CN209127356U - 原料存储罐及半导体设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种原料存储罐及半导体设备。原料存储罐包括存储罐本体、加热装置和盒盖；存储罐本体用于容纳制程原料；加热装置位于存储罐本体上，用于加热制程原料以加快制程原料的挥发；盒盖位于存储罐本体上，盒盖上设置有至少一个供气口，挥发的制程原料通过供气口导出存储罐本体。本实用新型的原料存储罐可以极大加快制程原料的挥发速度，并由此改善其在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短后续的制程工艺时间，有助于提高设备产出率，且本实用新型可以有效改善制程原料蒸汽的均匀性，有利于提高光刻图形品质；采用本实用新型的半导体设备，可有效缩短制程工艺时间，可显著提高生产效率及生产良率，降低生产成本。

Description

原料存储罐及半导体设备

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种原料存储罐及半导体设备。

背景技术

光刻工艺是半导体芯片制造过程中非常重要的一道工艺，它是利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到晶圆表面以形成有效图形窗口或功能图形的过程，一般要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。这其中，光刻胶的涂布质量直接影响到光刻图形的质量，只有均匀的涂胶才能确保后续光刻图形的品质。但现有的光刻胶绝大多数是疏水性的，而晶圆表面通常是亲水性的，这造成光刻胶和晶圆的黏合性较差，使得显影时显影液会侵入光刻胶和晶圆的连接处,容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形品质下降甚至图形转移失败。为改善此类问题，增粘剂被大量使用，在涂布腔室内将诸如HMDS(六甲基二硅胺烷)之类的增粘剂经加热生成以硅氧烷为主体的化合物涂到晶圆表面后，可成功地将晶圆表面由亲水性变为疏水性，使得晶圆和光刻胶能很好地黏合，有效提升光刻图形品质。但现有技术中喷涂增粘剂主要使用液体喷涂或借助载气携带增粘剂液体进行喷涂的方式。液体喷涂容易产生涂布不均的问题，而借助载气携带增粘剂液体进行喷涂的方式中，增粘剂的含量很低，使得涂布时间较长(一般单片晶圆单次喷涂时间在一分钟以上)，导致设备产出率下降，生产成本上升。此外，因增粘剂液体在载气中的分布不均匀还容易导致涂布质量下降，影响光刻图形品质。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种原料存储罐及半导体设备，用于解决现有技术中，因采用液体涂布容易产生涂布不均，而载气携带增粘剂液体喷涂的方式中，增粘剂的含量很低，使得涂布时间延长，导致设备产出率下降、生产成本上升，且增粘剂液体在载气中的分布不均匀导致涂布质量下降影响光刻图形品质等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种原料存储罐，包括存储罐本体、加热装置和盒盖；所述存储罐本体用于容纳制程原料；所述加热装置位于所述存储罐本体上，用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发；所述盒盖位于所述存储罐本体上，所述盒盖上设置有供气口，挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。

可选地，所述制程原料包括增粘剂，所述加热装置包括电阻加热器。

可选地，所述加热装置位于所述存储罐本体的外围且环绕包覆所述存储罐本体的侧壁及底部。

可选地，所述存储罐本体和所述加热装置之间具有间隙，所述间隙内填充有导热介质。

可选地，所述盒盖上还设置有至少一个载气口，所述载气口通过载气管路连接至载气源，用于将载气通入至所述存储罐本体内以将挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。

可选地，所述载气口和所述供气口均包括多个，多个所述载气口和多个所述供气口沿所述盒盖的周向均匀间距分布。

可选地，所述原料存储罐还包括保温壳，位于所述加热装置的外围。

可选地，所述原料存储罐还包括温控装置，所述温控装置与所述加热装置相连接，用于控制所述加热装置的导通或断开。

在另一可选方案中，所述原料存储罐还包括气体感应装置和温控装置，所述气体感应装置设置于所述载气管路上，用于感应所述载气管路内的载气流量，所述温控装置与所述气体感应装置相连接，以根据所述气体感应装置感应的载气流量控制所述加热装置的导通或断开。

