JPH06242430A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPH06242430A JPH06242430A JP3023293A JP3023293A JPH06242430A JP H06242430 A JPH06242430 A JP H06242430A JP 3023293 A JP3023293 A JP 3023293A JP 3023293 A JP3023293 A JP 3023293A JP H06242430 A JPH06242430 A JP H06242430A
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- Japan
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- liquid crystal
- repeating unit
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Abstract
(57)【要約】
【構成】一対の対向した基板の内側にそれぞれ形成され
た透明電極の間に液晶を介在させて、該両基板を接合、
封着した液晶素子において、少なくとも一方の基板が、
特定の反復単位の構造を有するポリアリールエーテルス
ルホンであることを特徴とする液晶素子。 【効果】本発明の液晶素子は、薄型化及び任意の形状に
加工が容易で、長期安定性に優れている。
た透明電極の間に液晶を介在させて、該両基板を接合、
封着した液晶素子において、少なくとも一方の基板が、
特定の反復単位の構造を有するポリアリールエーテルス
ルホンであることを特徴とする液晶素子。 【効果】本発明の液晶素子は、薄型化及び任意の形状に
加工が容易で、長期安定性に優れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスチックフィルム
を基板として用いた液晶素子に関する。
を基板として用いた液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】液晶素子は、一般に、所
定の間隙を有するように対向させて配した一対の透明基
板、該透明基板の内側面にそれぞれ形成された透明電
極、該透明電極の表面にそれぞれ形成された液晶配向
膜、上記透明基板の外側面にそれぞれ貼付された偏向
板、上記液晶配向膜間の間隙に充填された液晶、及び該
液晶を封止する封止部（接着剤）から構成されている。
定の間隙を有するように対向させて配した一対の透明基
板、該透明基板の内側面にそれぞれ形成された透明電
極、該透明電極の表面にそれぞれ形成された液晶配向
膜、上記透明基板の外側面にそれぞれ貼付された偏向
板、上記液晶配向膜間の間隙に充填された液晶、及び該
液晶を封止する封止部（接着剤）から構成されている。
【０００３】従来、上記の透明基板としてはガラスが主
流を占めているが、ガラス自体が機械的衝撃に弱く、ま
た、曲げることが困難であるため、透明電極の形成工程
で連続加工できないという欠点があった。こうした背景
の中で、ガラス基板の代替としては透明基板にプラスチ
ックフィルムを用いる方法が試みられている。例えば、
特開昭 59-119321号公報には、ポリエーテルスルホンフ
ィルムを用いた液晶表示体が開示されている。
流を占めているが、ガラス自体が機械的衝撃に弱く、ま
た、曲げることが困難であるため、透明電極の形成工程
で連続加工できないという欠点があった。こうした背景
の中で、ガラス基板の代替としては透明基板にプラスチ
ックフィルムを用いる方法が試みられている。例えば、
特開昭 59-119321号公報には、ポリエーテルスルホンフ
ィルムを用いた液晶表示体が開示されている。
【０００４】しかし、上記のポリエーテルスルホンフィ
ルムは、耐水性、耐熱性、耐衝撃性などの物性のバラン
スが必ずしも満足のいくものではなく、液晶素子の透明
基板として用いられた場合、液晶素子の保存安定性に問
題があり改良が求められていた。
ルムは、耐水性、耐熱性、耐衝撃性などの物性のバラン
スが必ずしも満足のいくものではなく、液晶素子の透明
基板として用いられた場合、液晶素子の保存安定性に問
題があり改良が求められていた。
【０００５】
【問題解決のための技術的手段】本発明は、一対の対向
した基板の内側にそれぞれ形成された透明電極の間に液
晶を介在させて、該両基板を接合、封着した液晶素子に
