JPH06232110A - 基板処理用蒸気発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理中の処理液の温度を安定させて基板処理
の再現性を向上させる。 【構成】 蒸気発生装置は、基板処理液を貯溜する処理
液貯溜部３，４と、供給経路４５，５０と蒸気発生部
２，９とヒータ４６，５１と還流経路４７，５２とを備
えている。供給経路４５，５０は、処理液貯溜部３，４
に貯溜された基板処理液を供給する。蒸気発生部２，９
は、供給経路４５，５０により供給された基板処理液を
溢れさせながら蒸発させて基板処理液の蒸気を発生させ
る。ヒータ４６，５１は供給経路４５，５０の途中に設
けられ、通過する処理液を加熱する。還流経路４７，５
２は、蒸気発生部２，９で溢れた基板処理液を供給経路
４５，５０に還流する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、蒸気発生装置、特に、
半導体基板やフォトマスク用ガラス基板や液晶表示素子
用ガラス基板等の各種基板を処理する基板処理液の蒸気
を発生する基板処理用蒸気発生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば特開平３−２８４８４２号公報
には、エッチングや金属不純物の溶解や除去といった基
板処理を行うための基板処理装置が開示されている。こ
の基板処理装置は、例えば弗化水素等の基板処理液を貯
溜する基板処理液貯溜部と、基板処理液の蒸気を発生さ
せる基板処理用蒸気発生部と、処理すべき基板を保持す
る基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に基
板処理用蒸気発生部からの基板処理用蒸気を供給する蒸
気供給部とを備えている。基板処理液貯留部には、基板
処理液を一定温度に加熱温調して基板処理液の蒸気を発
生させるための温水ヒータが設けられ、基板処理用蒸気
発生部には、発生した蒸気を圧送するための窒素ガス供
給口が設けられている。

【０００３】この基板処理装置では、処理液貯溜部に貯
溜された基板処理液が温水ヒータによる加熱によって蒸
発し、基板処理用蒸気発生部において基板処理液の蒸気
が発生する。この蒸気は、窒素ガスにより蒸気供給部を
介して基板上に供給される。基板上に蒸気が供給される
と、基板表面の酸化膜が溶解して除去される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この種の基板処理装置
では、処理時には大量に気化する処理液が大量の気化熱
を奪うが、非処理時には処理液の気化量が小さいため処
理液の温度は低下しにくい。したがって、処理時と非処
理時とで温水ヒータからの熱負荷を変える必要がある。
また、処理液の貯溜面積が制約されているために、温水
ヒータの熱交換面積が制約される。このため、前記従来
の構成では、基板処理を開始してから数分〜数十分は処
理時の処理液温度が安定せず、蒸気の発生量がばらつい
て基板処理の再現性が悪くなる。また、処理液の蒸発に
より貯溜部における液面が低下することによっても、蒸
気の発生量が変化し、処理の再現性が低下する。

【０００５】本発明の目的は、処理中の処理液の温度を
安定させて基板処理の再現性を向上させることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る蒸気発生装
置は、基板処理液を貯溜する処理液貯溜部と供給経路と
蒸気発生部と処理液温度調整手段と還流経路とを備えて
いる。供給経路は、処理液貯溜部に貯溜された基板処理
液を蒸気発生部へ供給するものである。蒸気発生部は、
供給経路により供給された基板処理液を溢れさせながら
蒸発させて基板処理液の蒸気を発生させるものである。
処理液温度調整手段は、供給経路の途中に設けられ、処
理液の温度を調整するものである。還流経路は、蒸気発
生部で溢れた基板処理液を供給経路における処理液温度
調整手段の上流側または処理液貯溜部に還流するもので
ある。

【０００７】

【作用】本発明に係る蒸気発生装置では、処理液貯溜部
に貯溜された基板処理液が供給経路を介して蒸気発生部
に供給される。この供給経路の途中には処理液温度調整
手段が設けられており、処理液温度調整手段によりそこ
を通過する処理液が一定温度に温度調整される。また蒸
気発生部では、一定温度に温度調整された処理液が溢れ
ながら蒸発する。そして溢れた処理液は直接、または処
理液貯溜部を介して、再度供給経路に供給され循環す
る。

