JPH06167626A - 光導波路部品の製造方法 - Google Patents
光導波路部品の製造方法Info
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- JPH06167626A JPH06167626A JP32081892A JP32081892A JPH06167626A JP H06167626 A JPH06167626 A JP H06167626A JP 32081892 A JP32081892 A JP 32081892A JP 32081892 A JP32081892 A JP 32081892A JP H06167626 A JPH06167626 A JP H06167626A
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- guide groove
- optical
- groove
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光導波路に対するガイド溝の相対位置を高精
度に定めることのできる光導波路部品の製造方法を提供
する。 【構成】 Ｓｉ基板１上にクラッド層２およびコア層３
が形成される。さらに、コア層３上にホトレジスト４が
形成される。このホトレジスト４には光導波路パターン
およびガイド溝パターンが形成されている。次に、ホト
レジスト４を用いたＲＩＥ加工によってクラッド層２お
よびコア層３がパターニングされて光導波路５が形成さ
れる。これと同時にガイド溝パターン６も形成される。
次に、パターニングされたこのクラッド層２およびコア
層３をマスクにしてＳｉ基板１が異方性エッチングさ
れ、Ｖ溝８が形成される。
度に定めることのできる光導波路部品の製造方法を提供
する。 【構成】 Ｓｉ基板１上にクラッド層２およびコア層３
が形成される。さらに、コア層３上にホトレジスト４が
形成される。このホトレジスト４には光導波路パターン
およびガイド溝パターンが形成されている。次に、ホト
レジスト４を用いたＲＩＥ加工によってクラッド層２お
よびコア層３がパターニングされて光導波路５が形成さ
れる。これと同時にガイド溝パターン６も形成される。
次に、パターニングされたこのクラッド層２およびコア
層３をマスクにしてＳｉ基板１が異方性エッチングさ
れ、Ｖ溝８が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガイド溝に案内されて他
の光部品との相対位置が定められる光導波路部品の製造
方法に関するものである。
の光部品との相対位置が定められる光導波路部品の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導波路部品と他の光部品との光
接続方法には、例えば、特開平１−２３７５０４号公報
に開示された方法がある。この接続方法では、光導波路
が形成された各シリコン（Ｓｉ）基板に断面がＶ字状の
Ｖ溝が形成され、これら各Ｖ溝にガイドピンが係合させ
られて各光導波路部品は光結合している。つまり、各光
部品は各Ｖ溝にガイドピンが係合させられることによっ
て相対位置が矯正され、各光導波路端面が当接させられ
て各光軸は一致している。
接続方法には、例えば、特開平１−２３７５０４号公報
に開示された方法がある。この接続方法では、光導波路
が形成された各シリコン（Ｓｉ）基板に断面がＶ字状の
Ｖ溝が形成され、これら各Ｖ溝にガイドピンが係合させ
られて各光導波路部品は光結合している。つまり、各光
部品は各Ｖ溝にガイドピンが係合させられることによっ
て相対位置が矯正され、各光導波路端面が当接させられ
て各光軸は一致している。
【０００３】このような光導波路部品は、Ｓｉ基板の表
面にまず光導波路が形成され、その後、Ｓｉ基板の裏面
にガイドピンが係合されるＶ溝が形成されて製造されて
いる。
面にまず光導波路が形成され、その後、Ｓｉ基板の裏面
にガイドピンが係合されるＶ溝が形成されて製造されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光導波路部品の製造方法においては、基板表面の光