おいて、少なくとも一方の基板が、下記の式(I) 及び(I
I)の反復単位からなり、
した基板の内側にそれぞれ形成された透明電極の間に液
晶を介在させて、該両基板を接合、封着した液晶素子に
おいて、少なくとも一方の基板が、下記の式(I) 及び(I
I)の反復単位からなり、
【化２】 反復単位(I) と反復単位(II)の比率が 0〜70：30〜 100
（モル％）である構造を有するポリアリールエーテルス
ルホンであることを特徴とする液晶素子に関する。
（モル％）である構造を有するポリアリールエーテルス
ルホンであることを特徴とする液晶素子に関する。
【０００６】本発明のポリアリールエーテルスルホン
は、有機極性溶媒中、アルカリ金属化合物の存在下、ジ
ハロゲノジフェニル化合物と二価フェノール化合物との
重縮合反応、あるいは、あらかじめ合成した二価フェノ
ールのアルカリ金属二塩とジハロゲノジフェニル化合物
との重縮合反応において、二価フェノール化合物として
ハイドロキノンおよび 4,4'-ビフェノールを所定の割合
で用いることにより製造できる。
は、有機極性溶媒中、アルカリ金属化合物の存在下、ジ
ハロゲノジフェニル化合物と二価フェノール化合物との
重縮合反応、あるいは、あらかじめ合成した二価フェノ
ールのアルカリ金属二塩とジハロゲノジフェニル化合物
との重縮合反応において、二価フェノール化合物として
ハイドロキノンおよび 4,4'-ビフェノールを所定の割合
で用いることにより製造できる。
【０００７】有機極性溶媒としては、重縮合温度におい
て生成重合体を溶解すれば特に制限はない。例えば、ジ
メチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスル
ホキシド系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメ
チルアセトアミドなどのアミド系溶媒、N-メチル -2-ピ
ロリドン、N-ビニル -2-ピロリドンなどのピロリドン系
溶媒、N-メチル -2-ピペリドンなどのピペリドン系溶
媒、1,3-ジメチル -2-イミダゾリノン、1,3-ジエチル -
2-イミダゾリノンなどの2-イミダゾリノン系溶媒、ヘキ
サメチレンスルホキシド、γ−ブチロラクトン、スルホ
ラン、あるいは、ジフェニルエーテル、ジフェニルスル
ホンなどのジフェニル化合物が挙げられる。
て生成重合体を溶解すれば特に制限はない。例えば、ジ
メチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスル
ホキシド系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメ
チルアセトアミドなどのアミド系溶媒、N-メチル -2-ピ
ロリドン、N-ビニル -2-ピロリドンなどのピロリドン系
溶媒、N-メチル -2-ピペリドンなどのピペリドン系溶
媒、1,3-ジメチル -2-イミダゾリノン、1,3-ジエチル -
2-イミダゾリノンなどの2-イミダゾリノン系溶媒、ヘキ
サメチレンスルホキシド、γ−ブチロラクトン、スルホ
ラン、あるいは、ジフェニルエーテル、ジフェニルスル
ホンなどのジフェニル化合物が挙げられる。
【０００８】二価フェノール化合物のハイドロキノンお
よび 4,4'-ビフェノールは、それらのベンゼン環の水素
の少なくとも一つが、適当な置換基（例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基などの低級アルキル基、ある
いは、メトキシ基、エトキシ基などの低級アルコキシ基
などの置換基）で置換されたものを用いてもよい。
よび 4,4'-ビフェノールは、それらのベンゼン環の水素
の少なくとも一つが、適当な置換基（例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基などの低級アルキル基、ある
いは、メトキシ基、エトキシ基などの低級アルコキシ基
などの置換基）で置換されたものを用いてもよい。
【０００９】反復単位(I) と反復単位(II)の比率は、そ
れぞれハイドロキノンと 4,4'-ビフェノールの重縮合反
応における仕込み比率により調整することができる。本
発明のポリアリールエーテルスルホンの反復単位(I) と
反復単位(II)の比率は、好ましくは、 0〜70：30〜 100
（モル％）であるが、特に好ましくは、10〜60：40〜90
（モル％）である。
