JPH06215413A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 分離光学系型の光ピックアップ装置の厚さ方
向の寸法を低減し、薄型の光ディスク駆動装置を実現す
る。 【構成】 固定光学系からのレーザビームを対物レンズ
１６に偏向するための偏向プリズム１５に、レーザビー
ムのビーム整形機能を持たせることで、固定光学系から
移動光学系までの光路の厚さ方向の寸法を、半導体レー
ザ素子１１から出力されるレーザ光のビームパターンの
短軸方向の寸法に対応した値に設定可能にすることで、
厚さ方向の寸法を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザビームを発生す
るための光源光学系および光記録媒体からの反射光を処
理して所定の検出信号を形成するための検出光学系を少
なくとも備えた固定光学系と、光源光学系から出力され
るレーザビームを光記録媒体の記録面に集束する対物レ
ンズとこの対物レンズの光軸とレーザビームの光軸を一
致させるためにレーザビームを光記録媒体に対して垂直
方向に偏向する偏向プリズムを少なくとも備えた移動光
学系に分割された分離光学系を備えた光ピックアップ装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、光磁気ディスク駆動装置など
で、光磁気記録媒体にデータを記録／再生／消去するた
めに用いられている光ピックアップ装置では、そのレー
ザ光源として半導体レーザ素子を用いている。この半導
体レーザ素子から出力されるレーザ光は、そのパターン
が楕円形状であるため、通常、レーザ光を円形のパター
ンにビーム整形しており、その一例を図７に示す。な
お、この場合、光ピックアップ装置は、光源光学系およ
び検出光学系などを備えた固定光学系と、対物レンズお
よび偏向プリズムなどを備えた移動光学系に分割された
分離光学系を備えている。また、移動光学系には、その
筐体を光磁気ディスクの半径方向に移動するためのシー
ク機構が付設されている。

【０００３】同図において、半導体レーザ素子１から出
力されるレーザ光は、コリメートレンズ２によって平行
なレーザビームに変換され、プリズム３およびプリズム
４からなるビーム整形素子により、そのパターンが円形
に整形される。このとき、レーザ光の整形後のパターン
の直径は、整形前のパターンの長軸寸法に相当する直に
なる。

【０００４】ビーム整形後のレーザビームは、偏光ビー
ムスプリッタ５を介して、固定光学系の筐体６から出力
され、移動光学系の偏向プリズム７に導かれる。そし
て、この偏向プリズム７で反射されて対物レンズ８に導
かれ、対物レンズ８によって光磁気ディスク９の記録面
に結像される。

【０００５】このようにして、従来の光ピックアップ装
置では、固定光学系の筐体６から出力されるレーザビー
ムの直径が、半導体レーザ素子１から出力されるレーザ
光のパターンの長軸寸法に相当する値ｄになるため、偏
向プリズム７の厚さ方向の寸法ｈを、この値ｄよりも大
きい値に設定する必要がある。その結果、光ピックアッ
プ装置の厚さ方向の寸法が比較的大きい値となり、光磁
気ディスク駆動装置の薄型化の障害となっていた。

【０００６】そこで、かかる不都合を解消するものとし
て、例えば、特開平２−４４５３５号公報に開示された
ものが提案されている。この従来のものでは、偏向プリ
ズムの前段位置にビーム整形を兼ねたプリズムを配設
し、レーザビームの光路を下げ、これによって、光ピッ
クアップ装置の全体の厚さ寸法を低減できるようにして
いる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来技術では、ビーム整形に用いるプリズムのビーム整形
倍率が制限されるとともに、ビーム整形プリズムを通過
させるために設定するレーザビームの光路の設計上の制
約が大きく、光ピックアップ装置の薄型化が困難である
という不都合を生じていた。

【０００８】本発明は、かかる実情に鑑みてなされたも
のであり、厚さ方向の寸法を軽減することができる光ピ
ックアップ装置を提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザビーム
を発生するための光源光学系および光記録媒体からの反
射光を処理して所定の検出信号を形成するための検出光
学系を少なくとも備えた固定光学系と、光源光学系から
出力されるレーザビームを光記録媒体の記録面に集束す
る対物レンズとこの対物レンズの光軸とレーザビームの
光軸を一致させるためにレーザビームを光記録媒体に対
して垂直方向に偏向する偏向プリズムを少なくとも備え
た移動光学系に分割された分離光学系を備えた光ピック
アップ装置において、上記光源光学系は、レーザ光を発
生する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子から
出力されるレーザ光を平行光のレーザビームに変換する
ためのコリメートレンズと、レーザビームと記録媒体か
らの反射光を分割するための光束分離手段を備え、上記
偏向プリズムは、上記光束分離手段から出力されるレー
ザビームを入射する第１面と、この第１面から入射した
光束を反射する第２面と、この第２面で反射された光束
を反射してその光束の光軸を上記対物レンズの光軸に一
致させるための第３面を備え、上記第１面は、入射ビー
ムに対して非直角の傾斜をもち、上記第２面は、上記対
物レンズの光軸に直交する面に平行に設定し、さらに、
上記光源光学系の前記半導体レーザ素子から出力される
レーザ光の遠視野像パターンは、その短軸が前記固定光
学系の厚さ方向に平行にされ、上記偏向プリズムは、入
射するレーザビームのパターンを略円形に整形して前記
対物レンズに出力するビーム整形機能を備えているもの
である。

