードフレ
ームに関するものである。
半導体装置のリードフレームはＣｕあるいはＣｕ合金に
よって形成されており、リードフレーム同士やリードフ
レームと半導体を電気的に接続する接続線はＡｕワイヤ
が使用されている。そしてリードフレームにＡｕワイヤ
をポンディングするに際しては超音波加熱等の手段が適
用されることが多い、ところでＣｕやＣｕ合金の表面が
そのまま露出しているリードフレームにＡｕワイヤを直
接ボンディングした場合にはリードフレーム面に対する
Ａｕワイヤの凝着性が悪い為に十分なポンディング強度
が得られないばかりでなく、ポンディング界面に非接合
部分が発生して半導体装置の電気的特性に悪影響を与え
る。従って現状では直接ボンディングは不可能であると
されている。
そこでリードフレームにＡｕワイヤをポンディングする
に当たっては、リードフレーム全面にＡｇめっきを施し
、熱伝導性等を向上させた上で大気中においてそのＡｇ
めっき面にＡｕワイヤを凝着させてポンディング強度の
向上並びにポンディング界面の剥離防止をはかる方法が
採られており、所定の成果をあげている。しかるにＡｇ
めっきに要する費用はかなり高いものであるので半導体
装置の製造コストの低減という観点からはＡｇめっき法
は必ずしも望ましいものとは言えなかった。その為半導
体装置の製造コストを低減すべく検討が加えられ、リー
ドフレームの表面処理法としては、（１）Ａｇめっき処
理部分を限定したり、（２）Ａｇめっき厚を薄くする方
法が提案されているが、コスト低減効果は不十分であり
、又Ａｇめっきの代りに、（３）Ｓｎめっきを施したり
更に、（０−切めっきを施さないで純銅表面にポンディ
ングを行なう方法も提案されているが良好なポンディン
グ特性（ポンディング強度、耐界面剥離性）が得られて
いない、尚（１）及び（２）の場合におけるＡｕワイヤ
のポンディング操作はＮ２又はＡｒの不活性ガス中にお
いて行ない、一方（３）及び（４）の場合にはＮ２とＮ
２を混合した還元性ガス中においてポンディングを行な
っており、ＡｇやＳｎめっき表面或はＣｕやＣｕ合金表
面に酸化皮膜が形成されるのを完全に防止することによ
って良好なボンディング特性を得ようとしている。この
様に相当な注意力を払った上でポンディングを行なって
いるが、前述の如く満足すべき状況に至っていない。
本発明はこうした事情に着目してなされたものであって
、Ａｇめっきを施さなくとも良好なボンディング特性を
有するポンディング部を与える様なリードフレームを提
供しようとするものである。
しかして上記目的を達成した本発明のリードフレームは
、該リードフレーム表面に８０Ａ以下の膜厚であって且
つ表面粗度がＱ、２５ｐｍ以下の酸化皮膜を形成したも
のである点に要旨が存在する。
本発明者等はリードフレームに対するＡｕワイヤのポン
ディング技術に関し、従来のポンディング不良原因を基
本的に見直す必要があると考えた。そこで従来技術の総
ざらえを行なうことによって抜本的対策をたてる必要が
あると考え、Ｃｕ又はＣｕ合金に対する直接ポンディン
グを検討していたところ、Ｃｕ又はＣｕ合金表面に若干
の特定鹸化皮膜が形成されている場合は、従来の常識乃
至予測−反して意外なほどに良好なボンディング特性が
形成されることを見出し、更に検討を重ねた結果前述の
様な本発明の構成に到達した次第である。以下順を追っ
て更に詳述すると、本発明者等は手始めにリードフレー
ム表面の酸化度合とボンディング特性の関係に着目して
みた。
即ち厚さの異なる酸化皮膜を表面に持つリードフレーム
を用意し、該リードフレームにＡｇめっきを施讐こ“と
なくＡｕワイヤの直接ポンディングを行なったところ、
酸化皮膜の膜厚が２００　ＪＬｍ程度のものに比べて酸
化皮膜厚さが８０４ｍ程度のものは抜群に大きなポンデ
ィング強度を示した。
本発明者等は上記知見を基に更に実験を重ね、第１図に
示す結果を得た。即ちポンディング強度は酸化皮膜の厚
さが８ＯＡを超えるあたりから急激に低下しはじめ、２
００Ａを超えると実質的なポンディングは不可能であっ
た。即ち本発明者ＩＪ　＋’＆　七さ　Ｊ　％／　−＃
　７　’／　／／　／７’ｌ値　１鬼４１νＬ）−１−
ｒｌｌ　Ｖｗレームの表面に膜厚が８０Ａ以下の酸化皮
膜を形成する必要があることが分かった。これは酸化皮
膜厚さが８０Ａを超えるとリードフレームに対するＡｕ
ワイヤに凝着が不十分となりポンディング強度が低下す
る為であり、ポンディング強度の低下に対応して界面剥
離の発生頻度も増加するからである。尚上記の如く酸化
皮膜厚さを８０Ａ以下に調製するに当たっては圧延加工
等によって製造したリードフレーム板材を酸洗等の酸化
皮膜除去処理に付し、水洗・乾燥すれば良く、ポンディ
ング工程へ付すまでは真空下に保存（例−えば真空包装
