JPS62110124A - 放射線画像情報読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は蛍光体、特に輝尽性蛍光体からの発光を検出す
るための光検出器、及び該光検出器を含む蛍光検出装置
に関する。

し発明の背景］ 蛍光体は電磁波等による刺激を受けた時に一種のルミネ
ッセンス光、即ち蛍光を発する材料であるが、刺激を与
える電磁波とそれによって発生する蛍光とは波長が異な
るのが常である。

また蛍光体の一種に、与えられた電＠波エネルギーを一
旦蓄積し、後刻別の波長の光で照射されると前に蓄積し
たエネルギーを蛍光として放出し発光するらのがある。

こうした現象は輝尽発光と言われ、輝尽発光を示す蛍光
体を輝尽性蛍光体、輝尽発光を起こさせるための光を輝
尽励起光と呼んでいる。　輝尽性蛍光体は輝尽励起光で
照射された時蓄ｈ！ｔエネルギーに応じた強度の蛍光を
発することから、各種の電磁波、例えばＸ線等の放射線
を蛍光に変換して測定することか可能であり、そのため
の蛍光検出装置が開発されている。

［発明か解決しようとする問題点］ １１１１記のような蛍光検出装置においては、輝尽発光
光が微弱であり、また検出すべき輝尽発光光以外の光、
例えば輝尽発光を起こさせるため照射される輝尽励起光
等がノイズとして検出されてＳ／Ｎ比向ヒの大きな妨げ
となっていた。この対策として従来輝尽発光光の波長域
の透過率が輝尽励起光の波長域のＪｐＪ過率よりも大き
い光学フィルターを光検出器までの光路に挿入すること
によって輝尽励起光の入射を抑えＳ／１１比を高める方
法がとられしかしながら輝尽発光光は輝尽励起光にくら
べて数桁ら微弱な信号であって、発光効率の良い輝尽発
光性材料を選んだ場合にあっても１０ｍＷの輝尽励起光
に対し得られる輝尽発光はｌ、ｇＷ足らずのものである
。このため高いＳ／Ｎ比の情報を得るためには輝尽発光
光を効率良く集めろことが最ら重要であり、たとえ輝尽
励起光を減衰させＳ／Ｎ比を向−にさけるために挿入し
たフィルターでら、輝尽発光光を多少とも減衰さｕ１信
号検出レベルを低下さｌて読み出された再生情報劣化の
原因となっていた。

本発明の目的は前記のような従来の検出装置に比べ、検
出の対象である輝尽発光光の減衰が小さく、輝尽励起光
等の検出対象外の光に対する感度の低い、Ｓ／Ｎ比の極
めて高い光検出器及び該光検出器をｆｆｌいノこ蛍光検
出装置を提ｆｌｕすることにある。

［問題点を解決４”るための手段］ ＋ｉｉｆ記の目的は、検出の対象である第１の波長域の
光に対するＩ）７１記検出器の感度Ｓ１と、検出の対象
ｌＪ１プに１幀１＾パ１！ビは円ｈ１小惰ワ小りＩ＋巨
１７Ｓ小↓ノー対する感度Ｓ２の比Ｓ１／Ｓ２が１より
大なることを特徴とする光検出器によって達成された。

ここに８１は検出すべき先の波長分布半値幅内における
検出器の分光感度を積分して得られた値、Ｓ２は検出対
象外の波長域のノイズとなる光の波長分布半値幅内にお
ける検出器の分光感度を積分して得られた値をそれぞれ
意味している。分光感度は検出器が受光した特定の波長
光強度（ＩＩ）当たりの該検出器の出力（ｍ＾）によっ
て定められる値である。

前記Ｓ１／Ｓ２比の大きな検出器を用いることによりノ
イズとなる検出対象外の光を減衰するための光学フィル
ターによる検出対象光の減衰を避けて高いＳ／Ｎ比の光
信号を検出することが可能となる。

