JPH0621263A - セラミックス−金属接合基板 - Google Patents
セラミックス−金属接合基板Info
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- JPH0621263A JPH0621263A JP17692092A JP17692092A JPH0621263A JP H0621263 A JPH0621263 A JP H0621263A JP 17692092 A JP17692092 A JP 17692092A JP 17692092 A JP17692092 A JP 17692092A JP H0621263 A JPH0621263 A JP H0621263A
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- Japan
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- ceramics
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性および製造歩留り等を低下させること
なく、基板サイズの大型化への対応を図ったセラミック
ス−金属接合基板を提供する。 【構成】 金属支持基板１と、この金属支持基板１上に
接合搭載され、金属支持基板１との接合面と反する面上
に金属回路部３が設けられた複数のセラミックス基板２
とを具備する。セラミックス基板２上への金属回路部３
の形成は、例えばＤＢＣ法によって行う。また、金属支
持基板１とセラミックス基板２との接合は、活性金属ろ
う材を用いて行う。
なく、基板サイズの大型化への対応を図ったセラミック
ス−金属接合基板を提供する。 【構成】 金属支持基板１と、この金属支持基板１上に
接合搭載され、金属支持基板１との接合面と反する面上
に金属回路部３が設けられた複数のセラミックス基板２
とを具備する。セラミックス基板２上への金属回路部３
の形成は、例えばＤＢＣ法によって行う。また、金属支
持基板１とセラミックス基板２との接合は、活性金属ろ
う材を用いて行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス−金属接
合基板に関する。
合基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の搭載基板やヒートシン
ク、あるいはハイブリッドＩＣ用基板等として、高電気
絶縁性および高熱伝導性を有するセラミックス基板、特
に窒化アルミニウムや窒化ケイ素等の窒化物系セラミッ
クス基板が利用されている。セラミックス基板を上記し
たような電子部品用材料として用いる場合、回路形成や
素子搭載部の形成等を目的として、金属部材と接合する
ことが不可欠である。
ク、あるいはハイブリッドＩＣ用基板等として、高電気
絶縁性および高熱伝導性を有するセラミックス基板、特
に窒化アルミニウムや窒化ケイ素等の窒化物系セラミッ
クス基板が利用されている。セラミックス基板を上記し
たような電子部品用材料として用いる場合、回路形成や
素子搭載部の形成等を目的として、金属部材と接合する
ことが不可欠である。
【０００３】上述したような電子部品用材料を製造する
際のセラミックス基板と金属部材との接合方法として
は、銅板とセラミックス基板とを直接接合させる、いわ
ゆるＤＢＣ法（ダイレクト・ボンディング・カッパー
法）や、4A族元素や5A族元素のような活性金属を用いる
方法等が知られている。また、これらの方法で接合した
セラミックス−金属接合基板に回路を形成する方法とし
ては、予めプレス加工やエッチング加工によりパターニ
ングした金属部材を用いたり、接合後にエッチング等の
手法によりパターニングする等の方法が知られている。
際のセラミックス基板と金属部材との接合方法として
は、銅板とセラミックス基板とを直接接合させる、いわ
ゆるＤＢＣ法（ダイレクト・ボンディング・カッパー
法）や、4A族元素や5A族元素のような活性金属を用いる
方法等が知られている。また、これらの方法で接合した
セラミックス−金属接合基板に回路を形成する方法とし
ては、予めプレス加工やエッチング加工によりパターニ
ングした金属部材を用いたり、接合後にエッチング等の
手法によりパターニングする等の方法が知られている。
【０００４】例えば、ＤＢＣ法によりセラミックス−金
属接合基板を作製する場合、まず板状または所定形状に
打ち抜かれた銅板を、酸化アルミニウム焼結体や窒化ア
ルミニウム焼結体等からなるセラミックス基板上に接触
配置し、加熱することによって接合界面にCu- Cu2 O の
共晶液相を生成し、この液相によりセラミックス基板の
