JPH0622219B2 - ポリオルガノシリコン層を使用する半導体装置の製造方法 - Google Patents

ポリオルガノシリコン層を使用する半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH0622219B2
JPH0622219B2 JP58194476A JP19447683A JPH0622219B2 JP H0622219 B2 JPH0622219 B2 JP H0622219B2 JP 58194476 A JP58194476 A JP 58194476A JP 19447683 A JP19447683 A JP 19447683A JP H0622219 B2 JPH0622219 B2 JP H0622219B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
resist
rie
deposited
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58194476A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59121937A (ja
Inventor
ハルバンス・シン・サツチデヴ
クリシユナ・ガンジ−・サツチデヴ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS59121937A publication Critical patent/JPS59121937A/ja
Publication of JPH0622219B2 publication Critical patent/JPH0622219B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、集積回路の如き半導体構成素子の製造方法に
係り、更に具体的に云えば、ＬＳＩ回路のための高解像
度リソグラフイ方法に於けるパターンの画成に於て、酸
素を含む雰囲気中での反応性イオン食刻に耐える障壁層
（Ｃ2／ＲＩＥ障壁層）として用いられる、オルガノシ
リコンロー単量体のグ放電重合又はプラズマ重合により
付着されたオルガノシリコン重合体層即ちポリオルガノ
シリコン層の形成方法に係る。
〔従来技術〕
ＬＳＩ回路の場合の如く、より高い構成素子密度及びよ
り小さな装置を得るために、半導体集積回路が絶えず超
小型化されるとともに、高密度の金属回路網のため高解
像度のリソグラフイ方法を開発することが必要とされて
いる。単一層の厚いレジスト層を用いた電子ビーム・リ
ソグラフイに於てミクロン及びサブミクロン寸法のレジ
スト像の解像度を限定している１つの大きな要因は、電
子の散乱による近接効果（prximity effect）であ
る。その様な近接効果の問題を除き又は最小限にするた
めに複数の薄い像形成（レジスト）層を用いそしてより
高感度のレジストを用いる多層レジスト方法が、サブミ
クロン寸法のリソグラフイに関する研究開発の分野に於
て益々注目されている。同様に、屈折投影マスク・アラ
イメント装置を用いた光学的リソグラフイに於ても、単
一層のレジスト像の場合に於けるフイールドの深さの制
約による解像度及び縦横比の問題が、多層レジスト方法
によつて解決される。
集積回路装置のための３層レジスト方法は、典型的に
は、放射に対して感応しない重合体ベース層と、薄いＯ
２／ＲＩＥ障壁層と、薄い電子ビーム、紫外線又はＸ線
レジスト層とより成る。上記重合体ベース層は、一般的
には回転被覆により基板上に付着されてから硬化され、
その上にＯ２／ＲＩＥ障壁層が付着され、更にその上に
薄い像形成（レジスト）層が被覆される。従来技術に於
て通常用いられているＯ２／ＲＩＥ障壁層の殆どは、プ
ラズマ付着された酸化シリコン、真空蒸着されたＳｉ
Ｏ、スパッタリングされた石英、及び化学的に気相付着
された（ＣＶＤ）窒化シリコンの如き、無機の性質を有
している。更に詳細については、米国特許第４２０２９
１４号明細書、ＩＢＭTechnical Disclosure Bulletin
２３、２２９３（１９８０）の於けるL.Rothmanによる
文献等を参照されたい。
装置上の金属パターンを形成するためにそれらの３層レ
ジスト技術を用いている１つの方法は、初めに米国特許
第２５５９３８９号明細書に記載され、一般に“消耗性
マスク方法”“リフト・オフ方法”又は“ステンシル方
法”と称されている。この基本的“リフト・オフ方法”
の改良された方法が、例えば米国特許第３８４９１３６
号及び前述の第４２０２９１４号の明細書等に開示され
ている。
その“リフト・オフ”方法に於ては、集積回路基板上の
ベース層として有機重合体材料が用いられ、その上に金
属、二酸化シリコン、窒化シリコン又はポリジメチルシ
ロキサンの如き広範な材料より成り、選択されたパター
ンと開孔を有する、Ｏ２／ＲＩＥ障壁層が用いられてい
る。ポリジメチルシロキサンがＯ２／ＲＩＥ障壁層とし
て用いられたとき、それらは重合体ベース層上に溶液か
ら被覆され又はキィヤステイングされた。更に詳細につ
いては、米国特許第４００４００４号明細書及びＩＢＭ
Journal Research and Development２６、３６２
（１９８２）に於けるL.Fried による文献を参照された
い。
Ｏ２／ＲＩＥ障壁層が付着された後、上記障壁層を乾式
食刻マスクとして用いたＯ２／ＲＩＥにより、対応する
開孔が重合体ベース層中に形成即ち転移される。次に、
金属の如き、所望の薄い層が、構造体上及び上記重合体
ベース層中の開孔により露出されている表面上に全面被
覆される。
重合体ベース層が該層を選択的に除去する溶剤により除
去されるとき、その上の障壁層及び該障壁層上の薄い層
が“リフト・オフ”されて、選択されたパターン状に付
着された薄い層が基板上に残される。
従来の無機の層及び溶液から被覆されたポリジメチルシ
ロキサンの層は、Ｏ２／ＲＩＥに於て効果的なマスク層
として用いられており、又集積回路装置を製造するため
の多層金属方法に於て用いられているが、それらの材料
は、機能の整合性を低下させて、サブミクロン寸法のパ
ターン化のためにリソグラフイ方法への適用性を低下さ
せる、幾つかの問題を有している。例えば、密着した酸
化シリコン又は窒化シリコンの薄い層は例えば２００乃
至２７５℃の比較的高い付着温度で形成され、その結果
有機の層と無機の層との界面に破壊の跡（debris）が生
じ、従つて網状のしわの問題がしばしば生じる．無機の
Ｏ２／ＲＩＥ障壁層に於ける１つの大きな欠点は、高解
像度のリソグラフイに適用され得ない程、高密度の欠陥
がひんぱんに生じることである。一方、溶液から被覆さ
れた又はキヤステイングさたポリ（ジメチルシロキサ
ン）及び“ガラス樹脂”の薄い層は、不均一性、厚さの
制御、及び重合体の鎖上にある量の反応基が存在しこれ
が重合体溶液の寿命に影響を及ぼすことにおいて問題を
有する。
〔目的〕
本発明の目的は、欠陥のないポリオルガノシリコン層を
形成するための方法を提供することである。
本発明の他の目的は、半導体構成素子の製造に於て用い
られるリフト・オフ・マスクのための、ピンホールのな
いＯ２／ＲＩＥ障壁層を形成するための方法を提供する
ことである。
本発明の他の目的は、半導体構成素子のための相互接続
金属系を形成するために用いられるリフト・オフ・マス
クのための、新規な改良されたＯ２／ＲＩＥ障壁層を形
成するための方法を提供することである。
本発明の他の目的は、酸化シリコン及び窒化シリコンの
如き従来のＯ２／ＲＩＥ障壁層におけるピンホールによ
つて生じる層相互間の短絡を除く、改良されたＯ２／Ｒ
ＩＥ障壁層を有するリフト・オフ・マスクを形成するた
めの方法を提供することである。
本発明の更に他の目的は、危険なシラン（SiH4）及びジ