Ｓ１／Ｓ２比は１以上、好ましくは！０３以−ヒである
が、１０４以−１−とすることが特に好ましい。

また、本光検出器を輝尽発光光の検出に使用する場合に
は、１１を記事１の波長域を輝尽蛍光体の発する先の波
長を含む波長域とし、前記第２の波長域を輝尽励起光の
波長を含む波長域とすることが好ましく、具体的には第
１の波長域を３００〜４５Ｑｒ＋ｍの領域を含むしのと
し、第２の波長域を５００ｎｍ以上の領域を含むしのと
することが好ましい。

即ち輝尽励起光に対する感度に比べて、輝尽発光光に対
する感度の極めて高い光検出器を用いることによりフィ
ルターに負う部分を軽減し検出信号レベルを減衰させず
、高Ｓ／Ｎ比の信号検出を行うことができる。

以下本発明の内容を図面を用いて説明する。

第１図は本発明による光検出器を有する蛍光画像読取の
ための蛍光検出装置、即ち予めＸ線等の放射線で画像露
光された輝尽性蛍光体面を輝尽励起光ビームで走査し、
発生ずる輝尽発光を検出して画像を読み取る装置の走査
読取ユニットの概要図である。

温度調節器ｌの上に配置された半導体レーザーユニット
２より、輝尽励起光となるレーザービーム３が出射され
る。半導体レーザーユニット２は半導体レーザー・温度
検出素子・コリメータレンズ等から構成されている。レ
ーザビーム３はフィルター４を通り、スキャナ５によっ
て走査される。

フィルター４は半導体レーザ光の発振波長以外のノイズ
光成分を減衰させるもので、輝尽発光光検出時のノイズ
を除去している。スキャナ５は図面−にはガルバノメー
タミラーを示したが、回転多面鏡等のスキャナを用いて
もよい。スキャナによって走査された走査ビーム６は、
ミラー７ａ・７ｂによって反射され、輝尽性蛍光体を含
む走査前８上に走査１３ｉＩ９を形成する。なお、ここ
に至るまでの励起光路上のフィルター４、スキャナ５、
ミラー７ａ・７ｈなどには無反射のコーティングを施す
ことか望ましい。

走査線９上で発生した輝尽発光光は、散乱した励起光と
ともに集光体１ｏを経て光検出器１１ａ・ｌｌｂに導か
れ時系列の画像信号となる。なおここまでに示した部品
のうらレーザ斗ニット２を搭載した温度調節器１、フィ
ルター４、スキャナー５、ミラー７ａ・７ｂ、集光体Ｉ
Ｑ、光検出Ｗｌｌａｌｌｂは、しっかりと移動定盤Ｉ２
に固定されている。この移動定盤は、モータＩ３に、１
；って回転する雄ネジ１４によってスライドシャフト１
５に案内されながら移動し、走査画８をｙ方向に副走査
することかできる。

副走査は、下から」二に移動定盤を移動して行ろと荷重
が安定して副走査か安定に行なわれ好ましい。

集光体１０は、細長い蛍光画からの光を２つの光検出器
に導＜　＋１４造をとっている。これはスキャナ５との
配置を合理化する点、極端に大きい高価な光検出器を使
わずに済む点で非常に効果的である。

このような形状の集光体はアクリル等の樹脂を整形して
作ることら良いか、ファイバーを束ねた＋ＩＶｔ造のら
のが作成容易で調整らフレキノプルとなる点で好ましい
。

第２図に集光系の構成を示づ−０ 集光系は集光体２０、フィルター２１、光検出索子２２
（木図面では光電子増倍管）により＋１が成され、図面
と垂直な方向の走査線２：（からの発光は蛍光画２４に
入射し、集光体内を経て出射面２５から出射、フィルタ
ーを通過した光が光電子増倍管（以下ＰλＩＴ）に人Ｑ
＝ｌ　Ｌ、信号線２６より画像情報か検出されろ。得ら
れた情報は図に画かれていないアンプにて増幅後Ａ　Ｉ
）変換され、必要に応じて情報記録媒体への、）５録、
ディスプレイ表示、ハードコピーなどが適Ｉ：ｒ行イ′
）れる。

