JPH0625190A - ピラジンジカルボン酸ジアミド誘導体及びその製造方法並びに除草剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 有用作物に無害で、低用量で高活性を示す新
規除草剤を提供する。 【構成】 一般式(I) で表されるピラジンジカルボン酸
ジアミド誘導体。 〔式中、Ｒ¹ 及びＲ² は同一又は異なっても良く、Ｈ，
ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級ハロアルキル基
を示し、Ｒ³ は同一又は異なっても良く、ハロゲン原
子，水酸基，ニトロ基；各々低級のアルキル，アルコキ
シ，アルキルチオ，アルコキシアルキル，アルコキシア
ルコキシ，アルキルチオアルキル，アルキルチオアルコ
キシ，アシルオキシ，アルコキシカルボニルオキシ，ア
ルコキシカルボニルアルコキシ，アルキルチオカルボニ
ルアルコキシ基（これらはハロゲン置換されていてよ
い）；アラルキル基又は置換アラルキル基を示し、ｍは
０〜５の整数を示し、Ｒ⁴ はＨ，低級アルキル，低級ハ
ロアルキル基，シクロアルキル基又は置換シクロアルキ
ル基を示す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般式(I) （式中、Ｒ¹ 及びＲ² は同一又は異なっても良く、水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級ハロアル
キル基を示し、Ｒ³ は同一又は異なっても良く、ハロゲ
ン原子、水酸基、ニトロ基、低級アルキル基、低級ハロ
アルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルチオ基、低級ハロアルキルチオ基、低
級アルコキシアルキル基、低級ハロアルコキシアルキル
基、低級アルコキシアルコキシ基、低級ハロアルコキシ
アルコキシ基、低級アルキルチオアルキル基、低級ハロ
アルキルチオアルキル基、低級アルキルチオアルコキシ
基、低級ハロアルキルチオアルコキシ基、低級アシルオ
キシ基、低級ハロアシルオキシ基、低級アルコキシカル
ボニルオキシ基、低級ハロアルコキシカルボニルオキシ
基、低級アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級ハロ
アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級アルキルチオ
カルボニルアルコキシ基、低級ハロアルキルチオカルボ
ニルアルコキシ基、アラルキル基又はフェニル環上に同
一又は異なっても良く、ハロゲン原子、低級アルキル
基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
アルコキシ基、低級アルキルチオ基、低級ハロアルキル
チオ基から選択される１〜５個の置換基を有するアラル
キル基を示し、ｍは０〜５の整数を示し、Ｒ⁴ は水素原
子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、シクロアル
キル基又は同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、低
級アルキル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ
基、低級ハロアルコキシ基、低級アルキルチオ基、低級
ハロアルキルチオ基から選択される１以上の置換基を有
する置換シクロアルキル基を示す。）で表されるピラジ
ンジカルボン酸ジアミド誘導体及びその製造方法並びに
除草剤に関するものである。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は新規な除
草剤を創出すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明のピラ
ジンジカルボン酸ジアミド誘導体が文献未記載の新規化
合物であり、低薬量で優れた除草活性を有し、有用作物
に対しても薬害を示さないことを見出し、本発明を完成
させたものである。

【０００３】

【課題を解決するための手段】本発明の一般式(I) で表
されるピラジンジカルボン酸ジアミド誘導体は、例えば
下記に示す製造方法により製造することができる。

【０００４】製造方法Ａ． （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、ｍ及びＸは前記に同
じ。）

【０００５】一般式(IV)で表される化合物を不活性溶媒
の存在下又は不存在下にハロゲン化剤でハロゲン化を行
い一般式(III) で表される化合物とし、該化合物(III)
を単離し又は単離せずして塩基の存在下に一般式(II)で
表されるアミン類と反応させることにより一般式(I) で
表されるピラジンジカルボン酸ジアミド誘導体を製造す
ることができる。

【０００６】Ａ−１．一般式(IV) → 一般式(III)本
反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を
著しく阻害しないものであれば良く、例えばジクロロメ
タン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水
素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン
等の芳香族炭化水素類、メチルセルソルブ、ジエチルエ
−テル、ジイソプロピルエ−テル等の鎖状エ−テル類、
ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エ−テル類等
を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で若し
くは混合して使用することができる。又、ハロゲン化剤
を過剰に使用することにより不活性溶媒にかえることも
できる。