【００１０】また、レーザビームを発生するための光源
光学系および光記録媒体からの反射光を処理して所定の
検出信号を形成するための検出光学系を少なくとも備え
た固定光学系と、光源光学系から出力されるレーザビー
ムを光記録媒体の記録面に集束する対物レンズとこの対
物レンズの光軸とレーザビームの光軸を一致させるため
にレーザビームを光記録媒体に対して垂直方向に偏向す
る偏向プリズムを少なくとも備えた移動光学系に分割さ
れた分離光学系を備えた光ピックアップ装置において、
上記偏向プリズムのレーザビーム入射前位置に配置され
レーザビームの偏光方向を入れ替えるための位相子を備
えるとともに、上記光源光学系は、レーザ光を発生する
半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子から出力さ
れるレーザ光を平行光のレーザビームに変換するための
コリメートレンズと、レーザビームと記録媒体からの反
射光を分割するための光束分離手段を備え、上記偏向プ
リズムは、上記光束分離手段から出力されるレーザビー
ムを入射する第１面と、この第１面から入射した光束を
反射する第２面と、この第２面で反射された光束を反射
してその光束の光軸を上記対物レンズの光軸に一致させ
るための第３面を備え、上記第１面は、入射ビームに対
して非直角の傾斜をもち、上記第２面は、上記対物レン
ズの光軸に直交する面に平行に設定し、さらに、上記光
源光学系の前記半導体レーザ素子から出力されるレーザ
光の遠視野像パターンは、その短軸が前記固定光学系の
厚さ方向に平行にされ、上記偏向プリズムは、入射する
レーザビームのパターンを略円形に整形して前記対物レ
ンズに出力するビーム整形機能を備えているするもので
ある。

【００１１】また、レーザビームを発生するための光源
光学系および光記録媒体からの反射光を処理して所定の
検出信号を形成するための検出光学系を少なくとも備え
た固定光学系と、光源光学系から出力されるレーザビー
ムを光記録媒体の記録面に集束する対物レンズとこの対
物レンズの光軸とレーザビームの光軸を一致させるため
にレーザビームを光記録媒体に垂直方向に偏向する偏向
プリズムを少なくとも備えた移動光学系に分割された分
離光学系を備えた光ピックアップ装置において、上記光
源光学系は、レーザ光を発生する半導体レーザ素子と、
この半導体レーザ素子から出力されるレーザ光を平行光
のレーザビームに変換するためのコリメートレンズと、
レーザビームと記録媒体からの反射光を分割するための
光束分離手段を備え、上記検出光学系は、上記偏向プリ
ズムで生じるレーザ光の位相差を補正するための位相子
を備え、上記偏向プリズムは、上記光束分離手段から出
力されるレーザビームを入射する第１面と、この第１面
から入射した光束を反射する第２面と、この第２面で反
射された光束を反射してその光束の光軸を上記対物レン
ズの光軸に一致させるための第３面を備え、上記第１面
は、入射ビームに対して非直角の傾斜をもち、上記第２
面は、上記対物レンズの光軸に直交する面に平行に設定
し、さらに、上記光源光学系の前記半導体レーザ素子か
ら出力されるレーザ光の遠視野像パターンは、その短軸
が前記固定光学系の厚さ方向に平行にされ、上記偏向プ
リズムは、入射するレーザビームのパターンを略円形に
整形して前記対物レンズに出力するビーム整形機能を備
えているものである。