第３図にＩ）１１記検出器における光強度波長分布フィ
ルター４の特（／１及びＰＭＴの■１対分光感度を示す
。

本検出器では検出の対象とする第１の波長域は蛍光体の
輝尽発光光の波長域を含む３００〜５００ｎｍに設定さ
れ、検出の対象外の第２の波長域は輝尽励起光の波長域
を含む５００ｎｍ以上である。

第：３（ス１（ａ）は走査線近傍の光強度の波長分布で
、輝１９ｉ励起光（曲線３２）と輝尽発光光（曲線３１
）か混在している。なお、ここでは説明のためにピーク
強；度に・１損保の差かあるように示したが、実際は波
ＩＱに関して積分した強度について４損保の差があるこ
とを色味−４゛ろ。以下のグラフ（ｃ）（ｅ）も同様な
は味を乙−ノ。な、１ｊ輝尽１肋起光を示ず曲線３２が
６００ｎｍ（・［近て急激に下に折れているのは第１図
のフィルター４のり）果である。

（ａ）のグラフに示された光が（ｂ）のグラフに示した
透Ｊ昌特１生をＹ丁するフィルター２１をＪ勇退ずろと
（Ｃ）のグラフに示された強度分布となる。さらに（ｄ
）のグラフに示した分光感度を有するＰＭＴを経由する
と出力される信リレベルは（ｅ）に示されたグラフのよ
うになる。

この時点で検出すべき信号とノイズの原因となる（、Ｔ
！　”ｉとのレベル差χが所望ＳＮ比より大きければ、
励起光源によるノイズの影響を受けずに信号を検出する
ことができる。

今、受光光Ｉｊｌを１７、フィルター透過率をＴ１光検
出感度をＫ、輝尽発光と励起光に関するものをそれぞれ
添え字ｓ、ｎで表すと信号レベルＳおよびノイズレベル
Ｎはそれぞれ ５−Ｌｓ　Ｘ　　Ｔｓ　Ｘ　　Ｋ’ｓ　　　　　　　　
（＋）Ｎ＝　　　１．　ｎ　　　Ｘ　　　ｉ’ｎ　　　
Ｘ　　　Ｋｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　（２）で′ｊえられ、この時の信号雑音比は で与えられる。このうちＴＪｓ　／　Ｔ−ｎは材料およ
び励起光の波長によって決まる。ｉ’　ｓ　／　’ｒ”
　ｎはフィルターｏ厚さｔｏ関ｔ”ｒ　　Ｔｓ／Ｔ。＝
（Ａ’（Ｌｏ（４）て与えられろ。」一式のＡはｊ７さ
ｔｏにおける内部透過率の比（輝Ｊメ励起先と輝尽発光
）を表ず°。

ここでフィルターの厚さｔを増大していくことによって
所望のＳ／Ｎを得ることはできるが、他の原因による雑
音を考えると、信号Ｓのレベルはより大きい方が好まし
い。飼料と励起光を決めてなｒ３信号レヘルを高く保つ
事は、この場合Ｋｓ／Ｋ　ｎの大きな険ｌｊ器と、所望
Ｓ／Ｎを満足するに足りるたけの ’Ｉ’　ｓ　／　ｌ″ｎを持らかつ’Ｔ’　ｓの大きな
フィルターを用いろ二とてｌ戊される。