本实用新型还提供一种半导体设备，所述半导体设备包括如上述任一方案中所述的原料存储罐，以及制程腔室，所述制程腔室与所述原料存储罐的所述供气口通过供应管路相连接。

可选地，所述供应管路上设置有加热装置。

如上所述，本实用新型的原料存储罐及半导体设备，具有以下有益效果：本实用新型的原料存储罐可以极大加快制程原料的挥发速度，并由此改善其在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短后续的制程工艺时间，有助于提高设备产出率，且本实用新型可以有效改善制程原料蒸汽的均匀性，有利于提高光刻图形品质；采用本实用新型的半导体设备，可以有效缩短制程工艺时间，显著提高生产效率和生产良率，降低生产成本。

附图说明

图1显示为本实用新型实施例一的原料存储罐的结构示意图。

图2显示为本实用新型实施例一的原料存储罐的气体感应装置和加热装置的工作模式示意图。

图3显示为本实用新型实施例二的半导体设备的结构示意图。

图4显示为本实用新型实施例三的半导体设备的结构示意图。

元件标号说明

11 存储罐本体

12 加热装置

13 盒盖

131 载气口

132 载气管路

133 压力传感器

135 供气口

136 供应管路

137 阀门

138 排气口

139 排气管路

14 间隙

15 温控装置

16 气体感应装置

17 保温壳

2 制程腔室

21 载台

22 喷涂装置

23 加热灯管

24 质量流量计

25 排气口

3 加热装置

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。

请参阅图1至图4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质技术内容的变更下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。且出于使图面简洁的目的，本说明书的图示中对同样的结构一般不做重复标记。

实施例一

图1示例了本实用新型实施例一的原料存储罐。如图1所示，本实用新型提供一种原料存储罐，包括存储罐本体11、加热装置12和盒盖13；所述存储罐本体11用于容纳制程原料；所述加热装置12位于所述存储罐本体11上，用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发；所述盒盖13位于所述存储罐本体11上，所述盒盖13上设置有供气口135，挥发的所述制程原料通过所述供气口135导出所述存储罐本体11。本实用新型的原料存储罐可以极大加快制程原料的挥发速度，并由此改善其在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短后续的制程工艺时间，有助于提高设备产出率，且本实用新型可以有效改善制程原料蒸汽的均匀性，有利于提高光刻图形品质。采用本实用新型的半导体设备，可有效缩短制程工艺时间，可显著提高生产效率和生产良率，降低生产成本。

作为示例，所述原料存储罐适用于各种制程原料的储存，尤其是光刻工艺中的各种有机溶剂的储存，比如HMDS(六甲基二硅胺烷)之类的增粘剂的储存，现有技术中在室温下采用载气携带增粘剂液体形成的蒸汽浓度较低，使得涂布时间较长(一般单片晶圆单次喷涂时间在一分钟左右)，导致设备产出率下降，生产成本上升，此外，因增粘剂液体在载气中的分布不均匀还容易导致涂布质量下降，影响光刻图形品质，而本实用新型针对上述问题提出了改善对策。采用本实用新型的原料存储罐可以加快增粘剂的挥发，挥发的增粘剂以气态形式存在，可以提高增粘剂在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短喷涂时间，提高设备产出率，同时加热挥发后形成的增粘剂蒸汽流动性更强，因而其浓度分布更加均匀，有助于改善晶圆和光刻胶的黏合性，有效提升光刻图形的品质。当然，除增粘剂外，其他在制程过程中需以蒸汽涂覆的有机溶剂都可以利用本实用新型的原料存储罐进行储存及供给，可以极大改善制程原料的供应品质。所述存储罐本体11的具体形状可以根据需要设置，比如为矩形或柱形，其材质根据需存储的制程原料而定，比如为不锈钢等金属材质，内部通常需做防腐处理。采用金属材质可使所述存储罐本体11具有良好的导热功能，适于对所述存储罐本体11内的制程原料进行间接加热。