【００１２】また、レーザビームを発生するための光源
光学系および光記録媒体からの反射光を処理して所定の
検出信号を形成するための検出光学系を少なくとも備え
た固定光学系と、光源光学系から出力されるレーザビー
ムを光記録媒体の記録面に集束する対物レンズとこの対
物レンズの光軸とレーザビームの光軸を一致させるため
にレーザビームを光記録媒体に垂直方向に偏向する偏向
プリズムを少なくとも備えた移動光学系に分割された分
離光学系を備えた光ピックアップ装置において、上記偏
向プリズムのレーザビーム入射前位置に配置されレーザ
ビームの偏光方向を入れ替えるための第１の位相子を備
えるとともに、上記光源光学系は、レーザ光を発生する
半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子から出力さ
れるレーザ光を平行光のレーザビームに変換するための
コリメートレンズと、レーザビームと記録媒体からの反
射光を分割するための光束分離手段を備え、上記検出光
学系は、上記偏向プリズムで生じるレーザ光の位相差を
補正するための第２の位相子を備え、上記偏向プリズム
は、上記光束分離手段から出力されるレーザビームを入
射する第１面と、この第１面から入射した光束を反射す
る第２面と、この第２面で反射された光束を反射してそ
の光束の光軸を上記対物レンズの光軸に一致させるため
の第３面を備え、上記第１面は、入射ビームに対して非
直角の傾斜をもち、上記第２面は、上記対物レンズの光
軸に直交する面に平行に設定し、さらに、上記光源光学
系の前記半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の遠
視野像パターンは、その短軸が前記固定光学系の厚さ方
向に平行にされ、上記偏向プリズムは、入射するレーザ
ビームのパターンを略円形に整形して前記対物レンズに
出力するビーム整形機能を備えているものである。

【００１３】また、レーザビームを発生するための光源
光学系および光記録媒体からの反射光を処理して所定の
検出信号を形成するための検出光学系を少なくとも備え
た固定光学系と、光源光学系から出力されるレーザビー
ムを光記録媒体の記録面に集束する対物レンズとこの対
物レンズの光軸とレーザビームの光軸を一致させるため
にレーザビームを光記録媒体に対して垂直方向に偏向す
る偏向プリズムを少なくとも備えた移動光学系に分割さ
れた分離光学系を備えた光ピックアップ装置において、
上記光源光学系は、レーザ光を発生する半導体レーザ素
子と、この半導体レーザ素子から出力されるレーザ光を
平行光のレーザビームに変換するためのコリメートレン
ズと、レーザビームと記録媒体からの反射光を分割する
ための光束分離手段を備え、上記偏向プリズムは、上記
光束分離手段から出力されるレーザビームを入射する第
１面と、この第１面から入射した光束を反射する第２面
と、この第２面で反射された光束を反射してその光束の
光軸を上記対物レンズの光軸に一致させるための第３面
を備え、上記第１面は、入射ビームに対して非直角の傾
斜をもち、上記第２面は、上記対物レンズの光軸に直交
する面に平行にされているとともに、上記第１面には、
反射防止膜を形成し、上記第２面には、増反射膜を形成
し、さらに、上記光源光学系の前記半導体レーザ素子か
ら出力されるレーザ光の遠視野像パターンは、その短軸
が前記固定光学系の厚さ方向に平行にされ、上記偏向プ
リズムは、入射するレーザビームのパターンを略円形に
整形して前記対物レンズに出力するビーム整形機能を備
えているものである。ここで、前記反射防止膜と前記増
反射膜により、前記偏向プリズム全体で生じる位相差を
（２ｎπ±２７）（度）以内に規制するとよい。

【００１４】

【作用】したがって、レーザビームを対物レンズに偏向
する偏向プリズムを、レーザビームのビーム整形素子に
兼用しているので、光ピックアップ装置の部品点数を削
減することができ、光ピックアップ装置のコストを低減
することができる。また、固定光学系から偏向プリズム
までの光路の厚さ方向の寸法を、半導体レーザ素子が出
力するレーザ光のパターンの短軸寸法に対応する値に制
限することができるので、光ピックアップ装置の厚さ方
向の寸法を低減することができ、光ピックアップ装置の
薄型化を実現することができる。

【００１５】また、偏向プリズムのレーザビーム入射前
位置に配置されレーザビームの偏光方向を入れ替えるた
めの第１の位相子を備えたので、偏向プリズムに入射す
るレーザビームをＳ偏光にすることができ、その結果、
光記録媒体からの反射光に含まれる信号光成分の検出光
学系への透過率を向上することができ、信号光成分のの
Ｃ／Ｎ比を向上することができる。また、検出光学系
に、偏向プリズムで生じるレーザ光の位相差を補正する
ための第２の位相子を備えたので、信号光成分のＣ／Ｎ
比を向上することができる。

【００１６】また、偏向プリズムの第１面に反射防止膜
を形成し、第２面に増反射膜を形成した場合には、上記
第１および第２の位相子を不要とすることができ、部品
点数を低減することができる。