以下、具体的な実施例を説明する。検診に使われる程度
のＸ線を直写した蛍光体Ｒｂ１（ｒ：Ｔ＆に７８０ｎｍ
　　ｌＯｍＷの励起光を照射４−ると１７１Ｗ程の輝尽
発光を示す。この時の光検出器としてはＰＭＴが適当で
、光電面がＳ　ｂ　（：ｓ　、　Ｓ　ｂ・Ｒｂ−Ｃｓ、
　Ｓ　ｂ、＼ａ・Ｋ、Ｃｓｌ’ｊどの物質から成る＋）
；　１！：ｌであることか打上しく、効率、均一性の点
から透過ＩＦ１４であることかなｌ’、；−ｉ：・１望
上しい。この時Ｋ　ｓ　／　Ｋ　ｎは下表の（、ρにな
り、検出（、：￥吟の要求から１１力ｄ１時のＳ／Ｎ比
を１０４とすると（３）式より１’　ｓ　／　’ｐ　ｎ
は下表のようになる。

同様に検診レベルのＸ線を曝射した蛍光体１１　ａＦ　
ｒ３　ｒ：Ｅ　ｕにＴＴｃＮｅレーザーでｌｏｍＷの励
起光を照射すると１μＷ程度の輝尽発光を示す。この時
前例と同様のＰＭＴを用いるとＩ’＋ｉｊ表の６値は下
表のようになる。

以１−に述べたＩ’　ｋｌ　１’即ら輝尽発光に比べ励
起光の感度が小さいもの、特にＳｂ　Ｃｓ、Ｓｂ　ｒｕ
ｂ　Ｃｓを光電面材料とする透過型ＰＭＴを用いると、
フィルターに負うｉ’ｄ　ｉ’　ｓ　／　ｉ’　ｎが小
さくなり艮好な信号を得ることが可能となる。

第・１図（ａ）に集光体２０の出射面２５からの出射光
の出射範囲４１の様子を示す。フィルター２１−　ＰＭ
Ｔ２２の光電面はこの領域４１を含む大きさのものが用
いられろ。第４図（ｂ）（ｃ）にそれぞれ薄いフィルタ
ー・厚いフィルターを用いた場合の集光体・フィルター
・Ｉ’ＭＴの位置関係を示す。フィルターが薄いと光電
面の小さな径４２のＰＭＴですむ為装置が小さくなりか
つ安価なｌ）Ｍ　Ｔを用いろことができる。

逆に厚くなると出射光の拡がりが大きくなり結局光電面
の直径が４３のＰＭＴを使用しなくてはならない。この
ように、フィルター厚を薄くすることは装置の小ハ１２
化、シグナルレベルの非減衰につながり良好な画像情報
を得るために極めて有効である。

な［３、本発明に用いられる輝尽性蛍光体とは、最明の
光らしくは高エネルギー放射線が照射された後に、先約
、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励
起）により、最初の光らしくは高エネルギー放射線の照
射世に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言うが、実用的
な面から好ましくは５００ｎｍ以上の輝尽励起光によっ
て輝尽発光を示ケ蛍光体である。本発明の放射線画像変
換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、例えば特
開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａ５Ｏ，：
　Ａ、Ｚ　（但しＡはＤｙ、　’ｒｂ及びＴｍのうち少
なくとら１種てあり、χは０．ＯＱｌ≦χ〈１モル％で
ある。）で表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号
記載のＭｇＳＯ４：＾χ（但しＡはＩｌｏ或いはＤＹの
うちいづれかであり、０．００１≦χ≦１モル％である
）で表わされる蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記
載されている５ｒＳＯ，：　Ａχ（但しＡはＤｙ、Ｔｂ
及びＴｍのうら少なくとし１種であり、χは０．００１
≦χ≦１モル％である。）で表わされている蛍光体、特
開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａ２５Ｏ，
、ＣａＳＯ４及びｒｌａｓｏ、等にＭｎ、　Ｄｙ及びＴ
ｂのうち少なくとの１種を添加した蛍光体、特開昭５２
−３０４８７号に記載されている　１１ｅＯ１ＬｉＦ９
ＭｇＳＯ，及びＣａ　Ｐ　、等の蛍光体、特開昭５３−
３９２７７号に記載されている　Ｌ１２Ｂ４Ｏ？　：Ｃ
ｕ、Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載
されている Ｉ、ｉｚｏ・（＋１２０　ｔ　）χ　：Ｃｕ（但しχは
２くχ≦３）、及びＬｔａＯ”　（ＢｔＯ＊）　Ｘ　　
：　Ｃｕ、　Ａｇ（但しχは２くχ≦３）等の蛍光体、
米国特許３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ
　：　Ｃｅ、　Ｓｍ、　ＳｒＳ：Ｅｕ、　Ｓｍ、　Ｌａ
ｔＯｔＳ　：　Ｅ、ｕ、　Ｓｍ及び（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　
：　Ｍｎ、　Ｘ　（但しＸはハロゲン）で表される蛍光
体が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４２号に記
載されているＺｎＳ　：　Ｃｕ、　Ｐｂ蛍光体、一般式
がＢａＯ・ｚ　ｋＱｔｏｓ　：　Ｅｕ（但し０，８≦χ
≦１０）で表されるアルミン酸バリウム蛍光体、及び一
般式がＭ’Ｏ・χＳｉｎ、　：　Ａ（但しＭ”はＭｇ、
　　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ、　　Ｃｄ又はＢａでありＡ
はＣｅ、　Ｔｂ。

