JPH0621819B2 - 放射線画像情報読取装置 - Google Patents
放射線画像情報読取装置Info
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- JPH0621819B2 JPH0621819B2 JP60251488A JP25148885A JPH0621819B2 JP H0621819 B2 JPH0621819 B2 JP H0621819B2 JP 60251488 A JP60251488 A JP 60251488A JP 25148885 A JP25148885 A JP 25148885A JP H0621819 B2 JPH0621819 B2 JP H0621819B2
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- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は輝尽性蛍光体の記憶した放射線画像情報を読取
るための放射線画像情報読取装置に関する。
るための放射線画像情報読取装置に関する。
［発明の背景］ 蛍光体は電磁波等による刺激を受けた時に一種のルミネ
ッセンス光、即ち蛍光を発する材料であるが、刺激を与
える電磁波とそれによって発生する蛍光とは波長が異な
るのが常である。
ッセンス光、即ち蛍光を発する材料であるが、刺激を与
える電磁波とそれによって発生する蛍光とは波長が異な
るのが常である。
また蛍光体の一種に、与えられた電磁波エネルギーを一
旦蓄積し、後該別の波長の光で照射されると前に蓄積し
たエネルギーを蛍光として放出し発光するものがある。
こうした現象は輝尽発光と言われ、輝尽発光を示す蛍光
体を輝尽性蛍光体、輝尽発光を起こさせるための光を輝
尽励起光と呼んでいる。輝尽性蛍光体は輝尽励起光で照
射された時蓄積エネルギーに応じた強度の蛍光を発する
ことから、各種の電磁波、例えばＸ線等の放射線を蛍光
に変換して測定することが可能であり、それを利用した
放射線画像情報読取装置が開発されている。
旦蓄積し、後該別の波長の光で照射されると前に蓄積し
たエネルギーを蛍光として放出し発光するものがある。
こうした現象は輝尽発光と言われ、輝尽発光を示す蛍光
体を輝尽性蛍光体、輝尽発光を起こさせるための光を輝
尽励起光と呼んでいる。輝尽性蛍光体は輝尽励起光で照
射された時蓄積エネルギーに応じた強度の蛍光を発する
ことから、各種の電磁波、例えばＸ線等の放射線を蛍光
に変換して測定することが可能であり、それを利用した
放射線画像情報読取装置が開発されている。
［発明が解決しようとする問題点］ 前記のような放射線画像情報読取装置においては、励起
光の光源から輝尽発光光を検出する光検出器まての読取
光学系の各素子が励起光の進路方向とそれに直角の走査
方向とその両方向を含む面から離れる方向の輝尽発光光
の進路方向との３方向に立体的な広がりで配設されてい
るから、読取光学系が大きな容積を占めるだけでなく、
各素子の関係位置精度を高めるのに基準となる設置面が
複数のため非常に手間が掛っていた。さらに、輝尽発光
光が微弱であり、また検出すべき輝尽発光光以外の光、
例えば輝尽発光を起こさせるため照射される輝尽励起光
等がノイズとして検出されてＳ／Ｎ比向上の大きな妨げ
となっていた。この対策として従来輝尽発光光の波長域
の透過率が輝尽励起光の波長域の透過率よりも大きい光
学フィルターを光検出器までの光路に挿入することによ
って輝尽励起光の入射を抑えＳ／Ｎ比を高める方法がと
られている。
光の光源から輝尽発光光を検出する光検出器まての読取
光学系の各素子が励起光の進路方向とそれに直角の走査
方向とその両方向を含む面から離れる方向の輝尽発光光
の進路方向との３方向に立体的な広がりで配設されてい
るから、読取光学系が大きな容積を占めるだけでなく、
各素子の関係位置精度を高めるのに基準となる設置面が
複数のため非常に手間が掛っていた。さらに、輝尽発光
光が微弱であり、また検出すべき輝尽発光光以外の光、
例えば輝尽発光を起こさせるため照射される輝尽励起光
等がノイズとして検出されてＳ／Ｎ比向上の大きな妨げ
となっていた。この対策として従来輝尽発光光の波長域
の透過率が輝尽励起光の波長域の透過率よりも大きい光
学フィルターを光検出器までの光路に挿入することによ
って輝尽励起光の入射を抑えＳ／Ｎ比を高める方法がと
られている。
しかしながら輝尽発光光は輝尽励起光にくらべて数桁も
微弱な信号であって、発光効率の良い輝尽発光性材料を
選んだ場合にあっても10mWの輝尽励起光に対し得られる
輝尽発光光は１μＷ足らずのものである。このため高い
Ｓ／Ｎ比の情報を得るためには輝尽発光光を効率良く集
めることが最も重要であり、たとえ輝尽励起光を減衰さ
せＳ／Ｎ比を向上させるために挿入したフィルターで
も、輝尽発光光を多少とも減衰させ、信号検出レベルを
低下させて読み出された再生情報劣化の原因となってい
た。
微弱な信号であって、発光効率の良い輝尽発光性材料を
選んだ場合にあっても10mWの輝尽励起光に対し得られる
輝尽発光光は１μＷ足らずのものである。このため高い
Ｓ／Ｎ比の情報を得るためには輝尽発光光を効率良く集
めることが最も重要であり、たとえ輝尽励起光を減衰さ
せＳ／Ｎ比を向上させるために挿入したフィルターで
も、輝尽発光光を多少とも減衰させ、信号検出レベルを
低下させて読み出された再生情報劣化の原因となってい
た。
本発明の第１の目的は、読取光学系の各素子を容易に高
い関係位置精度で配設することができて、安価に構成さ
れる放射線画像情報読取装置の提供にあり、第２の目的
はＳ／Ｎ比の高い画像情報を得ることができる放射線画
像情報読取装置の提供にある。
い関係位置精度で配設することができて、安価に構成さ
れる放射線画像情報読取装置の提供にあり、第２の目的
はＳ／Ｎ比の高い画像情報を得ることができる放射線画
像情報読取装置の提供にある。
［問題点を解決するための手段］ 前記第１の目的は、放射線画像情報を記憶した輝尽性蛍
光体面を励起光で走査露光して該蛍光体面からの輝尽発
光光を検出する放射線画像情報読取装置において、表裏
両面と交わる方向に直線運動する板状の定盤と、定盤の
表面上に該表面の一辺側へ検出用受光面を向け該一辺の
長さ方向で間隔を空けて配設された２個の光検出器と、
一端の直線状の集光用受光面が定盤の表面の前記一辺よ
り外側に配置され、他端の２つに分れた出射面がそれぞ
れ２個の光検出器の検出用受光面に連結された集光体
と、少なくとも定盤の表面上の一方の光検出器の集光体
