JPH06243509A - 光反射膜及び該膜を用いた光記録情報媒体 - Google Patents
光反射膜及び該膜を用いた光記録情報媒体Info
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- JPH06243509A JPH06243509A JP5054996A JP5499693A JPH06243509A JP H06243509 A JPH06243509 A JP H06243509A JP 5054996 A JP5054996 A JP 5054996A JP 5499693 A JP5499693 A JP 5499693A JP H06243509 A JPH06243509 A JP H06243509A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、光源の短波長化による高密
度化した光記録媒体、特に書き換え可能なタイプの高密
度化光記録媒体に使用する光反射膜の提供にある。 【構成】 ４５０≦λ≦８３０ｎｍの波長の光に対し
て、反射率が７５％以上であり、かつ熱伝導率が０．３
０〜３．２ｗ／ｃｍ・ｋの間で制御が可能なＡｇ合金で
構成された光反射膜。
度化した光記録媒体、特に書き換え可能なタイプの高密
度化光記録媒体に使用する光反射膜の提供にある。 【構成】 ４５０≦λ≦８３０ｎｍの波長の光に対し
て、反射率が７５％以上であり、かつ熱伝導率が０．３
０〜３．２ｗ／ｃｍ・ｋの間で制御が可能なＡｇ合金で
構成された光反射膜。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、光反射膜、特に光記録媒体用反
射膜に関する。
射膜に関する。
【０００２】
【従来技術】現在は光メモリ用光源として８３０ｎｍの
半導体レーザが主流であるが、近年光記録媒体の記録密
度の向上が検討されその１つの方法として記録用光源の
短波長化が検討されている。具体的には従来のIII−Ｖ
族を利用する半導体レーザの場合は第２高調波発生素子
を利用してその波長を半分にする方法（例えば８３０ｎ
ｍの半導体レーザは、〜４２０ｎｍに短波長化できる）
がある。また、II−VI族を利用した半導体レーザも１９
９１年に４９０ｎｍで発振に成功し各方面において研究
が活発化しており近い将来実用化に達するものと思われ
る。一方、光記録媒体には入射光を有効に利用する為金
属反射片が設けられ、ＡｕやＡｌなど（特開昭５９−２
１０５４５）が用いられている。
半導体レーザが主流であるが、近年光記録媒体の記録密
度の向上が検討されその１つの方法として記録用光源の
短波長化が検討されている。具体的には従来のIII−Ｖ
族を利用する半導体レーザの場合は第２高調波発生素子
を利用してその波長を半分にする方法（例えば８３０ｎ
ｍの半導体レーザは、〜４２０ｎｍに短波長化できる）
がある。また、II−VI族を利用した半導体レーザも１９
９１年に４９０ｎｍで発振に成功し各方面において研究
が活発化しており近い将来実用化に達するものと思われ
る。一方、光記録媒体には入射光を有効に利用する為金
属反射片が設けられ、ＡｕやＡｌなど（特開昭５９−２
１０５４５）が用いられている。
【０００３】
【目的】本発明の目的は、今後前記のような光源の短波
長化による高密度化した光記録媒体、特に書き換え可能
なタイプの高密度化光記録媒体に使用する光反射膜の提
供にある。
長化による高密度化した光記録媒体、特に書き換え可能
なタイプの高密度化光記録媒体に使用する光反射膜の提
供にある。
【０００４】
【構成】本発明の特徴の１つは、短波長光源、特にその
波長が４５０ｎｍから８３０ｎｍの間の光源を使用した
場合に、前記波長範囲内で高い反射率と広い範囲で熱伝
導率制御が容易な反射膜の提供にあり、その好ましい応
用例として相変化形光記録媒体がある。近年の光記録媒
体の動向は書き換え可能なタイプへの移行と、より高密
度な記録容量実現の為への工夫へと開発が指向されてい
る。前者の場合は光磁気方式と相変化方式がその代表で
あり、後者の場合は光源の短波長化がその代表である。
現在、短波長化、高温動作、大出力化、低消費電力化等
を目的とする高性能半導体の開発が盛んに行われてお
り、これにより近い将来直接変調が可能な４００ｎｍ台
の波長を光源とする高密度大容量の光記録媒体が実用可
能となるものと思われる。このような短波長の光源を光
記録媒体の光源に使用する光記録媒体の場合にも、この
波長域で高い反射率を有する反射膜を使用する必要があ
る。さらに、該記録媒体が書き換え可能な相変化形タイ
プの場合には、該反射膜は記録媒体の線速に応じて熱伝
導率を容易に制御することのできるものである必要があ
る。しかしながら、現在このような要件をすべて満足す
る光記録媒体用の反射膜は開発されていない。本発明者
らは、Ａｇ合金、特に特定組成のＡｇ合金を使用するこ
とにより、前記のような要件を満足する光記録媒体の反
射膜が提供されることを見出した。すなわち従来から反
射材料としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌがよく知られ
ているが、光源が短波長化するとＡｕの場合は、６００
ｎｍあたりから反射率の低下が始まる。また、Ａｌの場
合は、波長域４００≦λ≦８３０ｎｍの間で反射率の低
下はないがその値は８０％台でありＡｕに比較して低
い。一方、Ａｇは波長域４００≦λ≦８３０ｎｍの間で