Ｅｕ、　Ｔｍ、　Ｐｂ、　Ｔ１２旧及びＭｎのうち少な
くとも１種であり、χは０．５≦χ〈２．５である。）
で表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられ
る。

また、一般式が （Ｂａｌ　−ｘ　　−ｙＭｇｘ　Ｃａｙ）ＦＸ　　：　
　ｅＥｕ”（但しχはＢｒ及びＣＱの中の少なくとも１
つであり、χ、ｙ及びｅはそれぞれ０〈χ＋ｙ≦０．６
゜χｙ≠０及び１０−５≦ｅ≦５×ｌＯ′なる条件を満
たす数である。）で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン
什物寸は占μｌ太　中堅ＩＢ辺１＋＋（１’）＋ＡＡ且
ｌ−マβ市Ｏ古１１プｈる一般式が ＬｎＯＸ　：　ｙＡ （但しＬｎは　Ｌａ、　Ｙ、　Ｇｄ及びＬｕの少なくと
も１つを、ＸはＣＱ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／
又はＴｂを、χはＯくχ＜０．１を満足する数を表す。

）で表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号記載さ
れている一般式が （Ｂａｌ−；ｌ　Ｈｆｆχ）ＦＸ　：　Ｙ＾（但しＭｌ
は、Ｍｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ及びＣｄのうちの少
なくとも１つを、ＸはＣＱ、　Ｂｒ及びＩのうち少なく
とも１つを、八（まＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　
Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｉｌｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ及びＥｒのう
ち少なくとも１つを、χ及びｙは０≦χ≦０．６及び０
≦ｙ≦０．２なる条件を満たす数を表す。）で表される
蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一
般式がＢａＦＸ　：　χＣｅ、　ｙＡ（但し、ＸはＣＱ
、　Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはＩｎ、　
ＴＱ、　Ｇｄ、　Ｓｍ及びＺｒのうちの少なくとも１つ
であり、χ及びｙはそれぞれ０〈χ≦２Ｘ　１０”’及
び０くｙ≦５Ｘ　１０−’である。）で表される蛍光体
、特開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式
がＭ”ＦＸ・　Ｘ　Ａ　　：　　ｙＬｎ （但しＭｌはＭｇ、’Ｃａ、　Ｂａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ及
びＣｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｅｄ、　ＭｇＯ
，Ｃａｂ、　ＳｒＯ，Ｂａｄ。

Ｚｎ０．ＩＱｘＯｓ、ＹｔＯｓ、Ｌａｗ’ｓ、　　ｌ＋
ｔｔｏ５．Ｓｔｏｗ、Ｔｉ１ｔ。

２ｒＯｔ、　Ｇｅ０ｔ、　ＳｎＯ，、ＮｂｔＯｓ、　Ｔ
ａ５ｋｓ及びＴｈａｔのうち少なくとも１種、ＬｎはＥ
ｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ、Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ。