表面を濡らした後、液相を冷却固化することによってセ
ラミックス基板と銅部材とが接合される。また、活性金
属法は、Ti、Zr、Nb等の金属元素がセラミックス材料に
対して濡れやすく、反応しやすいことを利用した接合法
であり、具体的には活性金属を添加したろう材（例えば
Ag-Cu共晶ろう）を用いたろう付け法が一般的に多用さ
れている。
属接合基板を作製する場合、まず板状または所定形状に
打ち抜かれた銅板を、酸化アルミニウム焼結体や窒化ア
ルミニウム焼結体等からなるセラミックス基板上に接触
配置し、加熱することによって接合界面にCu- Cu2 O の
共晶液相を生成し、この液相によりセラミックス基板の
表面を濡らした後、液相を冷却固化することによってセ
ラミックス基板と銅部材とが接合される。また、活性金
属法は、Ti、Zr、Nb等の金属元素がセラミックス材料に
対して濡れやすく、反応しやすいことを利用した接合法
であり、具体的には活性金属を添加したろう材（例えば
Ag-Cu共晶ろう）を用いたろう付け法が一般的に多用さ
れている。
【０００５】ところで、最近の電子部品搭載用基板等に
おいては、実装面積の増大を図ることが求められてお
り、上述したようなセラミックス−金属接合基板に対し
ては、支持板となるセラミックス基板を大型化すること
が要求されている。しかしながら、セラミックス基板の
大型化に伴って、セラミックス基板と金属部材とを接合
する際、特にＤＢＣ法により接合する際、セラミックス
基板に反りが生じやすくなってしまう。セラミックス基
板の反りは、接合を良否を決める上で重要であり、接合
不良の重要な発生要因となっている。また、セラミック
ス基板が大型化することによって、その製造歩留りが低
下しやすい等という問題も招いてしまう。
おいては、実装面積の増大を図ることが求められてお
り、上述したようなセラミックス−金属接合基板に対し
ては、支持板となるセラミックス基板を大型化すること
が要求されている。しかしながら、セラミックス基板の
大型化に伴って、セラミックス基板と金属部材とを接合
する際、特にＤＢＣ法により接合する際、セラミックス
基板に反りが生じやすくなってしまう。セラミックス基
板の反りは、接合を良否を決める上で重要であり、接合
不良の重要な発生要因となっている。また、セラミック
ス基板が大型化することによって、その製造歩留りが低
下しやすい等という問題も招いてしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のセラミックス−金属接合基板においては、セラミック
ス基板に対する大型化の要求が強まるにつれて、加熱接
合時におけるセラミックス基板の反り、さらにはそれに
伴う接合不良、またセラミックス基板の製造工程自体に
おける歩留りの低下等という問題が生じている。
のセラミックス−金属接合基板においては、セラミック
ス基板に対する大型化の要求が強まるにつれて、加熱接
合時におけるセラミックス基板の反り、さらにはそれに
伴う接合不良、またセラミックス基板の製造工程自体に
おける歩留りの低下等という問題が生じている。
【０００７】このようなことから、例えば 1つのモジュ
ール用基板としての実装面積等の増大を図った上で、セ
ラミックス基板の反りに伴う接合不良等の発生を抑制す
ることを可能にし、信頼性および製造歩留りの向上を図
ったセラミックス−金属接合基板が望まれている。
ール用基板としての実装面積等の増大を図った上で、セ
ラミックス基板の反りに伴う接合不良等の発生を抑制す
ることを可能にし、信頼性および製造歩留りの向上を図
ったセラミックス−金属接合基板が望まれている。
【０００８】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、信頼性および製造歩留り等を低下さ
せることなく、基板サイズの大型化への対応を図ったセ
ラミックス−金属接合基板を提供することを目的として
いる。
になされたもので、信頼性および製造歩留り等を低下さ
せることなく、基板サイズの大型化への対応を図ったセ
ラミックス−金属接合基板を提供することを目的として
いる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックス−
金属接合基板は、金属支持基板と、この金属支持基板上
に接合搭載され、該金属支持基板との接合面と反対の面
上に金属回路部が設けられた複数のセラミックス基板と
を具備することを特徴としている。また、上記セラミッ
クス−金属接合基板において、前記金属支持基板は曲げ
加工により立体化されていることを特徴としている。
金属接合基板は、金属支持基板と、この金属支持基板上
に接合搭載され、該金属支持基板との接合面と反対の面
