JPH06252187A - 半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止方法及び該方法に用いるモールド金型 - Google Patents

半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止方法及び該方法に用いるモールド金型

Info

Publication number
JPH06252187A
JPH06252187A JP5769293A JP5769293A JPH06252187A JP H06252187 A JPH06252187 A JP H06252187A JP 5769293 A JP5769293 A JP 5769293A JP 5769293 A JP5769293 A JP 5769293A JP H06252187 A JPH06252187 A JP H06252187A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
cavity
lead frame
semiconductor element
blocks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5769293A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2742650B2 (ja
Inventor
Atsushi Shiraishi
淳 白石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui High Tec Inc filed Critical Mitsui High Tec Inc
Priority to JP5057692A priority Critical patent/JP2742650B2/ja
Publication of JPH06252187A publication Critical patent/JPH06252187A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2742650B2 publication Critical patent/JP2742650B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B28/00Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
    • C04B28/02Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing hydraulic cements other than calcium sulfates
    • C04B28/06Aluminous cements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 種々の形に対応した樹脂封止用モールド金型
を簡単に製造でき、しかも、その後の改良も容易に行え
る半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止方
法及び該方法に用いるモールド金型を提供する。 【構成】 半導体素子が搭載されたリードフレームがそ
れぞれ収納される上下対となるキャビティブロック1
3、13aを各々独立に並設すると共に、該並設された
キャビティブロック13、13aにランナー24を介し
て連通する封止樹脂圧送手段20を設け、前記半導体素
子が搭載されたリードフレームに対応して前記キャビテ
ィブロック13を交換し、前記封止樹脂圧送手段20か
ら上下対となるキャビティブロック13、13aによっ
て形成されるキャビティ15に所定量の封止樹脂を注入
する方法及び該方法に使用する金型。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子が搭載され
たリードフレームの樹脂封止方法及び該方法に用いるモ
ールド金型に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体素子が搭載されたリードフ
レームの樹脂封止用モールド金型は、上型ベース及び下
型ベースの上にチェイスブロックをそれぞれ配置し、該
チェイスブロックに多数のキャビティが形成されたキャ
ビティブロックを配置し、中央に配置された大型ポット
からランナー及びゲートを介して封止樹脂を注入する構
造のものが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例に係る樹脂封止用モールド金型を用いて、新品種の
半導体装置を製造する場合には品種ごとに樹脂封止用モ
ールド金型を製造する必要があった。個々のリードフレ
ームはエッチング法によって異なる形状のリードフレー
ムを製造することは容易であるが、樹脂封止を行う場合
には、異なる形状のキャビティを一つのキャビティブロ
ックに形成することは極めて手間であり、更には、その
後のモールド形状の改良にも対応できず、結果として、
樹脂封止用モールド金型の製造に時間がかかり、更には
価格も高騰するという問題点があった。本発明はかかる
事情に鑑みてなされたもので、種々の形に対応した樹脂
封止用モールド金型を簡単に製造でき、しかも、その後
の改良も容易に行える半導体素子が搭載されたリードフ
レームの樹脂封止方法及び該方法に用いるモールド金型
を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項1
記載の半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封
止方法は、半導体素子が搭載されたリードフレームがそ
れぞれ収納される上下対となるキャビティブロックを各
々独立に並設すると共に、該並設されたキャビティブロ
ックにランナーを介して連通する封止樹脂圧送手段を設
け、前記半導体素子が搭載されたリードフレームに対応
して前記キャビティブロックを交換し、前記封止樹脂圧
送手段から上下対となるキャビティブロックによって形
成されるキャビティに所定量の封止樹脂を注入するよう
にして構成されている。そして、請求項2記載の半導体
素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止用モールド
金型は、上型ベース及び下型ベースにそれぞれ固定され
る上下のチェイスブロックと、前記上下のチェイスブロ
ックにホルダー部材を両側に有してそれぞれ並設される
左右のキャビティブロックと、対となる前記上下のキャ
ビティブロックによって形成されるキャビティにランナ
ーを介して封止樹脂を圧送する封止樹脂圧送手段を備え
るセンターブロックとを有して構成されている。請求項
3記載の半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂
封止用モールド金型は、請求項2記載の樹脂封止用モー
ルド金型において、左右のキャビティブロックを各々保
持するホルダー部材は、連結部材によって連結されて、
それぞれホルダーブロックを形成している。請求項4記
載の半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止
用モールド金型は、請求項2記載の樹脂封止用モールド
金型において、左右のキャビティブロックを各々保持す
るホルダー部材は、センターブロックに連結されてい
る。そして、請求項5記載のリードフレームの樹脂封止
用金型は、請求項2記載の樹脂封止用モールド金型にお
いて、それぞれのキャビティブロックは、キャビティに
封止樹脂を圧送するゲート及びサブランナーを備えて構
成されている。なお、請求項1記載の樹脂封止方法及び
請求項2〜5記載の樹脂封止用モールド金型において、
キャビティを複数群あるいは二列に配置し、同一形状の
複数のキャビティに1または2以上の封止樹脂圧送手段
を設ける場合も含まれる。