反射率９０％以上の値を有するので前記のような短波長
光源用の反射材料としては、好ましい材料と言える。し
かしながら光記録媒体特に相変化形光記録媒体にＡｇの
反射膜を利用すると、その熱伝導率が高いため、該光記
録媒体の使用目的によっては感度の低下が生ずる場合が
ある。
波長が４５０ｎｍから８３０ｎｍの間の光源を使用した
場合に、前記波長範囲内で高い反射率と広い範囲で熱伝
導率制御が容易な反射膜の提供にあり、その好ましい応
用例として相変化形光記録媒体がある。近年の光記録媒
体の動向は書き換え可能なタイプへの移行と、より高密
度な記録容量実現の為への工夫へと開発が指向されてい
る。前者の場合は光磁気方式と相変化方式がその代表で
あり、後者の場合は光源の短波長化がその代表である。
現在、短波長化、高温動作、大出力化、低消費電力化等
を目的とする高性能半導体の開発が盛んに行われてお
り、これにより近い将来直接変調が可能な４００ｎｍ台
の波長を光源とする高密度大容量の光記録媒体が実用可
能となるものと思われる。このような短波長の光源を光
記録媒体の光源に使用する光記録媒体の場合にも、この
波長域で高い反射率を有する反射膜を使用する必要があ
る。さらに、該記録媒体が書き換え可能な相変化形タイ
プの場合には、該反射膜は記録媒体の線速に応じて熱伝
導率を容易に制御することのできるものである必要があ
る。しかしながら、現在このような要件をすべて満足す
る光記録媒体用の反射膜は開発されていない。本発明者
らは、Ａｇ合金、特に特定組成のＡｇ合金を使用するこ
とにより、前記のような要件を満足する光記録媒体の反
射膜が提供されることを見出した。すなわち従来から反
射材料としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌがよく知られ
ているが、光源が短波長化するとＡｕの場合は、６００
ｎｍあたりから反射率の低下が始まる。また、Ａｌの場
合は、波長域４００≦λ≦８３０ｎｍの間で反射率の低
下はないがその値は８０％台でありＡｕに比較して低
い。一方、Ａｇは波長域４００≦λ≦８３０ｎｍの間で
反射率９０％以上の値を有するので前記のような短波長
光源用の反射材料としては、好ましい材料と言える。し
かしながら光記録媒体特に相変化形光記録媒体にＡｇの
反射膜を利用すると、その熱伝導率が高いため、該光記
録媒体の使用目的によっては感度の低下が生ずる場合が
ある。
【０００５】本発明においては、Ａｇ金属の合金化、特
に特定金属と組合わせたＡｇ合金を光記録媒体の反射膜
材料として使用することにより、前記のような短波長光
源を使用する場合においても、高反射率を維持しなが
ら、かつ熱伝導率を幅広い範囲で制御可能な反射膜、特
に書き換え可能な相変化形記録媒体用に好適な反射膜が
提供される。このような反射膜としては、４５０ｎｍ≦
λ≦８３０ｎｍのような短波長光源を使用した場合に、
７５％以上の反射率と０．３０〜３．２ｗ／ｃｍ・ｋの
間の熱伝導率を有するものが好ましい。本発明で使用す
るＡｇ合金としては、Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｖ，Ａｇ−Ｎ
ｂ等が挙げられる。特に、これらの合金においては、Ｉ
ｎ，Ｖ，Ｎｂの組成比を増加すれば熱伝導率を０．３０
ｗ／ｃｍ・ｋ以下にする事が可能であるが、それに応じ
て反射率も低下しλ＝４５０ｎｍにおいて７５％以下に
なり反射層としての機能を失う。この様な比較的熱伝導
率が低い反射層は線速を速くして使用する場合に適用で
きる。一方ＣＤ線速のように比較的遅い線速の場合はＡ
ｇ単独のように高い熱伝導率を有する反射層を使用する
のがよい。従って、各種の線速に対応させる為から、熱
伝導率が０．３０〜３．２ｗ／ｃｍ・ｋの範囲のものが
好ましい。
に特定金属と組合わせたＡｇ合金を光記録媒体の反射膜
材料として使用することにより、前記のような短波長光
源を使用する場合においても、高反射率を維持しなが
ら、かつ熱伝導率を幅広い範囲で制御可能な反射膜、特
に書き換え可能な相変化形記録媒体用に好適な反射膜が
提供される。このような反射膜としては、４５０ｎｍ≦
λ≦８３０ｎｍのような短波長光源を使用した場合に、
７５％以上の反射率と０．３０〜３．２ｗ／ｃｍ・ｋの
間の熱伝導率を有するものが好ましい。本発明で使用す
るＡｇ合金としては、Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｖ，Ａｇ−Ｎ
ｂ等が挙げられる。特に、これらの合金においては、Ｉ
ｎ，Ｖ，Ｎｂの組成比を増加すれば熱伝導率を０．３０
ｗ／ｃｍ・ｋ以下にする事が可能であるが、それに応じ
て反射率も低下しλ＝４５０ｎｍにおいて７５％以下に
なり反射層としての機能を失う。この様な比較的熱伝導
率が低い反射層は線速を速くして使用する場合に適用で
きる。一方ＣＤ線速のように比較的遅い線速の場合はＡ
ｇ単独のように高い熱伝導率を有する反射層を使用する
のがよい。従って、各種の線速に対応させる為から、熱
伝導率が０．３０〜３．２ｗ／ｃｍ・ｋの範囲のものが
好ましい。
【０００６】本発明において、相変化形光記録媒体の記
録層としては、光の照射により光を吸収し、この吸収さ
れた光が熱に変換されることにより、該記録層が相転移
するものがあげられる。このような相転移としては、例
えば、非晶状態←→結晶状態と記録層の状態と変える場
合が挙げられ、この相転移により記録←→記録の消去を