シラン（Si2 H6）のガスから通常形成される酸化シリコ
ン及び窒化シリコンの障壁層に代る改良された代替物と
して、室温に於て液体である非発火性オルガノシリコン
単量体からのプラズマ重合による、ピンホールのないＯ
２／ＲＩＥ障壁層を形成するための方法を提供すること
である。この様にして形成された層は、良好な誘電体特
性を有するＯ２／ＲＩＥ障壁層として有用である。
〔発明の概要〕
本発明の方法を用いた改良された多層レジスト方法又は
リフト・オフ方法は、微細な線のリソグラフイのための
多層レジスト方法又はリフト・オフ方法に於ける従来の
無機の酸化シリンコン層又は窒化シリコン層に代る改良
された代替物として、オルガノシリコン単量体のグロー
放電重合又はプラズマ重合により付着されたオルガノシ
リコン重合体即ちポリオルガノシリコン層のＯ２／ＲＩ
Ｅ障壁層を用いる。本発明の方法に於て用いられる材料
は又、“ガラス樹脂”又はポリ（ジメチルシロキサン）
樹脂の如き、溶液から付着されたポリオルガノシリコン
の層よりも改良された新規なＯ２／ＲＩＥ障壁層を形成
する。
オルガノシリコン単量体のグロー放電重合又はプラズマ
重合により付着された薄い層は、表面安定化及び封入の
ため保護膜、通常の光学素子のための反射防止膜、超小
型電子装置に於ける誘電体、薄い光導波路、及びアルカ
リ・ハロゲン化物を用いた光学素子の耐水性障壁層とし
て有用であることが知られている。更に詳細について
は、米国特許第３８４７６５２号及び第４０１３５３２
号の明細書、並びにThin Solid Films ３３、３５
（１９７５）に於けるM.Maisonneune等による文献等を
参照されたい。
オルガノシリコン重合体は、次に示す一般式を有する、
オルガノシラン、オルガノシラザン、オルガノシロキサ
ン及びそれらの混合物を含むオルガノシリコンの単量体
のグロー放電重合又はプラズマ重合により形成される。
上記式に於て、 Ｘ＝用いないか又は酸素、ＮＨ、ＮＲ２、ＣＨ２或は の基； Ｙ＝ＯＲ１又はＲ３の基； Ｚ＝−ＣＨ＝ＣＨ２、−Ｃ≡ＣＨ、−ＯＲ１、フエニル
又はアミノアルケンの基； Ｒ＝ＣＨ３、−ＣＨ＝ＣＨ２、ＯＲ、−Ｏ−Ｓｉ−Ｒ又
は−Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ２の基： Ｒ１、Ｒ２及びＲ３＝好ましくは１乃至３個の炭素原子
を有するアルキル基 である。
それらの材料の例としては、次のものが挙げられる。
これらの材料は単一で又は相互に混和されて用いられ
る。その組成は、疎水性、熱安定性、機械的強度、付着
性、接触面との適合性及びＯ２／ＲＩＥ速度の所望の層
特性に応じて、容易に変えられる。プラズマ重合により
付着されたポリオルガノシリコン層は、４５０℃迄加熱
されたときでも熱的に安定であり、殆どの現像及びリフ
トオフ用溶剤に耐え、接触する有機層に対して良好に付
着し、Ｏ２プラズマ又はＯ２／ＲＩＥに於て実質的に零
の食刻速度を有するが、ＣＦ４、ＣＨＦ３又はＣＦ４／
Ｏ２を含む雰囲気中でのＲＩＥによつて食刻される。そ
れらの層は又、付着促進剤の付着又は他の表面の修正を
行うことなく、有機重合体層相互間又は有機-無機重合
体層相互間の界面としても用いられる。
多層レジスト・マスク又は“リフト・オフ”・マスク
は、プラズマ重合により付着されたポリオルガノシリコ
ン層の障壁層を、フオトレジスト、紫外線レジスト、Ｘ
線レジスト又は電子ビーム・レジストの層で全面被覆す
ることによつて完成され、上記レジスト層は、所望の金
属パターンに対応し、上記障壁層の対応するパターンを
露出させる開孔パターンが形成される様に、標準的なフ
オトリソグラフイ、紫外線リソグラフイ、Ｘ線リソグラ
フイ又は電子ビーム・リソグラフイの技術を用いてパタ
ーン化される。そのパターン化されたレジスト層をマス
クとして用いて、対応する開孔が、前述の如くＣＦ４の
雰囲気でもよい適当な雰囲気中でＲＩＥを施すことによ
り、上記障壁層中に形成される。
通常は、上記ＲＩＥに続いて、対応する開孔が再びＲＩ
Ｅによつてリフト・オフ・マスクのベース層中に食刻さ
れ、そのＲＩＥは通常は同一のスパツタリング・チエン
バ内で行われ、ポリスルホンのベース層の場合には、上
記雰囲気がパージされて、プラズマ重合により付着され
たポリオルガノシリコン層が実質的に耐え得る酸素を含
有する雰囲気に変えられる。対応する開孔がリフト・オ
フ・マスクのベース層中に形成されることにより、対応
するパターンの基板が露出される。リフト・オフ・マス
クのベース層（例えば、ポリスルホン）がＯ２／ＲＩＥ
されると同時に、上記レジスト層も除去される。
上記レジスト層が除去された後（ベース層のＯ２／ＲＩ
Ｅと同時でもよい）、例えば比率９６／４のアルミニウ
ム／銅合金の如きアルミニウムを基材とする合金等の導
電性金属の層が、多層レジスト・マスク又はリフト・オ
フ・マスクの露出されている障壁層上、及び基板の露出
部分上に全面付着（例えば、スパツタリング又は真空付
着により）される。それから、基板が、リウト・オフ・
マスクのベース層（例えば、ポリスルホン）を選択的に
除去する溶剤にさらされる。上記ベース層が溶解される
とき、その上に重ねられているすべての層がリフト・オ
フされて、保持されている金属パターンに対して相補的
パターンを成す基板の他の部分が露出される。
本発明の方法は又、プラズマ重合雰囲気中にオルガノボ
ロン（例えば、トリメチルボロキシン、 を導入することにより、修正されたプラズマ重合による
ポリオルガノシリコン層を付着する。そのプラズマ重合
により付着された有機金属重合体の層は、酸素プラズマ
（例えば、通常の酸素プラズマによるレジスト除去装
置）中で処理されて、その表面及び該表面に隣接する部
分が、Ｏ２／ＲＩＥ障壁層としても働く、金属酸化物の
混合物に変換される。その修正された層も、ＣＦ４及び
ＣＨＦ３中でのＲＩＥによつて食刻される。
上記の酸素プラズマによる処理は、酸素プラズマによっ
て、必要に応じて一部または安全に酸化された材料へと
ポリオルガノシリンコン層を変更することを可能ならし
める。上記層のＣ及びＨの含有量は、単に、付着中に酸
素をプラズマ装置中に注入しそして必要に応じて圧力を
増すことによつて、減少される。
湿気に対して敏感な有機の基板又は表面上に於ける酸化
シリコンの付着は、特に湿気が高い場合に、網状のしわ
をしばしば生じることが知られている。この修正された
層に於ては、その様な問題は何ら生じていない。オルガ
ノシリコン重合体は雰囲気又は高温に於けるプラズマ重
合により付着されるが、酸化シリコン又は窒化シリコン
の層は概して２７０乃至３００℃で付着される。又、本
発明の方法によるこの修正は、適当な単量体を選択する
ことにより、プラズマ重合により付着される層の有機含
有量を変えることによつて、界面に於ける膨脹率の調整
を可能にする。
〔実施例〕
次に、第１図乃至第８図を参照して、本発明の方法をそ
の１実施例について更に詳細に説明する。第１図に於
て、典型的には単結晶シリコン又は他の半導体材料（例
えば、ケルマニウム、第III−Ｖ族化合物等）である基
板１上に、例えば酸化シリコン、Ｓｉ３Ｎ４又はそれら
の複合体等である誘電体層２が設けられている。本発明
の方法に従つてプラズマ重合により付着されたポリオル
ガノシリコン層は、導体及び半導体の材料上の誘電体層
としても有用である。この実施例に於て、基板１は、能
動素子又は受動素子（拡散領域３により示されている）
並びにそれらの素子を相互に電気的に分離するための手
段を有する集積回路として示されている。その様な適用
例に於ては、通常、能動素子及び受動素子への接点を形
成するために、接点開孔４が誘電体層２中に形成され
る。しかしながら、集積回路チツプ又は装置及び適当な
関連回路を支持するための誘電体モジュール又は支持体
