JPH0625031Y2 - コンデンサ内蔵積層基板 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、複数枚の基板を層状に積み重ねて構成され、
積み重ねられた基板内部の適所に誘導体が挿入されると
ともに、前記基板の積み重ね方向における前記誘電体の
両側に対向して一対のコンデンサ電極が形成されている
コンデンサ内蔵積層基板に関する。

（従来の技術） 第３図は従来例のこの種のコンデンサ内蔵積層基板の断
面図である。第３図に示されるコンデンサ内蔵積層基板
は、低誘電率の４枚の基板１，２，３，４を層状に積み
重ねて構成される。最下層の基板１（第１層の基板１）
と第２層の基板２との間には誘電体５が挿入形成されて
いる。各基板の積み重ね方向における誘電体５の両側に
は、一対のコンデンサ電極６，７が形成されている。一
方のコンデンサ電極６は第１層の基板１の表面１ａ上に
形成されている。他方のコンデンサ電極７は、第２の基
板２の表面２ａ上に形成されている。他方のコンデンサ
電極７は、第３層の基板３および第４層の基板４に形成
されたバイアホール８内の導電体９を介して最上層とな
る第４層の基板４の表面４ａに形成された容量引き出し
電極１０に接続されている。

このような構成を有する従来例のコンデンサ内蔵積層基
板においての誘電体５と各コンデンサ電極６，７は、第
４図に示すような等価回路のコンデンサＣを構成してい
る。

（考案が解決しようとする問題点） ところで、このような従来例のコンデンサ内蔵積層基板
において、製造工程における誘電体やコンデンサ電極の
挿入位置のずれとか、挿入量の狂いなどとかに起因して
所定の規格された容量値が得られない場合がある。

こうした場合、従来例の積層基板にあっては、そのコン
デンサＣの容量値を補正変更することが容易にはできな
いために、規格容量値から外れたコンデンサ内蔵積層基
板については廃棄処分するとかあるいは、最初から作り
直すといった時間的にもコスト的にもたいへんな無駄と
労力とを要するものであった。

本考案は、上記点に鑑みてなされたものであって、容量
値が規格から外れているような場合には、その容量値の
修正を容易に行うことができるようにすることを目的と
している。

（問題点を解決するための手段） 本考案にかかるコンデンサ内蔵積層基板は、複数枚の基
板を層状に積み重ねて構成され、積み重ねられた基板間
の適所には誘電体が挿入されるとともに、前記基板の積
み重ね方向における前記誘電体を介して対向する一対の
コンデンサ電極が形成されているものであって、各基板
の積み重ね方向に沿ってはバイアホールが形成されてお
り、これらバイアホールの内端部には前記コンデンサ電
極の一方が埋設コンデンサ電極として接続されていると
ともに、前記誘電体は限定された大きさを有し、かつ、
複数個設けられたものであり、その各々が前記埋設コン
デンサ電極のそれぞれとは互いに異なる枚数の基板を介
して挿入されたものである一方、積み重ねられた基板全
体の表面上には、前記バイアホールを介したうえで前記
埋設コンデンサ電極どうし、あるいはまた、前記埋設コ
ンデンサ電極と基板表面側コンデンサ電極との間を選択
的に接続する接続パターンが形成されたものであること
を特徴としている。

（作用） この構成によれば、コンデンサ内蔵積層基板の全体とし
ての容量値が規格から外れている場合には、接続パター
ンの接続関係を適宜変更することにより、その容量値が
規格値に入るようにすることができる。