導波路位置を基準にして基板裏面にＶ溝を形成している
ため、光導波路に対するＶ溝の相対位置は正確に定まら
なかった。このため、このＶ溝に案内されて定まる各光
部品の相対位置も所望の位置からずれてしまい、各光導
波路の光軸は正確に一致しなかった。この結果、各光導
波路の接続部に光結合損失が生じ、光伝搬損失を生じ
た。
来の光導波路部品の製造方法においては、基板表面の光
導波路位置を基準にして基板裏面にＶ溝を形成している
ため、光導波路に対するＶ溝の相対位置は正確に定まら
なかった。このため、このＶ溝に案内されて定まる各光
部品の相対位置も所望の位置からずれてしまい、各光導
波路の光軸は正確に一致しなかった。この結果、各光導
波路の接続部に光結合損失が生じ、光伝搬損失を生じ
た。
【０００５】また、上記従来の光導波路部品の製造方法
では基板の表裏に光導波路およびＶ溝を形成している
が、基板表面に光導波路を形成した後、Ｖ溝もこの光導
波路の形成位置を基準に基板表面に形成する場合も、上
記と同様な不都合が生じる。また、Ｖ溝を先に形成し、
このＶ溝を基準にして光導波路を形成する場合にも、光
導波路に対するＶ溝の相対位置は正確に定まらず、同様
な不都合を生じる。
では基板の表裏に光導波路およびＶ溝を形成している
が、基板表面に光導波路を形成した後、Ｖ溝もこの光導
波路の形成位置を基準に基板表面に形成する場合も、上
記と同様な不都合が生じる。また、Ｖ溝を先に形成し、
このＶ溝を基準にして光導波路を形成する場合にも、光
導波路に対するＶ溝の相対位置は正確に定まらず、同様
な不都合を生じる。
【０００６】本発明はこのような課題を解消するために
なされたもので、光導波路に対するガイド溝の相対位置
を高精度に定めることのできる光導波路部品の製造方法
を提供することを目的とする。
なされたもので、光導波路に対するガイド溝の相対位置
を高精度に定めることのできる光導波路部品の製造方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガイド溝に案
内されて他の光部品との相対位置が定まり、光導波路と
この他の光部品とが光学的に結合される光導波路部品の
製造方法において、光導波路をパターニングするマスク
にガイド溝のパターンが形成され、光導波路およびガイ
ド溝が同時にパターニングされることを特徴とするもの
である。
内されて他の光部品との相対位置が定まり、光導波路と
この他の光部品とが光学的に結合される光導波路部品の
製造方法において、光導波路をパターニングするマスク
にガイド溝のパターンが形成され、光導波路およびガイ
ド溝が同時にパターニングされることを特徴とするもの
である。
【０００８】また、基板上に光導波路膜が形成され、こ
の光導波路膜上に上記マスクが形成され、このマスクに
よって光導波路膜がパターニングされて光導波路が形成
されると同時に光導波路膜にガイド溝のパターンが形成
され、パターニングされたこの光導波路膜をマスクとし
て基板が一部除去されてガイド溝が形成されるものであ
る。
の光導波路膜上に上記マスクが形成され、このマスクに
よって光導波路膜がパターニングされて光導波路が形成
されると同時に光導波路膜にガイド溝のパターンが形成
され、パターニングされたこの光導波路膜をマスクとし
て基板が一部除去されてガイド溝が形成されるものであ
る。
【０００９】また、ガイド溝は断面がＶ字状または台形
状に形成され、このガイド溝に円柱状ピンが係合させら
れて他の光部品との相対位置が定められるものである。
状に形成され、このガイド溝に円柱状ピンが係合させら
れて他の光部品との相対位置が定められるものである。
【００１０】また、ガイド溝は錐状または頭部が裁断さ
れた錐状に掘られ、このガイド溝に球が係合させられて
他の光部品との相対位置が定められるものである。
れた錐状に掘られ、このガイド溝に球が係合させられて
他の光部品との相対位置が定められるものである。
【００１１】
【作用】光導波路パターンおよびガイド溝パターンは同
一マスク上に形成されるため、従来のように光導波路パ
ターニング用マスクとガイド溝パターニング用マスクと
の位置を合わせる必要がなくなる。従って、光導波路に