【０００７】ハロゲン化剤としては、例えば塩化オキサ
リル、塩化チオニル、三塩化リン、五塩化リン、臭化チ
オニル、三臭化リン等のハロゲン化剤を使用することが
でき、その使用量は一般式(IV)で表される化合物に対し
て等モル乃至過剰モルの範囲から選択して使用すれば良
く、好ましくは過剰モル使用するのが良い。本反応の進
行を促進させる目的で触媒量の沃素、塩化亜鉛、ピリジ
ン、トリエチルアミン、ジメチルホルムアミド、ヘキサ
メチルホスホリックトリアミド（ＨＭＰＡ）、４−ジメ
チルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチルウレア等
を添加して反応させることもできる。

【０００８】反応温度は室温乃至使用する不活性溶媒の
沸点域の範囲から適宜選択すれば良く、不活性溶媒を使
用しない場合には２０℃〜１５０℃の範囲から選択した
温度で反応を行えば良い。反応時間は反応規模、反応温
度等により一定しないが、数分乃至４８時間の範囲から
選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応液から
常法により、例えば過剰のハロゲン化剤及び不活性溶媒
を留去し、必要に応じて再結晶法、蒸留法等で精製する
ことにより目的物を製造することができる。又、一般式
(III) で表される化合物を単離せずに次の反応に供する
こともできる。

【０００９】Ａ−２．一般式(III) → 一般式(I)本
反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばＡ−１で
使用する不活性溶媒の他にピリジン類等も使用すること
ができる。本反応は等モル反応であるので等モル使用す
ればよいが、一般式(II)で表されるアミン類を過剰に使
用することもできる。本反応の反応系に生成するハロゲ
ン化水素酸を除くために使用する一般式(II)で表される
アミン類を一般式(III) で表される化合物に対して２倍
モル以上使用しても良い。

【００１０】本反応で使用できる塩基としては無機塩基
又は有機塩基を使用することができ、無機塩基としては
例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属塩の他に酢酸ナト
リウム、酢酸カリウム等の有機酸塩等を、有機塩基とし
ては例えばトリエチルアミン、ピリジン、４−ジメチル
アミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．
０〕−７−ウンデセン（ＤＢＵ）等を使用することがで
き、その使用量は一般式(III) で表される化合物に対し
て等モル乃至過剰モルの範囲から適宜選択すれば良い。
反応温度は−１０℃乃至使用する不活性溶媒の沸点域の
範囲から適宜選択すれば良く、好ましくは０℃乃至１５
０℃の範囲で反応を行えば良い。反応時間は反応規模、
反応温度等により一定しないが、数分乃至４８時間の範
囲から選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応
液から常法により、例えば溶媒抽出等の操作を行い、必
要に応じて再結晶法、カラムクロマトグラフィ−法等で
精製することにより目的物を製造することができる。

【００１１】製造方法Ｂ． （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 及びｍは前記に同じく
し、Ｒ⁵ は低級アルキル基を示す。）

【００１２】一般式(IV)で表される化合物と一般式（VI
II）で表される低級アルコ−ル類を不活性溶媒及び硫
酸、パラトルエンスルホン酸等の脱水剤の存在下にエス
テル化反応を行い、一般式(VI)で表される化合物とし、
該化合物(VI)を単離し、又は単離せずして一般式(II)で
表されるアミン類と反応させるか、又は一般式(IV)で表
される化合物を無水酢酸、酢酸ナトリウム等の存在下に
環化反応を行い、一般式(VII) で表される化合物とし、
該化合物(VII) を単離し、又は単離せずして一般式(II)
で表されるアミン類と反応させることにより一般式(I)
で表されるピラジンジカルボン酸ジアミド誘導体を製造
することもできる。

【００１３】以下に本発明の一般式(I) で表されるピラ
ジンジカルボン酸ジアミド誘導体のの代表的な化合物を
表１に例示するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。一般式(I)

【００１４】

【００１５】

【００１６】 注： 表中、c-とあるのは脂環式化合物を示す。

【００１７】本発明の一般式(I) で表されるピラジンジ
カルボン酸ジアミド誘導体の原料化合物である一般式(I
V)で表される化合物はＣａｖａ等の方法（Ｏｒｇａｎｉ
ｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ ｃｏｌ．，Ｖｏｌ．，ｐ９４
４，１９７３）により製造することができる。