（例えば、アルミナ・セラミツク、ガラス−セラミツク
等）上に金属パターンを形成するために本発明の方法が
用いられる場合には、基板１は絶縁材料の基体である。
次に、例えば、１乃至１５ミクロン、好ましくは１乃至
３ミクロンの厚さを有する、溶剤に可溶な有機重合体の
ベース層６が基板１上に全面付着される。例えば、ポリ
スルホンの重合体樹脂の如き、溶剤に可溶な種々の適当
な重合体が用いられ、それらの多くは米国特許第４０４
５３１８号明細書に記載されている。１つの典型的なポ
リスルホンは、３Ｍ社製の“ＡＳＴＲＥＬ３６０”（商
品名）として市販されている。
ベース層６に用いられ得るもう１つの有効な重合体は、
ノボラック型フエノール−ホルムアデヒド樹脂と、ｏ−
キノンジアジドの感光性交叉結合剤とを含む、Shipley
社製のＡＺ−１３５（商品名）の如き、従来のフオトレ
ジストである。フオトレジスト材料（例えば、ＡＺ−１
３５０）は、基板への付着性を増すために約２１０℃で
ベーキングされるとき、熱安定化されるとともに、減感
される。上記レジストは、回転被覆、ブラツシング浸漬
等の如き、周知の技術によつて付着される。
説明のために、重合体ベース層６は、ジグリム及びＮ−
メチルピロリドンの溶媒混合物中に於ける２０重量％の
ＩＣＩポリスルホンの溶液が回転被覆することにより付
着されそして膜厚２μｍになる様にベーキングされた、
ポリスルホン層より成る。
次に、第２図に於て、前述の如きオルガノシリコン単量
体のプラズマ重合により形成されたポリオルガノシリコ
ン層より成る障壁層７が、溶剤に可溶な、熱的に硬化さ
れたベース層６上に全面付着される。前述の如く、障壁
層７は、Ｏ２／ＲＩＥに耐え、厚さ約５００乃至約３０
００Å、好ましくは約８００乃至１５００Åの範囲で付
着される。この特定の実施例に於ては、ジビニルテトラ
メチルジシロキサン又はヘキサメチルジシラザンのプラ
ズマ重合により、厚さ１０００Åの障壁層７が付着さ
れ、その障壁層は、ＳｉＯｘ材料に酸化されてＯ２／Ｒ
ＩＥ障壁層として働くようになる。従つて、その障壁層
７が厚さ２μｍのポリスルホンのベース層６上に被覆さ
れて、それらの複合体がＯ２／ＲＩＥにさらされたと
き、該障壁層７に於て測定され得る厚さの損失は何ら観
察されなかつた。又、プラズマ重合によるポリオルガノ
シリコン層７が、１、３−ジビニルテトラメチルジシロ
キサン又はヘキサメチルジシラザンから、前述のＩＣＩ
ポリスルホンのベース層６上に１５００Åの厚さに形成
され、それからすぐに８５℃で５分間、２００℃で１０
分間、そして３００℃で１０分間のアニーリング工程が
施された。又は、付着が、直接１００乃至２５０℃に加
熱された基板上で行われた。
オルガノシリコン単量体のプラズマ重合は、１３．５４
ＭＨｚで動作される誘導結合型高周波ジエネレータを用
いた高周波放電により行われた。基板が、回転台及びSl
oan 型石英厚さ監視装置を装備されたチエンバ内に於て
グローの下流に位置付けられた。導入管から単量体の蒸
気を４０乃至５０×１０−３Ｔｏｒｒの圧力で導入する
前に、付着チエンバが５×１０−３Ｔｏｒｒに排気され
た。この様な条件の下で、５乃至２０ワツトのパワー入
力を用いて、石英結晶により測定された、毎分４０乃至
６０Åの付着速度が得られた。雰囲気温度に於てプラズ
マ重合により付着された層が、それからホツト・プレー
ト又は静止した炉上で３００℃迄アニーリングされた。
用いられた種々の基板は、シリコン、酸化されたシリコ
ン（Ｓｉ／ＳｉＯ２）のウエハ、シリコン基板上に被覆
された硬化されたポリイミド層、ポリスルホン及びベー
キングされたＡＺ型の層であつた。プラズマ重合により
シリコン上に付着された層が、アニーリングの前後に、
Nicolet 型ＦＲＩＲ装置及びＥＳＣＡ上に於て赤外線透
過スペクトルにより分析された。それらの赤外線スペク
トルは、種々と帯域の広がりが重合体構造の複雑さを示
している他は、オルガノシリコン重合体を特性付けてい
る。
アニーリング工程は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉを帯域の強度を増
加させ、Ｓｉ−Ｃの帯域の強さを減少させることが解つ
た。
Nevonic型電解欠陥検出装置を用いてピンホール密度を
測定した結果、付着後のアニーリングは、プラズマ重合
により付着された層が、酸素プラズマ又はＯ２／ＲＩＥ
にさらされた後でも、常に欠陥を有していない様に条件
付けることを示した。同一の条件の下で、厚さ１０００
乃至１５００ÅのＳｉＯｘ層は１cm2当り１０乃至１２
個の欠陥を有し、厚さ１２００Åの窒化シリコン層は１
cm2当り６個の欠陥を示した。
第３図に於て、例えば電子ビームに感応するポジテイブ
型ノボラック／ｏ−キノンジアジド・レジストの如き、
約０．５乃至０．８μｍの厚さを有する、フオトレジス
ト、Ｘ線レジスト又は電子ビーム・レジストの層８が障
壁層７上に回転被覆により全面被覆される。次に、第４
図に示されている如く、開孔９Ａ及び９Ｂが、集積回路
の分野に於て周知のリソグラフイ技術により、レジスト
層８中に形成される。
それから、露光されそしてパターン化されたレジスト層
８が、該レジスト層８の開孔パターンが障壁層７に転移
される様に該障壁層７をＲＩＥするためのマスクとして
用いられる。この様にして、第５図に示されている如
く、レジスト層８の開孔９Ａ及び９Ｂが、障壁層７中
に、各々開孔１０Ａ及び１０Ｂとして効果的に転移され
る。
ＲＩＥに於て、第４図の構造体が、少くとも２５sccmの
流れ、２５μTorrの圧力及び２００ワットのパワー密度
に於けるＣＨＦ３の雰囲気を有する、二極型装置中に配
置される。プラズマ重合により付着された障壁層７の食
刻に用いられる高周波装置の１例が、米国特許第３５９
８７１０号明細書に記載されている。
この時点に於て、所望であれば、レジスト層８は、該レ
ジストを選択的に食刻するが、重合体ベース層６を食刻
しない適当な溶剤により除去されてもよい。しかしなが
ら、前述の如く、レジスト層８は簡便に重合体ベース層
６のＯ２／ＲＩＥと同時に除去されることが好ましい。
従つて、第６図に示されている如く、開孔を有する障壁
層７とレジスト層８との複合体をマスクとして用いて、
開孔がＯ２／ＲＩＥにより重合体ベース層６中に形成さ
れる。ポリスルホンのベース層６の場合には、Ｏ２／Ｒ
ＩＥは、２０乃至３０μTorrのＯ２の圧力及び２００ワ
ツト／cm２のパワー密度に於て５乃至８分間で達成さ
れ、減感されたＡＺ−１３５０のペース層６の場合に
は、約１００mTorrのＯ２の圧力及び約０．２５ワツト
／cm２のパワー密度に於て効果的に達成される。又は、
雰囲気は、アルゴン、窒素等の如き不活性ガスと組合わ
されたＯ２でもよい。この様にして、第６図に示されて
いる如く、障壁層７中の開孔１０Ａ及び１０Ｂが重合体
ベース層６中に各々開孔１１Ａ及び１１Ｂとして効果的
に転移される。前述の如く、レジスト層８の残されてい
る部分はポリスルホンのベース層６のＯ２／ＲＩＥと同
時に除去される。
第５図及び第６図に於ける連続的ＲＩＥ工程は、簡便に
同一のＲＩＥチエンバ内で達成されることが出来、初め
にに障壁層７のための弗素を含むガスの雰囲気が用いら
れ、それから該雰囲気がパージされて、重合体ベース層
６のための酸素を含む雰囲気に取換えられる。第６図に
示されている如く、重合体ベース層６のＯ２／ＲＩＥ
は、障壁層７の下のベース層６がオーバ・エツチングさ
れて、張出部分が形成される様に、更に続けられてもよ
い。それらの張出部分は、前述の第４００４０４４号明
細書に於て更に詳細に論じられている如く、開孔１１Ａ
及び１１Ｂに於てベース層６を完全に除去し、パターン
の寸法を制御し、そしてマスクのリフト・オフ中に上部
の層に亀裂をもたらさないことを保証するように作用す
る。