対するガイド溝の相対位置は、マスク位置合わせによっ
て生じる誤差の影響を受けなくなり、光導波路パターン
およびガイド溝パターンをマスクへ形成する際に生じる
極僅かな誤差の影響を受けるのに止まる。
一マスク上に形成されるため、従来のように光導波路パ
ターニング用マスクとガイド溝パターニング用マスクと
の位置を合わせる必要がなくなる。従って、光導波路に
対するガイド溝の相対位置は、マスク位置合わせによっ
て生じる誤差の影響を受けなくなり、光導波路パターン
およびガイド溝パターンをマスクへ形成する際に生じる
極僅かな誤差の影響を受けるのに止まる。
【００１２】
【実施例】図１および図２は本発明の第１の実施例によ
る光導波路部品の製造方法を示す工程断面図である。
る光導波路部品の製造方法を示す工程断面図である。
【００１３】Ｓｉ基板１は（１，０，０）面を主表面と
しており、この（１，０，０）面上に石英からなるクラ
ッド層２が形成され（図１（ａ）参照）、さらに、この
クラッド層２上に石英からなるコア層３が形成される
（同図（ｂ）参照）。次に、コア層３上にホトレジスト
４が塗布され、このホトレジスト４に光導波路パターン
およびガイド溝パターンがリソグラフィ技術によって形
成される（同図（ｃ）参照）。これら各パターンはスリ
ット状に形成され、各スリットは平行になっている。次
に、このホトレジスト４をマスクにした反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）が行われ、Ｓｉ基板１上にあるクラ
ッド層２およびコア層３が選択的に除去される。この結
果、クラッド層２およびコア層３がパターニングされて
４本の線状の石英光導波路５が形成され、これと同時に
線状のガイド溝パターン６が形成される（同図（ｄ）参
照）。
しており、この（１，０，０）面上に石英からなるクラ
ッド層２が形成され（図１（ａ）参照）、さらに、この
クラッド層２上に石英からなるコア層３が形成される
（同図（ｂ）参照）。次に、コア層３上にホトレジスト
４が塗布され、このホトレジスト４に光導波路パターン
およびガイド溝パターンがリソグラフィ技術によって形
成される（同図（ｃ）参照）。これら各パターンはスリ
ット状に形成され、各スリットは平行になっている。次
に、このホトレジスト４をマスクにした反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）が行われ、Ｓｉ基板１上にあるクラ
ッド層２およびコア層３が選択的に除去される。この結
果、クラッド層２およびコア層３がパターニングされて
４本の線状の石英光導波路５が形成され、これと同時に
線状のガイド溝パターン６が形成される（同図（ｄ）参
照）。
【００１４】次に、４本の光導波路５が形成された部分
に導波路保護膜７が形成される（図２（ｅ）参照）。こ
の導波路保護膜７は次工程で行われるエッチングに用い
られるエッチャント（ＫＯＨ）に影響を受けない材料、
例えば、ポリイミドによって形成される。次に、Ｓｉ基
板１がＫＯＨ水溶液中に浸漬される。ガイド溝パターン
６に露出するＳｉ基板１はＫＯＨ溶液に浸されるため、
Ｓｉ基板はガイド溝パターン６に沿って順メサ状に異方
性エッチングされる。この結果、線状のＶ溝８が形成さ
れる（同図（ｆ）参照）。この際、各光導波路５は導波
路保護膜７によって覆われているため、ＫＯＨ溶液に侵
されない。次に、導波路保護膜７が除去され、今度は形
成されたＶ溝８の上部に溝保護膜９が形成される（同図
（ｇ）参照）。そして、露出した光導波路５上にクラッ
ド層２と同じ石英材料からなるオーバークラッド層１０
が形成される（同図（ｈ）参照）。この際、Ｖ溝８は溝
保護膜９によって覆われているため、Ｖ溝８中にはクラ
ッド材料が入り込まず、溝は埋まらない。オーバークラ
ッド層１０の形成後、溝保護膜９が除去され、石英光導
波路部品が完成する。
に導波路保護膜７が形成される（図２（ｅ）参照）。こ
の導波路保護膜７は次工程で行われるエッチングに用い
られるエッチャント（ＫＯＨ）に影響を受けない材料、
例えば、ポリイミドによって形成される。次に、Ｓｉ基
板１がＫＯＨ水溶液中に浸漬される。ガイド溝パターン
６に露出するＳｉ基板１はＫＯＨ溶液に浸されるため、