【０００８】ここでは、基板処理液を循環させながら、
処理液温度調整手段で処理液を加熱または冷却すること
により温度調整し、蒸気発生部で処理液を蒸発させるの
で、処理時、非処理時にかかわらず処理液の液温が安定
する。この結果、基板処理の再現性が向上する。

【０００９】

【実施例】図１において、本発明の一実施例を採用した
基板処理装置は、第１蒸気発生部９よりたとえば弗化水
素（ＨＦ）の蒸気を発生して基板を処理するための基板
処理部１と、たとえばメチルアルコールの蒸気を発生さ
せるための第２蒸気発生部２と、基板処理部１で用いる
処理液を貯溜する第１処理液貯溜部３と、第２蒸気発生
部２で用いる処理液を貯溜する第２処理液貯溜部４と、
第１処理液貯溜部３に貯溜された処理液を基板処理部１
に供給するための第１処理液供給部５と、第２処理液貯
溜部４に貯溜された処理液を第２蒸気発生部２に供給す
る第２処理液供給部６とを備えている。さらにこの装置
は、基板処理部１及び第２蒸気発生部２に窒素ガスを供
給するとともに、基板処理部１及び第２蒸気発生部２で
発生した蒸気を供給するためのガス供給部７を備えてい
る。

【００１０】基板処理部１は、ハウジング８と、ハウジ
ング８内に配置された第１蒸気発生部９と、第１蒸気発
生部９の下面に密接して配置された内側ハウジング１０
と、内側ハウジング１０内に回動自在に配置された基板
保持部１１とを有している。基板保持部１１は、基板Ｗ
を保持する試料台１２と、試料台１２を回転自在に支持
する回転軸１３と、回転軸１３をベルト式伝達機構１３
ａを介して駆動するモータＭ１とを有している。この試
料台１２は、基板Ｗを真空吸着して保持する真空吸着機
構（図示せず）を有している。また試料台１２には、ヒ
ータ（図示せず）が埋め込まれており、基板Ｗを雰囲気
温度と同一またはそれより高い温度に維持し得るように
なっている。

【００１１】第１蒸気発生部９は、図２に示すように皿
状であり、周囲にたとえば５ｍｍ高さの堰１４が形成さ
れた第１容器１５と、第１容器１５の周囲に配置され、
第１容器１５から溢れ出た処理液を収容する第２容器１
６とを有している。第１容器１５の底面は第２容器１６
の底面より高く、かつ第１容器１５の表面積は第２容器
１６の表面積より充分大きな面積となっている。これら
の容器１５，１６上には蓋１７が配置されており、蓋１
７により、容器１５，１６と蓋１７とで囲まれる空間２
１が気密に封止されている。この空間２１内に処理液の
蒸気が発生する。

【００１２】また、第１蒸気発生部９には、図１に示す
ように、第２容器１６内の処理液液位を検出するため、
第２容器１６と連通するバイパス部９１と静電容量セン
サ９２とからなる液位検出器９３が設けられている。第
１容器１５の中央には、円柱状に凹んだ処理液供給部１
８が配置されている。この処理液供給部１８の上端に
は、処理液を円滑に供給するための多数のノズルを周囲
に有するジャマ板１９が配置されている。なお、第１容
器１５の堰１４の高さは、好ましくは１５ｍｍ以下、よ
り好ましくは２ｍｍ〜５ｍｍの範囲である。

【００１３】蓋１７には、第１容器１５内に貯溜された
処理液の温度を測定するための温度センサＴＨＰ１の取
付孔２０と、空間２１に蒸気圧送用の窒素ガスを供給す
るためのガス供給口２２と、空間２１内に発生する処理
液の蒸気を排出するための蒸気排出口２３とが形成され
ている。また第２容器１６の底面には、第１容器１５か
ら溢れ出た処理液を還流するための還流口２４が形成さ
れている。

【００１４】蒸気発生部９の下面には、第１蒸気発生部
９で発生した蒸気を導入するための蒸気空間２５が形成
されている。蒸気空間２５の側壁には、蒸気を導入する
ための蒸気導入口２６が形成されている。また蒸気空間
２５の下方には、蒸気を拡散するための多孔板２７が配
置されている。この多孔板２７は、試料台１２の上方に
対向配置されている。