【００１８】

【実施例】以下に本発明の代表的な実施例を例示する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００１９】実施例１１−１． ２，３−ジメチル−５
−（５−フルオロ−２−メチルフェニル）アミノカルボ
ニル−６−ピラジン酸クロリドの製造 ２，３−ジメチル−５−（５−フルオロ−２−メチルフ
ェニル）アミノカルボニル−６−ピラジンカルボン酸３
２．３４ｇ（１０６．７３ミリモル）を無水塩化メチレ
ン５０ｍｌに溶解し、該溶液中に攪拌下に塩化オキサリ
ル２７．０９ｇ（２１３．４６ミリモル）を加えた後、
ジメチルホルムアミドを１滴ずつ合計１０滴加え、室温
下に１２時間反応を行った。反応終了後、反応液を減圧
下に濃縮し、残渣に無水ベンゼンを加えて不溶物を濾別
し、濾液を減圧下に濃縮し、得られた残渣を低温室に一
昼夜放置することにより目的物を結晶として２８．２９
ｇ得た。 物性 m.p. ２４４−２５５℃ 収率 ８２．４％

【００２０】１─２． ２，３−ジメチル−５−（５−
クロロ−２−メチルフェニル）アミノカルボニル−６−
ピラジンカルボン酸イソプロピルアミド（化合物No４）
の製造 １−１．と同様にして製造した２，３−ジメチル−５−
（５−クロロ−２−メチルフェニル）アミノカルボニル
−６−ピラジン酸クロリド１．５０ｇ（４．４４ミリモ
ル）を無水塩化メチレン２０ｍｌに溶解し、攪拌下にイ
ソプロピルアミン０．５２ｇ（８．８８ミリモル）及び
トリエチルアミン０．９０ｇ（８．８８ミリモル）の混
合液を加えて室温下に２時間反応を行った。反応終了
後、反応溶液を水洗して塩化メチレン層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥した後、溶媒を減圧下に留去し、得られた
残渣をジオキサンから再結晶することにより目的物０．
８２ｇを得た。 物性 m.p. １７１−１７３℃ 収率 ５１％

【００２１】本発明の一般式(I) で表されるピラジンジ
カルボン酸ジアミド誘導体を有効成分として含有する除
草剤は、例えばノビエ（タイヌビエの俗称、イネ科１年
生草、水田の強害草）、タマガヤツリ（カヤツリグサ科
１年生草、水田の害草）、マツバイ（カヤツリグサ科多
年生草、湿地、水路、水田に発生、水田の代表的多年生
害草）、ウリカワ（オモダカ科、水田、湿地、溝に発生
する多年生害草）、ホタルイ（カヤツリグサ科多年生
草、水田、湿地、溝に発生）、エンバク（イネ科越年
草、平地、荒地、畑地に発生）、ヨモギ（キク科多年生
草、山野、地に発生）、メヒシバ（イネ科１年生草、
畑、樹園地の代表的強害草）、ギシギシ（タデ科多年生
草、畑地、道端に発生）、コゴメガヤツリ（カヤツリグ
サ科１年生草、アオビユ（ヒユ科１年生草、空き地、道
端、畑地に発生）、オナモミ（キク科１年生草、畑地の
害草）、イチビ（アオイ科１年生草、畑地の害草）、ヨ
ウシュチョウセンアサガオ（ヒルガオ科１年生草、畑地
の害草）、オオイヌノフグリ（ゴマノハグサ科１〜２年
生草、畑地の害草）、ヤエムグラ（アカネ科１年生草、
畑地、樹園地の害草）等の水田、畑、樹園地、湿地等に
発生する１年生及び多年生雑草を除草するのに有用であ
る。