Ｓｉ基板はガイド溝パターン６に沿って順メサ状に異方
性エッチングされる。この結果、線状のＶ溝８が形成さ
れる（同図（ｆ）参照）。この際、各光導波路５は導波
路保護膜７によって覆われているため、ＫＯＨ溶液に侵
されない。次に、導波路保護膜７が除去され、今度は形
成されたＶ溝８の上部に溝保護膜９が形成される（同図
（ｇ）参照）。そして、露出した光導波路５上にクラッ
ド層２と同じ石英材料からなるオーバークラッド層１０
が形成される（同図（ｈ）参照）。この際、Ｖ溝８は溝
保護膜９によって覆われているため、Ｖ溝８中にはクラ
ッド材料が入り込まず、溝は埋まらない。オーバークラ
ッド層１０の形成後、溝保護膜９が除去され、石英光導
波路部品が完成する。
【００１５】このように形成された光導波路部品は次の
ように光ファイバモジュールと光接続される。
ように光ファイバモジュールと光接続される。
【００１６】図３は光導波路部品１１と光ファイバモジ
ュール１２との光接続構造を示す斜視図である。
ュール１２との光接続構造を示す斜視図である。
【００１７】光導波路部品１１には上述したＶ溝８が形
成されており、光ファイバモジュール１２にもこのＶ溝
８に対応するＶ溝１３が形成されている。また、光ファ
イバモジュール１２には光ファイバ１４を保持するＶ溝
１５が形成されている。光導波路部品１１に形成された
Ｖ溝８および光ファイバモジュール１２に形成されたＶ
溝１３にガイドピン１６が係合されることにより、各光
部品の相対位置は定まり、光導波路５の端面に光ファイ
バ１４の端面が当接される。この結果、光導波路５およ
び光ファイバ１４の各光軸が一致し、各光部品は光結合
する。
成されており、光ファイバモジュール１２にもこのＶ溝
８に対応するＶ溝１３が形成されている。また、光ファ
イバモジュール１２には光ファイバ１４を保持するＶ溝
１５が形成されている。光導波路部品１１に形成された
Ｖ溝８および光ファイバモジュール１２に形成されたＶ
溝１３にガイドピン１６が係合されることにより、各光
部品の相対位置は定まり、光導波路５の端面に光ファイ
バ１４の端面が当接される。この結果、光導波路５およ
び光ファイバ１４の各光軸が一致し、各光部品は光結合
する。
【００１８】本実施例においては、光導波路パターンお
よびガイド溝パターン６はホトレジスト４をパターニン
グする同一マスク上に形成されているため、従来のよう
に光導波路パターニング用マスクとガイド溝パターニン
グ用マスクとの位置を合わせる必要がなくなる。従っ
て、光導波路５に対するＶ溝８の相対位置は、マスク位
置合わせによって生じる誤差の影響を受けなくなり、光
導波路パターンおよびガイド溝パターン６をホトレジス
ト４へ形成する際に生じる極僅かな誤差の影響を受ける
のに止まる。このため、光導波路５に対するＶ溝８の相
対位置は極めて精度良く所望の位置に定められ、光導波
路部品１１はＶ溝８およびガイドピン１６によって高精
度に案内され、他の光部品と光結合損失を生じることな
く光接続する。よって、本実施例の製法によって形成さ
れた光導波路部品１１によれば、接続部において光伝搬
損失を生じることはない。
よびガイド溝パターン６はホトレジスト４をパターニン
グする同一マスク上に形成されているため、従来のよう
に光導波路パターニング用マスクとガイド溝パターニン
グ用マスクとの位置を合わせる必要がなくなる。従っ
て、光導波路５に対するＶ溝８の相対位置は、マスク位
置合わせによって生じる誤差の影響を受けなくなり、光
導波路パターンおよびガイド溝パターン６をホトレジス
ト４へ形成する際に生じる極僅かな誤差の影響を受ける
のに止まる。このため、光導波路５に対するＶ溝８の相
対位置は極めて精度良く所望の位置に定められ、光導波
路部品１１はＶ溝８およびガイドピン１６によって高精
度に案内され、他の光部品と光結合損失を生じることな
く光接続する。よって、本実施例の製法によって形成さ
れた光導波路部品１１によれば、接続部において光伝搬
損失を生じることはない。
【００１９】なお、上記実施例による製造方法において
は、Ｖ溝８を形成する際に光導波路５の部分を保護膜７
によって覆ったが（図２（ｅ）参照）、必ずしも覆う必
要はなく、コア層３およびクラッド層２をＲＩＥ加工