とは反対側の位置に配設されてレーザー光を前記表面と
ほぼ平行に出射するレーザー光源および２個の光検出器
の配設の間に配設されてレーザー光源からのレーザー光
を前記表面とほぼ平行で光検出器の集光体と反対の方向
に偏向走査させるスキャナと、定盤の表面側から裏面側
に渡って配設されてスキャナからのレーザー光を裏面側
に反射させた後に裏面とほぼ平行に集光体の直線状の集
光用受光面と近接して平行に並ぶように反射させるＶミ
ラーとから成る走査読取ユニットを備え、前記輝尽性蛍
光面を集光体の直線状の集光用受光面に近接させて該受
光面と定盤の移動方向とに平行に固定することを特徴と
する放射線画像情報読取装置によって達成され、前記第
２の目的は、輝尽発光光を検出する２個の光検出器に輝
尽発光光に対する感度S1と励起光に対する感度S2の比S1
／S2が103以上である光検出器を用いることによって達
成された。
光体面を励起光で走査露光して該蛍光体面からの輝尽発
光光を検出する放射線画像情報読取装置において、表裏
両面と交わる方向に直線運動する板状の定盤と、定盤の
表面上に該表面の一辺側へ検出用受光面を向け該一辺の
長さ方向で間隔を空けて配設された２個の光検出器と、
一端の直線状の集光用受光面が定盤の表面の前記一辺よ
り外側に配置され、他端の２つに分れた出射面がそれぞ
れ２個の光検出器の検出用受光面に連結された集光体
と、少なくとも定盤の表面上の一方の光検出器の集光体
とは反対側の位置に配設されてレーザー光を前記表面と
ほぼ平行に出射するレーザー光源および２個の光検出器
の配設の間に配設されてレーザー光源からのレーザー光
を前記表面とほぼ平行で光検出器の集光体と反対の方向
に偏向走査させるスキャナと、定盤の表面側から裏面側
に渡って配設されてスキャナからのレーザー光を裏面側
に反射させた後に裏面とほぼ平行に集光体の直線状の集
光用受光面と近接して平行に並ぶように反射させるＶミ
ラーとから成る走査読取ユニットを備え、前記輝尽性蛍
光面を集光体の直線状の集光用受光面に近接させて該受
光面と定盤の移動方向とに平行に固定することを特徴と
する放射線画像情報読取装置によって達成され、前記第
２の目的は、輝尽発光光を検出する２個の光検出器に輝
尽発光光に対する感度S1と励起光に対する感度S2の比S1
／S2が103以上である光検出器を用いることによって達
成された。
ここで、S1は検出すべき輝尽発光光の波長分布半値幅内
における検出器の分光感度を積分して得られた値、S2は
検出対象外の波長域のノイズとなる輝尽性蛍光体に入射
された励起光の波長分布半値幅内における検出器の分光
感度を積分して得られた値をそれぞれ意味している。分
光感度は検出器が受光した特定の波長光強度（Ｗ）当り
の該検出器の出力（mA）によって定められる値である。
における検出器の分光感度を積分して得られた値、S2は
検出対象外の波長域のノイズとなる輝尽性蛍光体に入射
された励起光の波長分布半値幅内における検出器の分光
感度を積分して得られた値をそれぞれ意味している。分
光感度は検出器が受光した特定の波長光強度（Ｗ）当り
の該検出器の出力（mA）によって定められる値である。
前記S1／S2比の大きな検出器を用いることによりノイズ
となる検出対象外の光を減衰するための光学フィルター
による検出対象光の減衰を避けて高いＳ／Ｎ比の光信号
を検出することが可能となる。S1／S2は103以上である
が、104以上とすることが特に好ましい。
となる検出対象外の光を減衰するための光学フィルター
による検出対象光の減衰を避けて高いＳ／Ｎ比の光信号
を検出することが可能となる。S1／S2は103以上である
が、104以上とすることが特に好ましい。
また、輝尽性蛍光体の輝尽発光光が殆んど300〜450ｎｍ
の波長域にあり、励起光の波長が500ｎｍ以上であるこ
とが好ましい。
の波長域にあり、励起光の波長が500ｎｍ以上であるこ
とが好ましい。
即ち輝尽励起光に対する感度に比べて、輝尽発光光に対
する感度の極めて高い光検出器を用いることによりフィ
ルターに負う部分を軽減し検出信号レベルを減衰させ
ず、高Ｓ／Ｎ比の信号検出を行うことができる。
する感度の極めて高い光検出器を用いることによりフィ
ルターに負う部分を軽減し検出信号レベルを減衰させ
ず、高Ｓ／Ｎ比の信号検出を行うことができる。
以下本発明の内容を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の放射線画像情報読取装置、即ち予めＸ
線等の放射線で画像露光された輝尽性蛍光体面を輝尽励
起光ビームで走査し、発生する輝尽発光光を検出して画
像を読み取る走査読取ユニットを備えた放射線画像情報
読取装置の構成概要斜視図である。
線等の放射線で画像露光された輝尽性蛍光体面を輝尽励
起光ビームで走査し、発生する輝尽発光光を検出して画
像を読み取る走査読取ユニットを備えた放射線画像情報
読取装置の構成概要斜視図である。
温度調節器１の上に配置された半導体レーザーユニット
２より、輝尽励起光となるレーザービーム３が出射され
る。半導体レーザーユニット２は半導体レーザー・温度
検出素子・コリメータレンズ等から構成されている。レ
ーザビーム３はフィルター４を通り、スキャナ５によっ
て走査される。フィルター４は半導体レーザ光の発振波
長以外のノイズ光成分を減衰させるもので、輝尽発光光
検出時のノイズを除去している。スキャナ５は図面上は
ガルバノメータミラーを示したが、回転多面鏡等のスキ
ャナを用いてもよい。スキャナによって走査された走査
ビーム６は、ミラー７ａ・７ｂによって反射され、輝尽
性蛍光体を含む走査面８上に走査線８を形成する。な
お、ここに至るまでの励起光路上のフィルター４、スキ
ャナ５、ミラー７ａ・７ｂなどには無反射のコーティン
グを施すことが望ましい。
２より、輝尽励起光となるレーザービーム３が出射され
る。半導体レーザーユニット２は半導体レーザー・温度
検出素子・コリメータレンズ等から構成されている。レ
ーザビーム３はフィルター４を通り、スキャナ５によっ
て走査される。フィルター４は半導体レーザ光の発振波
長以外のノイズ光成分を減衰させるもので、輝尽発光光
検出時のノイズを除去している。スキャナ５は図面上は
ガルバノメータミラーを示したが、回転多面鏡等のスキ
ャナを用いてもよい。スキャナによって走査された走査
ビーム６は、ミラー７ａ・７ｂによって反射され、輝尽
性蛍光体を含む走査面８上に走査線８を形成する。な
お、ここに至るまでの励起光路上のフィルター４、スキ
ャナ５、ミラー７ａ・７ｂなどには無反射のコーティン
