JPH06232112A - シリコンの微細加工方法 - Google Patents
シリコンの微細加工方法Info
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- JPH06232112A JPH06232112A JP2010893A JP2010893A JPH06232112A JP H06232112 A JPH06232112 A JP H06232112A JP 2010893 A JP2010893 A JP 2010893A JP 2010893 A JP2010893 A JP 2010893A JP H06232112 A JPH06232112 A JP H06232112A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウエハの結晶軸方向と、マスクパタ
ーンとの角度合わせに精度を要せず、かつ異方性エッチ
ングによる加工精度を向上させる。 【構成】 ｛１００｝面Ｓｉウエハ１の｛１００｝面４
に、円形開口部１３を有する耐エッチング保護膜（マス
クパターン）２を形成して、異方性エッチングを行い、
四角錘状の孔７を形成する。孔７の上端の対向する２辺
は＜１１０＞結晶軸方向５と平行で、他の２辺は結晶軸
方向５と直角で、各辺の長さは開口部１３の直径ａに等
しくなる。孔７は傾斜した｛１１１｝面６で囲まれてい
る。｛１１０｝面Ｓｉウエハを用いた場合には、対向す
る２辺の間隔ａをもつ菱形の孔が｛１１０｝面と垂直に
形成される（図示せず）。いずれの場合も結晶軸方向と
マスクパターンにずれがあっても、孔７の前記寸法ａは
一定で、マスクパターンの円形開口部１３の直径ａに等
しい。
ーンとの角度合わせに精度を要せず、かつ異方性エッチ
ングによる加工精度を向上させる。 【構成】 ｛１００｝面Ｓｉウエハ１の｛１００｝面４
に、円形開口部１３を有する耐エッチング保護膜（マス
クパターン）２を形成して、異方性エッチングを行い、
四角錘状の孔７を形成する。孔７の上端の対向する２辺
は＜１１０＞結晶軸方向５と平行で、他の２辺は結晶軸
方向５と直角で、各辺の長さは開口部１３の直径ａに等
しくなる。孔７は傾斜した｛１１１｝面６で囲まれてい
る。｛１１０｝面Ｓｉウエハを用いた場合には、対向す
る２辺の間隔ａをもつ菱形の孔が｛１１０｝面と垂直に
形成される（図示せず）。いずれの場合も結晶軸方向と
マスクパターンにずれがあっても、孔７の前記寸法ａは
一定で、マスクパターンの円形開口部１３の直径ａに等
しい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンの異方性エッチ
ングによる微細加工技術に関するものである。
ングによる微細加工技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のシリコン異方性エッチングによる
微細加工方法を、多数の先球加工された光ファイバ（先
球光ファイバと言う）の各ファイバ先端の位置合せに使
用する位置決め治具を作製する場合を例にして説明す
る。図４は｛１００｝面シリコンウエハ１上に形成した
ＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 などの耐エッチング用保護膜２
に一辺の長さがａの正方形開口部３を設け、異方性エッ
チングを実施した場合の図である。
微細加工方法を、多数の先球加工された光ファイバ（先
球光ファイバと言う）の各ファイバ先端の位置合せに使
用する位置決め治具を作製する場合を例にして説明す
る。図４は｛１００｝面シリコンウエハ１上に形成した
ＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 などの耐エッチング用保護膜２
に一辺の長さがａの正方形開口部３を設け、異方性エッ
チングを実施した場合の図である。
【０００３】シリコンは特定の結晶方位によってエッチ
ング速度が異なる。つまり、異方性をもっている。シリ
コンは｛１００｝面で最もエッチングが速く進み、｛１
１１｝面でのエッチング速度が遅い。このエッチング速