【００１７】

【実施例】以下、添付図面を参照しながら、本発明の実
施例を詳細に説明する。

【００１８】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施例
にかかる光ピックアップ装置の要部を示している。な
お、この場合、光ピックアップ装置は、光源光学系およ
び検出光学系などを備えた固定光学系と、対物レンズお
よび偏向プリズムなどを備えた移動光学系に分割された
分離光学系を備えている。また、移動光学系には、その
筐体を光磁気ディスクの半径方向に移動するためのシー
ク機構が付設されている。また、検出光学系の詳細のう
ち、本発明に直接関係しない部分については、その説明
を省略している。また、以下の説明において、光ピック
アップ装置の厚さ方向を上下方向という。ここで、光磁
気ディスクに近い方向を上方向、反対方向を下方向にそ
れぞれ設定する。

【００１９】図において、半導体レーザ素子１１から出
力されたＳ偏光のレーザ光は、コリメートレンズ１２に
よって平行なレーザビームに変換され、偏光ビームスプ
リッタ１３の分割面１３ａで反射されて、光路変換素子
１４に入射する。この半導体レーザ素子１１、コリメー
トレンズ１２、および、偏光ビームスプリッタ１３が、
光源光学系を構成している。また、半導体レーザ素子１
１から出力されているレーザ光は、そのビームパターン
の短軸方向が厚さ方向に一致するように、半導体レーザ
素子１１の方向が設定されている。

【００２０】光路変換素子１４は、光源光学系からの入
射光の光路を、下方向に移動するものであり、この光路
変換素子１４を介して出力されるレーザビームは、その
頂角が下向きに配設されている偏向プリズム１５の第１
面１５ａに入射される。

【００２１】偏向プリズム１５の第１面１５ａから入射
したレーザビームは、この第１面１５ａで屈折して偏向
プリズム１５の内部を進み、水平方向（上下方向に直交
する方向）に平行に配置されている偏向プリズム１５の
第２面１５ｂで反射される。この第２面１５ｂで反射さ
れたレーザビームは、偏向プリズム１５の第３面１５ｃ
で反射され、これによって、第２面１５ｂに対して直角
な方向となり、第２面１５ｂを透過して、外部に出射さ
れる。

【００２２】このようにして、偏向プリズム１５の第２
面１５ｂから出射されたレーザビームは、対物レンズ１
６に入射し、対物レンズ１６によって光磁気ディスク１
７の記録面に集束される。

【００２３】そして、光磁気ディスク１７の記録面から
の反射光は、対物レンズ１６を介して略平行光に変換さ
れ、偏向プリズム１５の第２面１５ｂに直角に入射さ
れ、偏向プリズム１５の第３面１５ｃおよび第２面１５
ｂで順次反射され、第１面１５ａから出射される。

【００２４】この偏向プリズム１５の第１面１５ａから
出射された光磁気ディスク１７からの反射光は、光路変
換素子１４を介して、固定光学系の筐体１８に戻り、こ
の戻り光は、信号光として、偏光ビームスプリッタ１３
の分割面１３ａを透過し、反射プリズム１９によって反
射され、レンズ２０により集束された後に、偏光ビーム
スプリッタ２１に入射される。

【００２５】偏光ビームスプリッタ２１に入射された信
号光のうち、Ｐ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ２１
の分割面２１ａを透過し、受光素子２２で受光される。
また、信号光のＳ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ２
１の分割面２１ａで反射され、受光素子２３で受光され
る。ここで、反射プリズム１９、レンズ２０、偏光ビー
ムスプリッタ２１、および、受光素子２２，２３によっ
て、検出光学系２４が構成されている。

【００２６】以上の構成で、偏向プリズム１５の第１面
１５ａの角度は、この第１面１５ａで屈折した楕円形の
ビームパターンのレーザビームが、円形のビームパター
ンになる値に設定されている。したがって、偏向プリズ
ム１５の第２面１５ｂから出射されるレーザビームのビ
ームパターンは、円形になる。

【００２７】このようにして、本実施例では、偏向プリ
ズム１５により、楕円形のビームパターンのレーザビー
ムを円形のビームパターンに整形しているので、ビーム
整形素子を設ける必要がなく、光ピックアップ装置のコ
ストを低減することができる。

【００２８】また、固定光学系の筐体１８から、偏向プ
リズム１５までの光路の上下方向の寸法ｄ１（図１
（ａ）参照）は、楕円形のビームパターンの短軸方向の
寸法に相当する値になるので、偏向プリズム１５の上下
方向の寸法ｈ’を低減することができ、その結果、光ピ
ックアップ装置の厚さ方向の寸法を低減することができ
る。