グを施すことが望ましい。
走査線９上で発生した輝尽発光光は、散乱した励起光と
ともに集光体10を経て光検出器11ａ・11ｂに導かれ時系
列の画像信号となる。なおここまでに示した部品のうち
レーザユニット２を搭載した温度調節器１、フィルター
４、スキャナー５、ミラー７ａ・７ｂ、集光体10、光検
出器11ａ・11ｂは、しっかりと移動定盤12に固定されて
いる。この移動定盤12は、モータ13によって回転する雄
ネジ14によってスライドシャフト15に案内されながら移
動し、走査面８をｙ方向に副走査することができる。副
走査は、下から上に移動定盤12を移動して行うと荷重が
安定して副走査が安定に行なわれ好ましい。集光体10
は、細長い受光面からの光を２つの光検出器に導く構造
をとっている。これはスキャナ５との配置を合理化する
点、極端に大きい高価な光検出器を使わずに済む点で非
常に効果的である。このような形状の集光体10はアクリ
ル等の樹脂を整形して作ることも良いが、ファイバーを
束ねた構造のものが作成容易で調整もフレキシブルとな
る点で好ましい。
ともに集光体10を経て光検出器11ａ・11ｂに導かれ時系
列の画像信号となる。なおここまでに示した部品のうち
レーザユニット２を搭載した温度調節器１、フィルター
４、スキャナー５、ミラー７ａ・７ｂ、集光体10、光検
出器11ａ・11ｂは、しっかりと移動定盤12に固定されて
いる。この移動定盤12は、モータ13によって回転する雄
ネジ14によってスライドシャフト15に案内されながら移
動し、走査面８をｙ方向に副走査することができる。副
走査は、下から上に移動定盤12を移動して行うと荷重が
安定して副走査が安定に行なわれ好ましい。集光体10
は、細長い受光面からの光を２つの光検出器に導く構造
をとっている。これはスキャナ５との配置を合理化する
点、極端に大きい高価な光検出器を使わずに済む点で非
常に効果的である。このような形状の集光体10はアクリ
ル等の樹脂を整形して作ることも良いが、ファイバーを
束ねた構造のものが作成容易で調整もフレキシブルとな
る点で好ましい。
第２図に集光系の構成を示す。
集光系は集光体20、フィルター21、光検出器22（本図面
では光電子増倍管）により構成され、図面と垂直な方向
の走査線23からの発光は受光面24に入射し、集光体内を
経て出射面25から出射、フィルター21を通過した光が光
電子増倍管（以下ＰＭＴ）に入射し、信号線26より画像
情報が検出される。得られた情報は図に画かれていない
アンプにて増幅後ＡＤ変換され、必要に応じて情報記録
媒体への記録、ディスプレイ表示、ハードコピーなどが
適宜行われる。
では光電子増倍管）により構成され、図面と垂直な方向
の走査線23からの発光は受光面24に入射し、集光体内を
経て出射面25から出射、フィルター21を通過した光が光
電子増倍管（以下ＰＭＴ）に入射し、信号線26より画像
情報が検出される。得られた情報は図に画かれていない
アンプにて増幅後ＡＤ変換され、必要に応じて情報記録
媒体への記録、ディスプレイ表示、ハードコピーなどが
適宜行われる。
第３図に前記検出器における光強度波長分布フィルター
４の特性及びＰＭＴの相対分光感度を示す。本検出器で
は検出の対象とする波長域は蛍光体の輝尽発光光の波長
域を含む300〜500ｎｍに設定され、検出の対象外の波長
域は輝尽励起光の波長域を含む500ｎｍ以上である。
４の特性及びＰＭＴの相対分光感度を示す。本検出器で
は検出の対象とする波長域は蛍光体の輝尽発光光の波長
域を含む300〜500ｎｍに設定され、検出の対象外の波長
域は輝尽励起光の波長域を含む500ｎｍ以上である。
第３図（ａ）は走査線近傍の光強度の波長分布で、輝尽
励起光（曲線32）と輝尽発光光（曲線31）が混在してい
る。なお、ここでは説明のためにピーク強度に４桁程の
差があるように示したが、実際は波長に関して積分した
強度について４桁程の差があることを意味する。以下の
グラフ（ｃ）（ｅ）も同様な意味をもつ。なお輝尽励起
光を示す曲線32が600ｎｍ付近で急激に下に折れている
のは第１図のフィルター４の効果である。
励起光（曲線32）と輝尽発光光（曲線31）が混在してい
る。なお、ここでは説明のためにピーク強度に４桁程の
差があるように示したが、実際は波長に関して積分した
強度について４桁程の差があることを意味する。以下の
グラフ（ｃ）（ｅ）も同様な意味をもつ。なお輝尽励起
光を示す曲線32が600ｎｍ付近で急激に下に折れている
のは第１図のフィルター４の効果である。
（ａ）のグラフに示された光が（ｂ）のグラフに示した
透過特性を有するフィルター21を通過すると（ｃ）のグ
ラフに示された強度分布となる。さらに（ｄ）のグラフ
に示した分光感度を有するＰＭＴを経由すると出力され
る信号レベルは（ｅ）に示されたグラフのようになる。
透過特性を有するフィルター21を通過すると（ｃ）のグ
ラフに示された強度分布となる。さらに（ｄ）のグラフ
に示した分光感度を有するＰＭＴを経由すると出力され
る信号レベルは（ｅ）に示されたグラフのようになる。
この時点で検出すべき信号とノイズの原因となる信号と
のレベル差ｘが所望ＳＮ比より大きければ、励起光源に
よるノイズの影響を受けずに信号を検出することができ
る。
のレベル差ｘが所望ＳＮ比より大きければ、励起光源に
よるノイズの影響を受けずに信号を検出することができ
る。
今、受光光量をＬ、フィルター透過率をＴ、光検出感度
をＫ、輝尽発光光と励起光に関するものをそれぞれ添え
字ｓ，ｎで表すと信号レベルＳおよびノイズレベルＮは
それぞれ Ｓ＝Ｌｓ×Ｔｓ×Ｋｓ （１） Ｎ＝Ｌｎ×Ｔｎ×Ｋｎ （２） で与えられ、この時の信号雑音比は で与えられる。このうちＬｓ／Ｌｎは材料および励起光
の波長によって決まる。Ｔｓ／Ｔｎはフィルターの厚さ
ｔの関数で Ｔｓ／Ｔｎ＝（Ａ）t/to （４） で与えられる。上式のＡの厚さtoにおける内部透過率の
比（輝尽励起光と輝尽発光光）を表す。
をＫ、輝尽発光光と励起光に関するものをそれぞれ添え
字ｓ，ｎで表すと信号レベルＳおよびノイズレベルＮは
それぞれ Ｓ＝Ｌｓ×Ｔｓ×Ｋｓ （１） Ｎ＝Ｌｎ×Ｔｎ×Ｋｎ （２） で与えられ、この時の信号雑音比は で与えられる。このうちＬｓ／Ｌｎは材料および励起光
の波長によって決まる。Ｔｓ／Ｔｎはフィルターの厚さ
ｔの関数で Ｔｓ／Ｔｎ＝（Ａ）t/to （４） で与えられる。上式のＡの厚さtoにおける内部透過率の
比（輝尽励起光と輝尽発光光）を表す。
ここでフィルターの厚さｔを増大していくことによって
所望のＳ／Ｎを得ることはできるが、他の原因による雑