【0005】
【作用】請求項1記載の半導体素子が搭載されたリード
フレームの樹脂封止方法及び請求項2〜4記載の半導体
素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止用モールド
金型においては、各キャビティを形成する上下のキャビ
ティブロックが独立に形成され、交換できるようになっ
ているので、1台の樹脂封止用モールド金型で複数種の
樹脂封止が行える。例えば、隣合う半導体装置が異な
り、封止樹脂の外形が異なる場合であっても、キャビテ
ィブロックのみを所定形状のものに取り替えることによ
って樹脂封止が行える。そして、隣合う異なる形状のキ
ャビティには、異なる封止樹脂圧送手段が連結されてい
るので、各封止樹脂圧送手段に入れる封止樹脂の量を調
整することができ、これによってキャビティの容積には
関係なく、一回の作業で同時に異なる半導体装置を製造
できる。
【0006】
【実施例】続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図1は本発明の第1の実施例に係る半導体
素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止用モールド
金型の要部断面図、図2は同部分斜視図、図3は本発明
の第2の実施例に係る半導体素子が搭載されたリードフ
レームの樹脂封止用モールド金型の斜視図である。
【0007】図1、図2に示すように、本発明の第1の
実施例に係る半導体素子が搭載されたリードフレームの
樹脂封止用モールド金型10は、対向する上下の金型か
らなって、図示しない周知構造の上部ベース及び下部ベ
ースにそれぞれ取付けられるチェイスブロック11と、
該チェイスブロック11の中央に配置される上下のセン
ターブロック12、12aと、前記チェイスブロック1
1の左右に複数配列された対となる上下のキャビティブ
ロック13、13aと、該キャビティブロック13、1
3aを所定間隔に位置決めする上下のホルダーブロック
14とを有してなる。以下、これらについて詳しく説明
する。
【0008】前記キャビティブロック13、13aは、
上下が対となって、接合部分に半導体装置の封止樹脂の
外形に対応するキャビティ15を形成するようになって
いると共に、下部のキャビティブロック13の片側に
は、封止樹脂を注入する為の周知構造のゲート16及び
該ゲート16に連接されるサブランナー17が形成され
ている。前記ホルダーブロック14は、キャビティブロ
ック13、13aの数より一つ多いホルダー部材18
と、該ホルダー部材18を連接する連結部材19とから
なって、前記キャビティブロック13、13aは前記ホ
ルダー部材18を挟んだ状態で位置決めされ、チェイス
ブロック11に固定されるようになっている。うになっ
ている。
【0009】前記センターブロック12、12aの中央
には封止樹脂圧送手段20が配置されているが、該封止
樹脂圧送手段20は、下部のセンターブロック12に形
成されているカル部21、上部のセンターブロック12
aに形成されているポット22及び該ポット22内を摺
動移動するプランジャ23を有し、該プランジャ23の
下降によって内部に所定量入れられた封止樹脂を、カル
部21の両側に形成されたランナー24、25を介して
キャビティ15内に圧送するようになっている。
【0010】そして、それぞれのキャビティブロック1
3の中央、カル部21の中央にはエジェクターピン2
6、27、28が設けられて、樹脂封止された半導体装
置を上部に押し出すようになっている。なお、前記キャ
ビティブロック13、13a及びホルダーブロック14
は、キーあるいは楔を用いる周知構造の固定手段で、チ
ェイスブロック11に取外し可能に取付けられていると
共に、前記センターブロック12はネジまたはその他周
知の固定手段によって前記チェイスブロック11に取付
けられている。
【0011】従って、該樹脂封止用モールド金型10を
使用する場合には、製造される半導体装置に対応するキ
ャビティブロック13、13aを用意し、ホルダーブロ
ック14と共に、チェイスブロック11に固定する。次
に、半導体素子が搭載されたリードフレームを前記キャ
ビティブロック13の上に乗せて、キャビティブロック
13、13aを閉じ、プランジャ23を下降させて封止
樹脂を圧送し、樹脂封止を行う。封止樹脂が固化した
後、キャビティブロック13、13aを離して、エジェ
クターピン26〜28を上昇させて、連結された半導体
装置を取り出す。
【0012】次に、図3に示す本発明の第2の実施例に
係る半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止
用モールド金型30の下金型について説明するが、該樹
脂封止用モールド金型30を構成する上金型も前述の通
り略同様な構造となっている。また、前記樹脂封止用モ
ールド金型10と同一の構成要素については同一の番号
を付して詳しい説明を省略する。該樹脂封止用モールド
金型30においては、隣合うキャビティブロック13を
位置決めするホルダー部材31はセンターブロック32
と一体構造となっている。該センターブロック32の中
央には封止樹脂圧送手段を構成するカル部33が設けら
れ、ランナー34、35によって前記キャビティブロッ
ク13と連結されている。前記キャビティブロック13
及びセンターブロック32はチェイスブロック36に図
示しないキー、楔、ネジ等の固定手段によって固定され
るようになっている共に、該チェイスブロック36は下
部ベース37に固定されている。なお、キャビティの数
が多過ぎる場合には、キャビティブロック13の代わり
に穴無しブロック38を装着することもできる。
【0013】前記実施例においては、下部のキャビティ
ブロックに、ゲート及びサブランナーを形成したが、上
部のキャビティブロックにも合わせて形成するようにす
ることも可能であり、更に、エジェクターピン等の有
無、本数は半導体装置の大きさ、形状に合わせて自由に
選択できる。
【0014】
【発明の効果】請求項1記載の半導体素子が搭載された
リードフレームの樹脂封止方法及び請求項2〜5記載の
半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止用モ
ールド金型においては、各キャビティを形成する上下の
キャビティブロックが独立に形成され、交換できるよう
になっているので、半導体装置が変わる毎に、多数のキ
ャビティが形成された従来の一体化したキャビティブロ
ックを製造する必要が無くなる。従って、多種類の新型
半導体装置を迅速に製造することができ、樹脂封止用モ
ールド金型の製作コストの削減及び製作日数の短縮化を
図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る半導体素子が搭載
されたリードフレームの樹脂封止用モールド金型の要部
断面図である。
【図2】同部分斜視図である。
【図3】本発明の第2の実施例に係る半導体素子が搭載
されたリードフレームの樹脂封止用モールド金型の斜視
図である。
【符号の説明】
10 半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封
止用モールド金型 11 チェイスブロック 12 センターブロック 12a センターブロック 13 キャビティブロック 13a キャビティブロック 14 ホルダーブロック 15 キャビティ 16 ゲート 17 サブランナー 18 ホルダー部材 19 連結部材 20 封止樹脂圧送手段 21 カル部 22 ポット 23 プランジャ 24 ランナー 25 ランナー 26 エジェクターピン 27 エジェクターピン 28 エジェクターピン 30 半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封
止用モールド金型 31 ホルダー部材 32 センターブロック 33 カル部 34 ランナー 35 ランナー 36 チェイスブロック 37 下部ベース 38 穴無しブロック