次に、第６図に於ける開孔１０Ａ／１１Ａ並びに開孔１
０Ｂ／１１Ｂを有す複合体即ちリフト・オフ・マスク７
Ａ／６Ａをマスクとして用いて、機能的金属層１５が、
第７図に示されている如く、構造体上に全面被覆され
る。この金属層１５は、例えばアルミニウム、アルミニ
ウム−銅合金、白金、パラジウム、クロム等の如き、半
導体技術に於て装置の金属に従来用いられている任意の
金属でよい。この金属は、構造体の表面上に、即ち障壁
層７Ａ上及び複合体即ちリフト・オフ・マスク７Ａ／６
Ａ中の開孔１０Ａ／１１Ａ及び１０Ｂ／１１Ｂにより露
出されている基板部分上に、蒸着又はスパツタリングに
より、全面被覆される。
次の処理に於て、第８図に示されている如く、リフト・
オフ・マスク７Ａ／６Ａ及び該マスク上のすべての金属
層１５が、基板を該リフト・オフ・マスクの重合体ベー
ス層６Ａを選択的に食刻する溶財をさらすことによつ
て、除去される。ポリスルホンのベース層６Ａの場合に
は、その溶剤は、超音波撹拌されている、６０℃のＮ−
メチルピロリドンでよい。第８図に示されている如く、
得られた構造体は、付着された金属パターン１５Ａ及び
１５Ｂを有している。
プラズマ重合により付着されたポリオルガノシロキサン
の層の研究に於て、次に示す結果が得られた。ジビニル
テトラメチルシジロキサン（ＤＶＳ）、ヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）、ヘキサメチルシジロキサン（Ｈ
ＭＳ）、ビニルトリメトキシシラン（ＶＴＳ）、及びγ
−アミノトリエトキシプロピルシラン（Ａ−１１００）
のプラズマ重合による薄い層が、１３．５６ＭＨｚに於
ける誘導結合型高周波プラズマ装置中に於てグローの下
流に配置されたシリコン・ウエハ上に付着され、欠陥、
熱安定性及び溶剤に対する耐性に関してテストが施され
た。
欠陥密度の評価は、Navonic型電解欠陥検出装置を用い
たバブル・トレイル方法により行われた。それらの層
は、シリコン・ウエハ上に７００、１２００、１５００
及び２０００Åの厚さに付着されてから、３００℃でア
ニーリングされ、メタノール中に於て１０６ｖ／cmで欠
陥が調べられた。各々の厚さについて、２．８cm2 の面
積に於て、バブル・トレイルは存在せず、ピンホールは
何ら観察されなかつた。酸素プラズマ中で処理され又は
Ｏ２／ＲＩＥされたとき、それらの層は常に欠陥を示さ
ないことが解つた。Tegal 型プラズマ装置中で２００ワ
ツトのパワー密度及び０．８TorrのＯ２の圧力を用い
て、５乃至１０分間、Ｏ２プラズマ処理か行われたとき
も、それらの層は殆ど欠陥を示さず、幾つかの場合に於
て１cm2 当り１個の欠陥しか検出されなかつた。同一条
件の下でテストされたとき、シリコン・ウエハ上の１６
６０ÅのＳｉＯ２層は、１cm2 当り１０乃至１５個の欠
陥を示した。
又、ＤＶＳのプラズマ重合が、８０：２０の比率のＤＶ
Ｓ及びアルゴンを用いて行われた。付着された厚さ１５
００Åの層は、前述の如くテストされたとき、検出可能
なピンホールを何ら示さなかつた。
熱安定性に関するテストに於て、ＤＶＳ、ＨＭＤＳ、Ｈ
ＭＳ及びＶＴＳのプラズマ重合により付着された層は、
４００℃迄安定であることがわかつた。
プラズマ重合により付着されて、熱的にアニーリングさ
れた層は、Ｎ−メチルピロリドンを含む、通常の有機溶
剤中に不溶であることが解つた。接触角に関しては、シ
リコン基板上にプラズマ重合により付着されたときの層
は、θＨ２Ｏ ８０乃至８２゜であり、表面が疎水性で
あることを示した。窒素の下で３００℃迄アニーリング
されたとき、θＨ２Ｏ ７６乃至７８゜の接触角が得ら
れた。層の表面が前述のTegal型プラズマ装置中で簡単
な酸素プラズマ処理により修正されたとき、その接触角
はθＨ２Ｏ １０乃至１５゜に減少した。
プラズマ重合により付着された層のＦＴＩＲ（フーリエ
変換赤外線）分析が、典型的な例として、ＫＢｒの円板
上に付着されたＤＶＳに関して行われ、Ｃ−Ｈ（２９５
５cm−１）、Ｓｉ−Ｏ（１０３２cm−１）、Ｓｉ−Ｃ
（８３９cm−１）及びＳｉ−（ＣＨ３）３（８３９cm
−１）のための特徴的振動周波数を示した。プラズマ重
合により付着された幾つかのポリオルガノシリコン層に
関するＥＳＣＡデータが次の表に示されている。スペク
トル測定は、金で被覆された基板上に付着された層を用
いて行われた。
ＤＶＳのプラズマ重合により付着された厚さ１５００Å
の層（３００℃迄アニーリングされてから、Tegal 型プ
ラズマ装置中で３０秒間酸素プラズマ処理を施された）
が、該層と、厚さ１．１μｍのポリスルホンのベース層
と、厚さ０．８５μｍのフエノール−ホルム−アルデヒ
ド／ｏ−キノンジアジドのポジテイブ型像形成（レジス
ト）層とより成る３層レジスト構造体に於て、Ｏ２／Ｒ
ＩＥ障壁層として用いられた。１０μｍＣ／cm２に於け
る電子ビーム露光及び通常の現像により、１μｍ及び
１．５μｍの鮮鋭な形状寸法が得られた。ＣＨＦ３中で
のＲＩＥ（ＣＨＦ３／ＲＩＥ）及び続いて行われたＯ２
／ＲＩＥにより、障壁層７からポリスルホンのベース層
６へ像が良好に転移された。
本発明の方法の１つの修正に於て、前述の如く、厚さ１
０００Åの障壁層７が、厚さ１．８μｍのポリスルホン
のベース層６上に、ポリスルホンを食刻するための効果
的なＯ２／ＲＩＥ障壁層が得られる様に、１：１の比率
のジビニルテトラメチルジシロキサン及びトリメトキシ
ボロキシンの混合物をプラズマ重合することにより付着
された。厚さ８０００Åのノボラック／ｏ−キノンジア
ジドのエジスト層８が上記障壁層７上に付着され、１０
μｍＣ／cm2 の照射量の電子ビームで照射され、通常の
方法で現像された後、像がＣＨＦ３／ＲＩＥによつて障
壁層７に明確に転移されて、１μｍ及びサブミクロンの
線が食刻された。次に、像が、Ｏ２／ＲＩＥによつてポ
リスルホンのベース層６中に食刻された。プラズマ重合
により付着された有機金属層７は、Ｏ２／ＲＩＥ（例え
ば、ベース層６の食刻）にさらされて、上面近傍に於て
その場で、Ｏ２／ＲＩＥマスクとして働く、ＳｉＯｘＢ
Ｏｙ混合物に変換される。
又、プラズマ重合により付着されたオルガノシリコン重
合体層中に硼素を導入することにより、そのＣＨＦ３／
ＲＩＥの速度が増加される。ジビニルテトリメチルジシ
ロキサンのプラズマ重合により付着された層のＣＨＦ３
／ＲＩＥ速度は毎分５０Åであり、トリメトキシボロキ
シンとジビニルテトラメチルジシロキサンとの単量体混
合物のプラズマ重合により付着された層のＣＨＦ３／Ｒ
ＩＥ速度は同一条件の下で毎分１４０Åであつた。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第８図は本発明の方法の種々の断階に於ける
基板の一部を示す概略的縦断面図である。 １……基板、２……誘電体層、３……拡散領域、４……
接点開孔、６、６Ａ……重合体ベース層、７、７Ａ……
オルガノシリコン単量体のプラズマ重合により形成され
たオルガノシリコン重合体層即ちポリオルガノシリコン
層より成るＯ２／ＲＩＥ障壁層、６Ａ／７Ａ……リフト
・オフ・マスク、８……レジスト層、９Ａ、９Ｂ、１０
Ａ、１０Ｂ、１１Ａ、１１Ｂ……開孔、１５……金属
層、１５Ａ、１５Ｂ……金属パターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−172741（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−137269（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−91834（ＪＰ，Ａ) 米国特許3822928（ＵＳ，Ａ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】(a)基板上に、溶剤によって溶解可能な重
