JPH06252221A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPH06252221A JPH06252221A JP3722493A JP3722493A JPH06252221A JP H06252221 A JPH06252221 A JP H06252221A JP 3722493 A JP3722493 A JP 3722493A JP 3722493 A JP3722493 A JP 3722493A JP H06252221 A JPH06252221 A JP H06252221A
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- JP
- Japan
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- electrode
- electrodes
- polyimide
- resin
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 微細間隔の電極２の間に高硬度のポリイミド
３を配置することで、内部リ−ド６の熱圧着により電極
同志が接触するのを防止する。またポリイミドを電極に
向けて斜面状に形成することでインナ−リ−ド６が隣の
電極と接触するのを防止する。 【効果】 本発明により、インナ−リ−ドが隣の電極と
接触してリ−クすることがない。また、電極間に変形し
にくいポリイミドがあるため、熱圧着の荷重によって電
極同志で接触してリ−クを起こすことは起きにくくな
り、信頼性の高い半導体装置ができる。また、半導体チ
ップのエッジ部までポリイミドが被膜されているため、
インナ−リ−ドが半導体チップのエッジに接触すること
を防止することができる。
３を配置することで、内部リ−ド６の熱圧着により電極
同志が接触するのを防止する。またポリイミドを電極に
向けて斜面状に形成することでインナ−リ−ド６が隣の
電極と接触するのを防止する。 【効果】 本発明により、インナ−リ−ドが隣の電極と
接触してリ−クすることがない。また、電極間に変形し
にくいポリイミドがあるため、熱圧着の荷重によって電
極同志で接触してリ−クを起こすことは起きにくくな
り、信頼性の高い半導体装置ができる。また、半導体チ
ップのエッジ部までポリイミドが被膜されているため、
インナ−リ−ドが半導体チップのエッジに接触すること
を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に半導
体装置の電極上面にインナ−リ−ドを圧着するフィルム
キャリア型半導体装置とその製造方法に関する。
体装置の電極上面にインナ−リ−ドを圧着するフィルム
キャリア型半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリア型半導体装置で
は、図１０に示すように、半導体チップ１１と、半導体
チップ１１の周縁部に金バンプからなる複数の電極１２
が互いに隣接して配置され、各電極１２の間には硬質の
ポリイミド１３が電極間全体にわたって、しかも電極上
面よりも低く存在し、各電極１２の上面にはテ−プ上に
設けられたＣｕよりなるインナ−リ−ド１６が圧着され
ている。
は、図１０に示すように、半導体チップ１１と、半導体
チップ１１の周縁部に金バンプからなる複数の電極１２
が互いに隣接して配置され、各電極１２の間には硬質の
ポリイミド１３が電極間全体にわたって、しかも電極上
面よりも低く存在し、各電極１２の上面にはテ−プ上に
設けられたＣｕよりなるインナ−リ−ド１６が圧着され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年、半導体
装置は小形化、多ピン化の傾向が強まっており、各電極
間のピッチはますます狭くなっている。また、電極幅も
インナ−リ−ド幅とほぼ同様になってきている。そのた
め、インナ−リ−ド１６と電極１２の位置がずれたと
き、電極１２に接合されたインナ−リ−ド１６が隣の電
極と接触する可能性が高くなる。また、電極１２のピッ
チが狭いため、電極１２にインナ−リ−ドを熱圧着した
際、熱圧着の荷重によって電極１２が凹んだとき、電極