作为示例，所述加热装置12优选电阻加热器，所述加热装置12在加热作业时需连接到一电源(未图示)。

所述加热装置12的具体安装形态可根据所述加热装置12的结构不同及/或所述存储罐本体11的结构不同等灵活设置，比如可以位于所述存储罐本体11内或所述存储罐本体11外。本实施例中，作为示例，所述加热装置12位于所述存储罐本体11的外围且环绕包覆所述存储罐本体11的侧壁及底部，即所述加热装置12可以全面覆盖于所述存储罐本体11的侧面和底面，也可以仅分布于所述存储罐本体11的侧面或底面，所述加热装置12可以是加热带，以使所述加热装置12能够良好地包覆在所述存储罐本体11的外围。在进一步的示例中，所述存储罐本体11和所述加热装置12之间具有间隙14，该间隙是所述存储罐本体11和所述加热装置12之间形成的一密闭空间，所述间隙14内填充有导热介质，在所述加热装置12上相应地设置有介质填充口以根据需要填充或排放导热介质。所述导热介质可以是气体，比如水蒸气，也可以是液体，比如导热矿物油，还可以是熔盐，比如由53％硝酸钾，40％亚硝酸钠，7％硝酸钠组成的三元低共熔混合物，所述导热介质还可以有其他选择，重要的是根据需要加热的温度范围选择合适的导热介质。本实施例中，所述制程原料的加热范围介于23-120℃之间，较优的范围是23-100℃之间，因而优选水蒸气作为导热介质，不仅能充分满足导热需求，而且经济安全。在使用导热介质的情况下，可以对所述原料存储罐内的制程原料进行更均匀的加热，有利于进一步提高挥发的制程原料的蒸汽的均匀性。当然，在其他示例中，所述加热装置12也可以与所述存储罐本体11贴置分布或仅分布在所述存储罐本体11的局部，本实施例中不做严格限制。

经所述加热装置12的加热，所述制程原料的挥发速度加快，挥发形成的蒸汽可以直接通过所述供气口135导出所述存储罐本体11以供给至设备使用端。考虑到有些制程原料为大分子有机溶剂，挥发后形成的制程原料的蒸汽的活动性可能不是很足，因而作为示例，本实施例中，所述盒盖13上还设置有至少一个载气口131，所述载气口131通过载气管路132连接至载气源，用于将载气通入至所述存储罐本体11内以将挥发的所述制程原料通过所述供气口135导出所述存储罐本体11，借助载气的助力，挥发的制程原料蒸汽可以更快地供给到所需的设备使用端，以进一步缩短工艺时间，提高设备产出率。由于本实施例中的制程原料已经受热挥发形成气态，因而在由载气和制程原料形成的饱和蒸气压中，制程原料蒸汽的浓度可以维持在较高的水平，故可以极大缩短喷涂所需的制程工艺时间。

作为示例，所述原料存储罐还包括温控装置15，所述温控装置15与所述加热装置12相连接，用于控制所述加热装置12的导通或断开，所述温控装置15可以接收外来指令，比如一电脑(未图示)发出的指令，以根据工艺生产的需要控制所述加热装置12开始加热或停止加热。所述温控装置15通常包含感知温度的传感器和控制开关，根据感知结果控制所述加热装置12的导通或断开，比如，如果感知到所述加热装置12的温度超过120℃时停止继续加热，而在温度低于23℃时则开启所述加热装置12以开始加热，由此可以将所述存储罐本体11的温度维持在所需的范围。当然，具体的温度范围可以根据需要设置，此处只是为了示意所述温控装置15的工作过程而非用于限定其控制温度。