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子が搭載されたリードフレーム
    がそれぞれ収納される上下対となるキャビティブロック
    を各々独立に並設すると共に、該並設されたキャビティ
    ブロックにランナーを介して連通する封止樹脂圧送手段
    を設け、前記半導体素子が搭載されたリードフレームに
    対応して前記キャビティブロックを交換し、前記封止樹
    脂圧送手段から上下対となるキャビティブロックによっ
    て形成されるキャビティに所定量の封止樹脂を注入する
    ことを特徴とする半導体素子が搭載されたリードフレー
    ムの樹脂封止方法。
  2. 【請求項2】 上型ベース及び下型ベースにそれぞれ固
    定される上下のチェイスブロックと、前記上下のチェイ
    スブロックにホルダー部材を両側に有してそれぞれ並設
    される左右のキャビティブロックと、対となる前記上下
    のキャビティブロックによって形成されるキャビティに
    ランナーを介して封止樹脂を圧送する封止樹脂圧送手段
    を備えるセンターブロックとを有してなることを特徴と
    する半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止
    用モールド金型。
  3. 【請求項3】 左右のキャビティブロックを各々保持す
    るホルダー部材は、連結部材によって連結されて、それ
    ぞれホルダーブロックを形成している請求項2記載の半
    導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止用モー
    ルド金型。
  4. 【請求項4】 左右のキャビティブロックを各々保持す
    るホルダー部材は、センターブロックに連結されている
    請求項2記載の半導体素子が搭載されたリードフレーム
    の樹脂封止用モールド金型。
  5. 【請求項5】 それぞれのキャビティブロックは、キャ
    ビティに封止樹脂を圧送するゲート及びサブランナーを
    備えている請求項2記載のリードフレームの樹脂封止用
    金型。
JP5057692A 1993-02-22 1993-02-22 半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止用モールド金型 Expired - Fee Related JP2742650B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5057692A JP2742650B2 (ja) 1993-02-22 1993-02-22 半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止用モールド金型