行うことができる。他の記録層の相変化の例としては、
熱を受けて相溶状態と相分離状態間の相変化を生ずるよ
うなポリマーブレンドの例が挙げられる。
録層としては、光の照射により光を吸収し、この吸収さ
れた光が熱に変換されることにより、該記録層が相転移
するものがあげられる。このような相転移としては、例
えば、非晶状態←→結晶状態と記録層の状態と変える場
合が挙げられ、この相転移により記録←→記録の消去を
行うことができる。他の記録層の相変化の例としては、
熱を受けて相溶状態と相分離状態間の相変化を生ずるよ
うなポリマーブレンドの例が挙げられる。
【０００７】
実施例１ ４インチのＡｇターゲット、該ターゲット上に厚み１ｍ
ｍ，５ｍｍ角のチップを１個および４個配してＲｆスパ
ッタ法により５０ｍｍ角のガラス基板上にＡｇ−Ｉｎ合
金膜を１０００Åの厚さ設けた。この時合金の組成比は
ターゲット上のＩｎのチップ数をかえる事により調整し
た。そして得られたＡｇ−Ｉｎ合金膜の分光反射率を３
５０ｎｍから８５０ｎｍの波長域で測定した。さらにこ
の合金膜の電気伝導率を四端子法により求め、これより
ウイーデマン・フランツ則から熱伝導率を求めた。
ｍ，５ｍｍ角のチップを１個および４個配してＲｆスパ
ッタ法により５０ｍｍ角のガラス基板上にＡｇ−Ｉｎ合
金膜を１０００Åの厚さ設けた。この時合金の組成比は
ターゲット上のＩｎのチップ数をかえる事により調整し
た。そして得られたＡｇ−Ｉｎ合金膜の分光反射率を３
５０ｎｍから８５０ｎｍの波長域で測定した。さらにこ
の合金膜の電気伝導率を四端子法により求め、これより
ウイーデマン・フランツ則から熱伝導率を求めた。
【表１】 前記表１よりＡｇ−Ｉｎ合金は４５０ｎｍから８５０ｎ
ｍの間で８０％以上の高い反射率を有すると同時に熱伝
導率もＩｎ濃度を調整する事により自由に制御する事が
わかる。
ｍの間で８０％以上の高い反射率を有すると同時に熱伝
導率もＩｎ濃度を調整する事により自由に制御する事が
わかる。
【０００８】実施例２ 実施例１と同様な方法によりＲｆスパッタ法により５０
ｍｍ角のガラス基板上にＡｇおよびＡｇ−Ｖ合金膜を１
０００Åの厚さ設けた。この時合金の組成比は、実施例
１と同様にしてＶのチップ数をかえることにより調整し
た。そして得られたＡｇおよびＡｇ−Ｖ合金膜の分光反
射率を３５０ｎｍから８５０ｎｍの波長域で測定した。
さらにこの合金膜の電気伝導率を四端子法により求めウ
イーデマン・フランツ則に従って熱伝導率を求めた。
ｍｍ角のガラス基板上にＡｇおよびＡｇ−Ｖ合金膜を１
０００Åの厚さ設けた。この時合金の組成比は、実施例
１と同様にしてＶのチップ数をかえることにより調整し
た。そして得られたＡｇおよびＡｇ−Ｖ合金膜の分光反
射率を３５０ｎｍから８５０ｎｍの波長域で測定した。
さらにこの合金膜の電気伝導率を四端子法により求めウ
イーデマン・フランツ則に従って熱伝導率を求めた。
【表２】 表２よりＡｇ−Ｖ合金も４５０ｎｍから８５０ｎｍの間
で高い反射率を有し、又熱伝導率もＶ濃度の調整により
自由に制御可能な事がわかる。
で高い反射率を有し、又熱伝導率もＶ濃度の調整により
自由に制御可能な事がわかる。
【０００９】実施例３ 実施例１と同様な方法により５０ｍｍ角のガラス基板上
にＡｇ−Ｎｂ合金膜を１０００Åの厚さで設けた。そし
て得られたＡｇおよびＡｇ−Ｎｂ合金膜の分光反射率と
熱伝導率を実施例１および２と同様な方法で求め、その
結果を次表３に示す。
にＡｇ−Ｎｂ合金膜を１０００Åの厚さで設けた。そし
て得られたＡｇおよびＡｇ−Ｎｂ合金膜の分光反射率と
熱伝導率を実施例１および２と同様な方法で求め、その
結果を次表３に示す。
【表３】 表３よりＡｇ−Ｎｂ合金を利用した反射膜も４５０ｎｍ
から８５０ｎｍの間の光に対して７５％以上の反射率を
有すると同時に熱伝導もＮｂ濃度の調整により自由に制
御できる。
から８５０ｎｍの間の光に対して７５％以上の反射率を
有すると同時に熱伝導もＮｂ濃度の調整により自由に制
御できる。
【００１０】
【効果】本発明によると、波長域４５０ｎｍから７００
ｎｍの間で７５％以上の反射率を有すると同時に合金組
成比によりその熱伝導率を自由に制御することが可能な
Ａｇ合金を利用した反射膜が提供され、また該反射膜を
光記録媒体用反射膜として利用することにより、使用領
域で高い反射率を有すると同時に使用目的に応じて高感
度が実現できる光記録媒体が提供される。
ｎｍの間で７５％以上の反射率を有すると同時に合金組
成比によりその熱伝導率を自由に制御することが可能な
Ａｇ合金を利用した反射膜が提供され、また該反射膜を
光記録媒体用反射膜として利用することにより、使用領
域で高い反射率を有すると同時に使用目的に応じて高感
度が実現できる光記録媒体が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井手 由紀雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (3)
- 【請求項１】 ４５０≦λ≦８３０ｎｍの波長の光に対
して、反射率が７５％以上であり、かつ熱伝導率が０．
３０〜３．２ｗ／ｃｍ・ｋの間で制御が可能なＡｇ合金
で構成された光反射膜。 - 【請求項２】 前記Ａｇ合金はＡｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｖ，
Ａｇ−Ｎｂよりなる群から選ばれたものである請求項１