（図１（ｄ）参照）した後、図４に示される工程断面図
に沿って光導波路部品を製造してもよい。すなわち、光
導波路５部分が保護膜７で覆われずにＳｉ基板１がＫＯ
Ｈ水溶液に浸され、Ｓｉ基板１はエッチングされる。こ
の場合、Ｓｉ基板１は露出した部分の全てが異方性エッ
チングされ、本来必要とされるＶ溝８の他にも露出した
各部にＶ溝が形成される（図４（ｅ）参照）。次に、ガ
イドピン１６が係合されるＶ溝８の上部に溝保護膜９が
形成され（同図（ｆ）参照）、光導波路５の上部にオー
バークラッド層１０が形成される（同図（ｇ）参照）。
その後、溝保護膜９が除去され、光導波路部品が完成す
る。このような方法によって光導波路部品を製造した場
合においても光導波路５とＶ溝８との相対位置は所望の
位置に定められ、上記実施例と同様な効果が奏される。
は、Ｖ溝８を形成する際に光導波路５の部分を保護膜７
によって覆ったが（図２（ｅ）参照）、必ずしも覆う必
要はなく、コア層３およびクラッド層２をＲＩＥ加工
（図１（ｄ）参照）した後、図４に示される工程断面図
に沿って光導波路部品を製造してもよい。すなわち、光
導波路５部分が保護膜７で覆われずにＳｉ基板１がＫＯ
Ｈ水溶液に浸され、Ｓｉ基板１はエッチングされる。こ
の場合、Ｓｉ基板１は露出した部分の全てが異方性エッ
チングされ、本来必要とされるＶ溝８の他にも露出した
各部にＶ溝が形成される（図４（ｅ）参照）。次に、ガ
イドピン１６が係合されるＶ溝８の上部に溝保護膜９が
形成され（同図（ｆ）参照）、光導波路５の上部にオー
バークラッド層１０が形成される（同図（ｇ）参照）。
その後、溝保護膜９が除去され、光導波路部品が完成す
る。このような方法によって光導波路部品を製造した場
合においても光導波路５とＶ溝８との相対位置は所望の
位置に定められ、上記実施例と同様な効果が奏される。
【００２０】次に、本発明の第２の実施例による光導波
路部品の製造方法について説明する。本実施例による製
造プロセスは、図１および図２に示す上記第１実施例に
よる製造プロセスと同様であるが、石英光導波路膜をパ
ターニングする際のマスクが異なる。つまり、図１
（ｃ）に示す製造工程において、ホトレジスト４をパタ
ーニングするマスクに形成する光導波路パターンは上記
第１実施例と同様にスリット状に形成されるのである
が、ガイド溝パターンはスリット状ではなく、円形状に
形成される。このため、図１（ｄ）に示す製造工程にお
いて、コア層３およびクラッド層２からなる石英光導波
路膜には、円形状にＳｉ基板１が開口したガイド溝パタ
ーン６が形成される。
路部品の製造方法について説明する。本実施例による製
造プロセスは、図１および図２に示す上記第１実施例に
よる製造プロセスと同様であるが、石英光導波路膜をパ
ターニングする際のマスクが異なる。つまり、図１
（ｃ）に示す製造工程において、ホトレジスト４をパタ
ーニングするマスクに形成する光導波路パターンは上記
第１実施例と同様にスリット状に形成されるのである
が、ガイド溝パターンはスリット状ではなく、円形状に
形成される。このため、図１（ｄ）に示す製造工程にお
いて、コア層３およびクラッド層２からなる石英光導波
路膜には、円形状にＳｉ基板１が開口したガイド溝パタ
ーン６が形成される。
【００２１】このようにパターニングされた石英光導波
路膜をマスクにＳｉ基板１をＫＯＨ溶液に浸すと、ガイ
ド溝パターン６に露出したＳｉ基板１には、上記第１実
施例における線状のＶ溝８とは異なった正四角錐状のガ
イド溝が掘られる。これは（１，０，０）面を主表面と
するＳｉ基板１の以下のようなエッチング異方性に起因
している。すなわち、マスクにはガイド溝パターンとし
て円形窓が形成されているため、この円形窓に露出する
Ｓｉ基板１は直交する２方向に異方性エッチングされ
る。（１，０，０）面を主表面とするＳｉ基板は＜０，
１，／１＞方向およびこれに直交する＜０，／１，／１
＞方向が順メサ方向であり、ＫＯＨ溶液によってこれら
各方向にＶ溝が形成される。この結果、円形窓の中心に
頂点がある正四角錐状の溝が掘られる。この正四角錐の
底面はＳｉ基板１の表面に正方形となって開口し、円形
窓に内接する。この正方形の一辺の方向はＳｉ基板の＜