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5057692A JP2742650B2 (ja) 1993-02-22 1993-02-22 半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止用モールド金型

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06252187A true JPH06252187A (ja) 1994-09-09
JP2742650B2 JP2742650B2 (ja) 1998-04-22

Family

ID=13063001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5057692A Expired - Fee Related JP2742650B2 (ja) 1993-02-22 1993-02-22 半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止用モールド金型

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2742650B2 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6297339A (ja) * 1985-10-23 1987-05-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の樹脂封止成形金型装置
JPH03228337A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp 樹脂モールド金型
JPH06210654A (ja) * 1993-01-14 1994-08-02 Hitachi Ltd トランスファモールド方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6297339A (ja) * 1985-10-23 1987-05-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の樹脂封止成形金型装置
JPH03228337A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp 樹脂モールド金型
JPH06210654A (ja) * 1993-01-14 1994-08-02 Hitachi Ltd トランスファモールド方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2742650B2 (ja) 1998-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4480975A (en) Apparatus for encapsulating electronic components
US4900501A (en) Method and apparatus for encapsulating semi-conductors
US5252051A (en) Resin-seal apparatus for semiconductor element
JP2564707B2 (ja) 電子部品用リードフレームにおけるモールド部のマルチ式成形方法及び成形装置
EP1978552A1 (en) Method of encapsulating electronic part with resin and die assembly and lead frame both for use in the same
US5454705A (en) Semiconductor mold having cavity blocks with cavities on top and bottom surfaces
JPH06252187A (ja) 半導体素子が搭載されたリードフレームの樹脂封止方法及び該方法に用いるモールド金型
JPH11126787A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型
JP2978855B2 (ja) リードフレーム及びこのリードフレームを用いる半導体装置及びこの半導体装置の製造装置
JPH0342495B2 (ja)
JPS5994428A (ja) 半導体用樹脂封止金型
JPS6063122A (ja) 半導体素子の樹脂封入成形方法及びその金型装置
JPH06177192A (ja) 樹脂モールド装置
JPH05109798A (ja) 電子部品におけるモールド部の成形方法
US6911719B1 (en) Lead frame for resin sealed semiconductor device
JP3602422B2 (ja) 樹脂封止装置
JP2587539B2 (ja) 半導体装置の樹脂封止用金型
JP2669886B2 (ja) 樹脂モールド装置
KR930003659Y1 (ko) 플래쉬 방지용 캐비티 블록을 갖는 패케이지 성형 금형
JPH0982736A (ja) 電子部品におけるパッケージモールド部の成形方法及びその装置
JPH05301247A (ja) 樹脂封止用金型装置
JP2934373B2 (ja) 半導体装置の樹脂封止装置及び半導体装置の製造方法
JPH04255315A (ja) 樹脂封止金型
JP2665668B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及びその樹脂封止成形用金型
JPH06254910A (ja) 電子部品の樹脂封止用金型

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 10

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080206

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 11

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090206

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100206

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees