JPH0624795A - ガラス、誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサ - Google Patents
ガラス、誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス転移点が高く、平均線膨張率が小さ
く、しかも誘電率の高いガラスと、このガラスを含有す
る誘電体組成物と、この誘電体組成物と基板材料とを同
時一体焼成して製造される多層配線基板と、前記誘電体
組成物を用いて製造される耐熱衝撃性の高い積層セラミ
ックコンデンサとを提供する。 【構成】 ランタニド酸化物をＬｎ2 Ｏ3 （Ｌｎはラン
タニド）換算で１０〜４０モル％、二酸化珪素、酸化ほ
う素および酸化ゲルマニウムから選択される少なくとも
１種のガラス形成酸化物をそれぞれＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3
およびＧｅＯ2 換算で合計３０〜６０モル％、酸化アル
ミニウムをＡｌ2 Ｏ3 換算で１６〜４０モル％含有する
ガラスを用いる。
く、しかも誘電率の高いガラスと、このガラスを含有す
る誘電体組成物と、この誘電体組成物と基板材料とを同
時一体焼成して製造される多層配線基板と、前記誘電体
組成物を用いて製造される耐熱衝撃性の高い積層セラミ
ックコンデンサとを提供する。 【構成】 ランタニド酸化物をＬｎ2 Ｏ3 （Ｌｎはラン
タニド）換算で１０〜４０モル％、二酸化珪素、酸化ほ
う素および酸化ゲルマニウムから選択される少なくとも
１種のガラス形成酸化物をそれぞれＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3
およびＧｅＯ2 換算で合計３０〜６０モル％、酸化アル
ミニウムをＡｌ2 Ｏ3 換算で１６〜４０モル％含有する
ガラスを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体組成物と、この
誘電体組成物用のガラスと、前記誘電体組成物を用いて
製造された多層配線基板および積層セラミックコンデン
サとに関する。
誘電体組成物用のガラスと、前記誘電体組成物を用いて
製造された多層配線基板および積層セラミックコンデン
サとに関する。
【０００２】
【従来の技術】電気・電子機器の配線基板などに用いる
基板材料として、軟化点７００〜９００℃程度のガラス
フリットとＡｌ2 Ｏ3 とを混合した低温焼成可能な材料
が開発されており、これにより基板材料、導体、抵抗体
等を例えば１０００℃以下の低温で同時一体焼成するこ
とが可能となっている。
基板材料として、軟化点７００〜９００℃程度のガラス
フリットとＡｌ2 Ｏ3 とを混合した低温焼成可能な材料
が開発されており、これにより基板材料、導体、抵抗体
等を例えば１０００℃以下の低温で同時一体焼成するこ
とが可能となっている。
【０００３】このような低温焼成基板材料を用いた多層
配線基板内に高誘電率の誘電体層を設けることにより、
コンデンサを内蔵させてしかも小型化することが提案さ
れている。この場合、誘電体層材料には、前記低温焼成
基板材料と同時焼成が可能なＰｂ系低温焼成誘電体材料
（Ｐｂ系ペロブスカイト化合物）が用いられる。しか
し、この系では、誘電体材料と基板材料との間の相互拡
散が激しい。このため、中間層を設けるなどの工夫もな
されているが依然として不安定であり、実用化に十分な
段階には到っていない。
配線基板内に高誘電率の誘電体層を設けることにより、
コンデンサを内蔵させてしかも小型化することが提案さ
れている。この場合、誘電体層材料には、前記低温焼成
基板材料と同時焼成が可能なＰｂ系低温焼成誘電体材料
（Ｐｂ系ペロブスカイト化合物）が用いられる。しか
し、この系では、誘電体材料と基板材料との間の相互拡
散が激しい。このため、中間層を設けるなどの工夫もな
されているが依然として不安定であり、実用化に十分な
段階には到っていない。
【０００４】また、低温焼成基板材料と同時一体焼成が
可能な誘電体組成物として、セラミックス骨材とガラス
との混合物系の誘電体組成物についても種々の提案がな
されているが、従来のガラスは、酸化鉛、二酸化珪素、
酸化ほう素系のガラスであるため、誘電率が低かった
り、ガラス転移点が低かったり、平均線膨張率が大きく
基板との間で熱歪によるクラックが生じたりしていた。
例えば特開昭５０−１１９８１５号公報には、多結晶セ
ラミック耐火材料と間隙間ガラスとの混合物であるセラ
ミック組成物が開示されている。同公報には、このセラ
ミック組成物が高誘電定数を有し、しかも比較的低温で
焼結可能である旨が開示されている。しかし、同公報記
載の間隙間ガラスは、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−Ａｌ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−ＺｒＯ2 −ＳｉＯ2 等の酸
化鉛系ガラスであり、このような組成系では、誘電率、
ガラス転移点および平均線膨張率を全て満足することは
できない。
可能な誘電体組成物として、セラミックス骨材とガラス
との混合物系の誘電体組成物についても種々の提案がな
されているが、従来のガラスは、酸化鉛、二酸化珪素、
酸化ほう素系のガラスであるため、誘電率が低かった
り、ガラス転移点が低かったり、平均線膨張率が大きく
基板との間で熱歪によるクラックが生じたりしていた。
例えば特開昭５０−１１９８１５号公報には、多結晶セ
ラミック耐火材料と間隙間ガラスとの混合物であるセラ
ミック組成物が開示されている。同公報には、このセラ
ミック組成物が高誘電定数を有し、しかも比較的低温で
焼結可能である旨が開示されている。しかし、同公報記
載の間隙間ガラスは、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−Ａｌ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−ＺｒＯ2 −ＳｉＯ2 等の酸
化鉛系ガラスであり、このような組成系では、誘電率、
ガラス転移点および平均線膨張率を全て満足することは
できない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、誘電体組成物用のガラスで
あって、ガラス転移点が高く、平均線膨張率が小さく、
しかも誘電率の高いガラスと、このガラスを含有する誘
電体組成物と、この誘電体組成物と基板材料とを同時一
体焼成して製造される多層配線基板と、前記誘電体組成
物を用いて製造される耐熱衝撃性の高い積層セラミック
コンデンサとを提供することを目的とする。
情からなされたものであり、誘電体組成物用のガラスで
あって、ガラス転移点が高く、平均線膨張率が小さく、
しかも誘電率の高いガラスと、このガラスを含有する誘
電体組成物と、この誘電体組成物と基板材料とを同時一
体焼成して製造される多層配線基板と、前記誘電体組成
物を用いて製造される耐熱衝撃性の高い積層セラミック
コンデンサとを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１０）の本発明により達成される。
（１）〜（１０）の本発明により達成される。
【０００７】（１）誘電体組成物用のガラスであって、
ランタニド酸化物をＬｎ2 Ｏ3 （Ｌｎはランタニド）換
算で１０〜４０モル％、二酸化珪素、酸化ほう素および
酸化ゲルマニウムから選択される少なくとも１種のガラ
ス形成酸化物をそれぞれＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＧｅ
Ｏ2 換算で合計３０〜６０モル％、酸化アルミニウムを
Ａｌ2 Ｏ3 換算で１６〜４０モル％含有することを特徴
とするガラス。
ランタニド酸化物をＬｎ2 Ｏ3 （Ｌｎはランタニド）換
算で１０〜４０モル％、二酸化珪素、酸化ほう素および
酸化ゲルマニウムから選択される少なくとも１種のガラ
ス形成酸化物をそれぞれＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＧｅ
Ｏ2 換算で合計３０〜６０モル％、酸化アルミニウムを
Ａｌ2 Ｏ3 換算で１６〜４０モル％含有することを特徴
とするガラス。
【０００８】（２）前記ランタニド酸化物、ガラス形成
酸化物および酸化アルミニウムを合計で８０モル％以上
含有する上記（１）に記載のガラス。
酸化物および酸化アルミニウムを合計で８０モル％以上
含有する上記（１）に記載のガラス。
【０００９】（３）酸化ビスマスおよび酸化鉛から選択
される少なくとも１種をそれぞれＢｉ2 Ｏ3 およびＰｂ
Ｏ換算で合計２０モル％以下含有する上記（１）または
（２）に記載のガラス。
される少なくとも１種をそれぞれＢｉ2 Ｏ3 およびＰｂ
Ｏ換算で合計２０モル％以下含有する上記（１）または
（２）に記載のガラス。
【００１０】（４）ガラス転移点が６００℃以上である
上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のガラス。
上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のガラス。
【００１１】（５）２５〜５００℃における平均線膨張
率が７×１０-6/deg以下である上記（１）ないし（４）
のいずれかに記載のガラス。
率が７×１０-6/deg以下である上記（１）ないし（４）
のいずれかに記載のガラス。
【００１２】（６）比誘電率が１０以上である上記
（１）ないし（５）のいずれかに記載のガラス。
（１）ないし（５）のいずれかに記載のガラス。
【００１３】（７）上記（１）ないし（６）のいずれか
に記載のガラスと、比誘電率が前記ガラスよりも大きい
誘電体材料とを含有することを特徴とする誘電体組成
物。
に記載のガラスと、比誘電率が前記ガラスよりも大きい
誘電体材料とを含有することを特徴とする誘電体組成
物。
【００１４】（８）ガラス／誘電体材料（体積比）が８
／２〜４／６の範囲にある上記（７）に記載の誘電体組
成物。
／２〜４／６の範囲にある上記（７）に記載の誘電体組
成物。
【００１５】（９）ガラスと酸化アルミニウム骨材とを
含有する基板層用組成物と、上記（７）または（８）に
記載の誘電体組成物とを同時一体焼成して製造されたこ
とを特徴とする多層配線基板。
含有する基板層用組成物と、上記（７）または（８）に
記載の誘電体組成物とを同時一体焼成して製造されたこ
とを特徴とする多層配線基板。
【００１６】（１０）上記（７）または（８）に記載の
誘電体組成物を用いて製造されたことを特徴とする積層
セラミックコンデンサ。
誘電体組成物を用いて製造されたことを特徴とする積層
セラミックコンデンサ。
【００１７】
【作用および効果】多層配線基板の基板用骨材として
は、ストレーキャパシティーを低減するために誘電率の
低いアルミナ等が主として用いられる。そして、低温焼
成を可能とするためにガラスと混合されて基板材料とさ
れる。
は、ストレーキャパシティーを低減するために誘電率の
低いアルミナ等が主として用いられる。そして、低温焼
成を可能とするためにガラスと混合されて基板材料とさ
れる。
【００１８】アルミナの平均線膨張率は誘電体材料の平
均線膨張率よりも小さい。このため、アルミナとガラス
とを主成分とする低温焼成基板材料と、誘電体材料とガ
ラスとを主成分とする誘電体組成物とを同時焼成して、
基板層と誘電体層とを有する多層配線基板を製造するた
めには、誘電体組成物のガラスとして平均線膨張率の小
さいものを選び、基板層の平均線膨張率と誘電体層の平
均線膨張率とを近似させて剥離を防ぐ必要がある。しか
し、従来のガラスでは、平均線膨張率を低く設計した場
合には誘電率が低くなってしまう。ガラスの誘電率が低
いと誘電体層の誘電率が低くなってしまい、多層配線基
板が大型化してしまう。一方、誘電率を高くするとガラ
ス転移点が低くなってしまうため、ガラスの焼結が急速
に進むようになり、誘電体層の剥離や基板の反りが生じ
てしまう。
均線膨張率よりも小さい。このため、アルミナとガラス
とを主成分とする低温焼成基板材料と、誘電体材料とガ
ラスとを主成分とする誘電体組成物とを同時焼成して、
基板層と誘電体層とを有する多層配線基板を製造するた
めには、誘電体組成物のガラスとして平均線膨張率の小
さいものを選び、基板層の平均線膨張率と誘電体層の平
均線膨張率とを近似させて剥離を防ぐ必要がある。しか
し、従来のガラスでは、平均線膨張率を低く設計した場
合には誘電率が低くなってしまう。ガラスの誘電率が低
いと誘電体層の誘電率が低くなってしまい、多層配線基
板が大型化してしまう。一方、誘電率を高くするとガラ
ス転移点が低くなってしまうため、ガラスの焼結が急速
に進むようになり、誘電体層の剥離や基板の反りが生じ
てしまう。
【００１９】これに対し、本発明のガラスは所定量のラ
ンタニドを含むため、平均線膨張率が小さく、ガラス転
移点が高く、しかも誘電率が高い。したがって、本発明
のガラスを誘電体組成物に用いて多層配線基板を製造し
た場合、高性能で小型の多層配線基板が得られ、しかも
剥離や反り等の欠陥も防止される。
ンタニドを含むため、平均線膨張率が小さく、ガラス転
移点が高く、しかも誘電率が高い。したがって、本発明
のガラスを誘電体組成物に用いて多層配線基板を製造し
た場合、高性能で小型の多層配線基板が得られ、しかも
剥離や反り等の欠陥も防止される。
【００２０】また、本発明のガラスは、上記範囲におい
て組成を適宜選択することによりガラス転移点を適度な
値とすることができるので、本発明のガラスを誘電体材
料と混合した誘電体組成物は、１０００℃以下の低温で
焼成が可能であり、低温焼成基板材料との同時一体焼成
が可能である。
て組成を適宜選択することによりガラス転移点を適度な
値とすることができるので、本発明のガラスを誘電体材
料と混合した誘電体組成物は、１０００℃以下の低温で
焼成が可能であり、低温焼成基板材料との同時一体焼成
が可能である。
【００２１】また、平均線膨張率の小さい本発明の誘電
体組成物を用いて製造された積層セラミックコンデンサ
は熱衝撃に強く、例えば、ハンダ付や使用時の極端な温
度変化の際のクラック発生が防止される。
体組成物を用いて製造された積層セラミックコンデンサ
は熱衝撃に強く、例えば、ハンダ付や使用時の極端な温
度変化の際のクラック発生が防止される。
【００２２】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００２３】本発明のガラスは、誘電体組成物に適用さ
れる。本発明のガラスは、ランタニド酸化物を１０〜４
０モル％、好ましくは１５〜２５モル％含有する。ラン
タニド酸化物の含有量が前記範囲未満であると、誘電率
を高くすることができず本発明の効果が実現しない。含
有量が前記範囲を超えていると、ガラス化が困難であ
る。この場合、ランタニドをＬｎで表わしたとき、前記
ランタニド酸化物のモル百分率はＬｎ2 Ｏ3 のモル百分
率とする。本発明で用いるランタニドとしては、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕの１種以上であ
り、特に、ＬａおよびＮｄの１種以上が好ましい。な
お、Ｃｅ酸化物の化学量論組成はＣｅＯ2 、Ｐｒ酸化物
の化学量論組成はＰｒ6 Ｏ11であるが、これらのように
化学量論組成がＬｎ2 Ｏ3 でない場合でも、本発明にお
けるモル百分率は上記のようにして算出する。なお、ラ
ンタニド酸化物の原料として、未精製の希土類未選鉱を
用いてもよい。
れる。本発明のガラスは、ランタニド酸化物を１０〜４
０モル％、好ましくは１５〜２５モル％含有する。ラン
タニド酸化物の含有量が前記範囲未満であると、誘電率
を高くすることができず本発明の効果が実現しない。含
有量が前記範囲を超えていると、ガラス化が困難であ
る。この場合、ランタニドをＬｎで表わしたとき、前記
ランタニド酸化物のモル百分率はＬｎ2 Ｏ3 のモル百分
率とする。本発明で用いるランタニドとしては、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕの１種以上であ
り、特に、ＬａおよびＮｄの１種以上が好ましい。な
お、Ｃｅ酸化物の化学量論組成はＣｅＯ2 、Ｐｒ酸化物
の化学量論組成はＰｒ6 Ｏ11であるが、これらのように
化学量論組成がＬｎ2 Ｏ3 でない場合でも、本発明にお
けるモル百分率は上記のようにして算出する。なお、ラ
ンタニド酸化物の原料として、未精製の希土類未選鉱を
用いてもよい。
【００２４】また、本発明のガラスは、二酸化珪素、酸
化ほう素および酸化ゲルマニウムから選択される少なく
とも１種のガラス形成酸化物を合計で３０〜６０モル
％、好ましくは３５〜５５モル％含有する。ガラス形成
酸化物の含有量が前記範囲未満であると、ガラス化しな
いか、あるいは結晶化ガラスになりやすく、前記範囲を
超えていると、誘電率が低くなって本発明の効果が実現
しない。この場合、モル百分率は、二酸化珪素、酸化ほ
う素および酸化ゲルマニウムを、それぞれＳｉＯ2 、Ｂ
2 Ｏ3 およびＧｅＯ2 に換算して算出する。
化ほう素および酸化ゲルマニウムから選択される少なく
とも１種のガラス形成酸化物を合計で３０〜６０モル
％、好ましくは３５〜５５モル％含有する。ガラス形成
酸化物の含有量が前記範囲未満であると、ガラス化しな
いか、あるいは結晶化ガラスになりやすく、前記範囲を
超えていると、誘電率が低くなって本発明の効果が実現
しない。この場合、モル百分率は、二酸化珪素、酸化ほ
う素および酸化ゲルマニウムを、それぞれＳｉＯ2 、Ｂ
2 Ｏ3 およびＧｅＯ2 に換算して算出する。
【００２５】また、本発明のガラスは、酸化アルミニウ
ムをＡｌ2 Ｏ3 に換算して１６〜４０モル％、好ましく
は２０〜３０モル％含有する。酸化アルミニウムの含有
量が前記範囲を外れると、ガラス化しないか、あるいは
結晶化ガラスになりやすくなる。
ムをＡｌ2 Ｏ3 に換算して１６〜４０モル％、好ましく
は２０〜３０モル％含有する。酸化アルミニウムの含有
量が前記範囲を外れると、ガラス化しないか、あるいは
結晶化ガラスになりやすくなる。
【００２６】本発明のガラス中において、ランタニド酸
化物、ガラス形成酸化物および酸化アルミニウムの合計
含有量は、８０モル％以上であることが好ましい。合計
含有量が前記範囲未満であると、本発明の効果が不十分
になる傾向にある。
化物、ガラス形成酸化物および酸化アルミニウムの合計
含有量は、８０モル％以上であることが好ましい。合計
含有量が前記範囲未満であると、本発明の効果が不十分
になる傾向にある。
【００２７】また、本発明のガラスには、これらの他、
酸化ビスマスおよび酸化鉛から選択される少なくとも１
種が含有されていることが好ましい。酸化ビスマスおよ
び酸化鉛は誘電率向上に有効であり、特に酸化ビスマス
の効果が大きい。この場合、酸化ビスマスおよび酸化鉛
の合計含有量は２０モル％以下であることが好ましい。
合計含有量が前記範囲を超えていると、ランタニド酸化
物、ガラス形成酸化物および酸化アルミニウムの合計含
有量が不足し、本発明の効果が不十分となる傾向にあ
り、軟化点が低くなりすぎる。なお、酸化ビスマスおよ
び酸化鉛は、それぞれＢｉ2 Ｏ3 およびＰｂＯに換算し
てモル百分率を算出する。
酸化ビスマスおよび酸化鉛から選択される少なくとも１
種が含有されていることが好ましい。酸化ビスマスおよ
び酸化鉛は誘電率向上に有効であり、特に酸化ビスマス
の効果が大きい。この場合、酸化ビスマスおよび酸化鉛
の合計含有量は２０モル％以下であることが好ましい。
合計含有量が前記範囲を超えていると、ランタニド酸化
物、ガラス形成酸化物および酸化アルミニウムの合計含
有量が不足し、本発明の効果が不十分となる傾向にあ
り、軟化点が低くなりすぎる。なお、酸化ビスマスおよ
び酸化鉛は、それぞれＢｉ2 Ｏ3 およびＰｂＯに換算し
てモル百分率を算出する。
【００２８】本発明のガラスは、通常、ガラス転移点が
６００℃以上であるため、誘電体組成物焼成の際の誘電
体層の剥離や基板の反りが防止される。また、本発明の
ガラスを誘電体組成物に適用して後述するように誘電体
層と基板層とを同時一体焼成するためには、本発明のガ
ラスのガラス転移点を８００℃以下とすることが好まし
い。なお、より好ましいガラス転移点の範囲は６５０〜
７５０℃である。
６００℃以上であるため、誘電体組成物焼成の際の誘電
体層の剥離や基板の反りが防止される。また、本発明の
ガラスを誘電体組成物に適用して後述するように誘電体
層と基板層とを同時一体焼成するためには、本発明のガ
ラスのガラス転移点を８００℃以下とすることが好まし
い。なお、より好ましいガラス転移点の範囲は６５０〜
７５０℃である。
【００２９】また、本発明のガラスは、２５〜５００℃
における平均線膨張率が７×１０-6/deg以下である。
における平均線膨張率が７×１０-6/deg以下である。
【００３０】本発明のガラスの比誘電率は、通常、１０
以上であり、１２以上とすることも容易にできる。
以上であり、１２以上とすることも容易にできる。
【００３１】本発明の誘電体組成物は、本発明のガラス
の粉末と、比誘電率が本発明のガラスより大きい誘電体
材料の粉末とを含有する。用いる誘電体材料に特に制限
はなく、誘電体組成物に要求される比誘電率に応じ、ガ
ラスの比誘電率やガラスとの混合比等を考慮して適宜決
定すればよい。具体的には、比誘電率が１０超、特に２
０以上の誘電体材料を用いることが好ましく、例えば、
ＴｉＯ2 系材料、ＢａＯ・ｎＴｉＯ2 系材料などから適
宜選択すればよいが、特に、マイクロ波誘電体として用
いられるＢａＯ・４ＴｉＯ2 ・Ｌｎ2 Ｏ3 が好ましい。
の粉末と、比誘電率が本発明のガラスより大きい誘電体
材料の粉末とを含有する。用いる誘電体材料に特に制限
はなく、誘電体組成物に要求される比誘電率に応じ、ガ
ラスの比誘電率やガラスとの混合比等を考慮して適宜決
定すればよい。具体的には、比誘電率が１０超、特に２
０以上の誘電体材料を用いることが好ましく、例えば、
ＴｉＯ2 系材料、ＢａＯ・ｎＴｉＯ2 系材料などから適
宜選択すればよいが、特に、マイクロ波誘電体として用
いられるＢａＯ・４ＴｉＯ2 ・Ｌｎ2 Ｏ3 が好ましい。
【００３２】誘電体組成物中におけるガラスと誘電体材
料との量比は特に限定されず、焼成温度やそれぞれの誘
電率等に応じて適宜決定すればよいが、通常、ガラス／
誘電体材料（体積比）が８／２〜４／６の範囲にあるこ
とが好ましい。ガラスの比率が高すぎると、誘電体組成
物の誘電率が不足する傾向にあり、また、抗折強度が低
下する傾向にある。一方、ガラスの比率が低すぎると、
基板層材料との同時焼成が難しくなる。
料との量比は特に限定されず、焼成温度やそれぞれの誘
電率等に応じて適宜決定すればよいが、通常、ガラス／
誘電体材料（体積比）が８／２〜４／６の範囲にあるこ
とが好ましい。ガラスの比率が高すぎると、誘電体組成
物の誘電率が不足する傾向にあり、また、抗折強度が低
下する傾向にある。一方、ガラスの比率が低すぎると、
基板層材料との同時焼成が難しくなる。
【００３３】本発明の多層配線基板は、基板層とこの基
板層よりも誘電率の高い誘電体層とが積層された構成を
有し、コンデンサを内蔵する多層配線基板である。
板層よりも誘電率の高い誘電体層とが積層された構成を
有し、コンデンサを内蔵する多層配線基板である。
【００３４】誘電体層は、本発明の誘電体組成物を焼成
して形成される。また、基板層は、骨材とガラスとを含
有する基板層用組成物を焼成して形成される。
して形成される。また、基板層は、骨材とガラスとを含
有する基板層用組成物を焼成して形成される。
【００３５】本発明では、基板層の骨材としてＡｌ2 Ｏ
3 等の酸化アルミニウム骨材を主として用いる。また、
ガラスとしては、強度および高周波特性が優れているこ
とからアルカリ土類珪酸塩系ガラスが好ましい。焼成温
度を１０００℃以下とするためには、ガラス転移点が６
５０〜８５０℃程度のアルカリ土類珪酸塩系ガラスを用
いることが好ましい。ガラス転移点が８５０℃を超えて
いると１０００℃以下の温度での焼成が困難であり、ガ
ラス転移点が６５０℃未満ではシート成形時のバインダ
が抜けにくく、絶縁性が不良となる傾向にある。このよ
うなアルカリ土類珪酸塩系ガラスとしては、ストロンチ
ウムシリケート系ガラスやストロンチウムアルミナシリ
ケート系ガラス等のストロンチウム珪酸塩系ガラスが好
ましい。具体的には、 アルカリ土類金属酸化物の１種以上：２５〜４５モル
％、 ＳｉＯ2 ：５０〜７０モル％、 Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜２０モル％および Ｂ2 Ｏ3 ：０〜１０モル％ を含有するガラスが好ましい。上記アルカリ土類金属酸
化物としては、ＳｒＯを必須とし、ＣａＯおよびＭｇＯ
の１種以上を含むことが好ましく、特に前記３種を併用
することが好ましい。３種を併用する場合、ＳｒＯの含
有量は１５〜３０モル％、ＣａＯの含有量は１〜８モル
％、ＭｇＯの含有量は１〜７モル％が好ましい。このよ
うな組成のガラスの５０〜５００℃における平均線膨張
率は、６．０〜７．０×１０-6deg-1 程度である。ま
た、Ａｌ2 Ｏ3 の５０〜５００℃における平均線膨張率
は、７．５×１０-6deg-1 程度である。ガラス転移点や
平均線膨張率は、示差熱膨張計を用いて測定することが
できる。
3 等の酸化アルミニウム骨材を主として用いる。また、
ガラスとしては、強度および高周波特性が優れているこ
とからアルカリ土類珪酸塩系ガラスが好ましい。焼成温
度を１０００℃以下とするためには、ガラス転移点が６
５０〜８５０℃程度のアルカリ土類珪酸塩系ガラスを用
いることが好ましい。ガラス転移点が８５０℃を超えて
いると１０００℃以下の温度での焼成が困難であり、ガ
ラス転移点が６５０℃未満ではシート成形時のバインダ
が抜けにくく、絶縁性が不良となる傾向にある。このよ
うなアルカリ土類珪酸塩系ガラスとしては、ストロンチ
ウムシリケート系ガラスやストロンチウムアルミナシリ
ケート系ガラス等のストロンチウム珪酸塩系ガラスが好
ましい。具体的には、 アルカリ土類金属酸化物の１種以上：２５〜４５モル
％、 ＳｉＯ2 ：５０〜７０モル％、 Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜２０モル％および Ｂ2 Ｏ3 ：０〜１０モル％ を含有するガラスが好ましい。上記アルカリ土類金属酸
化物としては、ＳｒＯを必須とし、ＣａＯおよびＭｇＯ
の１種以上を含むことが好ましく、特に前記３種を併用
することが好ましい。３種を併用する場合、ＳｒＯの含
有量は１５〜３０モル％、ＣａＯの含有量は１〜８モル
％、ＭｇＯの含有量は１〜７モル％が好ましい。このよ
うな組成のガラスの５０〜５００℃における平均線膨張
率は、６．０〜７．０×１０-6deg-1 程度である。ま
た、Ａｌ2 Ｏ3 の５０〜５００℃における平均線膨張率
は、７．５×１０-6deg-1 程度である。ガラス転移点や
平均線膨張率は、示差熱膨張計を用いて測定することが
できる。
【００３６】基板層中の酸化アルミニウム骨材とガラス
との体積比は特に限定されないが、（酸化アルミニウ
ム）／（酸化アルミニウム＋ガラス）で表わされる体積
比をＳA としたとき、ＳA ＝０．２〜０．５であること
が好ましい。ＳA が前記範囲を超えていると焼結性が不
良となり、前記範囲未満であると十分な抗折強度が得ら
れない傾向にある。
との体積比は特に限定されないが、（酸化アルミニウ
ム）／（酸化アルミニウム＋ガラス）で表わされる体積
比をＳA としたとき、ＳA ＝０．２〜０．５であること
が好ましい。ＳA が前記範囲を超えていると焼結性が不
良となり、前記範囲未満であると十分な抗折強度が得ら
れない傾向にある。
【００３７】なお、上記した各種骨材やガラスは化学量
論組成から多少偏倚した組成であってもよく、偏倚した
組成のものとの混合物、あるいは偏倚した組成のもの同
士の混合物であってもよい。
論組成から多少偏倚した組成であってもよく、偏倚した
組成のものとの混合物、あるいは偏倚した組成のもの同
士の混合物であってもよい。
【００３８】骨材の平均粒径に特に制限はないが、０．
５〜３μm 程度とすることが好ましい。前記範囲未満で
はシート形成が困難となり、前記範囲を超えると基板層
や誘電体層の強度が不足する傾向にある。また、ガラス
の平均粒径は、成形性等を考慮して、通常、１〜２．５
μm 程度とする。
５〜３μm 程度とすることが好ましい。前記範囲未満で
はシート形成が困難となり、前記範囲を超えると基板層
や誘電体層の強度が不足する傾向にある。また、ガラス
の平均粒径は、成形性等を考慮して、通常、１〜２．５
μm 程度とする。
【００３９】本発明の多層配線基板の一構成例を図１に
示す。図示される多層配線基板１では、基板層２１、誘
電体層３１〜３２および基板層２２〜２４が積層されて
いる。基板層２１と誘電体層３１との間、誘電体層３１
と３２との間および誘電体層３２と基板層２２との間に
は、それぞれ内部電極４１、４２および４３が設けら
れ、各内部電極はスルーホール５内の導体を介して外部
導体６と電気的に接続されて、コンデンサを構成してい
る。
示す。図示される多層配線基板１では、基板層２１、誘
電体層３１〜３２および基板層２２〜２４が積層されて
いる。基板層２１と誘電体層３１との間、誘電体層３１
と３２との間および誘電体層３２と基板層２２との間に
は、それぞれ内部電極４１、４２および４３が設けら
れ、各内部電極はスルーホール５内の導体を介して外部
導体６と電気的に接続されて、コンデンサを構成してい
る。
【００４０】内部電極およびスルーホール内の導体に
は、導電性が良いこと等を優先させる点からＡｇまたは
Ｃｕを主体とする導体を用いることが好ましく、特に、
酸素含有雰囲気、例えば空気中で焼成する場合にはＡｇ
を用いることが好ましい。また、外部導体には、耐マイ
グレーション性、ハンダ喰われ性、ハンダ濡れ性等の点
からＡｇまたはＣｕを主体とする導体を用いることが好
ましく、特に酸素含有雰囲気、例えば空気中で焼成する
場合には、Ａｇと、Ｐｄおよび／またはＰｔとを含有す
る導体を用いることが好ましい。
は、導電性が良いこと等を優先させる点からＡｇまたは
Ｃｕを主体とする導体を用いることが好ましく、特に、
酸素含有雰囲気、例えば空気中で焼成する場合にはＡｇ
を用いることが好ましい。また、外部導体には、耐マイ
グレーション性、ハンダ喰われ性、ハンダ濡れ性等の点
からＡｇまたはＣｕを主体とする導体を用いることが好
ましく、特に酸素含有雰囲気、例えば空気中で焼成する
場合には、Ａｇと、Ｐｄおよび／またはＰｔとを含有す
る導体を用いることが好ましい。
【００４１】本発明の多層配線基板は、シート法や印刷
法等のいわゆる厚膜法により製造される。これらの方法
では、基板層用ペーストおよび誘電体層用ペーストを用
意する。基板層用ペーストは、基板層用組成物にビヒク
ルを加えて調製され、誘電体層用ペーストは、誘電体組
成物にビヒクルを加えて調製される。
法等のいわゆる厚膜法により製造される。これらの方法
では、基板層用ペーストおよび誘電体層用ペーストを用
意する。基板層用ペーストは、基板層用組成物にビヒク
ルを加えて調製され、誘電体層用ペーストは、誘電体組
成物にビヒクルを加えて調製される。
【００４２】ペースト調製に用いるビヒクルとしては、
エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル
樹脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネ
オール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセ
テート、トルエン、アルコール、キシレン等の溶剤、そ
の他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が含まれるものであ
り、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜選択さ
れる。ビヒクルの添加量は、骨材粒子およびガラス粒子
の合計量１００重量部に対し、６５〜８５重量部程度と
することが好ましい。
エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル
樹脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネ
オール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセ
テート、トルエン、アルコール、キシレン等の溶剤、そ
の他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が含まれるものであ
り、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜選択さ
れる。ビヒクルの添加量は、骨材粒子およびガラス粒子
の合計量１００重量部に対し、６５〜８５重量部程度と
することが好ましい。
【００４３】また、内部電極用ペーストおよび外部導体
用ペーストをそれぞれ調製する。これらのペーストは、
導電粒子とビヒクルとを混合して調製し、必要に応じて
導電粒子に対し１〜１０重量％程度のガラスフリットを
さらに混合する。
用ペーストをそれぞれ調製する。これらのペーストは、
導電粒子とビヒクルとを混合して調製し、必要に応じて
導電粒子に対し１〜１０重量％程度のガラスフリットを
さらに混合する。
【００４４】シート法では、誘電体層となるグリーンシ
ートおよび基板層となるグリーンシートを作製する。こ
の場合、前述した各ペーストを用い、例えばドクターブ
レード法により所定枚数作製する。
ートおよび基板層となるグリーンシートを作製する。こ
の場合、前述した各ペーストを用い、例えばドクターブ
レード法により所定枚数作製する。
【００４５】次いで、グリーンシート上にパンチングマ
シーンや金型プレスを用いてスルーホールを形成し、そ
の後、内部電極用ペーストを各グリーンシート上に、例
えばスクリーン印刷法により印刷し、所定のパターンの
内部電極を形成するとともにスルーホール内に充填す
る。次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱プレス
（約４０〜１２０℃、５０〜１０００kgf/cm2 ) を加え
てグリーンシートの積層体とし、必要に応じて脱バイン
ダ処理、切断用溝の形成等を行なう。
シーンや金型プレスを用いてスルーホールを形成し、そ
の後、内部電極用ペーストを各グリーンシート上に、例
えばスクリーン印刷法により印刷し、所定のパターンの
内部電極を形成するとともにスルーホール内に充填す
る。次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱プレス
（約４０〜１２０℃、５０〜１０００kgf/cm2 ) を加え
てグリーンシートの積層体とし、必要に応じて脱バイン
ダ処理、切断用溝の形成等を行なう。
【００４６】次いで、グリーンシートの積層体を、通
常、空気中で、１０００℃程度以下、特に８００〜１０
００℃程度の温度で１０分間程度焼成して一体化する。
そして、外部導体用ペーストをスクリーン印刷法等によ
り印刷して焼成し、外部導体を形成するが、好ましくは
外部導体を基板層および誘電体層と一体同時焼成するこ
とにより形成する。なお、内部電極用ペースト中の導体
の融点以上の温度、例えば１２００〜１３００℃程度で
焼成してもよい。
常、空気中で、１０００℃程度以下、特に８００〜１０
００℃程度の温度で１０分間程度焼成して一体化する。
そして、外部導体用ペーストをスクリーン印刷法等によ
り印刷して焼成し、外部導体を形成するが、好ましくは
外部導体を基板層および誘電体層と一体同時焼成するこ
とにより形成する。なお、内部電極用ペースト中の導体
の融点以上の温度、例えば１２００〜１３００℃程度で
焼成してもよい。
【００４７】なお、上記したシート法の他、印刷法を用
いてもよいが、厚さ精度が高いこと、信頼性が高いこと
などから、シート法を用いることが好ましい。
いてもよいが、厚さ精度が高いこと、信頼性が高いこと
などから、シート法を用いることが好ましい。
【００４８】本発明の多層配線基板は、図示される構成
に限らず、コンデンサに加えインダクタ等の各種回路を
設けることにより、共振器等の各種素子に適用すること
ができる。共振器として用いる場合、通常、１０kHz 〜
１０GHz 程度の周波数範囲に適用されることが好まし
い。上記した誘電体層では、このような高周波用共振器
に好適な誘電率が得られる。
に限らず、コンデンサに加えインダクタ等の各種回路を
設けることにより、共振器等の各種素子に適用すること
ができる。共振器として用いる場合、通常、１０kHz 〜
１０GHz 程度の周波数範囲に適用されることが好まし
い。上記した誘電体層では、このような高周波用共振器
に好適な誘電率が得られる。
【００４９】本発明の誘電体組成物は、積層セラミック
コンデンサの製造にも好適である。積層セラミックコン
デンサは、誘電体層が内部電極と積層された構成を有す
る。誘電体層には本発明の誘電体組成物を含むペースト
を用い、内部電極には上記した内部電極用ペーストを用
いればよい。焼成後の誘電体層の一層あたりの厚さは、
１００μm 以下、特に５０μm 以下、さらには５〜３０
μm 程度であることが好ましい。誘電体層の積層数は、
通常、２〜２００程度とする。
コンデンサの製造にも好適である。積層セラミックコン
デンサは、誘電体層が内部電極と積層された構成を有す
る。誘電体層には本発明の誘電体組成物を含むペースト
を用い、内部電極には上記した内部電極用ペーストを用
いればよい。焼成後の誘電体層の一層あたりの厚さは、
１００μm 以下、特に５０μm 以下、さらには５〜３０
μm 程度であることが好ましい。誘電体層の積層数は、
通常、２〜２００程度とする。
【００５０】誘電体組成物と内部電極用材料との積層一
体化は、グリーンシート法によっても印刷法によっても
よい。積層後、焼成する。焼成後、内部電極と導通する
一対の外部電極を設ける。外部電極材料としては公知の
種々の材質が適用可能である。
体化は、グリーンシート法によっても印刷法によっても
よい。積層後、焼成する。焼成後、内部電極と導通する
一対の外部電極を設ける。外部電極材料としては公知の
種々の材質が適用可能である。
【００５１】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００５２】＜実施例１＞図１に示される構成の多層配
線基板サンプルを作製した。まず、平均粒径２μm のガ
ラスフリットと平均粒径１．５μm のＡｌ2 Ｏ3 とを混
合し、ビヒクルを加えて基板層用ペーストを調製した。
体積比（ガラスフリット／Ａｌ2 Ｏ3 ）は７０／３０と
した。ガラスフリットの組成はＳｉＯ2 ：６２モル％、
Ａｌ2 Ｏ3：８モル％、Ｂ2 Ｏ3 ：３モル％、ＳｒＯ：
２０モル％、ＣａＯ：４モル％、ＭｇＯ：３モル％であ
り、ガラス転移点は７６５℃であった。
線基板サンプルを作製した。まず、平均粒径２μm のガ
ラスフリットと平均粒径１．５μm のＡｌ2 Ｏ3 とを混
合し、ビヒクルを加えて基板層用ペーストを調製した。
体積比（ガラスフリット／Ａｌ2 Ｏ3 ）は７０／３０と
した。ガラスフリットの組成はＳｉＯ2 ：６２モル％、
Ａｌ2 Ｏ3：８モル％、Ｂ2 Ｏ3 ：３モル％、ＳｒＯ：
２０モル％、ＣａＯ：４モル％、ＭｇＯ：３モル％であ
り、ガラス転移点は７６５℃であった。
【００５３】次に、平均粒径２μm のガラスフリットと
平均粒径２μm の誘電体材料とを混合して誘電体組成物
とし、ビヒクルを加えて誘電体層用ペーストを調製し
た。用いたガラスフリットの組成、ガラス転移点（Ｔ
ｇ）、２５〜５００℃における平均線膨張率（β）およ
び１MHz における比誘電率（εr ）と、誘電体材料の組
成およびεr と、体積比（ガラス／誘電体材料）とを下
記表１に示す。なお、ガラス転移点は熱分析装置により
測定した。また、平均線膨張率は以下のようにして測定
した。まず、ガラスフリットを棒状に乾式成形した。次
いで、８５０℃で１０分間熱処理を施して、３．５mm
角、高さ１５mmのガラス棒を作製し、このものの平均線
膨張率を示差熱膨張計により測定した。また、比誘電率
は、上記と同様な熱処理により直径１５mm、厚さ０．４
mmのガラス板を作製し、このガラス板の両主面にＡｇペ
ーストを印刷し、８００℃で１０分間焼成して電極を形
成した後、測定した。
平均粒径２μm の誘電体材料とを混合して誘電体組成物
とし、ビヒクルを加えて誘電体層用ペーストを調製し
た。用いたガラスフリットの組成、ガラス転移点（Ｔ
ｇ）、２５〜５００℃における平均線膨張率（β）およ
び１MHz における比誘電率（εr ）と、誘電体材料の組
成およびεr と、体積比（ガラス／誘電体材料）とを下
記表１に示す。なお、ガラス転移点は熱分析装置により
測定した。また、平均線膨張率は以下のようにして測定
した。まず、ガラスフリットを棒状に乾式成形した。次
いで、８５０℃で１０分間熱処理を施して、３．５mm
角、高さ１５mmのガラス棒を作製し、このものの平均線
膨張率を示差熱膨張計により測定した。また、比誘電率
は、上記と同様な熱処理により直径１５mm、厚さ０．４
mmのガラス板を作製し、このガラス板の両主面にＡｇペ
ーストを印刷し、８００℃で１０分間焼成して電極を形
成した後、測定した。
【００５４】次に、上記各ペーストを用い、ドクターブ
レード法によりグリーンシートを作製した。次いで各グ
リーンシートに、Ａｇを用いた内部電極用ペーストをス
クリーン印刷法により印刷し、内部電極の形成およびス
ルーホール内への導体の充填を行なった後、熱プレスに
より積層してグリーンシート積層体を得た。そして、こ
の積層体を脱脂後、空気中で温度９００℃で１０分間焼
成し、さらに、Ａｇを用いた外部導体用ペーストをスク
リーン印刷法により印刷し、空気中で温度８５０℃で１
０分間焼成して、図１に示される構成の多層配線基板サ
ンプルを得た。基板寸法は、５０mm×６０mm×１．０mm
であった。
レード法によりグリーンシートを作製した。次いで各グ
リーンシートに、Ａｇを用いた内部電極用ペーストをス
クリーン印刷法により印刷し、内部電極の形成およびス
ルーホール内への導体の充填を行なった後、熱プレスに
より積層してグリーンシート積層体を得た。そして、こ
の積層体を脱脂後、空気中で温度９００℃で１０分間焼
成し、さらに、Ａｇを用いた外部導体用ペーストをスク
リーン印刷法により印刷し、空気中で温度８５０℃で１
０分間焼成して、図１に示される構成の多層配線基板サ
ンプルを得た。基板寸法は、５０mm×６０mm×１．０mm
であった。
【００５５】各サンプルについて、焼成後にクラック発
生の有無を調べた。また、サンプルの反り量を調べた。
反り量は、図２に示されるようにＴおよびｔを測定し、
Ｔ−ｔから算出した。また、誘電体層および基板層それ
ぞれの１MHz における比誘電率（εr ）を測定した。ま
た、ハンダ耐熱性を調べた。結果を表１に示す。
生の有無を調べた。また、サンプルの反り量を調べた。
反り量は、図２に示されるようにＴおよびｔを測定し、
Ｔ−ｔから算出した。また、誘電体層および基板層それ
ぞれの１MHz における比誘電率（εr ）を測定した。ま
た、ハンダ耐熱性を調べた。結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】＜実施例２＞下記のようにして積層セラミ
ックコンデンササンプルを作製した。
ックコンデンササンプルを作製した。
【００５８】まず、平均粒径２μm のガラスフリットと
平均粒径２μm の誘電体材料とを混合して誘電体組成物
とし、ビヒクルを加えて誘電体層用ペーストを調製し
た。用いたガラスフリットの詳細と誘電体材料の組成と
体積比（ガラスフリット／誘電体材料）とを下記表２に
示す。
平均粒径２μm の誘電体材料とを混合して誘電体組成物
とし、ビヒクルを加えて誘電体層用ペーストを調製し
た。用いたガラスフリットの詳細と誘電体材料の組成と
体積比（ガラスフリット／誘電体材料）とを下記表２に
示す。
【００５９】次に、平均粒径１μm のＡｇ粒子とビヒク
ルとを混合し、内部電極用ペーストを調製した。また、
平均粒径がそれぞれ１μm のＡｇ粒子およびＰｄ粒子と
ガラスフリットとビヒクルとを混合し、外部電極用ペー
ストを調製した。そして、誘電体層用ペーストと内部電
極用ペーストとを印刷法により交互に積層し、グリーン
チップを得た。誘電体層用ペーストの積層数は、１０層
とした。
ルとを混合し、内部電極用ペーストを調製した。また、
平均粒径がそれぞれ１μm のＡｇ粒子およびＰｄ粒子と
ガラスフリットとビヒクルとを混合し、外部電極用ペー
ストを調製した。そして、誘電体層用ペーストと内部電
極用ペーストとを印刷法により交互に積層し、グリーン
チップを得た。誘電体層用ペーストの積層数は、１０層
とした。
【００６０】次いでグリーンチップを所定サイズに切断
し、空気中において９００℃にて１０分間焼成し、コン
デンサチップ体を得た。
し、空気中において９００℃にて１０分間焼成し、コン
デンサチップ体を得た。
【００６１】得られたコンデンサチップ体の端面をサン
ドブラストにて研磨した後、上記外部電極用ペーストを
前記端面に転写し、空気中で８５０℃にて１０分間焼成
して外部電極を形成し、多層セラミックチップコンデン
ササンプルを得た。このようにして製造したサンプルの
サイズは、３．２mm×１．６mm×１．２mmであった。
ドブラストにて研磨した後、上記外部電極用ペーストを
前記端面に転写し、空気中で８５０℃にて１０分間焼成
して外部電極を形成し、多層セラミックチップコンデン
ササンプルを得た。このようにして製造したサンプルの
サイズは、３．２mm×１．６mm×１．２mmであった。
【００６２】このサンプルについて、焼成後のクラック
発生の有無、デラミネーションの有無、誘電体層の１MH
z における比誘電率（εr ）、ハンダ耐熱性を調べた。
結果を表２に示す。
発生の有無、デラミネーションの有無、誘電体層の１MH
z における比誘電率（εr ）、ハンダ耐熱性を調べた。
結果を表２に示す。
【００６３】
【表２】
【００６４】以上の実施例の結果から本発明の効果が明
らかである。
らかである。
【図１】本発明の多層配線基板の一構成例を示す断面図
である。
である。
【図２】反り量の算出方法を示す図である。
【符号の説明】 １ 多層配線基板 ２１、２２、２３、２４ 基板層 ３１、３２ 誘電体層 ４１、４２、４３ 内部電極 ５ スルーホール ６ 外部導体
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年２月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５６】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ 6921−4Ｅ
Claims (10)
- 【請求項１】 誘電体組成物用のガラスであって、ラン
タニド酸化物をＬｎ2 Ｏ3 （Ｌｎはランタニド）換算で
１０〜４０モル％、二酸化珪素、酸化ほう素および酸化
ゲルマニウムから選択される少なくとも１種のガラス形
成酸化物をそれぞれＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＧｅＯ2
換算で合計３０〜６０モル％、酸化アルミニウムをＡｌ
2 Ｏ3 換算で１６〜４０モル％含有することを特徴とす
るガラス。 - 【請求項２】 前記ランタニド酸化物、ガラス形成酸化
物および酸化アルミニウムを合計で８０モル％以上含有
する請求項１に記載のガラス。 - 【請求項３】 酸化ビスマスおよび酸化鉛から選択され
る少なくとも１種をそれぞれＢｉ2 Ｏ3 およびＰｂＯ換
算で合計２０モル％以下含有する請求項１または２に記
載のガラス。 - 【請求項４】 ガラス転移点が６００℃以上である請求
項１ないし３のいずれかに記載のガラス。 - 【請求項５】 ２５〜５００℃における平均線膨張率が
７×１０-6/deg以下である請求項１ないし４のいずれか
に記載のガラス。 - 【請求項６】 比誘電率が１０以上である請求項１ない
し５のいずれかに記載のガラス。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載のガ
ラスと、比誘電率が前記ガラスよりも大きい誘電体材料
とを含有することを特徴とする誘電体組成物。 - 【請求項８】 ガラス／誘電体材料（体積比）が８／２
〜４／６の範囲にある請求項７に記載の誘電体組成物。 - 【請求項９】 ガラスと酸化アルミニウム骨材とを含有
する基板層用組成物と、請求項７または８に記載の誘電
体組成物とを同時一体焼成して製造されたことを特徴と
する多層配線基板。 - 【請求項１０】 請求項７または８に記載の誘電体組成
物を用いて製造されたことを特徴とする積層セラミック
コンデンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19628992A JP2711618B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサ |
| DE69327747T DE69327747T2 (de) | 1992-06-30 | 1993-06-29 | Dielektrische Zusammensetzung, Mehrschichtleitersubstrat und keramischer Mehrschichtkondensator |
| EP93110344A EP0577067B1 (en) | 1992-06-30 | 1993-06-29 | Dielectric composition, multilayer wiring substrate, and multilayer ceramic capacitor |
| US08/083,527 US5378662A (en) | 1992-06-30 | 1993-06-30 | Glass, dielectric composition, multilayer wiring substrate, and multilayer ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19628992A JP2711618B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0624795A true JPH0624795A (ja) | 1994-02-01 |
| JP2711618B2 JP2711618B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16355330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19628992A Expired - Fee Related JP2711618B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5378662A (ja) |
| EP (1) | EP0577067B1 (ja) |
| JP (1) | JP2711618B2 (ja) |
| DE (1) | DE69327747T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015051887A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 日本山村硝子株式会社 | ガラス微粒子の製造方法及びガラス微粒子 |
| JP2016130350A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | コーティング膜を備える構造体およびその製造方法 |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5590017A (en) * | 1995-04-03 | 1996-12-31 | Aluminum Company Of America | Alumina multilayer wiring substrate provided with high dielectric material layer |
| US5757611A (en) * | 1996-04-12 | 1998-05-26 | Norhtrop Grumman Corporation | Electronic package having buried passive components |
| JP3454065B2 (ja) * | 1997-01-29 | 2003-10-06 | 株式会社村田製作所 | 誘電体ペーストおよびそれを用いた厚膜コンデンサ |
| US6072690A (en) * | 1998-01-15 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | High k dielectric capacitor with low k sheathed signal vias |
| TW524786B (en) * | 1998-01-23 | 2003-03-21 | Du Pont | Glass composition, castable dielectric composition and tape composition made therewith |
| US6201307B1 (en) * | 1998-06-23 | 2001-03-13 | Kyocera Corporation | Ceramics for wiring boards and method of producing the same |
| US6271150B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-08-07 | North Carolina State University | Methods of raising reflow temperature of glass alloys by thermal treatment in steam, and microelectronic structures formed thereby |
| US6482758B1 (en) * | 1999-10-14 | 2002-11-19 | Containerless Research, Inc. | Single phase rare earth oxide-aluminum oxide glasses |
| US6602623B1 (en) * | 1999-10-27 | 2003-08-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Low-temperature firing ceramic composition, process for producing same and wiring substrate prepared by using same |
| DE10043196B4 (de) * | 2000-09-01 | 2008-10-02 | W.C. Heraeus Gmbh | Glaskeramikmasse und Verwendung der Glaskeramikmasse |
| DE10043194A1 (de) * | 2000-09-01 | 2002-03-28 | Siemens Ag | Glaskeramikmasse und Verwendung der Glaskeramikmasse |
| JP3932833B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2007-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | コンデンサ付き電気光学装置および電子機器 |
| US7625509B2 (en) * | 2001-08-02 | 2009-12-01 | 3M Innovative Properties Company | Method of making ceramic articles |
| KR20080086542A (ko) | 2001-08-02 | 2008-09-25 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 유리로부터 물품을 제조하는 방법 및 이렇게 제조한 유리 세라믹 물품 |
| US7147544B2 (en) * | 2001-08-02 | 2006-12-12 | 3M Innovative Properties Company | Glass-ceramics |
| EP1483351A2 (en) * | 2001-08-02 | 2004-12-08 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive particles, and methods of making and using the same |
| CA2454068A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | 3M Innovative Properties Company | Al2o3-rare earth oxide-zro2/hfo2 materials, and methods of making and using the same |
| KR100885328B1 (ko) * | 2001-08-02 | 2009-02-26 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 알루미나-산화 이트륨-산화 지르코늄/산화 하프늄 물질,및 그의 제조 및 사용 방법 |
| US6841493B2 (en) * | 2002-06-04 | 2005-01-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | High K glass and tape composition for use at high frequency |
| US8056370B2 (en) * | 2002-08-02 | 2011-11-15 | 3M Innovative Properties Company | Method of making amorphous and ceramics via melt spinning |
| US7179526B2 (en) * | 2002-08-02 | 2007-02-20 | 3M Innovative Properties Company | Plasma spraying |
| US20040108134A1 (en) * | 2002-10-11 | 2004-06-10 | Borland William J. | Printed wiring boards having low inductance embedded capacitors and methods of making same |
| US20040148868A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-05 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making ceramics |
| US7175786B2 (en) * | 2003-02-05 | 2007-02-13 | 3M Innovative Properties Co. | Methods of making Al2O3-SiO2 ceramics |
| US7811496B2 (en) * | 2003-02-05 | 2010-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making ceramic particles |
| US7258707B2 (en) * | 2003-02-05 | 2007-08-21 | 3M Innovative Properties Company | AI2O3-La2O3-Y2O3-MgO ceramics, and methods of making the same |
| US6984261B2 (en) * | 2003-02-05 | 2006-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Use of ceramics in dental and orthodontic applications |
| US7292766B2 (en) * | 2003-04-28 | 2007-11-06 | 3M Innovative Properties Company | Use of glasses containing rare earth oxide, alumina, and zirconia and dopant in optical waveguides |
| US7197896B2 (en) * | 2003-09-05 | 2007-04-03 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making Al2O3-SiO2 ceramics |
| US7141522B2 (en) * | 2003-09-18 | 2006-11-28 | 3M Innovative Properties Company | Ceramics comprising Al2O3, Y2O3, ZrO2 and/or HfO2, and Nb2O5 and/or Ta2O5 and methods of making the same |
| US7297171B2 (en) * | 2003-09-18 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making ceramics comprising Al2O3, REO, ZrO2 and/or HfO2 and Nb205 and/or Ta2O5 |
| US7141523B2 (en) * | 2003-09-18 | 2006-11-28 | 3M Innovative Properties Company | Ceramics comprising Al2O3, REO, ZrO2 and/or HfO2, and Nb2O5 and/or Ta2O5 and methods of making the same |
| JP2005272289A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミック部品 |
| US20050105041A1 (en) * | 2003-10-02 | 2005-05-19 | Ira Lerner | Interchangeable eyewear assembly |
| US7332453B2 (en) * | 2004-07-29 | 2008-02-19 | 3M Innovative Properties Company | Ceramics, and methods of making and using the same |
| US7497093B2 (en) * | 2004-07-29 | 2009-03-03 | 3M Innovative Properties Company | Method of making ceramic articles |
| US20060162844A1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Needes Christopher R | Multi-component LTCC substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof |
| US20070151166A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | 3M Innovative Properties Company | Method of making abrasive articles, cutting tools, and cutting tool inserts |
| US20070154713A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | 3M Innovative Properties Company | Ceramic cutting tools and cutting tool inserts, and methods of making the same |
| US7281970B2 (en) * | 2005-12-30 | 2007-10-16 | 3M Innovative Properties Company | Composite articles and methods of making the same |
| US7598188B2 (en) * | 2005-12-30 | 2009-10-06 | 3M Innovative Properties Company | Ceramic materials and methods of making and using the same |
| US8095207B2 (en) * | 2006-01-23 | 2012-01-10 | Regents Of The University Of Minnesota | Implantable medical device with inter-atrial block monitoring |
| US7987566B2 (en) * | 2009-07-15 | 2011-08-02 | Sturzebecher Richard J | Capacitor forming method |
| JP6043548B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-12-14 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ |
| CN104973777A (zh) * | 2015-07-02 | 2015-10-14 | 中国计量学院 | 一种新型耐高温镧系玻璃LaSA及其制备方法 |
| JP2018062457A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-19 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス材及びその製造方法 |
| US11434164B2 (en) | 2017-10-09 | 2022-09-06 | Rutgers, The State University Of New Jersey | A12O3 rich hard and crack resistant glasses and glass-ceramics |
| JP7535005B2 (ja) * | 2021-03-31 | 2024-08-15 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
| CN116675429A (zh) * | 2023-05-17 | 2023-09-01 | 华南理工大学 | 玻璃材料及其制备方法和应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0360440A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-15 | Corning Inc | 希土類オキシニトライドガラス |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2805166A (en) * | 1954-01-18 | 1957-09-03 | Loffler Johannes | Glasses containing oxides of rare earth metals |
| US3501322A (en) * | 1967-08-16 | 1970-03-17 | Corning Glass Works | Glazed ceramic substrate for electronic microcircuits |
| US3679440A (en) * | 1971-01-18 | 1972-07-25 | Owens Illinois Inc | High k dielectric materials |
| AT338451B (de) * | 1972-05-15 | 1977-08-25 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen | Phototropes glas, geeignet als nahteilmaterial zur verschmelzung mit phototropen fernteilglasern fur mehrfokalbrillenglaser |
| US3796047A (en) * | 1972-07-05 | 1974-03-12 | Murray W Corp | Engine supercharging air cooling system |
| US3977887A (en) * | 1974-03-08 | 1976-08-31 | International Business Machines Corporation | High dielectric constant ceramics which can be sintered at low temperatures |
| US4061584A (en) * | 1974-12-13 | 1977-12-06 | General Electric Company | High dielectric constant ink for thick film capacitors |
| US4071881A (en) * | 1976-03-30 | 1978-01-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions of magnesium titanate and devices thereof |
| SU727586A1 (ru) * | 1978-08-03 | 1980-04-15 | Государственный научно-исследовательский институт стекла | Стекло |
| US4335216A (en) * | 1981-05-01 | 1982-06-15 | Tam Ceramics, Inc. | Low temperature fired dielectric ceramic composition and method of making same |
| JPS5860639A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-11 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 希土類酸化物を含有するけい酸塩ガラス |
| JPS5969442A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-19 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 希土類酸化物含有アルミノ珪酸塩ガラス |
| JPS5969440A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-19 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 希土類酸化物含有アルミノけい酸塩ガラス |
| NL8602518A (nl) * | 1986-10-08 | 1988-05-02 | Philips Nv | Luminescerend lanthaan en/of gadolinium bevattend aluminosilikaat- en/of aluminoboraatglas en luminescerend scherm voorzien van een dergelijk glas. |
| JPH0745337B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1995-05-17 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| US4999321A (en) * | 1990-03-02 | 1991-03-12 | Alfred University | Optical glass composition |
| ATE129222T1 (de) * | 1991-06-14 | 1995-11-15 | Cookson Group Plc | Glaszusammensetzungen. |
| JP2746011B2 (ja) * | 1992-10-19 | 1998-04-28 | 住友金属工業株式会社 | 加熱炉の燃焼制御方法 |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP19628992A patent/JP2711618B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-06-29 EP EP93110344A patent/EP0577067B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-29 DE DE69327747T patent/DE69327747T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-30 US US08/083,527 patent/US5378662A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0360440A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-15 | Corning Inc | 希土類オキシニトライドガラス |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015051887A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 日本山村硝子株式会社 | ガラス微粒子の製造方法及びガラス微粒子 |
| JP2016130350A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | コーティング膜を備える構造体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0577067A2 (en) | 1994-01-05 |
| DE69327747T2 (de) | 2000-08-31 |
| DE69327747D1 (de) | 2000-03-09 |
| US5378662A (en) | 1995-01-03 |
| EP0577067B1 (en) | 2000-02-02 |
| EP0577067A3 (en) | 1995-06-28 |
| JP2711618B2 (ja) | 1998-02-10 |
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