また、その容量値が規格値に入っているが、それを他の
容量値に修正する場合にもその接続パターンの接続関係
を適宜変更することによりその修正を行うことができ
る。

（実施例） 以下、本考案の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第１図は本考案の実施例に係るコンデンサ内蔵積層
基板（以下、積層基板２０という）の断面図である。こ
の積層基板２０は、層状に積み重ねられた６枚の基板２
１ないし２６を備えている。積み重ねられた各基板の中
で最下層である第１層の基板２１と、その第１層の基板
２１のすぐ上の層である第２層の基板２２との間には、
ある所定の限定された大きさを有する３個の誘電体２７
ないし２９が挿入されている。なお、このような構成を
採用した場合には、誘電体２７ないし２９の各々が部分
的にしか積層基板の内部に挿入されていないのであるか
ら、この積層基板上に形成される配線パターンや実装さ
れる電子部品との間における浮遊容量が形成されにくく
なる結果、積層基板上に構成される回路の動作に対する
信頼性向上が図れることになる。そして、第１層の基板
２１の表面３０には、各基板の積み重ね方向における誘
電体２７ないし２９の片側に対向する位置に一方のコン
デンサ電極３１ないし３３（基板表面側コンデンサ電
極）が形成されている。最上層である第６層の基板２６
には第１のバイアホール３４が、また、その第６層の基
板２６から第４層の基板２４に至るまでに第２のバイア
ホール３５が、各基板の積み重ね方向にそれぞれ形成さ
れている。

各バイアホール３４，３５それぞれの入り口部と出口部
とその内周面に導電体３６，３７が形成されている。そ
して、各バイアホール３４，３５の出口部である内端部
は第６層の基板２６表面に設けられた入口部から互いに
異なる深さ位置まで形成されており、これらバイアホー
ル３４，３５の内端部には他方のコンデンサ電極３８，
３９（埋設コンデンサ電極）のそれぞれが導電体３６，
３７に対して接続された状態で形成されている。そこ
で、上気した誘電体２８，２９のそれぞれは、これら埋
設コンデンサ電極３８，３９の各々と互いに異なる枚数
の基板を介したうえで挿入されていることになる。な
お、このように、誘電体２８，２９と埋設コンデンサ電
極３８，３９との離間間隔を変更した場合には、基板表
面方向に沿った占有面積を増大させることなく、容量値
の異なる複数個のコンデンサを構成することができると
いう利点がある。また、第６層の基板２６の表面４０に
は同じく他方のコンデンサ電極４１（基板表面側コンデ
ンサ電極）が形成されている。

一方、第６層の基板２６の表面４０には、導電体３６，
３７を介して埋設コンデンサ電極３８，３９どうしある
いはその埋設コンデンサ電極３８，３９と基板表面側コ
ンデンサ電極４１とを接続する接続パターン４２が形成
されている。

同様にして第１層の基板２１の表面３０にも基板表面側
コンデンサ電極３１，３２，３３どうしを接続する接続
パターン４３が形成されている。

このような構造を有する実施例の積層基板２０によれ
ば、第２図の等価回路に示すようなコンデンサＣ１，Ｃ
２，Ｃ３が構成されている。つまり、コンデンサＣ１は
誘電体２７と基板表面側コンデンサ電極３１，４１とで
構成され、コンデンサＣ２は誘電体２８と基板表面側コ
ンデンサ電極３２と埋設コンデンサ電極３８とで構成さ
れ、コンデンサＣ３は誘電体２９と基板表面側コンデン
サ電極３３と埋設コンデンサ電極３９とで構成されてい
る。また、各コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を接続する接
続ラインＬ１，Ｌ２は接続パターン４２，４３にそれぞ
れ対応している。

そして、このような構造の積層基板２０において、第２
図の端子Ｔ１，Ｔ２から見た全体の容量値を変更する場
合は、接続パターン４２，４３の接続関係を変更すると
よい。例えば、第２図の等価回路では、端子Ｔ１，Ｔ２
から見た容量値は、３個のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３
の並列接続により得られているが、接続ラインＬ１を接
続ラインＬ３に変更すると２個のコンデンサＣ１，Ｃ３
の並列接続になって端子Ｔ１，Ｔ２から見た全容量値を
変更することができる。