音を考えると、信号Ｓのレベルはより大きい方が望まし
い。材料と励起光を決めてなお信号レベルを高く保つ異
は、この場合Ｋｓ／Ｋｎの大きな検出器と、所望のＳ／
Ｎを満足するに足りるだけのＴｓ／Ｔｎを持ちかつＴｓ
の大きなフィルターを用いることで成される。
所望のＳ／Ｎを得ることはできるが、他の原因による雑
音を考えると、信号Ｓのレベルはより大きい方が望まし
い。材料と励起光を決めてなお信号レベルを高く保つ異
は、この場合Ｋｓ／Ｋｎの大きな検出器と、所望のＳ／
Ｎを満足するに足りるだけのＴｓ／Ｔｎを持ちかつＴｓ
の大きなフィルターを用いることで成される。
以下、具体的な実施例を説明する。検診に使われる程度
のＸ線を曝写した蛍光体ＰｂＢｒ：Ｔｌに780ｎｍ 10m
Ｗの励起光を照射すると１μＷ程の輝尽発光を示す。こ
の時の光検出器としてはＰＭＴが適当で、光電面がＳｂ
Ｃｓ，Ｓｂ・Ｒｂ・Ｃｓ，Ｓｂ・Ｎａ・Ｋ・Ｃｓなどの
物質から成る材料であることが好ましく、効率、均一性
の点から透過型であることがなお一層望ましい。この時
Ｋｓ／Ｋｎは下表の様になり、検出信号の要求から検出
時のＳ／Ｎ比を104とすると（３）式よりＴｓ／Ｔｎは
下表のようなる。
のＸ線を曝写した蛍光体ＰｂＢｒ：Ｔｌに780ｎｍ 10m
Ｗの励起光を照射すると１μＷ程の輝尽発光を示す。こ
の時の光検出器としてはＰＭＴが適当で、光電面がＳｂ
Ｃｓ，Ｓｂ・Ｒｂ・Ｃｓ，Ｓｂ・Ｎａ・Ｋ・Ｃｓなどの
物質から成る材料であることが好ましく、効率、均一性
の点から透過型であることがなお一層望ましい。この時
Ｋｓ／Ｋｎは下表の様になり、検出信号の要求から検出
時のＳ／Ｎ比を104とすると（３）式よりＴｓ／Ｔｎは
下表のようなる。
同様に検診レベルのＸ線を曝射した蛍光体BaFBｒ：Ｅｕ
にHeNeレーザーで10mＷの励起光を照射すると１μＷ程
度の輝尽発光を示す。この時前例と同様のＰＭＴを用い
ると前表の各値は下表のようになる。
にHeNeレーザーで10mＷの励起光を照射すると１μＷ程
度の輝尽発光を示す。この時前例と同様のＰＭＴを用い
ると前表の各値は下表のようになる。
以上に述べたＰＭＴ即ち輝尽発光光に比べ励起光の感度
が小さいもの、特にＳｂＣｓ，ＳｂＲｂＣｓを光電面材
料とする透過型ＰＭＴを用いると、フィルターに負う量
Ｔｓ／Ｔｎが小さくなり良好な信号を得ることが可能と
なる。
が小さいもの、特にＳｂＣｓ，ＳｂＲｂＣｓを光電面材
料とする透過型ＰＭＴを用いると、フィルターに負う量
Ｔｓ／Ｔｎが小さくなり良好な信号を得ることが可能と
なる。
第４図（ａ）に集光体20の出射面25からの出射光の出射
範囲41の様子を示す。フィルター21・ＰＭＴ22の光電面
はこの領域41を含む大きさのものが用いられる。第４図
（ｂ）（ｃ）にそれぞれ薄いフィルター・厚いフィルタ
ーを用いた場合の集光体・フィルター・ＰＭＴの位置関
係を示す。フィルターが薄いと光電面の小さな径42のＰ
ＭＴですむ為装置が小さくなりかつ安価なＰＭＴを用い
ることができる。逆に厚くなると出射光の拡がりが大き
くなり結局光電面の直径が43のＰＭＴを使用しなくては
ならない。このように、フィルター厚を薄くすることは
装置の小型化、シグナルレベルの非減衰につながり良好
な画像情報を得るために極めて有効である。
範囲41の様子を示す。フィルター21・ＰＭＴ22の光電面
はこの領域41を含む大きさのものが用いられる。第４図
（ｂ）（ｃ）にそれぞれ薄いフィルター・厚いフィルタ
ーを用いた場合の集光体・フィルター・ＰＭＴの位置関
係を示す。フィルターが薄いと光電面の小さな径42のＰ
ＭＴですむ為装置が小さくなりかつ安価なＰＭＴを用い
ることができる。逆に厚くなると出射光の拡がりが大き
くなり結局光電面の直径が43のＰＭＴを使用しなくては
ならない。このように、フィルター厚を薄くすることは
装置の小型化、シグナルレベルの非減衰につながり良好
な画像情報を得るために極めて有効である。
なお、本発明に用いられる輝尽性蛍光体とは、最初の光
もしくは光エネルギー放射線が照射された後に、光的、
熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励
起）により、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言うが、実用的
な面から好ましくは500ｎｍ以上の輝尽励起光によって
輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放射線画像変換
パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、例えば特開
昭48-80487号に記載されているBaSO4：Ａｘ（但しＡは
Ｄｙ、Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、ｘは
０．００１≦ｘ＜１モル％である。）で表される蛍光
体、特開昭48-80488号記載のMgSO4：Ａｘ（但しＡはＨ
ｏ或いはＤｙのうちいずれかであり、ｘは０．００１≦
ｘ＜１モル％である）で表わされる蛍光体、特開昭48-8
0489号に記載されているSrSO4：Ａｘ（但しＡはＤｙ、
Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、ｘは０．０
０１≦ｘ＜１モル％である。）で表されている蛍光体、
特開昭51-29889号に記載されているNa2SO4，CaSO4及びB
aSO4等にＭｎ・Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添
加した蛍光体、特開昭52-30487号に記載されているBe
O，LiF，MgSO4及びCaF2等の蛍光体、特開昭53-39277号
に記載されているLi2B4O7：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、特
開昭54-47883号に記載されている。
もしくは光エネルギー放射線が照射された後に、光的、
熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励
起）により、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言うが、実用的
な面から好ましくは500ｎｍ以上の輝尽励起光によって
輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放射線画像変換
パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、例えば特開
昭48-80487号に記載されているBaSO4：Ａｘ（但しＡは
Ｄｙ、Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、ｘは
０．００１≦ｘ＜１モル％である。）で表される蛍光
体、特開昭48-80488号記載のMgSO4：Ａｘ（但しＡはＨ
ｏ或いはＤｙのうちいずれかであり、ｘは０．００１≦
ｘ＜１モル％である）で表わされる蛍光体、特開昭48-8
0489号に記載されているSrSO4：Ａｘ（但しＡはＤｙ、
Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、ｘは０．０
０１≦ｘ＜１モル％である。）で表されている蛍光体、
特開昭51-29889号に記載されているNa2SO4，CaSO4及びB
aSO4等にＭｎ・Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添
加した蛍光体、特開昭52-30487号に記載されているBe
O，LiF，MgSO4及びCaF2等の蛍光体、特開昭53-39277号
に記載されているLi2B4O7：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、特
開昭54-47883号に記載されている。
Li2O・（B2O2）ｘ：Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及びLi
2O・（B2O2）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ（但しｘは２＜ｘ≦３）等
の蛍光体、米国特許3,859,527号に記載されているSrS：
Ｃｅ，Ｓｍ，SrS：Ｅｕ，Ｓｍ，La2O2S：Ｅｕ，Ｓｍ及
び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ，Ｘ（但しＸはハロゲン）で
表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭55-12142
号に記載されているZnS：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がB
aO・ｘＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ （但し０．８≦ｘ≦10）で表されるアルミン酸バリウム
蛍光体、及び一般式がＭIIＯ・ｘSiO2：Ａ（但しＭIIは
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄ又はＢａでありＡはＣ
ｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，ＴｌＢｉ及びＭｎのうち
少なくとも１種であり、ｘは０．５≦ｘ＜２．５であ
る。）で表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙
げられる。
2O・（B2O2）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ（但しｘは２＜ｘ≦３）等
の蛍光体、米国特許3,859,527号に記載されているSrS：
Ｃｅ，Ｓｍ，SrS：Ｅｕ，Ｓｍ，La2O2S：Ｅｕ，Ｓｍ及
び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ，Ｘ（但しＸはハロゲン）で
表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭55-12142
号に記載されているZnS：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がB
aO・ｘＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ （但し０．８≦ｘ≦10）で表されるアルミン酸バリウム
蛍光体、及び一般式がＭIIＯ・ｘSiO2：Ａ（但しＭIIは
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄ又はＢａでありＡはＣ
ｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，ＴｌＢｉ及びＭｎのうち
少なくとも１種であり、ｘは０．５≦ｘ＜２．５であ
る。）で表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙
げられる。
また、一般式が （Ba1−ｘ−ｙMgxCay）FX：eEu2+ （但しＸはＢｒ及びＣｌの中の少なくとも１つであり、
ｘ，ｙ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦０．６，ｘｙ≠０
及び10-5≦ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）
で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55-12144に記載されている一般式が LnOX：ｘＡ （但しＬｎはＬａ，Ｙ，Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、ＸはＣｌ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴ
ｂを、ｘは０＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）で表
され蛍光体、特開昭55-12145号記載されている一般式が （Ba1−ｘＭIIｘ）ＦＸ：ｙＡ （但しＭIIは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ及びＣｄのうち
の少なくとも１つを、ＸはＣｌ，Ｂｒ及びＩのうち少な
くとも１つを、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐ
ｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｄ及びＥｒのうち少なくとも１つ
を、ｘ及びｙは０≦ｘ≦０．６及び０≦ｙ≦０．２なる
条件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭55
-84389号に記載されている一般式がBaFX：ｘＣｅ，ｙＡ