０，１，／１＞方向に一致し、この一辺に垂直な他の辺
の方向はＳｉ基板の＜０，／１，／１＞方向に一致す
る。なお、エッチングの際、Ｓｉ基板１をＫＯＨ水溶液
に浸す時間を調節することにより、このガイド溝は頭部
が裁断された正四角錐状にも掘ることができる。
路膜をマスクにＳｉ基板１をＫＯＨ溶液に浸すと、ガイ
ド溝パターン６に露出したＳｉ基板１には、上記第１実
施例における線状のＶ溝８とは異なった正四角錐状のガ
イド溝が掘られる。これは（１，０，０）面を主表面と
するＳｉ基板１の以下のようなエッチング異方性に起因
している。すなわち、マスクにはガイド溝パターンとし
て円形窓が形成されているため、この円形窓に露出する
Ｓｉ基板１は直交する２方向に異方性エッチングされ
る。（１，０，０）面を主表面とするＳｉ基板は＜０，
１，／１＞方向およびこれに直交する＜０，／１，／１
＞方向が順メサ方向であり、ＫＯＨ溶液によってこれら
各方向にＶ溝が形成される。この結果、円形窓の中心に
頂点がある正四角錐状の溝が掘られる。この正四角錐の
底面はＳｉ基板１の表面に正方形となって開口し、円形
窓に内接する。この正方形の一辺の方向はＳｉ基板の＜
０，１，／１＞方向に一致し、この一辺に垂直な他の辺
の方向はＳｉ基板の＜０，／１，／１＞方向に一致す
る。なお、エッチングの際、Ｓｉ基板１をＫＯＨ水溶液
に浸す時間を調節することにより、このガイド溝は頭部
が裁断された正四角錐状にも掘ることができる。
【００２２】図５はこのようにして形成された光導波路
部品２１と光ファイバモジュール２２との光接続構造を
示す斜視図である。なお、この接続構造は本出願人が別
途の特許出願で提案している構造である。
部品２１と光ファイバモジュール２２との光接続構造を
示す斜視図である。なお、この接続構造は本出願人が別
途の特許出願で提案している構造である。
【００２３】光導波路部品２１には上述した正四角錐状
の溝２３が４箇所に形成されており、光ファイバモジュ
ール２２にはこの正四角錐状の溝２３のピッチに等しい
間隔で平行する線状のＶ溝２４が形成されている。ま
た、ベース板２５にはこの間隔と等しい間隔で平行する
Ｖ溝２６が形成されている。正四角錐状の各溝２３とベ
ース板２５の各Ｖ溝２６との間に球２７が係合されるこ
とにより、光導波路部品２１はベース板２５に対する相
対位置が定まる。また、光ファイバモジュール２２の各
Ｖ溝２４とベース板２５の各Ｖ溝２６との間にガイドピ
ン２８が係合されることにより、光ファイバモジュール
２２はベース板２５に対する相対位置が定まる。従っ
て、光導波路部品２１および光ファイバモジュール２２
は共通するベース板２５に対して所定の位置関係に定め
られ、この結果、光導波路部品２１と光ファイバモジュ
ール２２との相対位置が定まる。このため、光導波路部
品２１に形成された光導波路５の端面と光ファイバモジ
ュール２２に保持された光ファイバ２９の端面とが当接
され、各光軸が一致して各光部品は光結合する。
の溝２３が４箇所に形成されており、光ファイバモジュ
ール２２にはこの正四角錐状の溝２３のピッチに等しい
間隔で平行する線状のＶ溝２４が形成されている。ま
た、ベース板２５にはこの間隔と等しい間隔で平行する
Ｖ溝２６が形成されている。正四角錐状の各溝２３とベ
ース板２５の各Ｖ溝２６との間に球２７が係合されるこ
とにより、光導波路部品２１はベース板２５に対する相
対位置が定まる。また、光ファイバモジュール２２の各
Ｖ溝２４とベース板２５の各Ｖ溝２６との間にガイドピ
ン２８が係合されることにより、光ファイバモジュール
２２はベース板２５に対する相対位置が定まる。従っ
て、光導波路部品２１および光ファイバモジュール２２
は共通するベース板２５に対して所定の位置関係に定め
られ、この結果、光導波路部品２１と光ファイバモジュ
ール２２との相対位置が定まる。このため、光導波路部
品２１に形成された光導波路５の端面と光ファイバモジ
ュール２２に保持された光ファイバ２９の端面とが当接
され、各光軸が一致して各光部品は光結合する。
【００２４】本実施例においても、光導波路パターンお
よびガイド溝パターン６は同一マスク上に形成されてい
るため、光導波路５に対する正四角錐状の溝２３の相対