）すればよい。
次に本発明者等はリードフレームの表面粗度とボンディ
ング特性の関係について研究を進め、第２図に示す結果
を得た。即ち上記の如く酸化皮膜厚さを調製してもリー
ドフレームの表面粗度が大きすぎると良好なボンディン
グ特性を得ることはできず、酸化皮膜で覆われた状態の
リードフレームの表面粗度は（Ｌ２５４ｍ以下に調製す
る必要があることを知った０表面粗度がＱ、２５ｐｍを
超えると、Ａｕワイヤの凝着箇所が材料表面に形成され
ている凹凸のエツジ部分に限定される。様になり、実質
的な接合面積が小さくなってボンディング強度が低下す
る。又接合部分が不連続となる為に湿気等の外的要因に
よってボンディング界面が酸化してボンディング強度が
一層低下する。
上記の様に表面粗度を調整する手段としては（１）パフ
研磨等の機械的研磨、（２）鏡面ロールによる圧延、（
３）化学研磨や電解研磨等の化学的若しくは電気化学的
な処理等が例示される。
ところでリードフレーム材料にＣｕ合金殊に添加合金成
分の多いＣｕ合金を使用した半導体装置においては、■
ポンディング部に半導体装置組立時の熱（プラスチック
モールディング時の熱や外部リード線のはんだ付は時の
熱等）、■半導体製品を回路に取付ける際のはんだ付は
時の熱、■使用環境熱及び半導体装置自体の発生熱等の
熱影響が加わるとＣｕ合金の添加成分や不純物がポンデ
ィング界面に拡散して偏析し、その結果としてボンディ
ング強度が低下して断線したり、電気的特性に変化が生
じることが分かった。又Ｃｕ合金が純Ｃｕ素材に比べて
硬度等が高く加工性が悪いので、リードフレームの凹凸
部（通常の圧延成形後の表面粗度は０．３〜１．０ｐ−
ｍとされている）を、前記表面粗度調整手段によって０
．２５１Ｌｍ以下まで研磨するにはかなりの労力及び時
間を要する。
しかるにこの様なＣｕ合金製リードフレーム表面にＣｕ
めっきを施しておくと、改めて前述の様な酸化皮膜調製
手段を適用しなくとも、８０Ａ以下の膜厚を有し且つ表
面粗度が０．２Ｊ４−ｍ以下である酸化皮膜をＣｕめっ
き総表面に形成することができ本発明の目的が達成でき
る。従ってＣｕめっきを施した後は材料を乾燥状態で真
空包装すればよい。上記Ｃｕめっき手段としては硫酸銅
浴、ホウ弗化銅浴、ピロリン酸銅浴、シアン化銅浴等を
用いた電気めっきあるいは無電解めっき等が例示される
が、めっき方法については特に制限がある訳ではない、
又めっき厚さについても前記要件（酸化皮膜厚さと表面
粗度）を満足するものであれば特に制限はない、但し経
済面並びに公害防止面を考慮すると硫酸銅浴を用いた電
気めっき法によって１〜５ＩＬｍの厚さのＣｕめっき層
を形成することが最も好ましい。
又本発明においてリードフレームにＡｕワイヤをポンデ
ィングする手段としては当該分野における汎用手段であ
る超音波加熱圧着法が例示されるが、勿論これに限定さ
れる訳ではなく、高周波加熱やレーザ加熱等を適用して
もよい、尚上記熱圧着に際してはボンディング部をＮ２
やＡｒ等の不活性ガスによりシールするか又はポンディ
ング部へ該不活性ガスを吹付けることが推奨される。又
ポンディング部に加える押圧力は１５〜６０ｇに、超音
波加熱出力は０．１〜１．ＯＷに、超音波加熱時間は１
０〜（３０ｍ　ｓに夫々設定してポンディングすること
が好ましい。
本発明は以上の様に構成されており、以下要約する効果
を得ることができる。
（１）Ｃｕ又はＣｕ合金製リードフレームの表面に一＋
ｍ匪：８０人日下であうで夷面知麿：　１１１−２５Ｉ
Ｌ以下の酸化皮膜を形成しているのでＡｕワイヤをポン
ディングするとボンディング強度及び耐界面剥離性の優
れたボンディング部を経済的に得　′ることができる。
殊に上記リードフレームを製造するに当たってはＡｇめ
っきを施す必要がないので安価にリードフレームを製造
することができる。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例 超音波加熱式ワイヤ接合装置のフレームホルダーにリー
ドフレームを装着し、装−全体をＮ２ガスでシールした
後、超音波出力０．２　Ｗ　、超音波発振時間３．５ｍ
ｓ、押圧荷重３０ｇの条件下においてポンド間距離を［
■に設定してＡｕワイヤのポンディングを行ない、第３
図に示す様なサンプルを作成する。リードフレーム上の
酸化皮膜厚さ及び酸化皮膜の表面粗度を種々変化させて
作成した各サンプルのボンディング強度及び界面剥離の
有無は夫々第１表に示す通りであった。又Ｎ００１（実
施例）とＮｏ、１４（比較例）についテ、Ａｕ　′ワイ
ヤを引剥した後のリードフレーム表面のＡｕ凝着状況を
調べたところ第４．５図に示す結果が第１表に示す様に
、Ｎｏ、、１１〜１３は酸化皮膜の厚さが８０Ａを超え
る為にＡｕワイヤが十分に凝着せず、ボンディング強度