（但し、ＸはＣｌ，Br及びＩのうちの少なくとも１つ、
ＡはＩｎ，Ｔｌ，Ｇｄ，Ｓｍ及びＺｒのうちの少なくと
も１つであり、ｘ及びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及
び０＜ｙ≦５×10-2である。）で表される蛍光体、特開
昭55-160078号に記載されている一般式が ＭIIFX・ｘＡ：ｙLn （但しＭIIはＭｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ及びＣｄの
うちの少なくとも１種、ＡはBeO，MgO，CaO，SrO，Ba
O，ZnO，Al２O3，Y2O3，La2O3，In2O3，SiO2，TiO2，Zr
O2，GeO2，SnO2，Nb2O5，Ta2O5及びThO2のうち少なくと
も１種、ＬｎはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，
Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｍ及びＧｄのうち少なくと
も１種であり、ＸはＣｌ，Ｂｒ及びＩのうち少なくとも
１種であり、ｘ及びｙはそれぞれ５×１０-5≦ｘ≦０．
５及び０＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数である。）で
表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光
体、一般式がZnS：Ａ，CdSＡ（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Zn
S：Ａ，Ｘ及びCdS：Ａ，Ｘ（但しＡはＣｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，又はＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表され
る蛍光体、特開昭57−148285号に記載されている下記い
ずれかの一般式 ｘＭ３（PO4）２・NX2：ｙＡ Ｍ３（PO4）２・ｙＡ （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，
Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、ＸはＦ，Ｃｌ，
Ｂｒ及びＩのうち少なくとも１種、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃ
ｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓ
ｂ，Ｔｌ，Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を表す。
また、ｘ及びｙは０＜ｘ≦０．６≦ｙ≦１なる条件を満
たす数である。）で表される蛍光体、下記いずれかの一
般式 nReX3・mAX′２：ｘEu nReX3・mAX′２：ｘEu，ｙSm （式中、ＲｅはＬａ，Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕのうち少なくとも
１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａのうち
少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ，Ｃｌ，Ｂｒのうち少
なくとも１種を表す。また、ｘ及びｙは、 １×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ＜１×10-1なる
条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１×10-3＜ｎ／ｍ＜７
×10-1なる条件を満たす。）で表される蛍光体、およ
び、下記一般式 ＭＩＸ・ａＭIIＸ′２・ｂＭIIＸ″３：cA （但し、ＭＩはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，およびＣｓから
選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、ＭIIは
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及び
Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の二価金属である。Ｍ
IIはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，
Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌ
ｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種の
三価金属である。Ｘ，Ｘ′おびびＸ″はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ
及びＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲンである。
ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
ｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，
Ａｇ，ＣｕおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の金
属である。また、ａは、０≦ａ＜０．５の範囲の数値で
あり、ｂは０≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ｃは０
≦ｃ＜０．２の範囲の数値である。）で表されるアルカ
リハライド蛍光体等が挙げられる。
ｘ，ｙ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦０．６，ｘｙ≠０
及び10-5≦ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）
で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55-12144に記載されている一般式が LnOX：ｘＡ （但しＬｎはＬａ，Ｙ，Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、ＸはＣｌ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴ
ｂを、ｘは０＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）で表
され蛍光体、特開昭55-12145号記載されている一般式が （Ba1−ｘＭIIｘ）ＦＸ：ｙＡ （但しＭIIは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ及びＣｄのうち
の少なくとも１つを、ＸはＣｌ，Ｂｒ及びＩのうち少な
くとも１つを、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐ
ｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｄ及びＥｒのうち少なくとも１つ
を、ｘ及びｙは０≦ｘ≦０．６及び０≦ｙ≦０．２なる
条件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭55
-84389号に記載されている一般式がBaFX：ｘＣｅ，ｙＡ
（但し、ＸはＣｌ，Br及びＩのうちの少なくとも１つ、
ＡはＩｎ，Ｔｌ，Ｇｄ，Ｓｍ及びＺｒのうちの少なくと
も１つであり、ｘ及びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及
び０＜ｙ≦５×10-2である。）で表される蛍光体、特開
昭55-160078号に記載されている一般式が ＭIIFX・ｘＡ：ｙLn （但しＭIIはＭｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ及びＣｄの
うちの少なくとも１種、ＡはBeO，MgO，CaO，SrO，Ba
O，ZnO，Al２O3，Y2O3，La2O3，In2O3，SiO2，TiO2，Zr
O2，GeO2，SnO2，Nb2O5，Ta2O5及びThO2のうち少なくと
も１種、ＬｎはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，
Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｍ及びＧｄのうち少なくと
も１種であり、ＸはＣｌ，Ｂｒ及びＩのうち少なくとも
１種であり、ｘ及びｙはそれぞれ５×１０-5≦ｘ≦０．
５及び０＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数である。）で
表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光
体、一般式がZnS：Ａ，CdSＡ（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Zn
S：Ａ，Ｘ及びCdS：Ａ，Ｘ（但しＡはＣｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，又はＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表され
る蛍光体、特開昭57−148285号に記載されている下記い
ずれかの一般式 ｘＭ３（PO4）２・NX2：ｙＡ Ｍ３（PO4）２・ｙＡ （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，
Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、ＸはＦ，Ｃｌ，
Ｂｒ及びＩのうち少なくとも１種、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃ
ｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓ
ｂ，Ｔｌ，Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を表す。
また、ｘ及びｙは０＜ｘ≦０．６≦ｙ≦１なる条件を満
たす数である。）で表される蛍光体、下記いずれかの一
般式 nReX3・mAX′２：ｘEu nReX3・mAX′２：ｘEu，ｙSm （式中、ＲｅはＬａ，Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕのうち少なくとも
１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａのうち
少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ，Ｃｌ，Ｂｒのうち少
なくとも１種を表す。また、ｘ及びｙは、 １×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ＜１×10-1なる
条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１×10-3＜ｎ／ｍ＜７
×10-1なる条件を満たす。）で表される蛍光体、およ
び、下記一般式 ＭＩＸ・ａＭIIＸ′２・ｂＭIIＸ″３：cA （但し、ＭＩはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，およびＣｓから
選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、ＭIIは
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及び
Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の二価金属である。Ｍ
IIはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，
Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌ
ｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種の
三価金属である。Ｘ，Ｘ′おびびＸ″はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ
及びＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲンである。
ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
ｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，
Ａｇ，ＣｕおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の金
属である。また、ａは、０≦ａ＜０．５の範囲の数値で
あり、ｂは０≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ｃは０
≦ｃ＜０．２の範囲の数値である。）で表されるアルカ
リハライド蛍光体等が挙げられる。
［発明の効果］ 本発明により読取光学系の各素子が定盤の表面上に配設
されているから、読取光学系の占める容積を小さくでき
るだけでなく、容易に各素子の関係位置精度を高めるこ
とができて、高性能の放射線画像情報読取装置を安価に
構成できる。また、特定の光検出器を用いることで、極
めてＳ／Ｎ比の高い画像情報を読取ることができる放射
線画像情報読取装置を得ることができる。
されているから、読取光学系の占める容積を小さくでき
るだけでなく、容易に各素子の関係位置精度を高めるこ
とができて、高性能の放射線画像情報読取装置を安価に
構成できる。また、特定の光検出器を用いることで、極
めてＳ／Ｎ比の高い画像情報を読取ることができる放射
線画像情報読取装置を得ることができる。
第１図は本発明の放射線画像情報読取装置の構成概要斜
視図、第２図は集光体の構成を示す図、第３図は検出光
強度の波長特性、第４図はフィルター厚と光検出器の位
置関係を示す図である。
視図、第２図は集光体の構成を示す図、第３図は検出光
強度の波長特性、第４図はフィルター厚と光検出器の位
置関係を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】放射線画像情報を記憶した輝尽性蛍光体面
を励起光で走査露光して該蛍光体面からの輝尽発光光を
検出する放射線画像情報読取装置において、表裏両面と
交わる方向に直線運動する板状の定盤と、定盤の表面上
に該表面の一辺側へ検出用受光面を向け該一辺の長さ方
向で間隔を空けて配設された２個の光検出器と、一端の
直線状の集光用受光面が定盤の表面の前記一辺より外側
に配置され、他端の２つに分れた出射面がそれぞれ２個
の光検出器の検出用受光面に連結された集光体と、少な
くとも定盤の表面上の一方の光検出器の集光体とは反対
側の位置に配設されてレーザー光を前記表面とほぼ平行
に出射するレーザー光源および２個の光検出器の配設の
間に配設されてレーザー光源からのレーザー光を前記表
面とほぼ平行で光検出器の集光体と反対の方向に偏向走
査させるスキャナと、定盤の表面側から裏面側に渡って
配設されてスキャナからのレーザー光を裏面側に反射さ
せた後に裏面とほぼ平行に集光体の直線状の集光用受光
面と近接して平行に並ぶように反射させるＶミラーとか
ら成る走査読取ユニットを備え、前記輝尽性蛍光面を集
光体の直線状の集光用受光面に近接させて該受光面と定
盤の移動方向とに平行に固定することを特徴とする放射
線画像情報読取装置。 - 【請求項２】前記２個の光検出器の前記輝尽発光光に対
する感度S1と前記励起光に対する感度S2の比S1／S2が10
3以上である特許請求の範囲第１項記載の放射線画像情
報読取装置。 - 【請求項３】前記集光体の出射面と光検出器の検出用受
光面との間に前記輝尽発光光の透過率が前記励起光の透
過率より大であるフィルタを介在させた特許請求の範囲
第１項記載の放射線画像情報読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60251488A JPH0621819B2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 放射線画像情報読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60251488A JPH0621819B2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 放射線画像情報読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62110124A JPS62110124A (ja) | 1987-05-21 |
| JPH0621819B2 true JPH0621819B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=17223545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60251488A Expired - Lifetime JPH0621819B2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 放射線画像情報読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621819B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3591275B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2004-11-17 | 株式会社日立製作所 | 放射線強度計測装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512429A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radioactive image reader |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP60251488A patent/JPH0621819B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62110124A (ja) | 1987-05-21 |
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| JPH0578981B2 (ja) | ||
| JPS6163155A (ja) | 放射線画像情報読取装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
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