記載の光反射膜。 - 【請求項３】 ４５０≦λ≦８３０ｎｍの波長の記録用
光源、該光源により相転移可能な記録層および請求項１
または２記載の光反射膜を有することを特徴とする光情
報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054996A JPH06243509A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 光反射膜及び該膜を用いた光記録情報媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054996A JPH06243509A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 光反射膜及び該膜を用いた光記録情報媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243509A true JPH06243509A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12986275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5054996A Pending JPH06243509A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 光反射膜及び該膜を用いた光記録情報媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06243509A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100112A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Ishifuku Metal Industry Co., Ltd. | Matériau pour cible de pulvérisation |
| WO2004053861A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 光記録媒体の反射膜用の銀合金 |
| KR20040073142A (ko) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | 키스타 주식회사 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 반사판에 사용되는박막용 Ａｇ 합금 |
| JP2005008983A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Wc Heraeus Gmbh | 銀をベースとする合金、反射層、スパッタ材料および蒸着材料を形成するためのその使用 |
| WO2008059582A1 (fr) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Film mince pour film réfléchissant ou semi-réfléchissant, cible de pulvérisation et support d'enregistrement optique |
| WO2008059581A1 (en) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Thin film for reflection film or semi-transparent reflection film, sputtering target, and optical recording medium |
| WO2008059580A1 (fr) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Film mince utilisé comme film réfléchissant ou film réfléchissant à transmission partielle, cible de pulvérisation et support d'enregistrement optique |
| WO2008059579A1 (en) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Thin film for reflective film or semi-transmitting reflective film, sputtering target, and optical recording medium |
| US7517575B2 (en) | 2005-07-22 | 2009-04-14 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording media and silver alloy reflective films for the same |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP5054996A patent/JPH06243509A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100112A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Ishifuku Metal Industry Co., Ltd. | Matériau pour cible de pulvérisation |