が低下すると共に界面剥離率も高くなった。Ｎｏ、１４
，１５は表面粗度の最大値が０．２５　ＪＬ　ｍより大
きい為にポンディング強度が低く界面剥離率も高くなっ
た。これらに対しＮｏ、１〜６は酸化皮膜厚さ並びに表
面粗度がいずれも良好であるので満足できるボンディン
グ強度が得られると共に界面剥離は全く発生しなかった
。一方リードフレーム素材がＮｉ：９％。
Ｓ　ｎ　：　２．３％を含むｉｏ、１６ｃｙ）Ｃｕ合金
は酸化皮膜厚さが過大である為にボンディング特性が悪
化し、ボンディング強度は６ｇに過ぎなかった。これに
対しＮｏ、１７は酸化皮膜の厚さ等はＮｏ、１６と同様
であるがリードフレームの表面にＣｕめっきを施してい
る比較例であってＣｕめっき層の形成によってＮｏ、１
６よりボンディング特性は改善一 されている（但し酸化皮膜の厚さが過大であるので満足
できるボンディング特性を得るには至っていない）、Ｎ
ｏ、１８はＮｏ、１７と同様に酸化皮膜の厚さが過大で
あるため、又Ｎｏ、１９．２０は表面粗度が過大である
為にいずれもボンディング特性が悪化した。即ち素材が
添加元素の多いＣｕ合金であるリードフレームにＣｕめ
っきを施しても、Ｃｕめっき層表面の酸′化皮膜の厚さ
並びに表面粗度が不適正であれば満足できるボンディン
グ特性を得ることはできなかった。これらに対しＮｏ、
　７〜１０は酸化皮膜厚さ及び表面粗度がいずれも適正
であるので優れたボンディング特性が得られた。
又Ａｕの凝着状況については、第５．！に示す様に表面
粗度の最大値がＱ、３ＩＬｍと大きい比較例サンプルＮ
ｏ、１４の場合、Ａｕは主として凹凸の凸部にしか接合
しておらず接合面積が減少していることが明らかであっ
た。これに対し第４図の実施例サンプルＮｏ、１はＡｕ
が緊密に凝着しており良好なボンディング状態であった
。
【図面の簡単な説明】
第１図は酸化皮膜厚さとポンディング強度の関係を示す
グラフ、第２図は表面粗度とボンディング強度の関係を
示すグラフ、第３図はサンプル形状を示す説明図、第４
．５図はＡｕ凝着状態を示す顕微鏡写真である。 出願人　株式会社　神戸製鋼所 第１図　第２図 酸化皮膜厚き（人）　表面粗度（μｍ）第３図 ↑ 「−゛”−二

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体装置のリードフレームにＡｇめっき層を介
    在させることなくＡｕワイヤを直接ポンディングし得る
    様に調製したＣｕ又はＣｕ合金製リードフレームであっ
    て、該リードフレーム表面に膜厚が８０Ａ以下、表面粗
    度が０．２５ｐｍ以下の酸化皮膜を形成したものである
    ことを特徴とするＣｕ又はＣｕ合金製リードフレーム。
JP59082701A 1984-04-24 1984-04-24 リ−ドフレ−ム Pending JPS60225455A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59082701A JPS60225455A (ja) 1984-04-24 1984-04-24 リ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59082701A JPS60225455A (ja) 1984-04-24 1984-04-24 リ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60225455A true JPS60225455A (ja) 1985-11-09

Family

ID=13781702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59082701A Pending JPS60225455A (ja) 1984-04-24 1984-04-24 リ−ドフレ−ム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60225455A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01100930A (ja) * 1987-09-16 1989-04-19 Natl Semiconductor Corp <Ns> 半導体プラスチックパッケイジのための銅メッキリードフレーム取り扱い方法
EP1065711A2 (en) * 1999-06-30 2001-01-03 Intersil Corporation Method of manufacturing a plated electronic termination
