JPH0623242U - 流体加熱器 - Google Patents

流体加熱器

Info

Publication number
JPH0623242U
JPH0623242U JP6428692U JP6428692U JPH0623242U JP H0623242 U JPH0623242 U JP H0623242U JP 6428692 U JP6428692 U JP 6428692U JP 6428692 U JP6428692 U JP 6428692U JP H0623242 U JPH0623242 U JP H0623242U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pipe
heater
quartz
outer cylinder
fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6428692U
Other languages
English (en)
Inventor
丸 信 介 藤
藤 秀 男 佐
Original Assignee
東京ハイテック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京ハイテック株式会社 filed Critical 東京ハイテック株式会社
Priority to JP6428692U priority Critical patent/JPH0623242U/ja
Publication of JPH0623242U publication Critical patent/JPH0623242U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 熱交換効率が良好で、不純物やパーティクル
の混入を極力抑える。 【構成】 両端が封止されて、内部に抵抗加熱ヒータを
配置した石英のヒータ用パイプ1と、該ヒータ用パイプ
の外周面に長手方向に所定間隔で嵌挿され、かつ円周部
に形成した切欠部が互に逆方向となるように隣接配置さ
れた複数枚の石英のリング盤5と、両端が封止され、か
つ上記リング盤の円周面に当接されるように、上記ヒー
タ用パイプを包む石英の外筒7と、該外筒の両端に連設
されて、該外筒とヒータ用パイプとの間の流体通路に連
通する石英の入口パイプ10及び出口パイプ11とを備
えている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体デバイス等の真空乾燥装置において不活性ガスなどを加熱す るのに用いる流体加熱器に関する。
【0002】 半導体デバイスなどの乾燥には、通常、スピンドライヤーが用いられている。 スピンドライヤーは、半導体デバイスをセットしたカセットをローターに配置し 、ローターを高速に回転することにより半導体デバイスの乾燥が行われる。
【0003】 この装置は、短時間でたくさんのデバイスを乾燥できる点では、有効である。 しかし、カセットをセットしたローターが高速で回転するため半導体デバイスが 静電気を帯びたり、回転軸から発生したパーティクルが、半導体デバイスに付着 することがある。また、半導体デバイスの微細パターンの深い溝に水分が残り、 完全に乾燥しきれないことが、しばしば生ずる。さらに装置が大型化するという 問題があった。
【0004】 この課題を解決するために、本出願人は、既に被乾燥物、例えば半導体デバイ スをクリーンに保ちつつ、微細なパターンまで乾燥可能な真空乾燥装置を提供し た。 この真空乾燥装置は、図4に示す様に、真空容器31、真空エジェクタ32及 び不活性ガス加熱供給手段33等で構成され、真空容器31内に半導体デバイス や液晶基板等の被乾燥物をセットし、加熱した不活性ガスを供給しつつ減圧した り、不活性ガスを供給したまま真空容器31内を大気圧まで戻したり、不活性ガ スの供給を停止して真空にしたりすることで、減圧にして飽和蒸気圧を下げ乾燥 するものである。
【0005】 前記不活性ガス加熱供給手段33は、不活性ガスが流体加熱器34をとうして 加熱され真空容器31に供給されるものである。実際には、真空容器31の上部 に配設されたノズル35より噴出して供給される。 このような半導体デバイスはクリーンな状態で加熱乾燥する必要があり、この ため従来、流体加熱器34としてテフロン樹脂のパイプを利用した熱交換器や金 属製のコイルフィンヒータを用いたものが提案されている。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、上記テフロン樹脂のパイプを用いるものでは、テフロン樹脂の 比熱が低いばかりか、熱交換効率が悪く、しかも耐熱温度も180℃前後と低く 、高温乾燥には不向きであるという問題があり、一方、コイルフィンヒータを用 いるものでは、これの放熱板が金属製のため不純物の混入が回避できず、クリー ンな装置には実用できないなどの問題点があった。
【0007】 本考案は上記のような問題点を解消するためなされたものであり、熱交換効率 が良好で、不純物やパーティクルの混入が極めて少ない流体加熱器を得ることを 目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本考案にかかる流体加熱器は、両端が封止されて、内部に抵抗加熱ヒータを配 置した石英のヒータ用パイプと、該ヒータ用パイプの外周面に長手方向に所定間 隔で嵌挿され、かつ円周部に形成した切欠部が互に逆方向となるように隣接配置 された複数枚の石英のリング盤と、両端が封止され、かつ上記リング盤の円周面 に当接されるように、上記ヒータ用パイプを包む石英の外筒と、該外筒の両端に 連設されて、該外筒とヒータ用パイプとの間の流体通路に連通する石英の入口パ イプ及び出口パイプとを備えたものである。
【0009】
【作用】
本考案におけるヒータ用パイプ、外筒、入口パイプ、出口パイプ及びリング盤 は、すべて石英を素材として形成されているため、ヒータ用パイプ及び外筒間の 流体通路内には不純物の混入や折出がないため、流れる流体もクリーンな状態で 加熱され、真空乾燥器への利用による真空引き時の減圧による凍結発生及び不純 物の付着を防止する。