【００２２】本発明の一般式(I) で表されるピラジンジ
カルボン酸ジアミド誘導体を有効成分として含有する除
草剤は出芽前及び出芽後にある雑草に対して優れた除草
効果を示すことから、有用植物の植え付け予定地に予め
処理するとか、有用植物の植え付け後（有用植物が樹園
のごとく既に定植されている場合を含む）雑草の発生始
期から生育期に処理することにより本発明除草剤の有す
る特徴ある生理活性を効果的に発現させることができ
る。しかし本発明の除草剤はこのような態様おいてのみ
使用されねばならないというものではなく、例えば本発
明除草剤は水田用除草剤として使用することができるば
かりでなく、一般雑草の除草剤としても使用することが
でき、例えば刈り取り跡、休耕田畑、畦畔、農道、水
路、牧草造成地、墓地、公園、道路、運動場、建物の周
辺の空き地、開墾地、線路端、森林等の一般雑草の駆除
のために使用することもできる。この場合、雑草の発生
始期までに処理するのが経済的にも最も効果的である
が、必ずしもこれに限定されず、生育期にある雑草をも
防除することが可能である。

【００２３】本発明の一般式（Ｉ）で表されるピラジン
ジカルボン酸ジアミド誘導体を除草剤として使用する場
合、農薬製剤上の常法に従い、使用上都合の良い形状に
製剤して使用するのが一般的である。即ち、本発明の一
般式（Ｉ）で表されるピラジンジカルボン酸ジアミド誘
導体は、これらを適当な不活性担体に、又は必要に応じ
て補助剤と一緒に、適当な割合に配合して溶解、分離、
懸濁、混合、含浸、吸着若しくは付着させ、適宜の剤
形、例えば懸濁剤、乳剤、液剤、水和剤、粒剤、粉剤、
錠剤等に製剤して使用すれば良い。

【００２４】本発明で使用できる不活性担体としては固
体又は液体の何れであっても良く、固体の担体になりう
る材料としては、例えばダイズ粉、穀物粉、木粉、樹皮
粉、鋸粉、タバコ茎粉、クルミ殻粉、ふすま、繊維素粉
末、植物エキス抽出後の残渣、粉砕合成樹脂等の合成重
合体、粘土類（例えばカオリン、ベントナイト、酸性白
土等）、タルク類（例えばタルク、ピロフィライド
等）、シリカ類（例えば珪藻土、珪砂、雲母、ホワイト
カ−ボン〔含水微粉珪素、含水珪酸ともいわれる合成高
分散珪酸で、製品により珪酸カルシウムを主成分として
含むものもある。〕）、活性炭、イオウ粉末、軽石、焼
成珪藻土、レンガ粉砕物、フライアッシュ、砂、炭酸カ
ルシウム、燐酸カルシウム等の無機鉱物性粉末、硫安、
燐安、硝安、尿素、塩安等の化学肥料、堆肥等を挙げる
ことができ、これらは単独で若しくは二種以上の混合物
の形で使用される。

【００２５】液体の担体になりうる材料としては、それ
自体溶媒能を有するものの他、溶媒能を有さずとも補助
剤の助けにより有効成分化合物を分散させうることとな
るものから選択され、例えば代表例として次に挙げる担
体を例示できるが、これらは単独で若しくは２種以上の
混合物の形で使用され、例えば水、アルコ−ル類（例え
ばメタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ
−ル、エチレングリコ−ル等）、ケトン類（例えばアセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、エ−テル
類（例えばエチルエ−テル、ジオキサン、セロソルブ、
ジプロピルエ−テル、テトラヒドロフラン等）、脂肪族
炭化水素類（例えばケロシン、鉱油等）、芳香族炭化水
素類（例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベン
トナフサ、アルキルナフタレン等）、ハロゲン化炭化水
素類（例えばジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭
素等）、エステル類（例えば酢酸エチル、ジイソプピル
フタレ−ト、ジブチルフタレ−ト、ジオチルフタレ−ト
等）、アミド類（例えばジメチルホルムアミド、ジエチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等）、ニトリル
類（例えばアセトニトリル等）、ジメチルスルホキシド
類等を挙げることができる。他の補助剤としては次に例
示する代表的な補助剤をあげることができ、これらの補
助剤は目的に応じて使用され、単独で、ある場合は二種
以上の補助剤を併用し、又ある場合には全く補助剤を使
用しないことも可能である。