１１ｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、　Ｓｍ及びＧｄのう
ち少なくとも１種であり、ＸはＣＱ、　Ｂｒ及び１のう
ち少なくとも１種であり、χ及びｙはそれぞれ５Ｘ　ｔ
ｏ−５≦χ≦０．５及びｏ＜ｙ≦０．２なる条件を満た
す数である。）で表される希土類元素付活２価金属フル
オロハライド蛍光体、一般式がＺｎＳ　：　Ａ、　Ｃｄ
Ｓ　：　Ａ（Ｚｎ、　Ｃｄ）Ｓ：、Ａ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ
及びＣｄＳ　：　Ａ、　Ｘ　（但しＡはＣｕ。

Ａｇ、　Ａｕ、又は１Ｉｌｎであり、Ｘはハロゲンであ
る。）で表される蛍光体、特開昭５７−１４８２８５号
に記載されている下記いづれかの一般式 ％式％： （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＩＡＬ　Ｃａ、　Ｓｒ、　
Ｂａ、　Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種ＸはＦ、　
ＣＱ、　Ｂｒ及びＩのうち少なくとも１種、ＡはＥｕ、
　Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ。

Ｄｙ、　　Ｐｒ、　Ｉｌｏ、　　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ
、　Ｓｂ、　Ｔ１２．　Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも
１種を表す。また、χ及びｙは０くχ≦６．０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数である。）で表される蛍光体、下記
いづれかの一般式％式％ （式中、ＲｅはＬａ、　Ｇｄ、　Ｙ、　Ｌｕのうち少な
くとも１種、＾はアルカリ土類金属、Ｂａ、　Ｓｒ、　
Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ、　ＣＱ、
　Ｂｒのうち少なくとも１種を表す。また、χ及びｙは
、ｌＸｌ０−’＜χ＜　３Ｘ　１０−’、ＩＸ　１０−
’　＜　ｙ＜　１　ｘ　１０−’なる条件を満たす数で
あり、ｎ７ｍはＩ　Ｘ　１０−３＜　ｎ７ｍ＜　７ｘ　
ｔｏ−’なる条件を満たす。）で表される蛍光体、およ
び、下記一般式 ％式％： （但し、ＭｌはＩｊ、　Ｎａ、　Ｋ、　Ｒｂ、およびＣ
ｓから選ばれる少なくとも１１のアルカリ金属であり、
ＭｌｌはＢｅ、　Ｍｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｂａ、　Ｚ
ｎ、　Ｃｄ、　Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも１
種の二価金属である。

ＭｌｌｌはＳｃ、　Ｙ、　Ｌａ、　Ｃｅ、　Ｐｒ、　Ｎ
ｄ、　Ｐｍ、　Ｓｍ、　Ｅｕ、　Ｇｄ。

Ｔｂ、　Ｄｙ、　Ｉｉｏ、Ｅｒ、　Ｔｍ、　　Ｙｂ、　
Ｌｕ、　ＡＬ　Ｇａ及びＩｎから進ばれる少なくとも１
種の三価金属である。Ｘ。

Ｘ′およびＸ′はＦ、　ＣＱ、　Ｂｒおよび！から選ば
れる少なくとも１種のハロゲンである。ＡはＥｕ、　Ｔ
ｂ。

Ｃｅ、Ｔｍ、　Ｄｙ、Ｐｒ、　Ｉｌｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ
、　Ｅｒ、　Ｇｄ、　Ｌｕ、　Ｓｍ。

Ｙ、　ＴＱ、　Ｎａ、３ｇ、　ＣｕおよびＭｇから選ば
れる少なくとも１種の金属である。

また、ａは、０≦ａ＜　０．５の範囲の数値であり、ｂ
はＯ≦ｂ＜　０．５の範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦
０．２の範囲の数値である。）で表されるアルカリハラ
イド蛍光体等が挙げられる。