作为示例，所述原料存储罐还包括气体感应装置16，所述气体感应装置16与所述载气管路132相连接，用于感应所述载气管路132内的载气流量，所述温控装置15与所述气体感应装置16相连接，以根据所述气体感应装置16感应的载气流量控制所述加热装置12的导通或断开。所述载气可以是氮气或其他如氩气等惰性气体，只要确保所述载气不会对所述制程原料的蒸汽造成污染或与所述制程原料发生反应且不会在加热状态下出现分解等。本实施例中，所述载气优选氮气，因而所述气体感应装置16优选氮气传感器，通过提前对所述氮气传感器进行设定，比如可以设定为当氮气传感器感应到氮气的流量大于第一预设阈值(本实施例示例为大于工艺标准流量的1/10，但实际的第一预设阈值并不以此为限)时，即当氮气传感器感应到氮气流量有明显增加时，所述温控装置15接收到信号开始导通所述加热装置12以对所述存储罐本体11进行加热；当氮气传感器感应到氮气的流量由设定值下降至第二预设阈值时(本实施例示例为小于标准流量的9/10，但实际的第二预设阈值并不以此为限)，即当氮气传感器感应到氮气流量有明显减少时，所述温控装置15接收到信号开始断开所述加热装置12的加热以停止对所述存储罐本体11进行加热，该过程如图2所示，即所述加热装置12的启动晚于氮气的初始供应时间点，其关闭也同样晚于氮气的停止供应时间点，以避免在氮气量不足的情况下对所述制程原料加热导致制程原料无法及时导出去。当然，所述温控装置15和所述气体感应装置16的工作模式还可以有其他选择，比如在其他示例中可以设置与所述载气管路132上的阀门137相连接的延时器，然后将所述延时器与所述温控装置15相连接，以在所述阀门137开启载气供应的一段时间后，所述温控装置15导通所述加热装置12以对所述存储罐本体11进行加热；而当所述阀门137关闭，停止载气的供应时，所述温控装置15再经所述延时器的延时断开所述加热装置12的加热以停止对所述存储罐本体11进行加热，本实施例中不做严格限制。

作为示例，所述原料存储罐还包括保温壳17，位于所述加热装置12的外围。所述保温壳17的材料可以根据所述加热装置12的加热范围而定，比如选择玻璃纤维材质的保温壳，所述保温壳17不仅能对所述原料存储罐进行保温，以减少热量损失，降低能源消耗，同时能对所述加热装置12形成良好的保护，且提高所述原料存储罐的安全性。

作为示例，所述载气口131和所述供气口135均包括多个，多个所述载气口131和多个所述供气口135沿所述盒盖13的周向分布，分布间距可以是均匀间距分布，也可以随机分布或根据实际需要按照比例分布，均匀间隔分布的设置有助于使所述原料存储罐内的压力保持平衡，同时可以使挥发形成的制程原料的蒸汽中的有效成分更加均匀，有利于提高工艺生产良率。所述载气口131和所述供气口135的数量可以相同，比如都为3个，4个，5个或更多个，也可以不同。本实施例中，作为示例，所述载气口131的数量和所述供气口135的数量相同，在进一步的示例中所述供气口135的数量和所述载气口131的数量均为4个，且所述载气口131和所述供气口135优选一一对应相邻设置。当然，在其他示例中，可以是每两个所述供气口135相邻设置，每两个所述载气口131相邻设置，所述供气口135和所述载气口131间隔分布，相邻的两个所述供气口135可以连接至同一供应管路136，相邻的两个所述载气口131可以连接至同一载气管路132，这样可以减少管路的数量，有利于整个结构的优化和简化，当然，所有的所述载气口131最终可通过载气管路132连接至同一载气源，所有的所述供气口135最终可通过同一供应管路136连通至同一设备使用端，本实施例中不做严格限制。