【００２６】有効成分化合物の乳化、分散、可溶化及び
／又は湿潤の目的のために界面活性剤が使用され、例え
ばポリオキシエチレンアルキルエ−テル、ポリオキシエ
チレンアルキルアリ−ルエ−テル、ポリオキシエチレン
高級脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン樹脂酸エステ
ル、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレ−ト、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノオレエ−ト、アルキル
アリ−ルスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸縮合物、
リグニンスルホン酸塩、高級アルコ−ル硫酸エステル等
の界面活性剤を例示することができる。又、有効成分化
合物の分散安定化、粘着及び／又は結合の目的のため
に、例えばカゼイン、ゼラチン、澱粉、メチルセルロ−
ス、カルボキシメチルセルロ−ス、アラビアゴム、ポリ
ビニルアルコ−ル、松根油、糠油、ベントナイト、リグ
ニンスルホン酸塩等の補助剤を使用することもできる。

【００２７】固体製品の流動性改良のために次に挙げる
補助剤を使用することもでき、例えばワックス、ステア
リン酸塩、燐酸アルキルエステル等の補助剤を使用でき
る。懸濁性製品の解こう剤として、例えばナフタレンス
ルホン酸縮合物、縮合燐酸塩等の補助剤を使用すること
もできる。消泡剤としては、例えばシリコ−ン油等の補
助剤を使用することもできる。有効成分化合物の配合割
合は必要に応じて加減することができ、例えば粉剤或い
は粒剤とする場合は０．０１〜５０重量％、又乳剤或い
は水和剤とする場合も同様０．０１〜５０重量％が適当
である。

【００２８】本発明の一般式(I) で表されるピラジンジ
カルボン酸ジアミド誘導体を有効成分として含有する除
草剤は各種雑草を枯殺し若しくは生育を抑制するために
そのまま、又は水等で適宜希釈し、若しくは懸濁させた
形で殺草若しくは生育抑制に有効な量を当該雑草に、又
は当該雑草の発生若しくは生育が好ましくない場所にお
いて茎葉又は土壌に適用して使用すればよい。本発明の
一般式(I) で表されるピラジンジカルボン酸ジアミド誘
導体を有効成分として含有する除草剤の使用量は種々の
因子、例えば目的、対象雑草、作物の生育状況、雑草の
発生傾向、天候、環境条件、剤型、施用方法、施用場
所、施用時期等により変動するが、有効成分化合物とし
て１ヘクタ−ル当たり０．１ｇ〜１０ｋｇの範囲から目
的に応じて適宜選択すれば良い。本発明の一般式(I) で
表されるピラジンジカルボン酸ジアミド誘導体を有効成
分として含有する除草剤を更に防除対象雑草、防除適期
の拡大のため、或いは薬量の低減をはかる目的で他の除
草剤と混合して使用することも可能である。以下に本発
明の代表的な処方例及び試験例を示すが、本発明はこれ
らに限定されるものではない。尚、処方例中、部とある
のは重量部を示す。

【００２９】 処方例１ 本発明化合物 ５０部 キシレン ４０部 ポリオキシエチレンノニルフェニルエ−テルと アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 １０部 以上を均一に混合溶解して乳剤とする。 処方例２ 本発明化合物 ３部 クレ−粉末 ８２部 珪藻土粉末 １５部 以上を均一に混合粉砕して粉剤とする。

【００３０】 処方例３ 本発明化合物 ５部 ベントナイトとクレ−の混合粉末 ９０部 リグニンスルホン酸カルシウム ５部 以上を均一に混合し、適量の水を加えて混練し、造粒、乾燥して粒剤とする 。 処方例４ 本発明化合物 ２０部 カオリンと合成高分散珪酸 ７５部 ポリオキシエチレンノニルフェニルエ−テルとアル キルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 ５部 以上を均一に混合粉砕して水和剤とする。

【００３１】

【試験例】試験例１ 出芽後の水田雑草に対する除草効
果試験。１万分の１ア−ルポットに土壌を詰めて水田状
態にし、水田雑草であるノビエ、ホタルイの種子、ミズ
ガヤツリ及びウリカワの魂茎を一葉期になるように調整
した。これに本発明化合物（表１記載の化合物）を有効
成分とする薬剤を有効成分量として１ヘクタ−ル当たり
５ｋｇとなるように薬剤処理をした。処理２１日後に除
草効果を調査し、無処理と比較して除草率を算出し、下
記の基準に従って判定を行った。又、同時に稲に対する
薬害の調査も行い、下記基準で判定した。