１２の広がりにより隣の電極と接触するという欠点があ
った。
装置は小形化、多ピン化の傾向が強まっており、各電極
間のピッチはますます狭くなっている。また、電極幅も
インナ−リ−ド幅とほぼ同様になってきている。そのた
め、インナ−リ−ド１６と電極１２の位置がずれたと
き、電極１２に接合されたインナ−リ−ド１６が隣の電
極と接触する可能性が高くなる。また、電極１２のピッ
チが狭いため、電極１２にインナ−リ−ドを熱圧着した
際、熱圧着の荷重によって電極１２が凹んだとき、電極
１２の広がりにより隣の電極と接触するという欠点があ
った。
【０００４】本発明は、電極間のピッチが狭くなって
も、インナ−リ−ドが、隣接する電極と接触すること、
また、熱圧着した際に電極が隣の電極と接触することが
ない構造を持った半導体装置及びその製造方法を提供す
るものである。
も、インナ−リ−ドが、隣接する電極と接触すること、
また、熱圧着した際に電極が隣の電極と接触することが
ない構造を持った半導体装置及びその製造方法を提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置においては、半導体チップと、
半導体チップ上に互いに隣接配置された複数の電極と、
前記各電極間全体に設けられ、かつ電極上面より突出さ
れた樹脂体と、前記電極上面に圧着されたインナ−リ−
ドとを具備することを特徴とする。また、前記樹脂体の
前記電極上面より突出する部分の縦断面が略三角形状で
あることを特徴とする。
に、本発明の半導体装置においては、半導体チップと、
半導体チップ上に互いに隣接配置された複数の電極と、
前記各電極間全体に設けられ、かつ電極上面より突出さ
れた樹脂体と、前記電極上面に圧着されたインナ−リ−
ドとを具備することを特徴とする。また、前記樹脂体の
前記電極上面より突出する部分の縦断面が略三角形状で
あることを特徴とする。
【０００６】半導体装置の製造方法においては、半導体
チップ上に互いに隣接して複数の電極を形成する工程
と、少なくとも電極上面及び電極間のチップ上面に樹脂
を形成し、硬化させた後、電極表面まで前記樹脂をエッ
チバックし、前記電極上面を露出させる工程と、前記電
極上面及び、前記電極間の樹脂上面に再び樹脂を形成
し、硬化させる工程と、各電極間の樹脂部分に耐エッチ
ングマスクを形成し、前記耐エッチングマスクで覆わな
かった樹脂部分をエッチング除去し、再び各電極上面を
露出させる工程と、前記耐エッチングマスクを除去する
工程と、前記電極上面ににインナ−リ−ドを圧着する工
程とを具備することを特徴とする。
チップ上に互いに隣接して複数の電極を形成する工程
と、少なくとも電極上面及び電極間のチップ上面に樹脂
を形成し、硬化させた後、電極表面まで前記樹脂をエッ
チバックし、前記電極上面を露出させる工程と、前記電
極上面及び、前記電極間の樹脂上面に再び樹脂を形成
し、硬化させる工程と、各電極間の樹脂部分に耐エッチ
ングマスクを形成し、前記耐エッチングマスクで覆わな
かった樹脂部分をエッチング除去し、再び各電極上面を
露出させる工程と、前記耐エッチングマスクを除去する
工程と、前記電極上面ににインナ−リ−ドを圧着する工
程とを具備することを特徴とする。
【０００７】また、半導体装置の他の製造方法において
は、半導体チップ上に互いに隣接して複数の電極を形成
する工程と、少なくとも電極上面及び電極間のチップ上
面に樹脂を形成し、硬化させる工程と、各電極間の樹脂
部分に耐エッチングマスクを形成し、前記耐エッチング
マスクで覆わなかった樹脂部分をエッチング除去し、再
び各電極上面を露出させる工程と、前記耐エッチングマ
スクを除去する工程と、前記電極上面にインナ−リ−ド
を圧着する工程とを具備することを特徴とする。
は、半導体チップ上に互いに隣接して複数の電極を形成
する工程と、少なくとも電極上面及び電極間のチップ上
面に樹脂を形成し、硬化させる工程と、各電極間の樹脂
部分に耐エッチングマスクを形成し、前記耐エッチング
マスクで覆わなかった樹脂部分をエッチング除去し、再
び各電極上面を露出させる工程と、前記耐エッチングマ
スクを除去する工程と、前記電極上面にインナ−リ−ド
を圧着する工程とを具備することを特徴とする。
【０００８】