上に金属回路部が設けられた複数のセラミックス基板と
を具備することを特徴としている。また、上記セラミッ
クス−金属接合基板において、前記金属支持基板は曲げ
加工により立体化されていることを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明のセラミックス−金属接合基板において
は、支持板として金属支持基板を用いると共に、この金
属支持基板上に予め金属回路部を設けたセラミックス基
板を接合搭載しているため、セラミックス基板を絶縁性
が必要とされる部分のみに用いることができ、かつ金属
支持基板により基板サイズの大型化への対応を図ること
ができる。そして、セラミックス基板は、例えばＤＢＣ
法において反りが生じない程度の大きさとすることがで
きるため、基板サイズの大型化に伴うセラミックス基板
の反り等の問題、さらには反りによる接合不良等が解消
できる。
は、支持板として金属支持基板を用いると共に、この金
属支持基板上に予め金属回路部を設けたセラミックス基
板を接合搭載しているため、セラミックス基板を絶縁性
が必要とされる部分のみに用いることができ、かつ金属
支持基板により基板サイズの大型化への対応を図ること
ができる。そして、セラミックス基板は、例えばＤＢＣ
法において反りが生じない程度の大きさとすることがで
きるため、基板サイズの大型化に伴うセラミックス基板
の反り等の問題、さらには反りによる接合不良等が解消
できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施例のセラミックス
−金属接合基板の構成を示す斜視図である。同図におい
て、１は支持板となる金属支持基板である。この金属支
持基板１の材質としては、種々の金属材料を使用するこ
とが可能であるが、熱伝導性等を考慮して、銅または銅
合金を用いることが好ましい。
−金属接合基板の構成を示す斜視図である。同図におい
て、１は支持板となる金属支持基板である。この金属支
持基板１の材質としては、種々の金属材料を使用するこ
とが可能であるが、熱伝導性等を考慮して、銅または銅
合金を用いることが好ましい。
【００１３】上記金属支持基板１上には、複数のセラミ
ックス基板２がその一方の主面をそれぞれ介して接合搭
載されている。セラミックス基板２の材質は、特に限定
されるものではなく、酸化アルミニウム焼結体、ムライ
ト焼結体(3Al2 O 3 −2SiO2）等の酸化物系焼結体か
ら、窒化アルミニウム焼結体、窒化ケイ素焼結体、炭化
ケイ素焼結体等の非酸化物系焼結体まで、各種のセラミ
ックス材料を適用することができ、用途や要求特性に応
じて適宜選択して使用するものとする。ただし、熱伝導
性等の点から、窒化アルミニウム焼結体や窒化ケイ素焼
結体等の非酸化物系セラミックス基板を用いることが好
ましく、これにより大電力型半導体チップや高集積型半
導体チップ等への対応が図れる。
ックス基板２がその一方の主面をそれぞれ介して接合搭
載されている。セラミックス基板２の材質は、特に限定
されるものではなく、酸化アルミニウム焼結体、ムライ
ト焼結体(3Al2 O 3 −2SiO2）等の酸化物系焼結体か
ら、窒化アルミニウム焼結体、窒化ケイ素焼結体、炭化
ケイ素焼結体等の非酸化物系焼結体まで、各種のセラミ
ックス材料を適用することができ、用途や要求特性に応
じて適宜選択して使用するものとする。ただし、熱伝導
性等の点から、窒化アルミニウム焼結体や窒化ケイ素焼
結体等の非酸化物系セラミックス基板を用いることが好
ましく、これにより大電力型半導体チップや高集積型半
導体チップ等への対応が図れる。
【００１４】上記した各セラミックス基板２は、例えば
図２に示すように、金属支持基板１との接合面２ａと反
対側の他方の主面２ｂ上に、それぞれ金属回路部３が設
けられている。この金属回路部３は、例えばその構成材
料として銅板を用いて、ＤＢＣ法により接合したもので
あり、セラミックス基板２と金属回路部３とによって、
それぞれＤＢＣ基板４が構成されている。
図２に示すように、金属支持基板１との接合面２ａと反
対側の他方の主面２ｂ上に、それぞれ金属回路部３が設
けられている。この金属回路部３は、例えばその構成材
料として銅板を用いて、ＤＢＣ法により接合したもので
あり、セラミックス基板２と金属回路部３とによって、
それぞれＤＢＣ基板４が構成されている。
【００１５】このようなＤＢＣ基板４は、セラミックス
基板２上に例えば所望形状に加工した銅板を接触配置し
た後、銅の融点（1083℃）以下で銅と酸化銅(Cu-Cu2 O)
の共晶温度（1065℃）以上の温度範囲で加熱することに
より得られる。加熱の際の雰囲気としては、銅板として
酸素を含有する銅を使用する場合には不活性ガス雰囲気