【００３２】 除草活性の判定基準： ５・・・９５％以上の殺草率。 ４・・・７０％以上９５％未満の殺草率。 ３・・・５０％以上７０％未満の殺草率。 ２・・・３０％以上５０％未満の殺草率。 １・・・１０％以上３０％未満の殺草率。 ０・・・１０％未満の殺草率。 薬害の判定基準： ５・・・９０％以上１００％の殺草率。 ４・・・８０％以上９０％未満の殺草率。 ３・・・５０％以上８０％未満の殺草率。 ２・・・３０％以上５０％未満の殺草率。 １・・・１％以上３０％未満の殺草率。 ０・・・０

【００３３】結果を表２に示す。

【００３４】試験例２ 出芽前の畑地雑草に対する除草
効果縦１０ｃｍ×横２０ｃｍ×高さ５ｃｍのポリエチレ
ン製バットに土壌を詰め、これに畑地雑草であるノビ
エ、イチビ、オナモミ、ヤエムグラ、オオイヌノフグ
リ、及び畑地作物としてダイズ及びコムギの種子を播種
覆土した。これに本発明化合物（第１表記載の化合物）
を有効成分とする薬剤を所定濃度の散布液として処理し
た。処理１４日後に除草効果を調査し、試験例１と同様
にして殺草率を算出し、判定を行った。同時にダイズ及
びコムギに対する薬害を調査して、試験例１に準じて判
定を行った。

【００３５】結果を表３に示す。

【００３６】

【００３７】

【００３８】 表３中の雑草名の略号は以下の雑草を示す。 ＢＡＲ・・・ノビエ ＶＬＥ・・・イチビ ＣＯＣ・・・オナモミ ＣＬＥ・・・ヤエムグラ ＢＩＲ・・・オオイヌノフグリ

【００３９】試験例３ 出芽後の畑地雑草に対する除草
効果縦１０ｃｍ×横２０ｃｍ×高さ５ｃｍのポリエチレ
ン製バットに土壌を詰め、これに下記の畑地有害雑草及
び畑作作物としてダイズ及びコムギの種子を播種覆土
し、各々下記の葉期になるまで生育させ、これに本発明
化合物（第１表記載の化合物）を有効成分とする薬剤を
所定濃度の散布液として処理した。処理１４日後に除草
効果を調査し、試験例１と同様にして殺草率を算出し、
判定を行った。同時にダイズ及びコムギに対する薬害を
調査して、試験例１に準じて判定を行った。 供試雑草種及びその葉期並びにダイズ及びコムギの葉期： ノビエ ２葉期 イチビ ２葉期 オナモミ １葉期 ヤエムグラ ２葉期 オオイヌノフグリ １葉期 コムギ ２葉期 ダイズ １葉期