【作用】隣接する電極間全体にわたって、しかも電極上
面より突出して樹脂体が設けられているため、インナ−
リ−ドが隣の電極と接触することがない。また、インナ
−リ−ドの熱圧着時の荷重により電極がつぶされて隣の
電極に接触するのを防ぐことができる。また、電極上面
より突出された樹脂体部分に、電極上面とのなす角が鈍
角となるように斜面を設けることにより、インナ−リ−
ドと電極との位置ずれがあっても、樹脂体の斜面に沿っ
てインナ−リ−ドが確実に所定の電極上に案内され、圧
着される。
面より突出して樹脂体が設けられているため、インナ−
リ−ドが隣の電極と接触することがない。また、インナ
−リ−ドの熱圧着時の荷重により電極がつぶされて隣の
電極に接触するのを防ぐことができる。また、電極上面
より突出された樹脂体部分に、電極上面とのなす角が鈍
角となるように斜面を設けることにより、インナ−リ−
ドと電極との位置ずれがあっても、樹脂体の斜面に沿っ
てインナ−リ−ドが確実に所定の電極上に案内され、圧
着される。
【０００９】
【実施例】まず、本発明の半導体装置に関わる実施例を
図１を用いて説明する。図１において、１は半導体チッ
プで、半導体チップ１の周縁部は金バンプからなる複数
の電極が互いに隣接配置されている。電極２の幅は５０
μｍ、高さが１８μｍ、電極間隔は１０μｍである。各
電極間には樹脂体が形成されている。複数の電極２の間
に位置し、複数の電極２と同じ高さであり、Ａ−Ａ´線
を含む縦断面が長方形である硬質のポリイミド３と、硬
質のポリイミド３上に載置される、縦断面が略三角形状
のポリイミド５とである。ポリイミド３の幅は電極間隔
と同じ１０μｍ、高さは電極２の高さと同じ１８μｍ、
ポリイミド５の幅はポリイミド３の幅と同じ１０μｍ、
高さが１０μｍである。そして、複数の電極２の各電極
上にＣｕからなるインナ−リ−ド６が圧着されている。
インナ−リ−ドの幅は２５μｍ、高さは１８μｍであ
る。
図１を用いて説明する。図１において、１は半導体チッ
プで、半導体チップ１の周縁部は金バンプからなる複数
の電極が互いに隣接配置されている。電極２の幅は５０
μｍ、高さが１８μｍ、電極間隔は１０μｍである。各
電極間には樹脂体が形成されている。複数の電極２の間
に位置し、複数の電極２と同じ高さであり、Ａ−Ａ´線
を含む縦断面が長方形である硬質のポリイミド３と、硬
質のポリイミド３上に載置される、縦断面が略三角形状
のポリイミド５とである。ポリイミド３の幅は電極間隔
と同じ１０μｍ、高さは電極２の高さと同じ１８μｍ、
ポリイミド５の幅はポリイミド３の幅と同じ１０μｍ、
高さが１０μｍである。そして、複数の電極２の各電極
上にＣｕからなるインナ−リ−ド６が圧着されている。
インナ−リ−ドの幅は２５μｍ、高さは１８μｍであ
る。
【００１０】次に、本発明にかかわる半導体装置の製造
方法の第一の実施例を図２から図７までの製造工程を用
いて説明する。まず、図２のように、半導体チップのデ
バイス面の周縁部に、複数の同形のＡｕからなるバンプ
となる電極２を形成する。
方法の第一の実施例を図２から図７までの製造工程を用
いて説明する。まず、図２のように、半導体チップのデ
バイス面の周縁部に、複数の同形のＡｕからなるバンプ
となる電極２を形成する。
【００１１】そして、図３（ａ）のように、電極の上側
をレジストからなるマスク部材８で覆うのであるが、後
でポリイミド５の層を形成する際に形成しやすくするた
め、このマスク部材８は電極２より厚みを持たせなけれ
ばならない。マスク部材８は、エッチング耐性が良好で
あること、また、電極の側面との密着性が優れていて、
レジスト除去性が良好であることを満たすことが必要で
あり、これらの条件を満たす部材としてレジストが良
い。ところがエッチング耐性が良好であり、電極との密
着性が優れていることと、除去性が良好であることとは
相反する性質であるので、実際には双方の性質をある程
度満たすレジストを選ぶことが必要である。
をレジストからなるマスク部材８で覆うのであるが、後
でポリイミド５の層を形成する際に形成しやすくするた
め、このマスク部材８は電極２より厚みを持たせなけれ
ばならない。マスク部材８は、エッチング耐性が良好で
あること、また、電極の側面との密着性が優れていて、
