JPH0621350B2 - スパツタ−タ−ゲツトの製造方法 - Google Patents

スパツタ−タ−ゲツトの製造方法

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JPH0621350B2
JPH0621350B2 JP60105234A JP10523485A JPH0621350B2 JP H0621350 B2 JPH0621350 B2 JP H0621350B2 JP 60105234 A JP60105234 A JP 60105234A JP 10523485 A JP10523485 A JP 10523485A JP H0621350 B2 JPH0621350 B2 JP H0621350B2
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JP
Japan
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target
silicide
sputter target
manufacturing
molybdenum
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JPS61264173A (ja
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則好 平尾
邦郎 倭文
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Proterial Ltd
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Hitachi Metals Ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Mechanical Engineering (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に半導体電極をスパッター法により形成す
る際に用いられる粉末焼結法により製造される、スパッ
ターターゲットの製造方法に関する。
［従来の技術］ 近年ＭＯＳ型ＬＳＩのゲート電極に、比抵抗の小さいモ
リブデンやタングステンなどの高融点金属のシリサイド
（珪化物）が用いられるようになってきた。こうした高
融点金属のシリサイドの膜を形成するには、高融点金属
のシリサイド製のターゲットを用いたスパッタリング法
が用いられている。
高融点のシリサイド，特にモリブデンシリサイド製のタ
ーゲットは、一般にモリブデン粉末とシリコン粉末ある
いは溶解により製造されたモリブデンシリサイドインゴ
ットを粉砕した粉末を原料として、ホットプレス法ある
いは熱間静水圧プレス法などの粉末焼結法により製造さ
れる。
一方、ゲート電極に要求される特性として、比抵抗の小
さいこと以外に、しきい値電圧の安定であることが要求
される。しきい値電圧の変動の原因は、主にＮａなどの
アルカリ金属のイオンがゲート酸化膜中で移動すること
に因ることが知られている。
このため、電極成膜用のターゲットにＮａなどのアルカ
リ金属が含まれないことが要求される。
しかし、Ｎａはターゲット原料に含有されていること以
外に、ターゲットの製造工程中に、例えば大気中の塵
埃，人体からの汗，あるいは研磨加工の研削油などから
容易に混入し、ターゲットを汚染する。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、Ｎａなどのアルカリ金属の含有量の少ない、
粉末焼結法によるターゲットの製造方法を提供するもの
である。
［問題を解決するための手段］ 本発明は、粉末冶金法により成形したモリブデンまたは
タングステンの珪化物よりなる焼結体を所定の形状に仕
上加工した後、１０-2Torrより減圧、好ましくは１０-3
Torrより減圧の真空炉内で800℃以上、好ましくは900℃
以上の温度で加熱処理し、アルカリ金属を蒸発除去する
スパッターターゲットの製造方法を提供するものであ
る。
［実施例］ 以下に実施例により本発明を説明する。
純度９９．９８％のモリブデンのインゴットをＭｏＳｉ
2.5となるように原料を配合し、プラズマアーク炉にて
溶解した。得られた合金を振動式粉砕機にて粉砕した。
この原料粉末を、内面にＭｏを溶射した軟鋼製の円筒缶
に詰め、真空脱気，封止し、熱間静水圧プレスにより、
圧力1,0000kg／cm2，温度1180℃，時間３Hrで成形・焼
結し、直径240mm，厚み50mmのターゲットを得た。この
ターゲットを、厚み10mmに放電切断機により切断し、さ
らに平面研削により、厚み６mmの円板に仕上げた。この
円板から、厚み６mm，幅10mm，長さ20mmの試験片を採取
した。試験片の１ケをクリーンルーム内で折損せしめて
自然破面を露出し、その中央をＩＭＡによりＮａおよび
Ｋを分析した。分析の結果は、標準試料対比で22.2およ
び２．２であった。
次に、同時に採取した同形の試験片を、真空度が10-3To
rrの電気炉内で、800，900，１，０００および１，１０
０℃で２．５時間清浄化熱処理を施し、それぞれの試験
片をクリーンルーム内で折損せしめて自然破面を露出
し、その中央をＩＭＡ分析を行った。分析の結果を第１
表に示す。800℃の熱処理でＮａの含有量は約半減し、9
00℃以上では20分の１以下に低減出来る。Ｋについても
減少効果は大きい。この効果は、真空度の向上，熱処理
時間の延長によりさらに含有量を減少出来るが、真空度
が10-2Torrをこえると減少効果は悪くなり、好ましくな
い。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の製造方法によれば、原料
あるいは製造工程中に混入したＮａなどのアルカリ金属
の含有量を低減することが出来る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】粉末焼結法により成形したモリブデンまた
    はタングステンの珪化物よりなる焼結体を所定の形状に
    仕上加工した後、10-2Torrより減圧の真空炉内で800℃
    ないし1100℃の温度で熱処理して、アルカリ金属を蒸発
    除去することを特徴とするスパッターターゲットの製造
    方法。
JP60105234A 1985-05-17 1985-05-17 スパツタ−タ−ゲツトの製造方法 Expired - Lifetime JPH0621350B2 (ja)

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JP4880809B2 (ja) * 2000-07-26 2012-02-22 株式会社東芝 スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲットならびにそれを用いた金属シリサイド膜、配線、電極、電子部品
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JPS6066425A (ja) * 1983-09-22 1985-04-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｌｓｉ電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法

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