度比（｛１００｝：｛１１１｝＝１００：１）を利用し
て様々な構造物を作製することができる。｛１００｝面
シリコンウエハ１を使用し、＜１１０＞結晶軸方向５と
耐エッチング用保護膜２に形成した正方形開口部３の一
辺の方向を一致させ、異方性エッチングを実施すると、
正方形開口部３はウエハ厚さ方向でエッチングが速く進
む。また、側面は保護膜２に形成した正方形開口部３の
各辺より、｛１００｝面４から５４．７°傾いた｛１１
１｝面６が現れる。この｛１１１｝面６のエッチング速
度は｛１００｝面４のエッチング速度と比較して１／１
００と非常に遅いので、図４Ｂに示すような四角錘状の
孔７を開けることができる。
ング速度が異なる。つまり、異方性をもっている。シリ
コンは｛１００｝面で最もエッチングが速く進み、｛１
１１｝面でのエッチング速度が遅い。このエッチング速
度比（｛１００｝：｛１１１｝＝１００：１）を利用し
て様々な構造物を作製することができる。｛１００｝面
シリコンウエハ１を使用し、＜１１０＞結晶軸方向５と
耐エッチング用保護膜２に形成した正方形開口部３の一
辺の方向を一致させ、異方性エッチングを実施すると、
正方形開口部３はウエハ厚さ方向でエッチングが速く進
む。また、側面は保護膜２に形成した正方形開口部３の
各辺より、｛１００｝面４から５４．７°傾いた｛１１
１｝面６が現れる。この｛１１１｝面６のエッチング速
度は｛１００｝面４のエッチング速度と比較して１／１
００と非常に遅いので、図４Ｂに示すような四角錘状の
孔７を開けることができる。
【０００４】しかし、図４Ｃに示すように＜１１０＞結
晶軸方向５と正方形開口部３の一辺との角度合わせ精度
が不正確なままエッチングを実施した場合、エッチング
加工した四角錘状の孔７の側面である｛１１１｝面６は
平坦な面にならず、｛１１１｝面が階段状に現れ、孔側
面が粗れる。その結果、孔７の上端開口の寸法は、正方
形開口部３の一辺ａよりもａ′だけ広がり、孔７の底部
の寸法はｂよりもｂ′だけ広がってしまう。
晶軸方向５と正方形開口部３の一辺との角度合わせ精度
が不正確なままエッチングを実施した場合、エッチング
加工した四角錘状の孔７の側面である｛１１１｝面６は
平坦な面にならず、｛１１１｝面が階段状に現れ、孔側
面が粗れる。その結果、孔７の上端開口の寸法は、正方
形開口部３の一辺ａよりもａ′だけ広がり、孔７の底部
の寸法はｂよりもｂ′だけ広がってしまう。
【０００５】また、図５に示すように｛１１０｝面シリ
コンウエハの場合、ウエハ８上に形成した耐エッチング
用保護膜２に菱形開口部９を設けることにより、異方性
エッチングが可能となる。菱形開口部９の長い方の対角
線Ｌａを＜００１＞結晶軸方向１０に選ぶと（短い方の
対角線Ｌｂは＜１１０＞結晶軸方向に一致する）、｛１
１１｝面６で囲まれ、水平断面が菱形の孔７が得られ
る。このとき｛１１０｝面１２に対し垂直に｛１１１｝
面６が現れる。
コンウエハの場合、ウエハ８上に形成した耐エッチング
用保護膜２に菱形開口部９を設けることにより、異方性
エッチングが可能となる。菱形開口部９の長い方の対角
線Ｌａを＜００１＞結晶軸方向１０に選ぶと（短い方の
対角線Ｌｂは＜１１０＞結晶軸方向に一致する）、｛１
１１｝面６で囲まれ、水平断面が菱形の孔７が得られ
る。このとき｛１１０｝面１２に対し垂直に｛１１１｝
面６が現れる。
【０００６】図５Ｃに示すように、｛１１０｝面シリコ
ンウエハの場合、菱形開口部９の長い長い方の対角線Ｌ
ａの方向が＜００１＞結晶軸方向１０よりずれている
と、孔７を囲む｛１１１｝面６が粗れ、開口寸法が広が
ってしまう。図５Ｃでは孔７の一辺の長さｃがｃ′だ
け、また菱形（平行四辺形）の高さａがａ′だけ広がっ
ている。
ンウエハの場合、菱形開口部９の長い長い方の対角線Ｌ
ａの方向が＜００１＞結晶軸方向１０よりずれている
と、孔７を囲む｛１１１｝面６が粗れ、開口寸法が広が
ってしまう。図５Ｃでは孔７の一辺の長さｃがｃ′だ
け、また菱形（平行四辺形）の高さａがａ′だけ広がっ
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】｛１００｝面シリコン