【００２９】また、本実施例では、光路変換素子１４に
より、固定光学系から出射されるレーザビームの光路を
下方向に変換しているので、移動光学系を全体的に下方
向に移動した態様に構成することができ、光磁気ディス
ク１７が位置する部分の光ピックアップ装置の厚さ寸法
をより低減することができ、光磁気ディスク駆動装置の
厚さを大幅に低減することができる。

【００３０】ところで、上述した実施例では、レーザビ
ームが偏向プリズム１５の内部で反射されるときに、そ
の第２面１５ｂでの全反射成分が関与して、レーザビー
ムの位相差が４５度程度発生するので、検出光学系２４
でのＣ／Ｎ比が低減する。

【００３１】このような不都合を解消するためには、図
２に示したように、検出光学系２４の反射プリズム１９
と偏光ビームスプリッタ２０との間に、１／４波長板２
５を配設して、レーザビームの位相差を、この１／４波
長板２５によって相殺するとよい。

【００３２】なお、図２において、図１（ａ）と同一部
分、および、相当する部分には、同一符号を付してい
る。

【００３３】また、図１（ａ），（ｂ）に示した実施例
では、偏向プリズム１５の第１面１５ａでのＳ偏光反射
率が比較的大きい。

【００３４】この場合、レーザビームは、偏向プリズム
１５に対してＰ偏光で入射するので、光磁気ディスク１
７に入射するレーザビームはＰ偏光になり、したがっ
て、光磁気ディスク１７の反射光に含まれる光磁気信号
成分がＳ偏光になる。

【００３５】このため、光磁気ディスク１７からの反射
光が、偏向プリズム１５を通過してその第１面１５ａか
ら出射されるとき、Ｓ偏光である光磁気信号成分が第１
面１５ａで反射され、その結果、光磁気ディスク１７の
記録面からの反射光に含まれる光磁気信号成分が劣化す
るという不都合を生じる。

【００３６】かかる不都合を解消するためには、図３に
示したように、固定光学系の偏光ビームスプリッタ１３
の直後に、１／２波長板２６を配設するとよい。なお、
図３において、図１（ａ）と同一部分および相当する部
分には、同一符号を付している。

【００３７】これにより、偏光ビームスプリッタ１３の
分割面１３ａで反射されたレーザビームが、１／２波長
板２６を透過した後、偏向プリズム１５に対してＳ偏光
となり、これによって、光磁気ディスク１７に入射する
レーザビームはＳ偏光になる。

【００３８】したがって、光磁気ディスク１７の反射光
に含まれる光磁気信号成分がＰ偏光になるので、この光
磁気信号成分は、光磁気ディスク１７からの反射光が偏
向プリズム１５を通過してその第１面１５ａから出射さ
れるときに反射されず、そのまま固定光学系に戻る。

【００３９】固定光学系に戻った光磁気ディスク１７か
らの反射光は、１／２波長板２６を透過し、この場合に
は、その反射光に含まれる光磁気信号成分は偏光ビーム
スプリッタ１３に対してＰ偏光になり、検出光学系２４
に導かれる。

【００４０】このようにして、本実施例では、光磁気デ
ィスク１７からの反射光に含まれる光磁気信号成分の劣
化を防止することができる。

【００４１】また、図２に示した実施例と、図３に示し
た実施例とを組み合わせることもでき、その場合の実施
例を図４に示す。なお、図４において、図２および図３
と同一部分および相当する部分には、同一符号を付して
いる。

【００４２】したがって、この図４に示した実施例で
は、検出光学系２４におけるＣ／Ｎ比を大幅に向上する
ことができる。

【００４３】図５（ａ），（ｂ）は、本発明にかかる他
の実施例を示している。なお、同図において、図１
（ａ），（ｂ）と同一部分および相当する部分には、同
一符号を付している。

【００４４】この実施例では、偏向プリズム１５の第１
面１５ａには、レーザビームのＳ偏光成分の透過率を高
くするための多層膜３１を形成し、第２面１５ｂには、
レーザビームの反射時に生じる位相差を解消するととも
に、レーザビームの透過率を高くするための多層膜３２
を形成し、第３面１５ｃには、レーザビームの反射時に
生じる位相差を解消するとともに、レーザビームの反射
率を高くするための多層膜３３を形成している。

【００４５】ここで、偏向プリズム１５におけるレーザ
ビームの位相差が（２ｎπ±２７）（度）の場合に、Ｃ
／Ｎ比が１（ｄＢ）低下することを考えると、偏向プリ
ズム１５全体でのレーザビームの位相差が２７（度）以
下になるように、多層膜３２，３３の特性を設定すると
よい。