作为示例，所述盒盖13上还设置有排气口138，所述排气口138通过排气管路139连接至排气装置(未图示)，以在需要时对所述原料存储罐内进行排气或原料排放。且为实时掌握所述存储罐本体11内的压强情况，所述盒盖13上还设置有压力传感器133。本实施例中未提及的其他结构均与现有技术中的结构相同，出于简洁的目的不再做展开说明。

本实用新型的原料存储罐可以极大加快制程原料的挥发速度，并由此改善其在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短后续的制程工艺时间，有助于提高设备产出率，且本实用新型可以有效改善制程原料蒸汽的均匀性，有利于提高光刻图形品质。

实施例二

图3示意了本实用新型实施例二的半导体设备。如图3所示，本实用新型还提供一种半导体设备，所述半导体设备包括如实施例一中所述的原料存储罐，以及制程腔室2，所述制程腔室2与所述原料存储罐的所述供气口135通过供应管路136相连接。所述制程腔室2与所述原料存储罐中储存的制程原料相匹配，比如，如果所述制程原料是增粘剂，则所述制程腔室2就是增粘剂涂布腔室。作为示例，所述制程腔室2内设置有载台21和喷涂装置22，所述载台21用于承载晶圆，且所述载台21可以连接至一旋转装置(未图示)，所述喷涂装置22可位于所述载台21的上方且所述喷涂装置22与所述供应管路136相连接，以将来自所述原料存储罐的制程原料蒸汽涂布到位于所述载台21上的晶圆表面。在喷涂过程中，所述载台21可以带动晶圆旋转，以使涂布更加均匀。且在需要的时候，所述载气管路132可以连接至载气源，通过所述载气口131将载气导入所述存储罐本体11内，以在载气的助力下，将挥发的所述制程原料蒸汽通过所述供应管路136输送到所述制程腔室2内。所述喷涂装置22可以是单个喷嘴，也可以由多个独立的喷嘴构成，还可以是诸如蜂巢式结构的气体分流盘，本实施例中不做具体限制。于所述制程腔室2内还可以设置加热灯管23，比如在所述载台21的上部及/或下部安装加热灯管23之类的加热元件，用于在涂布前对晶圆进行预热及/或在喷涂过程中对晶圆进行加热，以使增粘剂涂布更加均匀，或在喷涂后对晶圆进行加热以进一步改善增粘剂和晶圆之间的粘合效果。

本实施例中，作为示例，所述供应管路136上设置有加热装置3，所述加热装置3可以位于所述供应管路136的局部或完全包覆所述供应管路136，且位于所述供应管路136上的所述加热装置3同样可以是电阻加热器，本实施例中不做严格限制。通过在所述供应管路136上设置所述加热装置3，可以避免制程原料蒸汽在供应过程中重新液化导致供应量下降，同时也可以避免制程原料蒸汽凝结在所述供应管路136的内壁上造成所述供应管路136的堵塞及污染。在所述供应管路136上设置有所述加热装置3的情况下，即便所述原料存储罐和所述制程腔室2相隔较远也无妨，换而言之，可以将所述原料存储罐设置在远离所述制程腔室2的地方，比如，将所述原料存储罐放置在无尘室外的化学房以进行统一管理。在所述供应管路136上设置有所述加热装置3的情况下，同样可以设置温控装置(此处未图示)，以根据需要控制所述加热装置3的加热作业。在靠近所述制程腔室2的所述供应管路136上还可以设置质量流量计24，以对供应至所述制程腔室2内的制程原料蒸汽量进行计量，从而在检测到供应量不足时能够及时作出改善对策。在所述制程腔室2的底部通常还设置有排气口25，在连接所述排气口25的管路上还设置有阀门，以及时将所述制程腔室2内的废气进行排放。本实施例中未提及的其他结构均与现有技术中的结构相同，出于简洁的目的不做展开说明。

本实施例中的半导体设备，各个供气口连接至各自独立的供应管路，以将挥发形成的制程原料蒸汽输送到制程腔室内，各个供应管路之间互不干扰，因而即便其中一条供应管路发生堵塞或其他故障的情况下，也不会对所述半导体设备的正常工作造成太大干扰，有利于提高所述半导体设备的稳定性。