ウエハ１を使用した場合、＜１１０＞結晶軸方向５と正
方形開口部３の一辺との角度合わせ精度が直接加工精度
に影響する。｛１１０｝面シリコンウエハ８を使用した
場合は＜００１＞結晶軸方向１０と菱形開口部９の長い
方の対角線Ｌａとの角度合わせ精度が直接加工精度に影
響する。いずれの場合もエッチングによって形成した孔
７の側面である｛１１１｝面６は平坦な面にならずに階
段状に現れ、粗れてしまう。その結果各ウエハ間で孔７
の寸法にばらつきが生ずる欠点がある。
ウエハ１を使用した場合、＜１１０＞結晶軸方向５と正
方形開口部３の一辺との角度合わせ精度が直接加工精度
に影響する。｛１１０｝面シリコンウエハ８を使用した
場合は＜００１＞結晶軸方向１０と菱形開口部９の長い
方の対角線Ｌａとの角度合わせ精度が直接加工精度に影
響する。いずれの場合もエッチングによって形成した孔
７の側面である｛１１１｝面６は平坦な面にならずに階
段状に現れ、粗れてしまう。その結果各ウエハ間で孔７
の寸法にばらつきが生ずる欠点がある。
【０００８】このようなウエハを先球光ファイバの位置
決め治具に用いると、治具によって、光ファイバの先端
の位置にバラツキが生ずる結果となる。本発明はＳｉウ
エハの結晶軸方向と、ウエハ上に形成した保護膜の開口
部の一辺又は対角線の方向との角度合わせ精度、つまり
マスクパターンとの角度合わせ精度が不要で、従来の方
法に比べて異方性エッチングによる加工精度が向上する
加工方法を提供することにある。
決め治具に用いると、治具によって、光ファイバの先端
の位置にバラツキが生ずる結果となる。本発明はＳｉウ
エハの結晶軸方向と、ウエハ上に形成した保護膜の開口
部の一辺又は対角線の方向との角度合わせ精度、つまり
マスクパターンとの角度合わせ精度が不要で、従来の方
法に比べて異方性エッチングによる加工精度が向上する
加工方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】（１）請求項１の発明
は、｛１００｝面シリコンウエハの｛１００｝面に、円
形開口部を有する耐エッチング保護膜を形成して、異方
性エッチングを行い、前記｛１００｝面に四角錘状の孔
を形成するものである。 （２）請求項２の発明は、｛１１０｝面シリコンウエハ
の｛１１０｝面に、円形開口部を有する耐エッチング保
護膜を形成して、異方性エッチングを行い、前記｛１１
０｝面に菱形状の孔を形成するものである。
は、｛１００｝面シリコンウエハの｛１００｝面に、円
形開口部を有する耐エッチング保護膜を形成して、異方
性エッチングを行い、前記｛１００｝面に四角錘状の孔
を形成するものである。 （２）請求項２の発明は、｛１１０｝面シリコンウエハ
の｛１１０｝面に、円形開口部を有する耐エッチング保
護膜を形成して、異方性エッチングを行い、前記｛１１
０｝面に菱形状の孔を形成するものである。
【００１０】（３）請求項３の発明は、前記（１）又は
（２）項に記載のシリコンの微細加工方法において、前
記孔が前記シリコンウエハを厚味方向に貫通形成されて
いるようにしたものである。
（２）項に記載のシリコンの微細加工方法において、前
記孔が前記シリコンウエハを厚味方向に貫通形成されて
いるようにしたものである。
【００１１】
【実施例】この発明を図１〜図３に示す実施例に基づい
て説明する。これらの図には図４、図５と対応する部分
に同じ符号を付してある。本発明ではシリコンウエハ上
に形成した耐エッチング用保護膜２に円形状開口部１３
を設ける。図２に示すように円形開口部１３から孔７の
側面に｛１１１｝面６が現れ、四角錘状の孔７が得られ
る。前述したようにシリコンは｛１００｝面４でエッチ
ングが最も速く進行し、｛１１１｝面６でエッチングが
最も遅くなる。このエッチング速度の相違により四角錘
状の孔７が得られる。耐エッチング用保護膜２に円形開
口部１３を設けた場合でも従来の正方形開口部３を設け
てエッチング加工した場合（図４Ｂ）と同様の孔とな
る。
て説明する。これらの図には図４、図５と対応する部分
に同じ符号を付してある。本発明ではシリコンウエハ上
に形成した耐エッチング用保護膜２に円形状開口部１３
を設ける。図２に示すように円形開口部１３から孔７の