が好ましく、酸素を含有しない銅板を使用する場合には
80ppm〜3900ppm 程度の酸素含有雰囲気が好ましい。ま
た、回路の形成は接合後にエッチングによって行っても
よい。
基板２上に例えば所望形状に加工した銅板を接触配置し
た後、銅の融点（1083℃）以下で銅と酸化銅(Cu-Cu2 O)
の共晶温度（1065℃）以上の温度範囲で加熱することに
より得られる。加熱の際の雰囲気としては、銅板として
酸素を含有する銅を使用する場合には不活性ガス雰囲気
が好ましく、酸素を含有しない銅板を使用する場合には
80ppm〜3900ppm 程度の酸素含有雰囲気が好ましい。ま
た、回路の形成は接合後にエッチングによって行っても
よい。
【００１６】なお、セラミックス基板２と金属回路部３
との接合は、活性金属を含むろう材を用いて行ってもよ
いが、金属支持基板１とセラミックス基板２との接合を
考慮して、予めＤＢＣ法により金属回路部３を形成して
おくことが好ましい。
との接合は、活性金属を含むろう材を用いて行ってもよ
いが、金属支持基板１とセラミックス基板２との接合を
考慮して、予めＤＢＣ法により金属回路部３を形成して
おくことが好ましい。
【００１７】この実施例のセラミックス−金属接合基板
５は、上記金属支持基板１と、この金属支持基板１上に
接合搭載された複数のＤＢＣ基板４とから構成されてお
り、これらにより 1つのモジュールが形成される。金属
支持基板１とＤＢＣ基板４（セラミックス基板２）との
接合方法としては、活性金属法を用いることが好まし
い。活性金属法としては、Ti、Zr、Hf、Nb等の活性金属
元素を添加したろう材、例えば Ag-Cu共晶ろう材やCu系
ろう材）を用いた通常のろう付け法を適用することがで
きる。例えば図３に示すように、予めＤＢＣ法によって
金属回路部３を形成したセラミックス基板２すなわちＤ
ＢＣ基板４を、金属支持基板１の所定の位置に、上記活
性金属ろう材６を介して配置し、ろう材に応じた温度で
加熱処理することにより、セラミックス−金属接合基板
５が得られる。
５は、上記金属支持基板１と、この金属支持基板１上に
接合搭載された複数のＤＢＣ基板４とから構成されてお
り、これらにより 1つのモジュールが形成される。金属
支持基板１とＤＢＣ基板４（セラミックス基板２）との
接合方法としては、活性金属法を用いることが好まし
い。活性金属法としては、Ti、Zr、Hf、Nb等の活性金属
元素を添加したろう材、例えば Ag-Cu共晶ろう材やCu系
ろう材）を用いた通常のろう付け法を適用することがで
きる。例えば図３に示すように、予めＤＢＣ法によって
金属回路部３を形成したセラミックス基板２すなわちＤ
ＢＣ基板４を、金属支持基板１の所定の位置に、上記活
性金属ろう材６を介して配置し、ろう材に応じた温度で
加熱処理することにより、セラミックス−金属接合基板
５が得られる。
【００１８】上述したように、この実施例のセラミック
ス−金属接合基板５においては、支持板として金属基板
１を用いると共に、この金属支持基板１上に予めＤＢＣ
法等によって金属回路部３を設けたセラミックス基板２
を接合搭載しているため、セラミックス基板２を絶縁性
が必要とされる部分のみに用いることができ、よってＤ
ＢＣ法等において反りが生じない程度の大きさのセラミ
ックス基板２を使用することが可能となる。これによっ
て、基板サイズの大型化に伴うセラミックス基板の反り
等の問題、さらには反りによる接合不良等が解消でき
る。また、モジュールとしての大きさは、金属支持基板
１により確保することができるため、基板サイズの大型
化に対応でき、またセラミックス基板２の搭載数によ
り、実装面積は種々選択することができる。このよう
に、上記実施例のセラミックス−金属接合基板５によれ
ば、信頼性および製造歩留り等を低下させることなく、
基板サイズの大型化への対応を図ることが可能となる。
ス−金属接合基板５においては、支持板として金属基板
１を用いると共に、この金属支持基板１上に予めＤＢＣ
法等によって金属回路部３を設けたセラミックス基板２
を接合搭載しているため、セラミックス基板２を絶縁性
が必要とされる部分のみに用いることができ、よってＤ
ＢＣ法等において反りが生じない程度の大きさのセラミ
ックス基板２を使用することが可能となる。これによっ
て、基板サイズの大型化に伴うセラミックス基板の反り
等の問題、さらには反りによる接合不良等が解消でき
る。また、モジュールとしての大きさは、金属支持基板
１により確保することができるため、基板サイズの大型
化に対応でき、またセラミックス基板２の搭載数によ
り、実装面積は種々選択することができる。このよう
に、上記実施例のセラミックス−金属接合基板５によれ