位置は極めて精度良く所望の位置に定められる。従っ
て、光導波路部品２１は正四角錐状の溝２３および球２
７によって高精度に案内され、他の光部品と光結合損失
を生じることなく光接続する。よって、本実施例におい
ても前述した第１実施例と同様な効果が奏される。
よびガイド溝パターン６は同一マスク上に形成されてい
るため、光導波路５に対する正四角錐状の溝２３の相対
位置は極めて精度良く所望の位置に定められる。従っ
て、光導波路部品２１は正四角錐状の溝２３および球２
７によって高精度に案内され、他の光部品と光結合損失
を生じることなく光接続する。よって、本実施例におい
ても前述した第１実施例と同様な効果が奏される。
【００２５】なお、上記各実施例の説明においては、Ｓ
ｉ基板１に断面がＶ字状のＶ溝８を形成した場合につい
て説明したが、断面が台形状になるように溝を形成して
も良い。例えば、Ｓｉ基板１に対するエッチング時間を
調節することにより、溝の断面は台形状になる。このよ
うな台形状の溝を形成した場合においても、上記各実施
例と同様な効果が奏される。
ｉ基板１に断面がＶ字状のＶ溝８を形成した場合につい
て説明したが、断面が台形状になるように溝を形成して
も良い。例えば、Ｓｉ基板１に対するエッチング時間を
調節することにより、溝の断面は台形状になる。このよ
うな台形状の溝を形成した場合においても、上記各実施
例と同様な効果が奏される。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
導波路パターンおよびガイド溝パターンは同一マスク上
に形成されるため、従来のように光導波路パターニング
用マスクとガイド溝パターニング用マスクとの位置を合
わせる必要がなくなる。従って、光導波路に対するガイ
ド溝の相対位置は、マスク位置合わせによって生じる誤
差の影響を受けなくなり、光導波路パターンおよびガイ
ド溝パターンをマスクへ形成する際に生じる極僅かな誤
差の影響を受けるのに止まる。
導波路パターンおよびガイド溝パターンは同一マスク上
に形成されるため、従来のように光導波路パターニング
用マスクとガイド溝パターニング用マスクとの位置を合
わせる必要がなくなる。従って、光導波路に対するガイ
ド溝の相対位置は、マスク位置合わせによって生じる誤
差の影響を受けなくなり、光導波路パターンおよびガイ
ド溝パターンをマスクへ形成する際に生じる極僅かな誤
差の影響を受けるのに止まる。
【００２７】従って、本発明によれば、光導波路に対す
るガイド溝の相対位置を高精度に定めることのできる光
導波路部品の製造方法が提供される。
るガイド溝の相対位置を高精度に定めることのできる光
導波路部品の製造方法が提供される。
【図１】本発明の第１の実施例による光導波路部品の製
造方法を示す前半の工程断面図図である。
造方法を示す前半の工程断面図図である。
【図２】第１の実施例による光導波路部品の製造方法を
示す後半の工程断面図である。
示す後半の工程断面図である。
【図３】第１の実施例によって製造された光導波路部品
と光ファイバモジュールとの光接続構造を示す斜視図で
ある。
と光ファイバモジュールとの光接続構造を示す斜視図で
ある。
【図４】第１の実施例による光導波路部品の製造方法の
一変形例を示す工程断面図である。
一変形例を示す工程断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例による方法によって製造
された光導波路部品と光ファイバモジュールとの光接続
構造を示す斜視図である。
された光導波路部品と光ファイバモジュールとの光接続
構造を示す斜視図である。
１…Ｓｉ基板、２…クラッド層、３…コア層、４…ホト
レジスト、５…光導波路、６…ガイド溝パターン、７…
導波路保護膜、８…Ｖ溝、９…溝保護膜、１０…オーバ
ークラッド層、２３…正四角錐状の溝。
レジスト、５…光導波路、６…ガイド溝パターン、７…
導波路保護膜、８…Ｖ溝、９…溝保護膜、１０…オーバ
ークラッド層、２３…正四角錐状の溝。
Claims (6)
- 【請求項１】 ガイド溝に案内されて他の光部品との相
対位置が定まり、光導波路とこの他の光部品とが光学的
に結合される光導波路部品の製造方法において、 前記光導波路をパターニングするマスクに前記ガイド溝