れぞれハイドロキノンと 4,4'-ビフェノールの重縮合反
応における仕込み比率により調整することができる。本
発明のポリアリールエーテルスルホンの反復単位(I) と
反復単位(II)の比率は、好ましくは、 0〜70：30〜 100
（モル％）であるが、特に好ましくは、10〜60：40〜90
（モル％）である。
【００１０】本発明のポリアリールエーテルスルホンの
分子量は特に限定されないが、N-メチル-2- ピロリドン
を溶媒とした0.5g/100ml濃度の溶液について30℃で測定
した還元粘度（ηsp/c）が、 0.2〜 1.0のものが好まし
く、特に 0.4〜 0.6のものが好ましく使用される。
分子量は特に限定されないが、N-メチル-2- ピロリドン
を溶媒とした0.5g/100ml濃度の溶液について30℃で測定
した還元粘度（ηsp/c）が、 0.2〜 1.0のものが好まし
く、特に 0.4〜 0.6のものが好ましく使用される。
【００１１】本発明のポリアリールエーテルスルホンか
らのフィルムの作成方法は、押出成形法、溶液流延法な
どの公知の方法を用いることができる。
らのフィルムの作成方法は、押出成形法、溶液流延法な
どの公知の方法を用いることができる。
【００１２】溶液流延法においては、ポリアリールエー
テルスルホンを二塩化メチレンなどの溶媒に溶かした溶
液を、回転ドラム又はベルトに流延し、乾燥させてフィ
ルムを得ることができる。フィルムの厚みは、特に限定
されないが、通常30〜 300μm である。
テルスルホンを二塩化メチレンなどの溶媒に溶かした溶
液を、回転ドラム又はベルトに流延し、乾燥させてフィ
ルムを得ることができる。フィルムの厚みは、特に限定
されないが、通常30〜 300μm である。
【００１３】上記基板の内側面には、金属酸化物の透明
電極を形成させる。該透明電極の形成は、真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマ
ＣＶＤ法、化学蒸着法、有機金属溶液塗布法などの方法
を用いることができる。
電極を形成させる。該透明電極の形成は、真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマ
ＣＶＤ法、化学蒸着法、有機金属溶液塗布法などの方法
を用いることができる。
【００１４】金属酸化物としては、チタン、ジルコニウ
ム、クロム、タングステン、ニッケル、スズ、鉛、イン
ジウムなど遷移金属などの酸化物が挙げられ、中でも酸
化スズを含む酸化インジウムを用いた薄膜が好ましく用
いられる。
ム、クロム、タングステン、ニッケル、スズ、鉛、イン
ジウムなど遷移金属などの酸化物が挙げられ、中でも酸
化スズを含む酸化インジウムを用いた薄膜が好ましく用
いられる。
【００１５】透明電極の厚みは、特に限定されないが、
通常 100〜 5,000Å、好ましくは 500〜 1,000Åであ
る。
通常 100〜 5,000Å、好ましくは 500〜 1,000Åであ
る。
【００１６】上記透明電極の表面には、ポリイミド樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリスルホン樹脂等の溶液を、常
温又は加温下、回転塗布機又は印刷機等を使用する適当
な方法で均一な厚さに塗布し、該組成物の塗布膜を形成
し、次いで、その塗布膜を乾燥させることによって配向
制御膜が形成され、ラビングにより配向処理される。
脂、ポリアミド樹脂、ポリスルホン樹脂等の溶液を、常
温又は加温下、回転塗布機又は印刷機等を使用する適当
な方法で均一な厚さに塗布し、該組成物の塗布膜を形成
し、次いで、その塗布膜を乾燥させることによって配向
制御膜が形成され、ラビングにより配向処理される。
【００１７】上下両基板の外側面には、それぞれ偏光体
が貼付される。上記配向制御膜間には液晶を充填し、配
向制御膜間の間隙は、通常、 1〜10μｍ程度で、アルミ
ナ製、ポリスチレン製、又はガラスファイバー製等のス
ペーサにより保持される。上記液晶を封止するために、
上下の基板縁周部を接着剤で封止する。
が貼付される。上記配向制御膜間には液晶を充填し、配
向制御膜間の間隙は、通常、 1〜10μｍ程度で、アルミ
ナ製、ポリスチレン製、又はガラスファイバー製等のス
ペーサにより保持される。上記液晶を封止するために、
上下の基板縁周部を接着剤で封止する。
【００１８】
【発明の効果】本発明の特定の構造を有するポリアリー
ルエーテルスルホンからなる基板を用いて製造した液晶