实施例三

图4示意了本实用新型实施例三的半导体设备。如图4所示，本实用新型还提供另外一种结构的半导体设备，本实施例的半导体设备与实施例二的半导体设备最主要的区别在：实施例二中的半导体设备，其每一个所述供气口135通过独立的所述供应管路136连接至所述制程腔室2，相应地在每一条所述供应管路136上可对应设置加热装置3和质量流量计24；而本申请中，所述原料存储罐的多个所述供气口135最终连接至同一供应管路136，该供应管路136将制程原料蒸汽输送至所述制程腔室2内，这样的设置有利于整个装置结构的简化。当然，在仅有单条供应管路136的情况下，该供应管路136的尺寸最好比实施例二中的供应管路136尺寸大一些。除此之外，本实施例的半导体设备的其他结构均与实施例二中的半导体设备的结构相同，具体请参考实施例二，出于简洁的目的不再展开。

经实践表明，采用本实用新型的半导体设备，包括实施例二和实施例三中的半导体设备进行增粘剂的涂布，单片晶圆的单次喷涂时间至少可以缩短到30秒以下，且喷涂均匀性极大提高，由此可以有效缩短制程工艺时间，显著提高生产效率，提高生产良率，降低生产成本。

综上所述，本实用新型提供一种原料存储罐及半导体设备。原料存储罐包括存储罐本体、加热装置和盒盖；所述存储罐本体用于容纳制程原料；所述加热装置位于所述存储罐本体上，用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发；所述盒盖位于所述存储罐本体上，所述盒盖上设置有至少一个供气口，挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。本实用新型的原料存储罐可以极大加快制程原料的挥发速度，并由此改善制程原料蒸汽在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短后续的制程工艺时间，有助于提高设备产出率，且本实用新型可以有效改善制程原料蒸汽的均匀性，有利于提高光刻图形品质；采用本实用新型的半导体设备，可有效缩短制程工艺时间，可显著提高生产效率和生产良率，降低生产成本。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (11)

1.一种原料存储罐，其特征在于，包括：

存储罐本体，用于容纳制程原料；

加热装置，位于所述存储罐本体上，用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发；

盒盖，位于所述存储罐本体上，所述盒盖上设置有至少一个供气口，挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。

2.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述制程原料包括增粘剂，所述加热装置包括电阻加热器。

3.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述加热装置位于所述存储罐本体的外围且环绕包覆所述存储罐本体的侧壁及底部。

4.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述存储罐本体和所述加热装置之间具有间隙，所述间隙内填充有导热介质。

5.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述原料存储罐还包括保温壳，位于所述加热装置的外围。

6.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述盒盖上还设置有至少一个载气口，所述载气口通过载气管路连接至载气源，用于将载气通入至所述存储罐本体内以将挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。

7.根据权利要求6所述的原料存储罐，其特征在于：所述载气口和所述供气口均包括多个，多个所述载气口和多个所述供气口沿所述盒盖的周向均匀间距分布。

8.根据权利要求1至7任一项所述的原料存储罐，其特征在于：所述原料存储罐还包括温控装置，所述温控装置与所述加热装置相连接，用于控制所述加热装置的导通或断开。

9.根据权利要求6所述的原料存储罐，其特征在于：所述原料存储罐还包括气体感应装置和温控装置，所述气体感应装置设置于所述载气管路上，用于感应所述载气管路内的载气流量，所述温控装置与所述气体感应装置相连接，以根据所述气体感应装置感应的载气流量控制所述加热装置的导通或断开。

10.一种半导体设备，其特征在于：

如权利要求1至9任一项所述的原料存储罐；

制程腔室，与所述原料存储罐的所述供气口通过供应管路相连接。

11.根据权利要求10所述的半导体设备，其特征在于：所述供应管路上设置有加热装置。