レジスト除去性が良好であることを満たすことが必要で
あり、これらの条件を満たす部材としてレジストが良
い。ところがエッチング耐性が良好であり、電極との密
着性が優れていることと、除去性が良好であることとは
相反する性質であるので、実際には双方の性質をある程
度満たすレジストを選ぶことが必要である。
【００１２】図３に示すように、マスク部材８の間に液
状のポリイミドを注入する。この時、ポリイミドはマス
ク部材８の高さと同等の高さになるまで注入するが、マ
スク部材８の上面に溢れてしまってもよい。そして、ポ
リイミドを硬化させる。この硬化は温度を次のように四
段階に設定することにより行われる。即ち、８０℃、１
５０℃、２５０℃、３２０℃と昇温させていく。こうす
ることにより充分な硬度のポリイミドを形成することが
できる。なお、このポリイミドの硬化時間は１〜２時間
である。次に、図４に示すように硬化させたポリイミド
を電極の表面が露出するまで、ヒドラジンからなるエッ
チング液でウェットエッチングする。
状のポリイミドを注入する。この時、ポリイミドはマス
ク部材８の高さと同等の高さになるまで注入するが、マ
スク部材８の上面に溢れてしまってもよい。そして、ポ
リイミドを硬化させる。この硬化は温度を次のように四
段階に設定することにより行われる。即ち、８０℃、１
５０℃、２５０℃、３２０℃と昇温させていく。こうす
ることにより充分な硬度のポリイミドを形成することが
できる。なお、このポリイミドの硬化時間は１〜２時間
である。次に、図４に示すように硬化させたポリイミド
を電極の表面が露出するまで、ヒドラジンからなるエッ
チング液でウェットエッチングする。
【００１３】再度液状のポリイミドをマスク部材８の間
に注入する。この時のポリイミドの液厚は１０μｍ程度
の厚さとする。後のエッチング工程でのサイドエッチン
グを考慮して厚く形成するわけである。そして、ポリイ
ミドを上記四段階の昇温により高硬度のポリイミド４を
形成するが、ポリイミド４の硬度をポリイミド３の硬度
と同程度にすることは必ずしも必要でないために、途中
の段階の温度で止めてしまってもよい。（以下、ポリイ
ミド３とポリイミド４とを合わせた部分を、ポリイミド
５とする。）次に、図６のように、例えばレジストから
なる耐エッチングマスク７を各電極間のポリイミド４の
部分に形成する。
に注入する。この時のポリイミドの液厚は１０μｍ程度
の厚さとする。後のエッチング工程でのサイドエッチン
グを考慮して厚く形成するわけである。そして、ポリイ
ミドを上記四段階の昇温により高硬度のポリイミド４を
形成するが、ポリイミド４の硬度をポリイミド３の硬度
と同程度にすることは必ずしも必要でないために、途中
の段階の温度で止めてしまってもよい。（以下、ポリイ
ミド３とポリイミド４とを合わせた部分を、ポリイミド
５とする。）次に、図６のように、例えばレジストから
なる耐エッチングマスク７を各電極間のポリイミド４の
部分に形成する。
【００１４】そして、図７に示すように再度、硬化させ
たポリイミド４を電極の表面が露出するまで、ヒドラジ
ンからなるエッチング液でウェットエッチングする。ウ
ェットエッチングはエッチング速度が等方的であるので
サイドエッチングが生じ、そのサイドエッチングの度合
いに比べてポリイミド４の厚さが薄いと図６中のポリイ
ミド４が消失する可能性があるのでポリイミド４の厚さ
がある程度あることが望ましい。これが前述の理由であ
る。ここで、ポリイミド４の形状であるが、ポリイミド
４の高さ、及びウェットエッチングの進行速度により、
突出部分の断面形状が略台形状になったり、略三角形状
になったりする。エッチング後、耐エッチングマスク７
を、加熱した有機溶剤に浸すことで除去する。
たポリイミド４を電極の表面が露出するまで、ヒドラジ
ンからなるエッチング液でウェットエッチングする。ウ
ェットエッチングはエッチング速度が等方的であるので
サイドエッチングが生じ、そのサイドエッチングの度合
いに比べてポリイミド４の厚さが薄いと図６中のポリイ
ミド４が消失する可能性があるのでポリイミド４の厚さ
がある程度あることが望ましい。これが前述の理由であ
る。ここで、ポリイミド４の形状であるが、ポリイミド