したがって、このような構成では各基板を積み重ねた後
でも接続パターンの変更により全体の容量値を任意に変
更することができる。

次に、この積層基板２０の製造要領について説明する
と、まず、最下層にある第１層の基板２１の表面３０に
基板表面側コンデンサ電極３１，３２，３３と接続パタ
ーン４３とをスクリーン印刷等の手法により形成する。
基板表面側コンデンサ電極３１，３２，３３を形成され
た第１層の基板２１の上には、基板表面側コンデンサ電
極３１，３２，３３に対向する位置に誘電体２７，２
８，２９を前記と同様の手法で形成した後、第２層の基
板２２を積み重ねる。その第２層の基板２２の上に第３
層の基板２７を積み重ねる。この第３層の基板２３に誘
電体２９と対向する位置に基板表面側コンデンサ電極３
３を、１つのコンデンサにおける一方のコンデンサ電極
とした場合に他方のコンデンサ電極となる埋設コンデン
サ電極３９を形成する。そして、第４層ないし第６層の
基板２４ないし２６を積み重ねるのであるが、第６層の
基板２６には積み重ね方向において誘電体２７と対向す
る位置に基板表面側コンデンサ電極４１と、誘電体２８
に対向する位置にバイアホール３４と、誘電体２９に対
向する位置にバイアホール３５とをそれぞれ形成すると
ともに、各バイアホール３４，３５の入り口部と出口部
および内周面のそれぞれに導電体３６，３７を形成す
る。また、第５層の基板２５には、積み重ね方向におい
て誘電体２８と対向する位置に埋設コンデンサ電極３８
と、誘電体２９と対向する位置にバイアホール３５（こ
れは第６層の基板２６におけるバイアホール３５と共通
しているので同一符号で示している。）とを形成すると
ともに、バイアホール３５の内周面および出口部に誘電
体３７（これは第６層の基板２６における導電体３７と
共通しているので同一符号で示している。）を形成す
る。第４層の基板２４には、積み重ね方向において誘電
体２９と対向する位置に埋設コンデンサ電極３９を形成
する。

そして、このような第４層の基板２４から第６層の基板
２６において、第４層の基板２４から第６層の基板２６
までを順次に第３層の基板２３の上から積み重ねてい
く。

そうして、第６層の基板２６が積み重ねられると、第６
層の基板２６の表面４０に接続パターン４２を形成して
その表面４０の基板表面側コンデンサ電極４１と、第５
層の基板２５における埋設コンデンサ電極３８と、第４
層の基板２４における埋設コンデンサ電極３９とをバイ
アホール３４，３５に形成された導電体３６，３７を介
して接続する。その結果、導電体２８については、基板
表面側コンデンサ電極３２と埋設コンデンサ電極３８で
１つのコンデンサが構成され、誘電体２９については基
板表面側コンデンサ電極３３と埋設コンデンサ電極３９
とで１つのコンデンサが構成される。

このようにして、実施例の積層基板２０の製造が完了す
る。

（効果） 以上説明したことから明らかなように本考案によれば、
コンデンサ内蔵積層基板の全体としての容量値が規格か
ら外れている場合には、接続パターンの接続関係を適宜
変更することにより、その容量値が規格値に入るように
することができる。また、その容量値が規格値に入って
いるが、それを他の容量値に修正する場合にもその接続
パターンの接続関係を適宜変更することによりその修正
を行うことができる。したがって、本考案によれば、そ
の容量値の修正を容易に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本考案の一実施例に係り、第１図
はその実施例のコンデンサ内蔵積層基板の断面図、第２
図は第１図の積層基板の等価回路図である。 第３図および第４図は従来例に係り、第３図はその従来
例の積層基板の断面図、第４図は第３図の積層基板の等
価回路図である。 図中、符号２１ないし２６…基板、２７ないし２９…誘
電体、３１ないし３３…一方のコンデンサ電極、３８，
３９，４１…他方のコンデンサ電極、３４，３５…バイ
アホール、３６，３７…導電体。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−17227（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−172807（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−168705（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−180463（ＪＰ，Ｕ)

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】複数枚の基板を層状に積み重ねて構成さ
   れ、積み重ねられた基板間の適所には誘電体が挿入され
   るとともに、前記基板の積み重ね方向における前記誘電
   体を介して対向する一対のコンデンサ電極が形成されて
   いるコンデンサ内蔵積層基板であって、 各基板の積み重ね方向に沿ってはバイアホールが形成さ
   れており、これらバイアホールの内端部には前記コンデ
   ンサ電極の一方ずつが埋設コンデンサ電極として接続さ
   れているとともに、 前記誘電体は限定された大きさを有し、かつ、複数個設
   けられたものであり、その各々が前記埋設コンデンサ電
   極のそれぞれとは互いに異なる枚数の基板を介して挿入
   されたものである一方、 積み重ねられた基板全体の表面上には、前記バイアホー
   ルを介したうえで前記埋設コンデンサ電極どうし、ある
   いはまた、前記埋設コンデンサ電極と基板表面側コンデ
   ンサ電極との間を選択的に接続する接続パターンが形成
   されていることを特徴とするコンデンサ内蔵積層基板。