【0010】
【実施例】
以下、本考案の一実施例を図について説明する。図1において、1は両端が周 知の絶縁材からなる塞板2により封止された石英のヒータ用パイプで、これの内 部には抵抗加熱ヒータ3が設けられ、両端のヒータ導線4は塞板2を貫通して外 部へ導出させている。
【0011】 また、上記ヒータ用パイプ1の外周には、長手方向に向かって等間隔で複数枚 の不透明石英のリング盤5が嵌挿かつ溶接され、これらのリング盤5の互に隣接 するものどうしの円周部には、互に逆方向に切欠部6が形成されている。図2は このリング盤5の形状を示している。
【0012】 さらに、7は両端が石英の塞板8によって封止(溶接)された石英の外筒であ り、これが上記リング盤5の円周面に当接されるように、上記ヒータ用パイプ1 を包囲して、このヒータ用パイプ1との間に流体通路9を形成している。尚、こ のとき、ヒータ用パイプ1は各塞板8を貫通し、この貫通部は溶接によって密封 されている。また、上記切欠部6では各リング盤5と外筒7との間に間隙Gが生 じている。
【0013】 10,11は外筒7の両端部に突設(溶接)された石英の入口パイプ及び出口 パイプであり、これらは上記外筒7内の流体通路9に連通して、例えば不活性ガ スの供給と排出をそれぞれ行うように機能する。12は外筒7内に臨むように塞 板8から機密的に挿入された温度センサであり、これが流体出口における温度を 常時モニタする。この温度センサ7は例えば試験管形の石英管内に熱電対などの センサ素子を封入したものからなる。
【0014】 かかる構成になる流体加熱器では、ヒータ導線4にヒータ電流を流すことによ り、ヒータ用パイプ1内の抵抗加熱ヒータ3はジェール熱を発生する。そして、 この熱はヒータ用パイプ1に嵌挿かつ溶接してある放熱面積の大きいリング盤5 に伝えられる。このとき、リング盤5は不透明の石英からなるので熱の輻射率が 良好となり、伝導熱及び輻射熱により効率的に流体通路9に流れる不活性ガスな どの流体を加熱する。 本例でリング盤5を不透明石英としたのは、透明石英より不透明石英のほうが 熱の輻射率が良く、伝導熱及び輻射熱の両面で効率よく流体を加熱できるからで ある。従って、透明石英であってもよいが、好ましくは、不透明石英が良い。
【0015】 すなわち、入口パイプ10から流体通路9内に導入された流体は、リング盤5 に接触しながら、これの切欠6が作る上下の間隙Gを次々に通過して、上記輻射 熱、伝導熱を受けて加熱され出口パイプ11から流出していく。従って、この出 口パイプ11を通過した流体、例えば不活性ガスを、真空引きによる半導体デバ イス等の乾燥のために真空容器内に供給することができ、合わせて上記水滴の凍 結を防止できる。
【0016】 尚、上記温度センサ12は出口パイプ11付近の流体温度をモニタしており、 抵抗加熱ヒータ3のヒータ温度を制御する用途等に用いられる。
【0017】 また、図3は流体加熱器の本体Aを、2つ割の円筒状容器15,16内に収容 して商品化したものを示し、17は円筒状容器15,16を開閉するための蝶番 、18は止めフック、19は抵抗加熱ヒータ3の電極、20は温度センサ12の 電極である。
【0018】
【考案の効果】
以上のように、本考案によれば両端が封止されて、内部に抵抗加熱ヒータを配 置した石英のヒータ用パイプと、該ヒータ用パイプの外周面に長手方向に向かっ て所定間隔で嵌挿され、かつ円周部に形成した切欠部が互に逆方向となるように 隣接配置された複数枚の石英のリング盤と、両端が封止され、かつ上記リング盤 の円周面に当接されるように、上記ヒータ用パイプを包む石英の外筒と、該外筒 の両端に石英の入口パイプ及び出口パイプをそれぞれ連設して、上記外筒とヒー タパイプとの間の流体通路に連通させるように構成したので、流体加熱に際して 、流体が石英の外筒、ヒータ用パイプ、入口パイプ及び出口パイプとリング盤に 接触するだけであり、従って、不純物やパーティクルの流体への混入を極めて少 なく抑えることができ、しかも極めて熱交換率が高く、耐久性、信頼性のすぐれ た熱交換装置として市場に広く提供できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例による流体加熱器を示す断面
図である。
【図2】図1におけるリング盤の詳細を示す正面図であ
る。
【図3】製品化した流体加熱器を示す斜視図である。
【図4】真空乾燥装置を示す概略説明図である。
【符号の説明】
1 ヒータ用パイプ 3 抵抗加熱ヒータ 5 リング盤 6 切欠 7 外筒 9 流体通路 10 入口パイプ 11 出口パイプ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 両端が封止されて、内部に抵抗加熱ヒー
    タを配置した石英のヒータ用パイプと、該ヒータ用パイ
    プの外周面に長手方向に所定間隔で嵌挿され、かつ円周
    部に形成した切欠部が互に逆方向となるように隣接配置
    された複数枚の石英のリング盤と、両端が封止され、か
    つ上記リング盤の円周面に当接されるように、上記ヒー
    タ用パイプを包む石英の外筒と、該外筒の両端に連設さ
    れて、該外筒とヒータ用パイプとの間の流体通路に連通
    する石英の入口パイプ及び出口パイプとを備えた流体加
    熱器。
JP6428692U 1992-08-21 1992-08-21 流体加熱器 Pending JPH0623242U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6428692U JPH0623242U (ja) 1992-08-21 1992-08-21 流体加熱器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6428692U JPH0623242U (ja) 1992-08-21 1992-08-21 流体加熱器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0623242U true JPH0623242U (ja) 1994-03-25