側面に｛１１１｝面６が現れ、四角錘状の孔７が得られ
る。前述したようにシリコンは｛１００｝面４でエッチ
ングが最も速く進行し、｛１１１｝面６でエッチングが
最も遅くなる。このエッチング速度の相違により四角錘
状の孔７が得られる。耐エッチング用保護膜２に円形開
口部１３を設けた場合でも従来の正方形開口部３を設け
てエッチング加工した場合（図４Ｂ）と同様の孔とな
る。
【００１２】円形開口部１３を設けてエッチング加工し
た場合、＜１１０＞結晶軸方向５と保護膜２にマトリッ
クス状に配列形成した多数の円形開口部配列の行方向１
４との角度合わせ精度、つまりマスクパターン２との角
度合わせ精度とは無関係に孔７の側面である｛１１１｝
面６が平坦に現れる。図２Ｃに示すように例えば＜１１
０＞結晶軸方向５と円形開口部配列の行方向１４との角
度合わせ精度が不正確な場合でも、開口部が円形である
ので、孔側面である｛１１１｝面６は平坦な面となる。
従来の正方形開口部３の場合と異なり、エッチング加工
後の孔７の上端の寸法ａと下端の寸法ｂとはともに広が
り量をもたない。
た場合、＜１１０＞結晶軸方向５と保護膜２にマトリッ
クス状に配列形成した多数の円形開口部配列の行方向１
４との角度合わせ精度、つまりマスクパターン２との角
度合わせ精度とは無関係に孔７の側面である｛１１１｝
面６が平坦に現れる。図２Ｃに示すように例えば＜１１
０＞結晶軸方向５と円形開口部配列の行方向１４との角
度合わせ精度が不正確な場合でも、開口部が円形である
ので、孔側面である｛１１１｝面６は平坦な面となる。
従来の正方形開口部３の場合と異なり、エッチング加工
後の孔７の上端の寸法ａと下端の寸法ｂとはともに広が
り量をもたない。
【００１３】図２Ｃにおいて、孔７の対向する２辺は＜
１１０＞結晶軸方向５と平行に形成されるため、四角錘
状の孔７は行方向１４に対して斜めに傾くが、前記寸法
ａ、ｂがウエハによらず一定にできるので、先球光ファ
イバの位置決め治具に用いた場合に、治具によらず光フ
ァイバの先端の位置を一定にそろえられる。このように
円形開口部１３を設けることにより、従来の方法に比
べ、加工精度が向上し、さらに＜１１０＞結晶軸方向５
と、マトリックス状に配列された円形開口部１３配列の
行方向１４との角度合わせ精度、つまりマスクパターン
との角度合わせ精度が不要となる。
１１０＞結晶軸方向５と平行に形成されるため、四角錘
状の孔７は行方向１４に対して斜めに傾くが、前記寸法
ａ、ｂがウエハによらず一定にできるので、先球光ファ
イバの位置決め治具に用いた場合に、治具によらず光フ
ァイバの先端の位置を一定にそろえられる。このように
円形開口部１３を設けることにより、従来の方法に比
べ、加工精度が向上し、さらに＜１１０＞結晶軸方向５
と、マトリックス状に配列された円形開口部１３配列の
行方向１４との角度合わせ精度、つまりマスクパターン
との角度合わせ精度が不要となる。
【００１４】また、図３に示すように｛１１０｝面シリ
コンウエハ８を使用した場合も上述と同様に、耐エッチ
ング用保護膜２に円形開口部１３を設けることにより、
＜００１＞結晶軸方向１０と円形開口部１３配列の行方
向１４との角度合わせ精度、つまりマスクパターンとの
角度合わせ精度と無関係に高精度な異方性エッチング加
工が実施できる。
コンウエハ８を使用した場合も上述と同様に、耐エッチ
ング用保護膜２に円形開口部１３を設けることにより、
＜００１＞結晶軸方向１０と円形開口部１３配列の行方
向１４との角度合わせ精度、つまりマスクパターンとの
角度合わせ精度と無関係に高精度な異方性エッチング加
工が実施できる。
【００１５】この発明の実施例を製造工程順に説明す
る。 （１）ＳｉＯ2 （またはＳｉ3 Ｎ4 ）より成る耐エッチ
ング用保護膜２を｛１００｝面Ｓｉウエハ１の両面に付
ける（図１Ａ）。 （２）次に沸化水素を用いたエッチング処理により上面
の保護膜２に円形開口部１３を形成する（図１Ｂ）。
る。 （１）ＳｉＯ2 （またはＳｉ3 Ｎ4 ）より成る耐エッチ
ング用保護膜２を｛１００｝面Ｓｉウエハ１の両面に付
ける（図１Ａ）。 （２）次に沸化水素を用いたエッチング処理により上面