【００１５】試料台１２の上面とほぼ等しいレベルにお
いて、内側ハウジング１０とハウジング８とには、基板
Ｗを出し入れするための開口２８，２９がそれぞれ形成
されている。この開口２８，２９には、それぞれシャッ
タ３０，３１が設けられている。このシャッタ３０，３
１は、モータＭ２，Ｍ３により開閉され得る。開口２９
の外方には、基板Ｗを搬入排出するための基板搬送アー
ム３４（図４）が配置されている。基板搬送アーム３４
は、基板Ｗを吸着保持して、試料台１２に搬入し、また
試料台１２上の基板Ｗを吸着保持してハウジング８外に
排出する。

【００１６】第２蒸気発生部２は、図３に示すように、
第１容器１５と同様な形状の第３容器３５と、第２容器
１６と同様な形状の第４容器３６とを有している。第３
容器３５及び第４容器３６と蓋３７とで形成される空間
４１は、蓋３７により気密に封止されている。第３容器
３５の中央には、処理液供給部３８が配置されている。
この処理液供給部３８には、処理液を円滑に供給するた
めの多数のノズルを周囲に有するジャマ板３９が配置さ
れている。

【００１７】蓋３７には、第３容器３５内に貯溜された
温度を測定するための温度センサＴＨＰ３の取付孔４０
と、空間４１に蒸気圧送用の窒素ガスを供給するための
ガス供給口４２と、空間４１内に発生する処理液の蒸気
を排出するための蒸気排出口４３とが形成されている。
また第４容器３６の底面には、第３容器３５から溢れ出
た処理液を還流するための還流口４４が形成されてい
る。

【００１８】また、第２蒸気発生部２には、図１に示す
ように、バイパス部９４と静電容量センサ９５とからな
る液位検出器９６が設けられている。第１処理液供給部
５は、図１に示すように、第１処理液貯溜部３に貯溜さ
れた処理液を基板処理部１の第１蒸気発生部９に供給す
るための第１供給経路４５と、第１供給経路４５内の処
理液を圧送するためのポンプＰ１と、第１供給経路４５
の途中に配置された第１ヒータ４６とを有している。第
１ヒータ４６は蛇管式であり、蛇管内を通過する処理液
が蛇管外を流通する温水または、必要に応じ冷水によ
り、処理液の所定の蒸発量を得るのに適した所定温度に
調整される構成となっている。この第１ヒータ４６の出
口には、温度センサＴＨＰ２が配置されている。第１供
給経路４５の上流端は、電磁弁Ｖ１を介して第１処理液
貯溜部３の液面下に挿入されている。また、第１供給経
路４５の下流端は、第１蒸気発生部９内の処理液供給部
１８に接続されている。

【００１９】また、第１蒸気発生部９の還流口２４に
は、第１還流経路４７の基端が接続されている。第１還
流経路４７の終端は、電磁弁Ｖ２を介して第１供給経路
４５に接続されている。第２処理液供給部６は、第１処
理液供給部５と略同様な構成であり、第２供給経路５
０、ポンプＰ２、第２ヒータ５１、温度センサＴＨＰ４
及び電磁弁Ｖ３を有している。また第２蒸気発生部２の
還流口４４には、電磁弁Ｖ４を介して第２処理液供給経
路５０に処理液を還流させるための第２還流経路５２が
接続されている。

【００２０】ガス供給部７は、窒素ガスボンベ等のガス
供給源（図示せず）に一括接続された３個の微小流量調
整弁ＭＦＣ１〜ＭＦＣ３と、５個の電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ
５とを有している。微小流量調整弁ＭＦＣ１及びＭＦＣ
３は、ＨＦ蒸気とメチルアルコール蒸気との混合比を設
定するためのものである。電磁弁ＳＶ１は、微小流量調
整弁ＭＦＣ１とガス供給口２２との間に配置されてお
り、ガス供給口２２への窒素ガス供給をオンオフするた
めに用いられる。電磁弁ＳＶ２は、蒸気排出口２３と蒸
気導入口２６との間に配置されており、蒸気排出口２３
から蒸気導入口２６への蒸気供給をオンオフするために
用いられる。電磁弁ＳＶ３は、微小流量調節弁ＭＦＣ２
と蒸気導入口２６との間に配置されており、内側ハウジ
ング１０内の窒素ガスのパージを行うために用いられ
る。電磁弁ＳＶ４は、蒸気排出口４３と蒸気導入口２６
との間に配置され、第２蒸気発生部２内で発生したメチ
ルアルコール蒸気の供給をオンオフするために用いられ
る。電磁弁ＳＶ５は、微小流量調整弁ＭＦＣ３とガス供
給口４２との間に配置され、発生した蒸気を圧送するた
めに用いられる。