    合体からなる第１の層を全面付着する工程と、 (b)上記第１の層上に、オルガノシラン、オルガノシラ
    ザン、オルガノシロキサン及びそれらの混合物を含むオ
    ルガノシリコンより成る群から選択された単量体を含む
    雰囲気からのプラズマ重合により、ポリオルガノシリコ
    ンからなる第２の層を付着する工程と、 (c)上記第２の層を交差結合させるために、上記第２の
    層を８５乃至４００℃の温度で、１０乃至３０分間、熱
    処理する工程と、 (d)上記第２の層上に、レジスト層を付着する工程と、 (e)上記レジスト層を露光して現像することにより、上
    記レジスト層に開口パターンを形成する工程と、 (f)上記レジスト層をマスクとして、フッ素を含むプラ
    ズマ雰囲気中で反応性イオンエッチングすることによ
    り、上記第２の層に、上記レジスト層の開口パターンに
    対応する開口パターンを形成する工程と、 (g)上記第２の層をマスクとして、酸素を含むプラズマ
    雰囲気中で反応性イオンエッチングすることにより、上
    記第１の層に、上記第２の層の開口パターンに対応する
    開口パターンを形成する工程と、 (h)上記工程(g)の処理が行われた構造体に、導電材料の
    層を全面付着する工程と、 (i)上記第１の層を溶剤によって溶解することにより、
    上記第１の層上に残存する層をリフト・オフする工程を
    有する、 ポリオルガノシリコン層を使用する半導体装置の製造方
    法。
JP58194476A 1982-12-23 1983-10-19 ポリオルガノシリコン層を使用する半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH0622219B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US452549 1982-12-23
US06/452,549 US4493855A (en) 1982-12-23 1982-12-23 Use of plasma polymerized organosilicon films in fabrication of lift-off masks

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59121937A JPS59121937A (ja) 1984-07-14
JPH0622219B2 true JPH0622219B2 (ja) 1994-03-23

Family

ID=23796913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58194476A Expired - Lifetime JPH0622219B2 (ja) 1982-12-23 1983-10-19 ポリオルガノシリコン層を使用する半導体装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4493855A (ja)
EP (1) EP0114229B1 (ja)
JP (1) JPH0622219B2 (ja)
DE (1) DE3382697D1 (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4560641A (en) * 1982-03-26 1985-12-24 Hitachi, Ltd. Method for forming fine multilayer resist patterns
US4782008A (en) * 1985-03-19 1988-11-01 International Business Machines Corporation Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof
US4745044A (en) * 1985-04-26 1988-05-17 International Business Machines Corporation Multilayer resists with improved sensitivity and reduced proximity effect
JPH0622231B2 (ja) * 1985-04-26 1994-03-23 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US4692205A (en) * 1986-01-31 1987-09-08 International Business Machines Corporation Silicon-containing polyimides as oxygen etch stop and dual dielectric coatings
US4732841A (en) * 1986-03-24 1988-03-22 Fairchild Semiconductor Corporation Tri-level resist process for fine resolution photolithography
US4963512A (en) * 1986-03-25 1990-10-16 Hitachi, Ltd. Method for forming conductor layers and method for fabricating multilayer substrates
US4908094A (en) * 1986-04-14 1990-03-13 International Business Machines Corporation Method for laminating organic materials via surface modification
US5208067A (en) * 1986-04-14 1993-05-04 International Business Machines Corporation Surface modification of organic materials to improve adhesion
US4715941A (en) * 1986-04-14 1987-12-29 International Business Machines Corporation Surface modification of organic materials to improve adhesion
US4824753A (en) * 1986-04-30 1989-04-25 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Carrier coated with plasma-polymerized film and apparatus for preparing same
US4737425A (en) * 1986-06-10 1988-04-12 International Business Machines Corporation Patterned resist and process
JPH0690542B2 (ja) * 1986-07-10 1994-11-14 ミノルタ株式会社 バインダ−型キヤリア
JPH0690541B2 (ja) * 1986-07-10 1994-11-14 ミノルタ株式会社 バインダ−型キヤリア
US4822708A (en) * 1986-08-01 1989-04-18 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Carrier for use in developing device of electrostatic latent image and production thereof