US6475646B2 (en) * 2000-08-17 2002-11-05 Samsung Techwin Co., Ltd. Lead frame and method of manufacturing the lead frame
MY120645A (en) * 2000-08-17 2005-11-30 Samsung Techwin Co Ltd Lead frame and method of manufacturing the lead frame

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01100930A (ja) * 1987-09-16 1989-04-19 Natl Semiconductor Corp <Ns> 半導体プラスチックパッケイジのための銅メッキリードフレーム取り扱い方法
EP1065711A2 (en) * 1999-06-30 2001-01-03 Intersil Corporation Method of manufacturing a plated electronic termination
EP1065711A3 (en) * 1999-06-30 2001-11-07 Intersil Corporation Method of manufacturing a plated electronic termination
US7174626B2 (en) 1999-06-30 2007-02-13 Intersil Americas, Inc. Method of manufacturing a plated electronic termination
US6475646B2 (en) * 2000-08-17 2002-11-05 Samsung Techwin Co., Ltd. Lead frame and method of manufacturing the lead frame
MY120645A (en) * 2000-08-17 2005-11-30 Samsung Techwin Co Ltd Lead frame and method of manufacturing the lead frame

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3883543B2 (ja) 導体基材及び半導体装置
US5459103A (en) Method of forming lead frame with strengthened encapsulation adhesion
US3396454A (en) Method of forming ohmic contacts in semiconductor devices
JPS60225455A (ja) リ−ドフレ−ム
JPS584955A (ja) 金めつきされた電子部品パツケ−ジ
JPH01257356A (ja) 半導体用リードフレーム
JPS6218744A (ja) リ−ドフレ−ム
JP2023069841A (ja) 金属置換処理液、アルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法
JP2529774B2 (ja) 半導体装置リ―ドフレ―ム材料及びその製造方法
JP3313006B2 (ja) ベアボンド用銅合金リードフレーム
JPS61201762A (ja) リードフレーム用Ｃｕ系条材の製造方法
JPH0368788A (ja) リードフレーム用銅条の製造方法
JPS62120057A (ja) ボンデイング用細線
JPS6290954A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH06252311A (ja) リードフレーム及びその製造方法、該リードフレームを使用した半導体装置
JP2542735B2 (ja) 半導体リ―ドフレ―ム材料及びその製造方法
JPH0582979B2 (ja)
JPH03284869A (ja) リードフレーム用クラッド材料
JPH01135057A (ja) リードフレーム材料の製造方法
JPS6417841A (en) Lead frame material for semiconductor
JP4307473B2 (ja) 導体基材及び半導体装置の製造方法
Chan et al. Improvements in Au wire bondability of rigid and flexible substrates using plasma cleaning
KR800001622B1 (ko) 리이드 프레임용 금속 스트립
JPH0259627B2 (ja)
JPS5978551A (ja) 樹脂封止型半導体装置