素子は、薄型化及び任意の形状に加工が容易で、長期安
定性に優れている。本発明の液晶素子は、透過型あるい
は反射型として用いられ、時計、電卓、テレビ等のディ
スプレイ、光学シャッター、グラッフィクディスプレイ
等に用いられる。
ルエーテルスルホンからなる基板を用いて製造した液晶
素子は、薄型化及び任意の形状に加工が容易で、長期安
定性に優れている。本発明の液晶素子は、透過型あるい
は反射型として用いられ、時計、電卓、テレビ等のディ
スプレイ、光学シャッター、グラッフィクディスプレイ
等に用いられる。
【００１９】
【実施例】以下に本発明において、基板に用いられるポ
リアリールエーテルスルホンの製造例及び本発明の液晶
素子について実施例をあげて更に詳細に説明する。
リアリールエーテルスルホンの製造例及び本発明の液晶
素子について実施例をあげて更に詳細に説明する。
【００２０】実施例１ 4,4'-ジクロルジフェニルスルホン73.3g 、ハイドロキ
ノン 13.7g及び 4,4'-ビフェノール 23.2gを、窒素雰囲
気下で共沸脱水用トルエン30ml及びN-メチル -2-ピロリ
ドン 300mlに加え溶解した後、窒素中で70℃で30分間加
熱処理した炭酸カリウム 37.9gを加えて、窒素雰囲気下
で温度 180℃、 8時間攪拌反応し、重合溶液を得た。反
応終了後、無機物を重合溶液から分離するため、窒素圧
1.5kg/cm 2 で濾過し、重合溶液を得た。重合溶液300gを
エタノール2000mlに注ぎ、5000rpm で攪拌しながら重合
体を析出させ、濾過、分離した後、重合体を得た。この
重合体 50gをエタノール 500mlで洗浄後、90℃で乾燥
し、ポリアリールエーテルスルホンの粉体を得た。得ら
れたポリアリールエーテルスルホンの還元粘度（ηsp/
c）は0.52であり、反復単位(I) と反復単位(II)との比
率は、50:50(モル％) であった。
ノン 13.7g及び 4,4'-ビフェノール 23.2gを、窒素雰囲
気下で共沸脱水用トルエン30ml及びN-メチル -2-ピロリ
ドン 300mlに加え溶解した後、窒素中で70℃で30分間加
熱処理した炭酸カリウム 37.9gを加えて、窒素雰囲気下
で温度 180℃、 8時間攪拌反応し、重合溶液を得た。反
応終了後、無機物を重合溶液から分離するため、窒素圧
1.5kg/cm 2 で濾過し、重合溶液を得た。重合溶液300gを
エタノール2000mlに注ぎ、5000rpm で攪拌しながら重合
体を析出させ、濾過、分離した後、重合体を得た。この
重合体 50gをエタノール 500mlで洗浄後、90℃で乾燥
し、ポリアリールエーテルスルホンの粉体を得た。得ら
れたポリアリールエーテルスルホンの還元粘度（ηsp/
c）は0.52であり、反復単位(I) と反復単位(II)との比
率は、50:50(モル％) であった。
【００２１】ポリアリールエーテルスルホンを溶剤キャ
スト法によって 100μm 厚さにフィルム化した。このフ
ィルムに酸化インジウムと酸化錫の混合物を真空中で電
子ビームで加熱しながら蒸着し、これを 200℃、 1時間
熱処理して、厚さ1000Åのインジウム・スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）薄膜を形成した。
スト法によって 100μm 厚さにフィルム化した。このフ
ィルムに酸化インジウムと酸化錫の混合物を真空中で電
子ビームで加熱しながら蒸着し、これを 200℃、 1時間
熱処理して、厚さ1000Åのインジウム・スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）薄膜を形成した。
【００２２】上記の透明電極を形成させた基板を用い
て、図１に示す構成を有する本発明の液晶素子を製造し
た。
て、図１に示す構成を有する本発明の液晶素子を製造し
た。
【００２３】図１は、液晶素子の要部の拡大断面図を示
すもので、１，１は、所定の間隙を有するように対向さ
せて配したポリアリールエーテルスルホンの一対の透明
基板、２，２は、上記透明基板１，１の内側面にそれぞ
れ形成した酸化スズと酸化インジウムの混合組成物（Ｉ
ＴＯ）製等の透明電極、３，３は、上記透明電極２，２
の表面にそれぞれ前記ポリアリールエーテルスルホン溶
液を用いて形成した配向制御膜、４，４は、上記透明基
板１，１の外側面にそれぞれ貼付した偏光板、５は、上
記配向制御膜３，３間の間隙ａに充填した液晶、及び６