JP2797294B2 (ja) * 1987-01-29 1998-09-17 ミノルタ株式会社 バインダー型キヤリア
US4837847A (en) * 1987-02-03 1989-06-06 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus
JP2643136B2 (ja) * 1987-02-20 1997-08-20 ミノルタ株式会社 電子写真用キヤリア
US4842941A (en) * 1987-04-06 1989-06-27 General Electric Company Method for forming abrasion-resistant polycarbonate articles, and articles of manufacture produced thereby
US4826564A (en) * 1987-10-30 1989-05-02 International Business Machines Corporation Method of selective reactive ion etching of substrates
US4844986A (en) * 1988-02-16 1989-07-04 Becton, Dickinson And Company Method for preparing lubricated surfaces and product
JPH01309074A (ja) * 1988-06-07 1989-12-13 Minolta Camera Co Ltd 現像剤組成物
US5024896A (en) * 1989-07-06 1991-06-18 International Business Machines Corporation Collimated metal deposition
US5201947A (en) * 1989-09-29 1993-04-13 Ethyl Corporation Preceramic compositions and ceramic products
US5217567A (en) * 1992-02-27 1993-06-08 International Business Machines Corporation Selective etching process for boron nitride films
US5298587A (en) * 1992-12-21 1994-03-29 The Dow Chemical Company Protective film for articles and method
US5747119A (en) * 1993-02-05 1998-05-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition method and apparatus
US5433786A (en) * 1993-08-27 1995-07-18 The Dow Chemical Company Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein
JPH0817174B2 (ja) * 1993-11-10 1996-02-21 キヤノン販売株式会社 絶縁膜の改質方法
US5550405A (en) * 1994-12-21 1996-08-27 Advanced Micro Devices, Incorporated Processing techniques for achieving production-worthy, low dielectric, low interconnect resistance and high performance ICS
JP2956571B2 (ja) * 1996-03-07 1999-10-04 日本電気株式会社 半導体装置
US5908319A (en) * 1996-04-24 1999-06-01 Ulvac Technologies, Inc. Cleaning and stripping of photoresist from surfaces of semiconductor wafers
US5989998A (en) * 1996-08-29 1999-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming interlayer insulating film
US5807787A (en) * 1996-12-02 1998-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for reducing surface leakage current on semiconductor intergrated circuits during polyimide passivation
JP3300643B2 (ja) * 1997-09-09 2002-07-08 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6430810B1 (en) * 1997-10-28 2002-08-13 Uniax Corporation Mechanical scribing methods of forming a patterned metal layer in an electronic device
US6248661B1 (en) * 1999-03-05 2001-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for monitoring bubble formation and abnormal via defects in a spin-on-glass planarization, etchback process
US6524689B1 (en) 1999-10-28 2003-02-25 Quantum Corporation Castellation technique for improved lift-off of photoresist in thin-film device processing and a thin-film device made thereby
US6736984B2 (en) * 2001-05-17 2004-05-18 Honeywell International Inc. Non-mechanical fabrication of carbon-containing work pieces
US7291446B2 (en) * 2004-03-17 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a hard mask to improve etch characteristics
DE102007006640A1 (de) * 2007-02-06 2008-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Aufbringen einer Struktur auf ein Halbleiterbauelement

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3822928A (en) 1971-08-02 1974-07-09 Bell Telephone Labor Inc Thin film light guide