４の高さ、及びウェットエッチングの進行速度により、
突出部分の断面形状が略台形状になったり、略三角形状
になったりする。エッチング後、耐エッチングマスク７
を、加熱した有機溶剤に浸すことで除去する。
【００１５】図７の状態から図１のように電極２上に、
ＣｕにＳｎをメッキした、幅が２５μｍ、高さが１８μ
ｍのインナ−リ−ド６を温度は５００℃、圧力は１リ−
ド当たり１０ｇｆで熱圧着する。隣接する電極間全体に
わたって、しかも電極上面より突出して樹脂体が設けら
れているため、インナ−リ−ド６が隣の電極と接触する
ことがない。また、インナ−リ−ド６の熱圧着時の荷重
により電極がつぶされて隣の電極に接触するのを防ぐこ
とができる。また、電極上面より突出された樹脂体部分
に、電極上面とのなす角が鈍角となるように斜面を設け
ることにより、インナ−リ−ド６と電極との位置ずれが
あっても、樹脂体の斜面に沿ってインナ−リ−ド６が確
実に所定の電極上に案内され、圧着される。このとき、
電極２の下側にはポリイミドが残っているが、このポリ
イミドはインナ−リ−ド６が半導体チップ１のエッジに
接触することを防止する。
ＣｕにＳｎをメッキした、幅が２５μｍ、高さが１８μ
ｍのインナ−リ−ド６を温度は５００℃、圧力は１リ−
ド当たり１０ｇｆで熱圧着する。隣接する電極間全体に
わたって、しかも電極上面より突出して樹脂体が設けら
れているため、インナ−リ−ド６が隣の電極と接触する
ことがない。また、インナ−リ−ド６の熱圧着時の荷重
により電極がつぶされて隣の電極に接触するのを防ぐこ
とができる。また、電極上面より突出された樹脂体部分
に、電極上面とのなす角が鈍角となるように斜面を設け
ることにより、インナ−リ−ド６と電極との位置ずれが
あっても、樹脂体の斜面に沿ってインナ−リ−ド６が確
実に所定の電極上に案内され、圧着される。このとき、
電極２の下側にはポリイミドが残っているが、このポリ
イミドはインナ−リ−ド６が半導体チップ１のエッジに
接触することを防止する。
【００１６】図８、９に本発明に関わる半導体装置の製
造方法の第二の実施例を示す。この実施例ではポリイミ
ドの層を一層で形成する。すなわち、図３に対応する工
程の後に図８、９に対応する工程が継続する。このとき
の硬化温度は、充分な硬度が要求されるため、四段階で
３２０℃まで昇温させなければならない。
造方法の第二の実施例を示す。この実施例ではポリイミ
ドの層を一層で形成する。すなわち、図３に対応する工
程の後に図８、９に対応する工程が継続する。このとき
の硬化温度は、充分な硬度が要求されるため、四段階で
３２０℃まで昇温させなければならない。
【００１７】
【発明の効果】本発明により、インナ−リ−ドが隣の電
極と接触してリ−クすることがない。また、電極間に変
形しにくいポリイミドがあるため、熱圧着の荷重によっ
て電極同志で接触してリ−クを起こすことは起きにくく
なり、信頼性の高い半導体装置ができる。また、半導体
チップのエッジ部までポリイミドが被膜されているた
め、インナ−リ−ドが半導体チップのエッジに接触する
ことを防止することができる。
極と接触してリ−クすることがない。また、電極間に変
形しにくいポリイミドがあるため、熱圧着の荷重によっ
て電極同志で接触してリ−クを起こすことは起きにくく
なり、信頼性の高い半導体装置ができる。また、半導体
チップのエッジ部までポリイミドが被膜されているた
め、インナ−リ−ドが半導体チップのエッジに接触する
ことを防止することができる。
【図１】本発明の第一の実施例である半導体装置の完成
図
図
【図２】本発明の第一の実施例である半導体装置の製造
工程の図
工程の図
【図３】本発明の第一の実施例である半導体装置の製造
工程の図
工程の図
【図４】本発明の第一の実施例である半導体装置の製造
工程の図
工程の図
【図５】本発明の第一の実施例である半導体装置の製造
工程の図
工程の図
【図６】本発明の第一の実施例である半導体装置の製造
工程の図
工程の図
【図７】本発明の第一の実施例である半導体装置の製造
工程の図
工程の図
【図８】本発明の第二の実施例である半導体装置の製造
工程の図
工程の図
【図９】本発明の第二の実施例である半導体装置の製造
工程の図
工程の図
【図１０】従来の半導体装置において、内部リ−ドを熱