| WO2004053861A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 光記録媒体の反射膜用の銀合金 |
| CN1323397C (zh) * | 2002-12-10 | 2007-06-27 | 田中贵金属工业株式会社 | 光记录介质的反射膜用的银合金 |
| KR20040073142A (ko) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | 키스타 주식회사 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 반사판에 사용되는박막용 Ａｇ 합금 |
| JP2005008983A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Wc Heraeus Gmbh | 銀をベースとする合金、反射層、スパッタ材料および蒸着材料を形成するためのその使用 |
| US7517575B2 (en) | 2005-07-22 | 2009-04-14 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording media and silver alloy reflective films for the same |
| WO2008059581A1 (en) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Thin film for reflection film or semi-transparent reflection film, sputtering target, and optical recording medium |
| WO2008059580A1 (fr) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Film mince utilisé comme film réfléchissant ou film réfléchissant à transmission partielle, cible de pulvérisation et support d'enregistrement optique |
| WO2008059579A1 (en) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Thin film for reflective film or semi-transmitting reflective film, sputtering target, and optical recording medium |
| WO2008059582A1 (fr) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Film mince pour film réfléchissant ou semi-réfléchissant, cible de pulvérisation et support d'enregistrement optique |
| US7910190B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-03-22 | Tanaka Kinkinzoku Kogyo K.K. | Thin film for reflection film or for semi-transparent reflection film, sputtering target and optical recording medium |
| US7951442B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-05-31 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Thin film for reflection film or for semi-transparent reflection film, sputtering target and optical recording medium |
| KR101279663B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2013-06-27 | 다나까 홀딩스 가부시끼가이샤 | 반사막 또는 반투과 반사막용 박막, 스퍼터링 타겟 및 광기록 매체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060627 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060609 |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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