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2257177A (en) * 1937-07-17 1941-09-30 Standard Oil Dev Co Polymerization by means of a high frequency electric discharge
GB920078A (en) * 1960-10-06 1963-03-06 Ici Ltd Polyolefine films
US3287242A (en) * 1961-05-19 1966-11-22 American Cyanamid Co Synthesis of high polymers in electrical discharges
US3310424A (en) * 1963-05-14 1967-03-21 Litton Systems Inc Method for providing an insulating film on a substrate
US3598710A (en) * 1966-04-04 1971-08-10 Ibm Etching method
US3632386A (en) * 1968-10-31 1972-01-04 Arbco Inc Treated silicone surface
US3702833A (en) * 1970-05-01 1972-11-14 Horizons Research Inc Curable fluorophosphazene polymers
US3912461A (en) * 1970-11-02 1975-10-14 Texas Instruments Inc Low temperature metal carbonitride coatings
US3686018A (en) * 1970-11-02 1972-08-22 Dow Chemical Co Method of metallizing an organic substrate
US3732158A (en) * 1971-01-14 1973-05-08 Nasa Method and apparatus for sputtering utilizing an apertured electrode and a pulsed substrate bias
US3867216A (en) * 1972-05-12 1975-02-18 Adir Jacob Process and material for manufacturing semiconductor devices
US3948820A (en) * 1972-11-02 1976-04-06 Horizons Incorporated Curable polyphosphazene copolymers and terpolymers
US4026742A (en) * 1972-11-22 1977-05-31 Katsuhiro Fujino Plasma etching process for making a microcircuit device
US3847652A (en) * 1972-12-08 1974-11-12 Nasa Method of preparing water purification membranes
US3953115A (en) * 1973-03-16 1976-04-27 Itek Corporation Method for providing an abrasion resistant coating for plastic ophthalmic lenses and the resulting lenses
US3984301A (en) * 1973-08-11 1976-10-05 Nippon Electric Varian, Ltd. Sputter-etching method employing fluorohalogenohydrocarbon etching gas and a planar electrode for a glow discharge
US3873361A (en) * 1973-11-29 1975-03-25 Ibm Method of depositing thin film utilizing a lift-off mask
US3971684A (en) * 1973-12-03 1976-07-27 Hewlett-Packard Company Etching thin film circuits and semiconductor chips
US4013532A (en) * 1975-03-03 1977-03-22 Airco, Inc. Method for coating a substrate
US4004044A (en) * 1975-05-09 1977-01-18 International Business Machines Corporation Method for forming patterned films utilizing a transparent lift-off mask
US4018945A (en) * 1975-06-19 1977-04-19 Rca Corporation Method of making a metallized video disc having an insulating layer thereon
US4013463A (en) * 1975-08-15 1977-03-22 Leder Lewis B Photoreceptor fabrication utilizing AC ion plating
SE435297B (sv) * 1975-08-22 1984-09-17 Bosch Gmbh Robert Optiska reflektorer framstellda genom att reflektorytan belegges med ett skyddsskikt
CA1077787A (en) * 1975-11-21 1980-05-20 National Aeronautics And Space Administration Abrasion resistant coatings for plastic surfaces
JPS5857205B2 (ja) * 1976-02-02 1983-12-19 住友化学工業株式会社 半透膜の製造方法
US4035276A (en) * 1976-04-29 1977-07-12 Ibm Corporation Making coplanar layers of thin films
US4138306A (en) * 1976-08-31 1979-02-06 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Apparatus for the treatment of semiconductors
JPS53137269A (en) * 1977-03-21 1978-11-30 Nasa Oxygen afterrtreating of plastic surface having coating layer formed by plasma polymerization of sili0con containing monomor
US4137330A (en) * 1977-04-18 1979-01-30 The Firestone Tire & Rubber Company Metal salt catalyzed polymerization of (NPCl2) oligomers