【００２１】この基板処理装置は、図４に示す制御部６
０を有している。制御部６０はマイクロコンピュータや
ＲＯＭ、ＲＡＭ等からなり、基板処理装置をシーケンス
制御する。制御部６０には、電磁弁Ｖ１〜Ｖ４及びＳＶ
１〜ＳＶ５、ポンプＰ１，Ｐ２、微小流量調整弁ＭＦＣ
１〜ＭＦＣ３、モータＭ１，Ｍ２，Ｍ３をそれぞれ駆動
するための駆動部６１〜７２及び８１〜８４が接続され
ている。また、制御部６０には、キーボード７３、温度
センサＴＨＰ１〜ＴＨＰ４、液位検出器９３，９４、表
示部７４、搬送アーム３４を制御するための搬送アーム
制御部７５及びその他の入出力部が接続されている。

【００２２】次に、上述のように構成された基板処理装
置の動作について、図５に示す制御フローチャートにし
たがい説明する。プログラムがスタートするとステップ
Ｓ１で初期設定を行う。この初期設定時には、温調温度
やポンプＰ１，Ｐ２の流量やＨＦ蒸気とメチルアルコー
ル蒸気との混合比率等を初期値に設定する。

【００２３】ステップＳ２では、第１ヒータ４６及び第
２ヒータ５１に温水を通し温調を開始する。温調を開始
すると、第１処理液供給部５においては、電磁弁Ｖ１が
開放されるとともに電磁弁Ｖ２が閉止される。そして、
ポンプＰ１が起動し、第１処理液貯溜部３内に貯溜され
た処理液が第１ヒータ４６を介して第１蒸気発生部９に
供給され、この処理液は第１蒸気発生部の第１容器１５
から第２容器１６に溢れ出す。液位検出器９３が、第２
容器１６内の処理液が所定の液位となったことを検出す
ると、電磁弁Ｖ２が開放されるとともに電磁弁Ｖ１が閉
止される。これにより、処理液は、第１供給経路４５、
第１ヒータ４６、第１蒸気発生部９及び第１処理液還流
経路４７を循環する。

【００２４】同様に、第２処理液供給部６においては、
温調開始時に電磁弁Ｖ３が開放されるとともに電磁弁Ｖ
４が閉止される。そして、ポンプＰ２が起動し、第２処
理液貯溜部４内に貯溜された処理液が第２ヒータ５１を
介して第２蒸気発生部２に供給され、この処理液は第２
蒸気発生部の第３容器３５から第４容器３６に溢れ出
す。液位検出器９６が、第４容器３６内の処理液が所定
の液位となったことを検出すると、電磁弁Ｖ４が開放さ
れるとともに電磁弁Ｖ３が閉止される。これにより、処
理液は、第２供給経路５０、第２ヒータ５１、第２蒸気
発生部２及び第２処理液還流経路５２を循環する。

【００２５】なお、処理に伴い、第２容器１６または第
４容器３６内の処理液の液位が低下した場合には、電磁
弁Ｖ１，Ｖ２またはＶ３，Ｖ４を切り替えることによ
り、処理液貯溜部３または４より処理液を追加供給す
る。ステップＳ３では、ＨＦ蒸気とメチルアルコール蒸
気との混合比率を設定変更するか否かを判断する。この
判断はキーボード７３からの入力に基づいて行う。混合
比率設定を変更すると判断した場合にはステップＳ３か
らステップＳ４に移行する。ステップＳ４では、入力さ
れた比率に混合比率を設定する。なお、設定可能なＨＦ
蒸気とメチルアルコール蒸気との混合比率は１０：１〜
１：２０の範囲内となっている。