【００４０】結果を表４に示す。

【００４１】

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式(I) （式中、Ｒ¹ 及びＲ² は同一又は異なっても良く、水素
   原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級ハロアル
   キル基を示し、Ｒ³ は同一又は異なっても良く、ハロゲ
   ン原子、水酸基、ニトロ基、低級アルキル基、低級ハロ
   アルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ
   基、低級アルキルチオ基、低級ハロアルキルチオ基、低
   級アルコキシアルキル基、低級ハロアルコキシアルキル
   基、低級アルコキシアルコキシ基、低級ハロアルコキシ
   アルコキシ基、低級アルキルチオアルキル基、低級ハロ
   アルキルチオアルキル基、低級アルキルチオアルコキシ
   基、低級ハロアルキルチオアルコキシ基、低級アシルオ
   キシ基、低級ハロアシルオキシ基、低級アルコキシカル
   ボニルオキシ基、低級ハロアルコキシカルボニルオキシ
   基、低級アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級ハロ
   アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級アルキルチオ
   カルボニルアルコキシ基、低級ハロアルキルチオカルボ
   ニルアルコキシ基、アラルキル基又はフェニル環上に同
   一又は異なっても良く、ハロゲン原子、低級アルキル
   基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
   アルコキシ基、低級アルキルチオ基、低級ハロアルキル
   チオ基から選択される１〜５個の置換基を有するアラル
   キル基を示し、ｍは０〜５の整数を示し、Ｒ⁴ は水素原
   子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、シクロアル
   キル基又は同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、低
   級アルキル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ
   基、低級ハロアルコキシ基、低級アルキルチオ基、低級
   ハロアルキルチオ基から選択される１以上の置換基を有
   する置換シクロアルキル基を示す。）で表されるピラジ
   ンジカルボン酸ジアミド誘導体。
2. 【請求項２】 一般式(IV) （式中、Ｒ¹ 及びＲ² は同一又は異なっても良く、水素
   原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級ハロアル
   キル基を示し、Ｒ³ は同一又は異なっても良く、ハロゲ
   ン原子、水酸基、ニトロ基、低級アルキル基、低級ハロ
   アルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ
   基、低級アルキルチオ基、低級ハロアルキルチオ基、低
   級アルコキシアルキル基、低級ハロアルコキシアルキル
   基、低級アルコキシアルコキシ基、低級ハロアルコキシ
   アルコキシ基、低級アルキルチオアルキル基、低級ハロ
   アルキルチオアルキル基、低級アルキルチオアルコキシ
   基、低級ハロアルキルチオアルコキシ基、低級アシルオ
   キシ基、低級ハロアシルオキシ基、低級アルコキシカル
   ボニルオキシ基、低級ハロアルコキシカルボニルオキシ
   基、低級アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級ハロ
   アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級アルキルチオ
   カルボニルアルコキシ基、低級ハロアルキルチオカルボ
   ニルアルコキシ基、アラルキル基又はフェニル環上に同
   一又は異なっても良く、ハロゲン原子、低級アルキル
   基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
   アルコキシ基、低級アルキルチオ基、低級ハロアルキル
   チオ基から選択される１〜５個の置換基を有するアラル
   キル基を示し、ｍは０〜５の整数を示す。）で表される
   化合物をハロゲン化剤の存在下にハロゲン化し、一般式
   (III) （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 及びｍは前記に同じくし、Ｘ
   はハロゲン原子を示す。）で表される化合物とし、該化
   合物(III) を単離し又は単離せずして一般式(II) （式中、Ｒ⁴ は水素原子、低級アルキル基、低級ハロア
   ルキル基、シクロアルキル基又は同一又は異なっても良
   く、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル
   基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ基、低級ア
   ルキルチオ基、低級ハロアルキルチオ基から選択される
   １以上の置換基を有する置換シクロアルキル基を示
   す。）で表されるアミン類と反応させることを特徴とす
   る一般式(I) （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 及びｍは前記に同
   じ。）で表されるピラジンジカルボン酸ジアミド誘導体
   の製造方法。
3. 【請求項３】 一般式(I) （式中、Ｒ¹ 及びＲ² は同一又は異なっても良く、水素
   原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級ハロアル
   キル基を示し、Ｒ³ は同一又は異なっても良く、ハロゲ
   ン原子、水酸基、ニトロ基、低級アルキル基、低級ハロ
   アルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ
   基、低級アルキルチオ基、低級ハロアルキルチオ基、低
   級アルコキシアルキル基、低級ハロアルコキシアルキル
   基、低級アルコキシアルコキシ基、低級ハロアルコキシ
   アルコキシ基、低級アルキルチオアルキル基、低級ハロ
   アルキルチオアルキル基、低級アルキルチオアルコキシ
   基、低級ハロアルキルチオアルコキシ基、低級アシルオ
   キシ基、低級ハロアシルオキシ基、低級アルコキシカル
   ボニルオキシ基、低級ハロアルコキシカルボニルオキシ
   基、低級アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級ハロ
   アルコキシカルボニルアルコキシ基、低級アルキルチオ
   カルボニルアルコキシ基、低級ハロアルキルチオカルボ
   ニルアルコキシ基、アラルキル基又はフェニル環上に同
   一又は異なっても良く、ハロゲン原子、低級アルキル
   基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
   アルコキシ基、低級アルキルチオ基、低級ハロアルキル
   チオ基から選択される１〜５個の置換基を有するアラル
   キル基を示し、ｍは０〜５の整数を示し、Ｒ⁴ は水素原
   子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、シクロアル
   キル基又は同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、低
   級アルキル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ
   基、低級ハロアルコキシ基、低級アルキルチオ基、低級
   ハロアルキルチオ基から選択される１以上の置換基を有
   する置換シクロアルキル基を示す。）で表されるピラジ
   ンジカルボン酸ジアミド誘導体を有効成分として含有す
   ることを特徴とする除草剤。