［発明の効果］ 本発明により極めてＳ／Ｎ比の高い光検出器を得ること
ができ、その結果輝尽励起光等の検出の対象外の光に由
来するノイズに妨げられることなく良好な蛍光画像の読
み取りを行うことのできる蛍光検出装置を作成が可能と
なった。

【図面の簡単な説明】

トの概要図、第２図は集光体の構成を示す図、第３図は
検出光強度の波長特性、第４図はフィルター厚と光検出
器の位置関係を示す図である。 出願人　　小西六写真工業株式会社 ５Ｇｈ　Ｃ”’　） 櫂４（ｎｍ）

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. （１）光検出素子を有する光検出器において該検出器の
   検出の対象である第１の波長域の光に対する前記検出器
   の感度Ｓ＿１と、検出の対象外である第１の波長域以外
   の第２の波長域の光に対する感度Ｓ＿２の比Ｓ＿１／Ｓ
   ＿２が１より大なることを特徴とする光検出器。
2. （２）前記感度の比Ｓ＿１／Ｓ＿２が１０＾３以上であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光検出
   器。
3. （３）前記感度の比Ｓ＿１／Ｓ＿２が１０＾４以上であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
   載の光検出器。
4. （４）前記第１の波長域が３００〜４５０ｎｍの波長域
   を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
   検出器。
5. （５）前記第２の波長域が５００ｎｍ以上の波長域を含
   むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光検出
   器。
6. （６）前記光検出素子が光電子増倍管であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の光検出器
   。
7. （７）前記光電子増倍管の光電変換面が、Ｓｂ・Ｃｓ系
   、Ｓｂ・Ｒｂ・Ｃｓ系、又はＳｂ・Ｎａ・Ｋ・Ｃｓ系材
   料より成ることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
   の光検出器。
8. （８）前記光電子増倍管の光電変換面が透過型であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第６項又は第７項記載の
   光検出器。
9. （９）蛍光体に励起光を照射する励起光照射手段と、光
   検出素子を含む光検出器を有する蛍光検出装置において
   、前記光検出器が検出の対象とする第１の波長域の光に
   対する前記光検出器の感度Ｓ＿１と、検出の対象外であ
   る第１の波長域以外の第２の波長域の光に対する感度Ｓ
   ＿２の比Ｓ＿１／Ｓ＿２が１より大なることを特徴とす
   る蛍光検出装置。
10. （１０）前記第１の波長域が前記蛍光体の発する蛍光の
    波長を含み、前記第２の波長域が前記励起光の波長を含
    むことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の蛍光検
    出装置。
11. （１１）前記光検出器のＳ＿１／Ｓ＿２が１０＾３以上
    であることを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の蛍
    光検出装置。
12. （１２）前記光検出器のＳ＿１／Ｓ＿２が１０＾４以上
    であることを特徴とする特許請求の範囲第９項又は第１
    １項記載の蛍光検出装置。
13. （１３）前記第１の波長域が３００〜４５０ｎｍの波長
    域を含むことを特徴とする特許請求の範囲第９項又は第
    １０項記載の蛍光検出装置。
14. （１４）前記第２の波長域が５００ｎｍ以上の波長域を
    含むことを特徴とする特許請求の範囲第９項又は第１０
    項記載の蛍光検出装置。
15. （１５）前記光検出素子が光電子増倍管であることを特
    徴とする特許請求の範囲第９項乃至第１２項記載の蛍光
    検出装置。
16. （１６）前記光電子増倍管の光電変換面が、Ｓｂ・Ｃｓ
    系、Ｓｂ・Ｒｂ・Ｃｓ系、又はＳｂ・Ｎａ・Ｋ・Ｃｓ系
    材料より成ることを特徴とする特許請求の範囲第１５項
    記載の蛍光検出装置。
17. （１７）前記光電子増倍管の光電変換面が透過型である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１５項又は第１６項
    記載の蛍光検出装置。
18. （１８）前記励起光照射手段が半導体レーザーであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の蛍光検出装
    置。