【００２６】混合比率を設定しないと判断した場合には
ステップＳ５に移行する。ステップＳ５では、操作者に
よる開始指示を待つ。操作者が開始指示を入力をすると
ステップＳ６に移行する。ステップＳ６では温調により
処理液の出口温度（温度センサＴＨＰ２，ＴＨＰ４によ
り検出される温度）が一定温度に制御されるのを待つ。
出口温度が一定温度に制御されていると判断するとステ
ップＳ７に移行する。

【００２７】ステップＳ７では、プリスプレーを行う。
これは基板Ｗを保持する前に試験的に窒素ガスを蒸気発
生部２，９に流して蒸気を発生させる動作である。ステ
ップＳ８では、シャッタ３０，３１を開く。ステップＳ
９では、搬送アーム制御部７５に対して基板Ｗの搬入指
令を出力する。ステップＳ１０では、搬送アーム制御部
７５からの搬入完了信号を待つ。搬入完了信号を受け取
るとステップＳ１１に移行する。

【００２８】ステップＳ１１では、シャッタ３０，３１
を閉め、モータＭ１を回転駆動する。これにより内側ハ
ウジング１０内が密閉されるとともに、試料台１２が回
転する。ステップＳ１２では、電磁弁ＳＶ１，２，４，
５を開く。すると、第１蒸気発生部９及び第２蒸気発生
部２内に圧送用の窒素ガスが供給され、発生した蒸気が
蒸気排出口２３，４３から排出される。排出されたＨＦ
蒸気は、電磁弁ＳＶ２を経由して蒸気導入口２６に供給
される。また、排出されたメチルアルコールの蒸気は、
電磁弁ＳＶ４を経由して蒸気導入口２６に供給される。

【００２９】ここでは、ＨＦ蒸気と表面張力が小さいメ
チルアルコール蒸気とが同時に供給され、供給されたＨ
Ｆ蒸気とメチルアルコール蒸気とが混合して基板Ｗ上に
供給されるので、基板Ｗの濡れ性が向上する。ステップ
Ｓ１３では、時間Ｔ₁ の経過を待つ。この時間Ｔ₁ は処
理時間である。ここで処理時間Ｔ₁ には前処理時間を含
める必要はない。つまり従来では、基板Ｗの濡れ性を向
上させるために親水化処理が必要であるが、この実施例
ではＨＦ蒸気とメチルアルコール蒸気とを同時に供給し
ているので、基板Ｗの濡れ性を容易に向上でき、濡れ性
の向上を図るための親水化処理が不要となる。このため
時間Ｔ₁ が短くなる。

【００３０】時間Ｔ₁ が経過するとステップＳ１４に移
行する。ステップＳ１４では、電磁弁ＳＶ１，２，４，
５を閉じる。ステップＳ１５では電磁弁ＳＶ３を開く。
これにより内側ハウジング１０内に窒素ガスが充填さ
れ、処理液の蒸気が窒素ガスに置き換えられる。ステッ
プＳ１６では時間Ｔ₂ の経過を待つ。この時間Ｔ₂ は、
窒素ガスによるパージを終えるのに充分な時間である。
時間Ｔ₂ が経過するとステップＳ１７に移行する。

【００３１】ステップＳ１７では電磁弁ＳＶ３を閉じ
る。続いてステップＳ１８ではシャッタ３０，３１を開
き、モータＭ１をオフする。ステップＳ１９では、搬送
アーム制御部７５に排出指令を出力する。ステップＳ２
０では、搬送アーム制御部７５から排出完了信号が来る
のを待つ。排出完了信号を受けるとステップＳ２１に移
行する。

【００３２】ステップＳ２１では、搬送アーム制御部７
５から処理終了信号が来ているか否かを判断する。処理
終了信号がきていない場合にはステップＳ９に戻り、搬
送アーム制御部７５に搬送指令を出力する。また処理終
了信号を受け付けた場合にはステップＳ２２に移行す
る。ステップＳ２２ではシャッタ３０，３１を閉じる。
そして、ステップＳ２３で温調を終了する。