の保護膜２に円形開口部１３を形成する（図１Ｂ）。
【００１６】（３）異方性エッチングを行ない、四角錘
状の孔７を形成する（図１Ｃ）。 （４）両面の耐エッチング保護膜２を沸化水素溶液につ
けて除去する（図１Ｄ）。 円形開口部１３を用いて開けた孔７の寸法精度はシリコ
ンウエハ１の結晶軸方向５とマスクパターン２′との角
度合わせ精度に影響されず、円形開口部１３の直径寸法
ａの精度によってのみ、加工精度が決まる。したがって
シリコンの結晶軸方向５とマスクパターン２′との角度
合わせ精度が不要で高精度の異方性エッチング加工が可
能となる。
状の孔７を形成する（図１Ｃ）。 （４）両面の耐エッチング保護膜２を沸化水素溶液につ
けて除去する（図１Ｄ）。 円形開口部１３を用いて開けた孔７の寸法精度はシリコ
ンウエハ１の結晶軸方向５とマスクパターン２′との角
度合わせ精度に影響されず、円形開口部１３の直径寸法
ａの精度によってのみ、加工精度が決まる。したがって
シリコンの結晶軸方向５とマスクパターン２′との角度
合わせ精度が不要で高精度の異方性エッチング加工が可
能となる。
【００１７】｛１１０｝面Ｓｉウエハ８を用い、保護膜
２に円形開口部１３を設けて異方性エッチング処理して
菱形の孔７を形成する場合も前述の｛１００｝面シリコ
ンウエハ１を用いる場合と同様であるので説明を省略す
る。これ迄の説明ではシリコンウエハに孔７を厚さ方向
に貫通させているが、この発明はこの場合に限らず、任
意の深さに孔を形成する場合にも適用できる。
２に円形開口部１３を設けて異方性エッチング処理して
菱形の孔７を形成する場合も前述の｛１００｝面シリコ
ンウエハ１を用いる場合と同様であるので説明を省略す
る。これ迄の説明ではシリコンウエハに孔７を厚さ方向
に貫通させているが、この発明はこの場合に限らず、任
意の深さに孔を形成する場合にも適用できる。
【００１８】
【発明の効果】シリコンウエハに形成した耐エッチング
用保護膜２に円形開口部１３を設けることにより、開け
られた孔の寸法がウエハの結晶軸方向とマスクパターン
との角度合わせ精度に影響されることが無くなり、高精
度の異方性エッチング加工が実施できる。
用保護膜２に円形開口部１３を設けることにより、開け
られた孔の寸法がウエハの結晶軸方向とマスクパターン
との角度合わせ精度に影響されることが無くなり、高精
度の異方性エッチング加工が実施できる。
【図１】｛１００｝面Ｓｉウエハを用いたこの発明の実
施例を作業工程順に説明した平面及び断面図。
施例を作業工程順に説明した平面及び断面図。
【図２】この請求項１の発明を適用して、先球光ファイ
バ用の位置決め治具を作製する実施例を示す図で、Ａは
上面に円形開口部１３を有するマスクパターンを形成し
た｛１００｝面Ｓｉウエハの平面図、ＢはＡのウエハを
異方性エッチング処理して四角錘状の孔７を形成した場
合の平面図及び断面図、ＣはＢにおいて＜１１０＞結晶
軸方向５とマスクパターン（円形開口部１３配列の行方
向１４）とがずれた場合のシリコンウエハの平面図及び
断面図。
バ用の位置決め治具を作製する実施例を示す図で、Ａは
上面に円形開口部１３を有するマスクパターンを形成し
た｛１００｝面Ｓｉウエハの平面図、ＢはＡのウエハを
異方性エッチング処理して四角錘状の孔７を形成した場
合の平面図及び断面図、ＣはＢにおいて＜１１０＞結晶
軸方向５とマスクパターン（円形開口部１３配列の行方
向１４）とがずれた場合のシリコンウエハの平面図及び
断面図。
【図３】請求項２の発明を適用して、先球光ファイバ用
の位置決め治具を作製する他の実施例を示す図で、Ａは
菱形の孔７を形成した｛１１０｝面シリコンウエハの平
面図、ＢはＡのＦ−Ｆ断面図、ＣはＡのＨ−Ｈ断面図。
の位置決め治具を作製する他の実施例を示す図で、Ａは
菱形の孔７を形成した｛１１０｝面シリコンウエハの平
面図、ＢはＡのＦ−Ｆ断面図、ＣはＡのＨ−Ｈ断面図。
【図４】Ａは上面に正方形開口部３を有するマスクパタ
ーン２を形成した従来の｛１００｝面Ｓｉウエハの平面
図、ＢはＡのウエハを異方性エッチング処理して四角錘
状の孔７を形成した場合の平面図及び断面図、ＣはＢに
おいて＜１１０＞結晶軸方向５とマスクパターン（円形