圧着する前の図
圧着する前の図
【図１１】従来の半導体装置において、内部リ−ドを熱
圧着した後、電極同志が接触している状態を示す図
圧着した後、電極同志が接触している状態を示す図
１、１１ 半導体チップ ２、１２ 電極 ３、１３ ポリイミド ４ ポリイミド ５ ポリイミド ６、１６ インナ−リ−ド ７ 耐エッチングマスク ８ マスク部材
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップと、 半導体チップ上に互いに隣接配置された複数の電極と、 前記各電極間全体に設けられ、かつ電極上面より突出さ
れた樹脂体と、 前記電極上面に圧着されたインナ−リ−ドとを具備する
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記樹脂体の前記電極上面より突出する
部分の縦断面が略三角形状であることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップ上に互いに隣接して複数の
電極を形成する工程と、 少なくとも電極上面及び電極間のチップ上面に樹脂を形
成し、硬化させた後、電極表面まで前記樹脂をエッチバ
ックし、前記電極上面を露出させる工程と、 前記電極上面及び、前記電極間の樹脂上面に再び樹脂を
形成し、硬化させる工程と、 各電極間の樹脂部分に耐エッチングマスクを形成し、前
記耐エッチングマスクで覆わなかった樹脂部分をエッチ
ング除去し、再び各電極上面を露出させる工程と、 前記耐エッチングマスクを除去する工程と、 前記電極上面ににインナ−リ−ドを圧着する工程とを具
備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体チップ上に互いに隣接して複数の
電極を形成する工程と、 少なくとも電極上面及び電極間のチップ上面に樹脂を形
成し、硬化させる工程と、 各電極間の樹脂部分に耐エッチングマスクを形成し、前
記耐エッチングマスクで覆わなかった樹脂部分をエッチ
ング除去し、再び各電極上面を露出させる工程と、 前記耐エッチングマスクを除去する工程と、 前記電極上面にインナ−リ−ドを圧着する工程とを具備
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3722493A JPH06252221A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3722493A JPH06252221A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252221A true JPH06252221A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12491629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3722493A Pending JPH06252221A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252221A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4886479A (en) * | 1988-09-12 | 1989-12-12 | The Torrington Company | Universal joint including roller bearings |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP3722493A patent/JPH06252221A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4886479A (en) * | 1988-09-12 | 1989-12-12 | The Torrington Company | Universal joint including roller bearings |
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