【００４６】このようにして、本実施例では、偏向プリ
ズム１５の第１面１５ａに形成した多層膜３１により、
第１面１５ａでのＳ偏光の透過率を向上しているので、
光磁気ディスク１７からの反射光に含まれるＳ偏光の光
磁気信号成分は、偏向プリズム１５から出射されるとき
に、効率よく透過し、これにより、検出光学系２４にお
けるＣ／Ｎ比が向上する。

【００４７】また、偏向プリズム１５の全体でのレーザ
ビームの位相差が２７（度）以下に設定されているの
で、検出光学系２４におけるＣ／Ｎ比をさらに向上する
ことができる。

【００４８】すなわち、この実施例は、図４に示した実
施例と同等の効果を得る。したがって、Ｃ／Ｎ比の良好
な光ピックアップ装置をより小型にかつ安価に実現する
ことができる。

【００４９】図６は、本発明のさらに他の実施例を示し
ている。なお、同図において、図５（ａ）と同一部分お
よび相当する部分には、同一符号を付している。

【００５０】この実施例では、偏向プリズム１５の第２
面１５ｂのうち、レーザビームを反射する部分と、レー
ザビームを透過する部分とを分割したものであり、この
第２面１５ｂのレーザビームを反射する部分には、レー
ザビームの反射時に生じる位相差を解消するとともに、
レーザビームの反射率を向上するための多層膜３５を形
成し、第２面１５ｂのレーザビームを透過する部分に
は、レーザビームの透過率を高くするための多層膜３６
を形成している。

【００５１】また、この場合、光路変換素子１４を光軸
回りに回転して、偏向プリズム１５側の光路の上下方向
の移動量を調整し、偏向プリズム１５に対するレーザビ
ームの入射位置を所定位置に設定している。

【００５２】この実施例では、偏向プリズム１５に形成
する多層膜３５と多層膜３６が、それぞれ単機能のもの
なので、多層膜３５および多層膜３６の構成を簡単にす
ることができる。

【００５３】ところで、上述した実施例では、本発明を
光磁気ディスク駆動装置について適用した場合を説明し
たが、本発明は、それ以外の光ディスク駆動装置（例え
ば、追記型光ディスク駆動装置）についても、本発明を
同様にして適用することができる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザビームを対物レンズに偏向する偏向プリズムを、
レーザビームのビーム整形素子に兼用しているので、光
ピックアップ装置の部品点数を削減することができ、光
ピックアップ装置のコストを低減することができる。ま
た、固定光学系から偏向プリズムまでの光路の厚さ方向
の寸法を、半導体レーザ素子が出力するレーザ光のパタ
ーンの短軸寸法に対応する値に制限することができるの
で、光ピックアップ装置の厚さ方向の寸法を低減するこ
とができ、光ピックアップ装置の薄型化を実現すること
ができるという効果を得る。

【００５５】また、偏向プリズムのレーザビーム入射前
位置に配置されレーザビームの偏光方向を入れ替えるた
めの第１の位相子を備えたので、偏向プリズムに入射す
るレーザビームをＳ偏光にすることができ、その結果、
光記録媒体からの反射光に含まれる信号光成分の検出光
学系への透過率を向上することができ、信号光成分のの
Ｃ／Ｎ比を向上することができる。また、検出光学系
に、偏向プリズムで生じるレーザ光の位相差を補正する
ための第２の位相子を備えたので、信号光成分のＣ／Ｎ
比を向上することができるという効果も得る。

【００５６】また、偏向プリズムの第１面に反射防止膜
を形成し、第２面に増反射膜を形成した場合には、上記
第１および第２の位相子を不要とすることができ、部品
点数を低減することができるという効果も得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例にかかる光ピックアップ装置
を示した平面図および側面図。

【図２】本発明の他の実施例にかかる光ピックアップ装
置を示した側面図。

【図３】本発明のさらに他の実施例にかかる光ピックア
ップ装置を示した側面図。

【図４】本発明のまたさらに他の実施例にかかる光ピッ
クアップ装置を示した側面図。

【図５】本発明の別な実施例にかかる光ピックアップ装
置を示した平面図および側面図。

【図６】本発明のさらに別な実施例にかかる光ピックア
ップ装置を示した側面図。

【図７】光ピックアップ装置の従来例を示した側面図。

【符号の説明】

１１ 半導体レーザ素子 １２ コリメートレンズ １３，２１ 偏光ビームスプリッタ １４ 光路変換素子 １５ 偏向プリズム １６ 対物レンズ １７ 光磁気ディスク １８ 筐体 １９ 反射プリズム ２０ レンズ ２２，２３ 受光素子 ３１，３２，３３，３５，３６ 多層膜

