JPH0624041B2 - 光磁気デイスクの磁気バイアス装置 - Google Patents

光磁気デイスクの磁気バイアス装置

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JPH0624041B2
JPH0624041B2 JP26974785A JP26974785A JPH0624041B2 JP H0624041 B2 JPH0624041 B2 JP H0624041B2 JP 26974785 A JP26974785 A JP 26974785A JP 26974785 A JP26974785 A JP 26974785A JP H0624041 B2 JPH0624041 B2 JP H0624041B2
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JP
Japan
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magnetic field
coil
magneto
optical disk
bias device
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泰明 枝廣
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光磁気ディスク装置における、記録と消去時の
磁界を発生する、磁気バイアス装置に関するものであ
る。
従来の技術 近年、光磁気ディスク装置は、書き換えのできる高密度
大容量データファイル装置として開発が盛んである。光
磁気ディスクの記録及び消去時には、外部磁界が必要で
あるが、これには永久磁石または電磁石が使用されてい
る。
以下、図面を参照しながら上述したような従来の磁気バ
イアス装置について説明を行う。
第3図は従来の磁気バイアス装置の構成を示すものであ
る。第3図において11はコイル、12は磁心である。
13は磁界方向切換スイッチで、これにより記録時と消
去時の磁界の方向を切り換える。14はコイルドライブ
回路である。15は磁界設定電圧発生器で、磁界の大き
さを設定する。16はオペアンプ、17は抵抗である。
以上のように構成された光磁気ディスクの磁気バイアス
装置について、以下その動作を説明する。
まず、コイルドライブ回路14,磁界設定電圧発生器1
5,オペアンプ16、抵抗17で構成された回路によっ
て、コイル11に流す電流を制御する。記録時と再生時
の磁界の方向は、磁界方向切換スイッチ13を切り換え
ることにより決められ、以上の動作によりコイル11と
磁心12で発生する磁界が制御される。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、磁界立ち上がり時
間は、電源電圧とコイルの抵抗とインダクタンスにより
決められてしまい、磁界の立ち上がり時間を速くしよう
とすると、電源電圧を上げるかコイルの抵抗とインダク
タンスを下げて電流を多く流さなければならず、電源の
効率が良くないという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、磁界の立ち上がり時間が速
く、かつ電源効率のよい磁気バイアス装置を提供するも
のである。
問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の磁気バイアス装置
は、複数のコイルに分割された電磁石と、このコイルの
接続を切り換える手段と、コイルに流す電流を制御する
回路を備えたものである。
作用 本発明は上記構成によって、磁界立ち上がり時にはコイ
ルの接続を並列に切り換え抵抗とインダクタンスを小さ
くし磁界の立ち上がり時間を速くして、磁界が目標値に
まで立ち上がった後、コイルを直列に切り換えて電磁石
に流す電流を小さくすることにより、立ち上がり時間が
速く、かつ電源効率を、良くすることとなる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
第1図は本発明の一実施例における光磁気ディスクの磁
気バイアス装置を示すものである。第1図において、1
は第1コイル、2は第2コイル、3は磁心、4は磁界方
向切換スイッチ、5はコイル接続切換スイッチ、6は電
圧源、7はコイルドライブ回路、8は磁界設定電圧発生
器、9はオペアンプ、10は抵抗である。
以上のように構成された光磁気ディスクの磁気バイアス
装置について、以下その動作について説明する。
まず第2図は、磁界の立ち上がり時の応答を示すもので
ある。第1図において、第1コイル1と第2コイル2を
直列に接続したときのコイルの抵抗をR0、インダクタン
スをL0としたとき、時定数τ0は(1)式で表される。
磁界が設定値Hdに達する時間、すなわち磁界立ち上がり
時間Tdsは(2)式であらわされる。
ここでVは電源電圧、Kbsはコイルを直列に接続したと
きの電流磁界変換係数、Idsは磁界を設定値Hdにするた
めに流すべき電流である。
第1図において、磁界立ち上がり時にはコイル接続切換
スイッチ5を第1コイル1と第2コイル2が並列に接続
される様に切り換える。このとき第1コイル1の抵抗を
R0/2、インダクタンスをL0/2、同様に、第2コイル
2の抵抗をR0/2インダクタンスをL0/2とすると、磁
界立ち上がり時間Tdpは、(3)式で表される。
このとき電磁石に流れる電流Idpは(4)式であらわされ
る。
磁界が立ち上がった後、コイル接続切換スイッチ5を切
り換えて第1コイル1と第2コイル2を直列に接続する
と、この時電磁石に流れる電流Idsは(5)式で表される。
これにより立ち上がり時間の速い、かつ電源効率の良い
光磁気ディスク磁気バイアス装置が実現できる。
発明の効果 以上述べてきた様に本発明は、複数に分割されたコイル
を巻回された電磁石と、これらのコイルの接続を切り換
える切換スイッチと、これらのコイルに流れる電流を制
御する回路を設けることにより、磁界の立ち上がり時間
の速い、かつ電源効率の良い優れた光磁気ディスク磁気
バイアス装置が実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における光磁気ディスク磁気
バイアス装置の構成を示すブロック図、第2図は第1図
の動作を説明するための特性図、第3図は従来の光磁気
ディスク磁気バイアス装置の構成を示すブロック図であ
る。 1……第1コイル、2……第2コイル、3……磁心、4
……磁界方向切換スイッチ、5……コイル接続切換スイ
ッチ、6……電圧源、7……コイルドライブ回路、8…
…磁界設定電圧発生器、9……オペアンプ、10……抵
抗。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数に分割されたコイルが巻回された電磁
    石と、これらのコイルの接続を切り換える手段と、これ
    らのコイルに流す電流を制御する回路を備え、磁界を立
    ち上げる時と切り換える時には、これらのコイルの接続
    を並列にし、その後これらのコイルの接続を直列に切り
    換え可能なように構成したことを特徴とする光磁気ディ
    スクの磁気バイアス装置。
JP26974785A 1985-11-29 1985-11-29 光磁気デイスクの磁気バイアス装置 Expired - Lifetime JPH0624041B2 (ja)

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JPS62241106A JPS62241106A (ja) 1987-10-21
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JPH01178104A (ja) * 1988-01-05 1989-07-14 Nec Corp 光磁気ディスク用磁界印加電磁石
JPH01178106A (ja) * 1988-01-06 1989-07-14 Nec Corp 光磁気ディスク用磁界印加装置
JPH04103322U (ja) * 1991-01-28 1992-09-07 テイアツク株式会社 磁気ヘツド装置

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