Family

ID=13253844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6428692U Pending JPH0623242U (ja) 1992-08-21 1992-08-21 流体加熱器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0623242U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012105414A1 (ja) * 2011-02-03 2012-08-09 Jnc株式会社 ガス過熱器および過熱器連結体
JP2013235945A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Philtech Inc 流体加熱冷却シリンダー装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012105414A1 (ja) * 2011-02-03 2012-08-09 Jnc株式会社 ガス過熱器および過熱器連結体
JP2013235945A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Philtech Inc 流体加熱冷却シリンダー装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6359264B1 (en) Thermal cycling module
US4568277A (en) Apparatus for heating objects to and maintaining them at a desired temperature
JPH02263428A (ja) 半導体ウェハ加熱装置
JPH0623242U (ja) 流体加熱器
JP2000334397A (ja) 板状試料の流体処理装置及び板状試料の流体処理方法
US20130058637A1 (en) Gas heater
US20030116180A1 (en) Fluid heating system for processing semiconductor materials
JPS5840A (ja) 熱交換装置
JPS6230329A (ja) ドライエツチング装置
JPS61237430A (ja) 半導体蒸気乾燥洗浄用石英容器
JPH089028B2 (ja) 超純水加熱装置
JPH069503Y2 (ja) 半導体素子製造装置
EP0666972A1 (en) Gas heater for processing gases
JPS60245776A (ja) 薄膜形成装置
JP3468562B2 (ja) 熱処理装置
CN209127356U (zh) 原料存储罐及半导体设备
JP3581989B2 (ja) ヘリウム液化冷凍機用の吸着器
JPH04147612A (ja) 基板加熱装置
JPH05141881A (ja) ジヤケツト構造
JP3253176B2 (ja) クリーンガス加熱装置
JPH0132361Y2 (ja)
SU1333382A1 (ru) Способ дл термостатировани адсорбента и устройство дл его осуществлени
JPH0719139Y2 (ja) 気相成長装置の冷却装置
JPH04338629A (ja) 改質装置
JP2004273565A (ja) 薄膜装置