【００３３】ここでは、第１，第２ヒータ４６，５１を
第１，第２蒸気発生部９，２外に配置したので、熱交換
面積を大きくとることができ、効率良く温調することが
できる。このため処理時、非処理時を問わず第１，第２
ヒータ４６，５１の出口における処理液の温度を一定に
保持することができる。第１，第３容器１５，３５は、
深さが浅く貯留量が少ないので、第１容器１５または第
３容器３５内の処理液の熱容量は小さくなる。従って、
一定温度の処理液を定量循環供給することにより、気化
により失われる熱量と、供給する熱量との熱収支を容易
に一定に保持でき、処理中において処理液の温度を常に
一定に保つことができる。

【００３４】また、常に処理液を溢れさせているので、
処理液の液面の変動がなくなり、さらに処理中における
液温の変動が少なくなるので、蒸気の発生量が略一定と
なり、処理の連続性及び再現性の向上を図ることができ
る。さらに、２種の処理液の混合比率を任意に設定でき
るので、種々の処理内容に応じて最適な混合比率を得る
ことができる。

【００３５】〔他の実施例〕 （ａ） 前記実施例では、ＨＦ蒸気とメチルアルコール
蒸気とを同時に供給して基板Ｗの表面における濡れ性の
向上を図ったが、第１処理液貯溜部３にＨＦとメチルア
ルコールとの混合液を貯溜するようにしてもよい。この
場合には、図６に示すように、空間２１と蒸気空間２５
とを連通する蒸気供給管７９を設け、空間２１に発生し
た蒸気を蒸気空間２５に直接供給する構成としてもよ
い。この蒸気供給管７９は、開閉弁８０により自動的に
開閉される。

【００３６】このような構成においても前記実施例と同
様な効果を得ることができる。 （ｂ） 先の実施例では、基板の処理時において、還流
経路４７，５２より供給経路４５，５０に処理液を直接
循環させているが、図７に示すように、処理液を還流経
路４７，５２より処理液貯溜部３，４に一旦戻し、再度
処理液貯溜部３，４より供給経路４５，５０に供給する
ようにしても良い。

【００３７】このような構成とした場合には、温調を行
うべき処理液の容量は増加するが、図１に示す電磁弁Ｖ
１〜Ｖ４を省略することが可能となる。 （ｃ） ＨＦの代わりに他のハロゲン化水素を用いても
よい。また、メチルアルコールの代わりにエチルアルコ
ールやイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の表面張力
の小さな溶液を用いてもよい。 （ｄ） ＨＦ蒸気とメチルアルコール蒸気とを同一タイ
ミングで供給する代わりに、窒素ガスの供給開始からメ
チルアルコールの温度が急激に低下を示す最初の時間
（たとえば２０秒間）第２蒸気発生部２からメチルアル
コール蒸気のみを導入し、その後にメチルアルコール温
度安定時にＨＦ蒸気とメチルアルコール蒸気とを混合し
て導入するようにしてもよい。

【００３８】

【発明の効果】本発明に係る蒸気発生装置では、基板処
理液を循環させながら、処理液温度調整手段で処理液を
温度調整し、蒸気発生部で処理液を蒸発させるので、処
理時、非処理時にかかわらず処理液の液温が安定する。
この結果、基板処理の再現性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を採用した基板処理装置の全
体ブロック図。

【図２】その基板処理部の断面図。

【図３】その蒸気発生部の断面図。

【図４】その制御系のブロック図。

【図５】その制御フローチャート。

【図６】他の実施例の図１に相当する図。

【図７】他の実施例の図１に相当する図。

【符号の説明】

１ 基板処理部 ２，９ 蒸気発生部 ３，４ 処理液貯溜部 ４５，５０ 供給経路 ４６，５１ ヒータ ４７，５２ 還流経路

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板処理液を貯溜する処理液貯溜部と、 基板処理液を溢れさせながら蒸発させて前記基板処理液
   の蒸気を発生する蒸気発生部と、 前記処理液貯溜部に貯溜された基板処理液を前記蒸気発
   生部へ供給する供給経路と、 前記供給経路の途中に設けられた処理液温度調整手段
   と、 前記蒸気発生部で溢れた基板処理液を前記供給経路にお
   ける処理液温度調整手段の上流または処理液貯溜部に還
   流する還流経路と、 を備えた基板処理用蒸気発生装置。