US4091166A (en) * 1977-06-17 1978-05-23 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Boron trifluoride coatings for thermoplastic materials and method of applying same in glow discharge
US4226896A (en) * 1977-12-23 1980-10-07 International Business Machines Corporation Plasma method for forming a metal containing polymer
US4212719A (en) * 1978-08-18 1980-07-15 The Regents Of The University Of California Method of plasma initiated polymerization
US4279723A (en) * 1978-08-18 1981-07-21 The Regents Of The University Of California Polymerization of inorganic element-containing monomers using plasma
US4202914A (en) * 1978-12-29 1980-05-13 International Business Machines Corporation Method of depositing thin films of small dimensions utilizing silicon nitride lift-off mask
US4272561A (en) * 1979-05-29 1981-06-09 International Business Machines Corporation Hybrid process for SBD metallurgies
US4260647A (en) * 1979-06-13 1981-04-07 Rca Corporation Method of depositing an abrasive layer
US4292397A (en) * 1980-04-17 1981-09-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for preparing dry planographic plates with plasma
US4382985A (en) * 1980-10-11 1983-05-10 Daikin Kogyo Co., Ltd. Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film
EP0050973B1 (en) * 1980-10-28 1986-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Masking process for semiconductor devices using a polymer film
JPS57172741A (en) * 1981-04-17 1982-10-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Method for forming insulating film for semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3822928A (en) 1971-08-02 1974-07-09 Bell Telephone Labor Inc Thin film light guide

Also Published As

Publication number Publication date
DE3382697D1 (de) 1993-07-22
EP0114229A3 (en) 1986-08-06
US4493855A (en) 1985-01-15
EP0114229B1 (en) 1993-06-16
EP0114229A2 (en) 1984-08-01
JPS59121937A (ja) 1984-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0622219B2 (ja) ポリオルガノシリコン層を使用する半導体装置の製造方法
US4599243A (en) Use of plasma polymerized organosilicon films in fabrication of lift-off masks
US4562091A (en) Use of plasma polymerized orgaosilicon films in fabrication of lift-off masks
US4692205A (en) Silicon-containing polyimides as oxygen etch stop and dual dielectric coatings
US5100503A (en) Silica-based anti-reflective planarizing layer
EP0130338B1 (en) Resist structure and processes for making and patterning it
JP2744875B2 (ja) 感光性ケイ素含有レジスト組成物及びその使用方法
KR890003264B1 (ko) 3층 레지스트 및 레지스트 패턴의 형성방법
US4978594A (en) Fluorine-containing base layer for multi-layer resist processes
JPS613411A (ja) リフトオフ処理方法
KR100893120B1 (ko) 리소그래피 공정용 탑 코트
EP0031463B1 (en) Process for depositing a pattern of material on a substrate and use of this process for forming a patterned mask structure on a semiconductor substrate
JPH0527444A (ja) シリカ基材非反射性平面化層
EP0150403B1 (en) Multilevel metal structure and process for making same
JPH0368904B2 (ja)
US4868096A (en) Surface treatment of silicone-based coating films
EP0212334B1 (en) Improved polyimide formulation for forming a patterned film on a substrate
US3687718A (en) Silica surface treatment
JPH0314333B2 (ja)
JPH038581B2 (ja)
US6379870B1 (en) Method for determining side wall oxidation of low-k materials
JPS6329951A (ja) 微細配線パタ−ン形成法
JP2571072B2 (ja) パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板
Gupta et al. Trilayer Resist Processing Using Spin-On Glass Intermediate Layers
JPH05265224A (ja) 三層レジスト法によるパターン形成方法