のパターンが形成され、前記光導波路および前記ガイド
溝が同時にパターニングされることを特徴とする光導波
路部品の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に光導波路膜が形成され、この光
導波路膜上に前記マスクが形成され、このマスクによっ
て前記光導波路膜がパターニングされて前記光導波路が
形成されると同時に前記光導波路膜に前記ガイド溝のパ
ターンが形成され、パターニングされたこの光導波路膜
をマスクとして前記基板が一部除去されて前記ガイド溝
が形成されることを特徴とする請求項１記載の光導波路
部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記ガイド溝は断面がＶ字状または台形
状に形成され、このガイド溝に円柱状ピンが係合させら
れて他の光部品との相対位置が定められることを特徴と
する請求項２記載の光導波路部品の製造方法。 - 【請求項４】 前記基板は（１００）面を主表面とする
シリコン基板からなり、前記光導波路膜は石英からな
り、前記ガイド溝はこのシリコン基板の異方性エッチン
グにより形成されることを特徴とする請求項３記載の光
導波路部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記ガイド溝は錐状または頭部が裁断さ
れた錐状に掘られ、このガイド溝に球が係合させられて
他の光部品との相対位置が定められることを特徴とする
請求項２記載の光導波路部品の製造方法。 - 【請求項６】 前記基板は（１００）面を主表面とする
シリコン基板からなり、前記光導波路膜は石英からな
り、前記マスクに形成されるガイド溝のパターンは円形
に開口したパターンからなり、前記ガイド溝は前記シリ
コン基板の異方性エッチングにより形成されることを特
徴とする請求項５記載の光導波路部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32081892A JPH06167626A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 光導波路部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32081892A JPH06167626A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 光導波路部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167626A true JPH06167626A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18125576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32081892A Pending JPH06167626A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 光導波路部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06167626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100532184B1 (ko) * | 2003-07-14 | 2005-11-30 | 주식회사 오랜텍 | 광도파로 소자 제조방법 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP32081892A patent/JPH06167626A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100532184B1 (ko) * | 2003-07-14 | 2005-11-30 | 주식회사 오랜텍 | 광도파로 소자 제조방법 |
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