開口部１３配列の行方向１４）とがずれた場合のシリコ
ンウエハの平面図及びＦ−Ｆ断面図。
ーン２を形成した従来の｛１００｝面Ｓｉウエハの平面
図、ＢはＡのウエハを異方性エッチング処理して四角錘
状の孔７を形成した場合の平面図及び断面図、ＣはＢに
おいて＜１１０＞結晶軸方向５とマスクパターン（円形
開口部１３配列の行方向１４）とがずれた場合のシリコ
ンウエハの平面図及びＦ−Ｆ断面図。
【図５】Ａは上面に菱形開口部９を有するマスクパター
ンを形成した従来の｛１１０｝面Ｓｉウエハの平面図、
ＢはＡのウエハを異方性エッチング処理して菱形の孔７
を形成した場合の平面図及びＦ−Ｆ断面図、ＣはＢにお
いて＜００１＞結晶軸方向１０とマスクパターン（菱形
開口部９の対角線Ｌａの方向）とがずれた場合のシリコ
ンウエハの平面図及びＦ−Ｆ断面図。
ンを形成した従来の｛１１０｝面Ｓｉウエハの平面図、
ＢはＡのウエハを異方性エッチング処理して菱形の孔７
を形成した場合の平面図及びＦ−Ｆ断面図、ＣはＢにお
いて＜００１＞結晶軸方向１０とマスクパターン（菱形
開口部９の対角線Ｌａの方向）とがずれた場合のシリコ
ンウエハの平面図及びＦ−Ｆ断面図。
Claims (3)
- 【請求項１】 ｛１００｝面シリコンウエハの｛１０
０｝面に、円形開口部を有するマスクパターンを形成し
て、異方性エッチングを行い、前記｛１００｝面に四角
錘状の孔を形成することを特徴とするシリコンの微細加
工方法。 - 【請求項２】 ｛１１０｝面シリコンウエハの｛１１
０｝面に、円形開口部を有するマスクパターンを形成し
て、異方性エッチングを行い、前記｛１１０｝面に菱形
状の孔を形成することを特徴とするシリコンの微細加工
方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のシリコンの微細
加工方法において、前記孔が前記シリコンウエハを厚味
方向に貫通形成されていることを特徴とする。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010893A JPH06232112A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | シリコンの微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010893A JPH06232112A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | シリコンの微細加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232112A true JPH06232112A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12017929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010893A Pending JPH06232112A (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | シリコンの微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232112A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933193B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-08-23 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a capacitor |
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1993
- 1993-02-08 JP JP2010893A patent/JPH06232112A/ja active Pending
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