は、上記液晶５を封止するために接着剤からなる封止部
である。
すもので、１，１は、所定の間隙を有するように対向さ
せて配したポリアリールエーテルスルホンの一対の透明
基板、２，２は、上記透明基板１，１の内側面にそれぞ
れ形成した酸化スズと酸化インジウムの混合組成物（Ｉ
ＴＯ）製等の透明電極、３，３は、上記透明電極２，２
の表面にそれぞれ前記ポリアリールエーテルスルホン溶
液を用いて形成した配向制御膜、４，４は、上記透明基
板１，１の外側面にそれぞれ貼付した偏光板、５は、上
記配向制御膜３，３間の間隙ａに充填した液晶、及び６
は、上記液晶５を封止するために接着剤からなる封止部
である。
【００２４】この液晶素子の仕様は次の通りである。 ──────────────────────────────────── 透明基板： フィルム基板（厚み 100μm ） 透明電極： ＩＴＯ系マトリックス表示（厚み 500Å） 配向制御膜の厚み： 800Å 配向制御膜間の間隔ａ： 6μm スペーサ： アルミナ製 偏光板の厚み： 0.2mm 使用液晶： メルク(Merck) 社製 ZLI 1132 ──────────────────────────────────── 得られた液晶素子の透明性、応答性は良好であり、 100
℃、湿度90% 中、24時間の保存安定テスト後も特性の変
化は見られなかった。
℃、湿度90% 中、24時間の保存安定テスト後も特性の変
化は見られなかった。
【図１】本発明の一実施例の液晶素子の要部の拡大断面
図である。 １・・・透明基板 ２・・・透明電極 ３・・・配向制御膜 ４・・・偏光板 ５・・・液晶 ６・・・接着剤
図である。 １・・・透明基板 ２・・・透明電極 ３・・・配向制御膜 ４・・・偏光板 ５・・・液晶 ６・・・接着剤
Claims (1)
- 【請求項１】 一対の対向した基板の内側にそれぞれ形
成された透明電極の間に液晶を介在させて、該両基板を
接合、封着した液晶素子において、少なくとも一方の基
板が、下記の式(I) 及び(II)の反復単位からなり、 【化１】 反復単位(I) と反復単位(II)の比率が 0〜70：30〜 100
（モル％）である構造を有するポリアリールエーテルス
ルホンであることを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023293A JPH06242430A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023293A JPH06242430A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242430A true JPH06242430A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12297972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3023293A Pending JPH06242430A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06242430A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001038422A1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-05-31 | General Electric Company | Method for isolating dihydroxybiphenyl polyethersulfones |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP3023293A patent/JPH06242430A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001038422A1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-05-31 | General Electric Company | Method for isolating dihydroxybiphenyl polyethersulfones |
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