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザビームを発生するための光源光学
   系および光記録媒体からの反射光を処理して所定の検出
   信号を形成するための検出光学系を少なくとも備えた固
   定光学系と、光源光学系から出力されるレーザビームを
   光記録媒体の記録面に集束する対物レンズとこの対物レ
   ンズの光軸とレーザビームの光軸を一致させるためにレ
   ーザビームを光記録媒体に対して垂直方向に偏向する偏
   向プリズムを少なくとも備えた移動光学系に分割された
   分離光学系を備えた光ピックアップ装置において、 上記光源光学系は、レーザ光を発生する半導体レーザ素
   子と、この半導体レーザ素子から出力されるレーザ光を
   平行光のレーザビームに変換するためのコリメートレン
   ズと、レーザビームと記録媒体からの反射光を分割する
   ための光束分離手段を備え、 上記偏向プリズムは、上記光束分離手段から出力される
   レーザビームを入射する第１面と、この第１面から入射
   した光束を反射する第２面と、この第２面で反射された
   光束を反射してその光束の光軸を上記対物レンズの光軸
   に一致させるための第３面を備え、上記第１面は、入射
   ビームに対して非直角の傾斜をもち、上記第２面は、上
   記対物レンズの光軸に直交する面に平行にされさらに、
   上記光源光学系の前記半導体レーザ素子から出力される
   レーザ光の遠視野像パターンは、その短軸が前記固定光
   学系の厚さ方向に平行にされ、 上記偏向プリズムは、入射するレーザビームのパターン
   を略円形に整形して前記対物レンズに出力するビーム整
   形機能を備えていることを特徴とする光ピックアップ装
   置。
2. 【請求項２】 レーザビームを発生するための光源光学
   系および光記録媒体からの反射光を処理して所定の検出
   信号を形成するための検出光学系を少なくとも備えた固
   定光学系と、光源光学系から出力されるレーザビームを
   光記録媒体の記録面に集束する対物レンズとこの対物レ
   ンズの光軸とレーザビームの光軸を一致させるためにレ
   ーザビームを光記録媒体に対して垂直方向に偏向する偏
   向プリズムを少なくとも備えた移動光学系に分割された
   分離光学系を備えた光ピックアップ装置において、 上記偏向プリズムのレーザビーム入射前位置に配置され
   レーザビームの偏光方向を入れ替えるための位相子を備
   えるとともに、 上記光源光学系は、レーザ光を発生する半導体レーザ素
   子と、この半導体レーザ素子から出力されるレーザ光を
   平行光のレーザビームに変換するためのコリメートレン
   ズと、レーザビームと記録媒体からの反射光を分割する
   ための光束分離手段を備え、 上記偏向プリズムは、上記光束分離手段から出力される
   レーザビームを入射する第１面と、この第１面から入射
   した光束を反射する第２面と、この第２面で反射された
   光束を反射してその光束の光軸を上記対物レンズの光軸
   に一致させるための第３面を備え、上記第１面は、入射
   ビームに対して非直角の傾斜をもち、上記第２面は、上
   記対物レンズの光軸に直交する面に平行にされ、 さらに、上記光源光学系の前記半導体レーザ素子から出
   力されるレーザ光の遠視野像パターンは、その短軸が前
   記固定光学系の厚さ方向に平行にされ、 上記偏向プリズムは、入射するレーザビームのパターン
   を略円形に整形して前記対物レンズに出力するビーム整
   形機能を備えていることを特徴とする光ピックアップ装
   置。
3. 【請求項３】 レーザビームを発生するための光源光学
   系および光記録媒体からの反射光を処理して所定の検出
   信号を形成するための検出光学系を少なくとも備えた固
   定光学系と、光源光学系から出力されるレーザビームを
   光記録媒体の記録面に集束する対物レンズとこの対物レ
   ンズの光軸とレーザビームの光軸を一致させるためにレ
   ーザビームを光記録媒体に垂直方向に偏向する偏向プリ
   ズムを少なくとも備えた移動光学系に分割された分離光
   学系を備えた光ピックアップ装置において、 上記光源光学系は、レーザ光を発生する半導体レーザ素
   子と、この半導体レーザ素子から出力されるレーザ光を
   平行光のレーザビームに変換するためのコリメートレン
   ズと、レーザビームと記録媒体からの反射光を分割する
   ための光束分離手段を備え、 上記検出光学系は、上記偏向プリズムで生じるレーザ光
   の位相差を補正するための位相子を備え、 上記偏向プリズムは、上記光束分離手段から出力される
   レーザビームを入射する第１面と、この第１面から入射
