JPH06238476A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

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Publication number
JPH06238476A
JPH06238476A JP50A JP7496493A JPH06238476A JP H06238476 A JPH06238476 A JP H06238476A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 7496493 A JP7496493 A JP 7496493A JP H06238476 A JPH06238476 A JP H06238476A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
laser light
laser beam
reflective film
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP50A
Other languages
English (en)
Inventor
Tamotsu Kawakita
有 川北
Shinichi Ideno
愼一 出野
Yasushi Ishida
靖司 石田
Takuya Kuwabara
拓哉 桑原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP50A priority Critical patent/JPH06238476A/ja
Publication of JPH06238476A publication Critical patent/JPH06238476A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 レーザ光により被加工体を、マスクのパター
ンにしたがって加工するにあたり、レーザ光の利用効率
を高めることを目的とする。 【構成】 レーザ光の透過可能な基板の表面に、レーザ
光の反射の可能な反射膜6を、加工パターンどおりに設
けてマスク2とする。このマスクの複数を、レーザ光の
光軸方向に対して後方のマスクの反射膜が前方のマスク
の反射膜に重ならないように並設する。各マスクの反射
膜から反射したレーザ光を、それぞれ別個に複数の被加
工体1に照射する。前方のマスクに照射されたレーザ光
はそのマスクを透過して、次のマスクを照射する。これ
によりレーザ光を効率よく利用することができるように
なる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ加工装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】レーザたとえばエキシマレーザを利用し
たレーザ加工装置は、既によく知られている。これは図
5に示すように、被加工体1の全面に、加工形状のパタ
ーンに応じて開口しているマスク2を配置し、その前方
からレーザ光3を照射することによって行なう。これに
よればマスク2に向かうレーザ光のうち、マスク2の開
口部分4を透過したレーザ光のみが被加工体1に照射さ
れ、その照射部分がレーザ加工されるようになる。
【0003】しかしこの種の加工において、被加工体1
の面積に対する加工部分の面積の割合は、一般に1%以
下である。したがってマスク2の開口率も1%以下とな
り、ほとんどのレーザ光はマスク2によりカットされる
ため、レーザ光の利用効率は極めて悪い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、レーザ光を
利用して被加工体をマスクのパターンにしたがって加工
するにあたり、レーザ光の利用効率を高めることを目的
とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光の透
過可能な基板の表面に、レーザ光を反射する反射膜を加
工パターンどおりに設けてマスクを構成し、このマスク
の複数をレーザ光の光軸方向に対して後方のマスクの反
射膜が前方のマスクの反射膜に重ならないように並設
し、各マスクの反射膜から反射したレーザ光を、それぞ
れ別個の被加工体に照射するようにしたことを特徴とす
る。
【0006】
【作用】レーザ光の光軸方向に対して最前方にある最初
のマスクには、その全面にわたってレーザ光が照射され
る。照射されたレーザ光のうち反射膜に照射されたレー
ザ光は、ここで反射されて最初の被加工体に向い、ここ
で最初のマスクの反射膜のパターンにしたがってレーザ
加工される。
【0007】最初のマスクに照射されたレーザ光のう
ち、反射膜に照射されなかったレーザ光は、そのままそ
のマスクを透過して次のマスクに向かう。そしてそのマ
スクの反射膜に照射されたレーザ光は、次の被加工体に
向けて反射し、反射膜に照射されなかったレーザ光はマ
スクを透過して次のマスクに向かう。以下これを繰り返
す。
【0008】各マスクの反射膜はレーザ光の光軸方向に
対して重ならないようにしてあるので、前方に他のマス
クが位置してあっても、後方にあるマスクの反射膜には
レーザ光が照射されるようになる。このようにして最初
のマスクに照射されたレーザ光を次のマスクになんら支
障なく照射することができ、したがってレーザ光を効率
よく利用することができるようになる。
【0009】
【実施例】本発明の実施例を図1によって説明する。な
お図5と同じ符号を付した部分は同一または対応する部
分を示す。本発明にしたがい、マスク2を、図4に示す
ようにレーザ光が透過可能な材料、たとえば石英ガラス
によって基板5を構成し、その表面にレーザ光の反射可
能な反射膜6を、加工パターンに応じて形成する。なお
必要に応じ、反射膜6を形成していない個所には、反射
防止膜7を形成しておくとよい。
【0010】このように構成された複数のマスク2を、
レーザ光3の光軸方向(レーザ光の照射方向)に沿って
並設する。その場合各マスク2の反射膜6はレーザ光の
光軸方向に対して互いに重ならないように並設してお
く。各マスク2の反射膜6によって反射されたレーザ光
3Aは、それぞれ別個の被加工体1に向い、各マスク2
の反射膜6のパターンにしたがって各被加工体1をレー
ザ加工する。
【0011】最初のマスク2にはレーザ光3が全面に照
射され、そのうち反射膜6に照射されたレーザ光は反射
して最初の被加工体1に向かうが、他のレーザ光はマス
ク2を透過して次のマスク2に向かう。そしてここで反
射膜6に照射されたレーザ光は反射されて次の被加工体
1に向い、他のレーザ光はそのマスクを透過して更に次
のマスクに向かう。以下これを繰り返す。
【0012】この場合各マスク2の反射膜6はレーザ光
の光軸方向に対して互いに重ならないように並設されて
あるので、後方にあるマスクの反射膜は、前方にあるマ
スクの反射膜の陰となることはなく、前方にあるマスク
を透過してきたレーザ光が照射されるようになる。これ
によって最初のマスクに照射されたレーザ光は、後方に
あるマスクに対して有効に利用することができるように
なる。
【0013】図2は加工精度を高めるために、マスク2
と被加工体1との間に、加工パターンどおりに開口され
ている別のマスク8を配置した構成を示す。反射膜6に
よって反射されたレーザ光3Aは、このマスク8の開口
部分を通過して被加工体1に向かう。これによれば反射
してきたレーザ光3Aが拡散するようなことがあって
も、マスク8に規制されてそのパターンどおりの加工が
可能となる。
【0014】また反射膜6のパターンを拡大または縮小
して加工する必要があるときは、図3に示すように、被
加工体1の前方に、拡大または縮小用の光学系9を配置
しておくとよい。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザ光を利用して被加工体をマスクのパターンにしたが
って加工するにあたり、反射膜を加工パターンにしたが
って形成した複数のマスクを並設し、これに順次レーザ
光を照射するようにしたので、レーザ光の利用効率を従
来構成に比較して高めることができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す断面図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図3】本発明の更に他の実施例を示す断面図である。
【図4】本発明で使用するマスクの拡大断面図である。
【図5】従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 被加工体 2 マスク 3 レーザ光 5 基板 6 反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑原 拓哉 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光の透過可能な基板の表面に、レ
    ーザ光を反射する反射膜を、加工パターンどおりに設け
    てマスクを構成し、前記マスクの複数を前記レーザ光の
    光軸方向に対して後方のマスクの反射膜が前方のマスク
    の反射膜に重ならないように並設し、前記各マスクの反
    射膜から反射したレーザ光を、それぞれ別個の被加工体
    に照射してなるレーザ加工装置。
JP50A 1993-02-22 1993-02-22 レーザ加工装置 Pending JPH06238476A (ja)

Priority Applications (1)

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JP50A JPH06238476A (ja) 1993-02-22 1993-02-22 レーザ加工装置

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JP50A JPH06238476A (ja) 1993-02-22 1993-02-22 レーザ加工装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011503885A (ja) * 2007-11-19 2011-01-27 コーヘレント ゲーエムベーハー 均質化された光線を形成するための装置及び方法

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