   した光束を反射する第２面と、この第２面で反射された
   光束を反射してその光束の光軸を上記対物レンズの光軸
   に一致させるための第３面を備え、上記第１面は、入射
   ビームに対して非直角の傾斜をもち、上記第２面は、上
   記対物レンズの光軸に直交する面に平行にされ、 さらに、上記光源光学系の前記半導体レーザ素子から出
   力されるレーザ光の遠視野像パターンは、その短軸が前
   記固定光学系の厚さ方向に平行にされ、 上記偏向プリズムは、入射するレーザビームのパターン
   を略円形に整形して前記対物レンズに出力するビーム整
   形機能を備えていることを特徴とする光ピックアップ装
   置。
4. 【請求項４】 レーザビームを発生するための光源光学
   系および光記録媒体からの反射光を処理して所定の検出
   信号を形成するための検出光学系を少なくとも備えた固
   定光学系と、光源光学系から出力されるレーザビームを
   光記録媒体の記録面に集束する対物レンズとこの対物レ
   ンズの光軸とレーザビームの光軸を一致させるためにレ
   ーザビームを光記録媒体に垂直方向に偏向する偏向プリ
   ズムを少なくとも備えた移動光学系に分割された分離光
   学系を備えた光ピックアップ装置において、 上記偏向プリズムのレーザビーム入射前位置に配置され
   レーザビームの偏光方向を入れ替えるための第１の位相
   子を備えるとともに、 上記光源光学系は、レーザ光を発生する半導体レーザ素
   子と、この半導体レーザ素子から出力されるレーザ光を
   平行光のレーザビームに変換するためのコリメートレン
   ズと、レーザビームと記録媒体からの反射光を分割する
   ための光束分離手段を備え、 上記検出光学系は、上記偏向プリズムで生じるレーザ光
   の位相差を補正するための第２の位相子を備え、 上記偏向プリズムは、上記光束分離手段から出力される
   レーザビームを入射する第１面と、この第１面から入射
   した光束を反射する第２面と、この第２面で反射された
   光束を反射してその光束の光軸を上記対物レンズの光軸
   に一致させるための第３面を備え、上記第１面は、入射
   ビームに対して非直角の傾斜をもち、上記第２面は、上
   記対物レンズの光軸に直交する面に平行にされ、 さらに、上記光源光学系の前記半導体レーザ素子から出
   力されるレーザ光の遠視野像パターンは、その短軸が前
   記固定光学系の厚さ方向に平行にされ、 上記偏向プリズムは、入射するレーザビームのパターン
   を略円形に整形して前記対物レンズに出力するビーム整
   形機能を備えていることを特徴とする光ピックアップ装
   置。
5. 【請求項５】 レーザビームを発生するための光源光学
   系および光記録媒体からの反射光を処理して所定の検出
   信号を形成するための検出光学系を少なくとも備えた固
   定光学系と、光源光学系から出力されるレーザビームを
   光記録媒体の記録面に集束する対物レンズとこの対物レ
   ンズの光軸とレーザビームの光軸を一致させるためにレ
   ーザビームを光記録媒体に対して垂直方向に偏向する偏
   向プリズムを少なくとも備えた移動光学系に分割された
   分離光学系を備えた光ピックアップ装置において、 上記光源光学系は、レーザ光を発生する半導体レーザ素
   子と、この半導体レーザ素子から出力されるレーザ光を
   平行光のレーザビームに変換するためのコリメートレン
   ズと、レーザビームと記録媒体からの反射光を分割する
   ための光束分離手段を備え、 上記偏向プリズムは、上記光束分離手段から出力される
   レーザビームを入射する第１面と、この第１面から入射
   した光束を反射する第２面と、この第２面で反射された
   光束を反射してその光束の光軸を上記対物レンズの光軸
   に一致させるための第３面を備え、上記第１面は、入射
   ビームに対して非直角の傾斜をもち、上記第２面は、上
   記対物レンズの光軸に直交する面に平行にされていると
   ともに、上記第１面には、反射防止膜を形成し、上記第
   ２面には、増反射膜を形成し、 さらに、上記光源光学系の前記半導体レーザ素子から出
   力されるレーザ光の遠視野像パターンは、その短軸が前
   記固定光学系の厚さ方向に平行にされ、 上記偏向プリズムは、入射するレーザビームのパターン
   を略円形に整形して前記対物レンズに出力するビーム整
   形機能を備えていることを特徴とする光ピックアップ装
   置。
6. 【請求項６】 前記反射防止膜と前記増反射膜により、
   前記偏向プリズム全体で生じる位相差を（２ｎπ±２
   ７）（度）以内に設定したことを特徴とする請求項５記
   載の光ピックアップ装置。