ば、信頼性および製造歩留り等を低下させることなく、
基板サイズの大型化への対応を図ることが可能となる。
【００１９】また、上記実施例のセラミックス−金属接
合基板５は、支持板として金属基板１を用いているた
め、例えば図４に示すように、金属支持基板１に曲げ加
工を施すことができる。これにより、金属支持基板１を
立体化することができるため、セラミックス−金属接合
基板５を電子装置等に実装する際の面積の低減が図れ
る。このことは、電子装置の小型化等に大きく寄与す
る。
合基板５は、支持板として金属基板１を用いているた
め、例えば図４に示すように、金属支持基板１に曲げ加
工を施すことができる。これにより、金属支持基板１を
立体化することができるため、セラミックス−金属接合
基板５を電子装置等に実装する際の面積の低減が図れ
る。このことは、電子装置の小型化等に大きく寄与す
る。
【００２０】さらに、図５および図６に示すように、金
属支持基板１の一部をエッチングにより除去し、セラミ
ックス基板２上の金属回路部３と金属支持基板１の裏面
１ａとの電気的な接続孔７を設けることによって、金属
支持基板１の裏面１ａをも実装部として使用することが
可能となる。これにより、より一層電子部品の小型化を
図ることが可能となる。このようなセラミックス−金属
接合基板は、金属支持基板１に曲げ加工を施す以前にエ
ッチング処理を施し、その後に所望形状に加工すること
により得られる。なお、図５および図６においては、金
属支持基板１の表裏面間の電気的な接続孔の形成のみに
エッチングを行う例を示したが、セラミックス基板２の
裏面側に回路を形成することも可能である。
属支持基板１の一部をエッチングにより除去し、セラミ
ックス基板２上の金属回路部３と金属支持基板１の裏面
１ａとの電気的な接続孔７を設けることによって、金属
支持基板１の裏面１ａをも実装部として使用することが
可能となる。これにより、より一層電子部品の小型化を
図ることが可能となる。このようなセラミックス−金属
接合基板は、金属支持基板１に曲げ加工を施す以前にエ
ッチング処理を施し、その後に所望形状に加工すること
により得られる。なお、図５および図６においては、金
属支持基板１の表裏面間の電気的な接続孔の形成のみに
エッチングを行う例を示したが、セラミックス基板２の
裏面側に回路を形成することも可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のセラミッ
クス−金属接合基板によれば、金属支持基板を用いて、
その上に絶縁を必要とする部分のみにセラミックス基板
を接合搭載しているため、セラミックス基板の反りやそ
れに伴う接合不良等による歩留りの低下や信頼性の低下
等を招くことなく、基板サイズの大型化への対応を図る
ことが可能となる。
クス−金属接合基板によれば、金属支持基板を用いて、
その上に絶縁を必要とする部分のみにセラミックス基板
を接合搭載しているため、セラミックス基板の反りやそ
れに伴う接合不良等による歩留りの低下や信頼性の低下
等を招くことなく、基板サイズの大型化への対応を図る
ことが可能となる。
【図１】本発明の一実施例によるセラミックス−金属接
合基板の構造を示す斜視図である。
合基板の構造を示す斜視図である。
【図２】図１に示すセラミックス−金属接合基板におけ
る金属回路部を有するセラミックス基板を示す斜視図で
ある。
る金属回路部を有するセラミックス基板を示す斜視図で
ある。
【図３】図１に示すセラミックス−金属接合基板におけ
る各接合状態を説明するための断面図である。
る各接合状態を説明するための断面図である。
【図４】本発明の他の実施例によるセラミックス−金属
接合基板の構造を示す斜視図である。
接合基板の構造を示す斜視図である。
【図５】本発明のさらに他の実施例によるセラミックス
−金属接合基板の構造を示す斜視図である。
−金属接合基板の構造を示す斜視図である。
【図６】図５に示すセラミックス−金属接合基板の要部
断面図である。
断面図である。
１……金属支持基板 ２……セラミックス基板 ３……金属回路部 ４……ＤＢＣ基板 ５……セラミックス−金属接合基板 ６……活性金属ろう材層
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 9355−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 金属支持基板と、この金属支持基板上に
接合搭載され、該金属支持基板との接合面と反対の面上
に金属回路部が設けられた複数のセラミックス基板とを
具備することを特徴とするセラミックス−金属接合基
板。 - 【請求項２】 請求項１記載のセラミックス−金属接合
基板において、 前記金属支持基板は、曲げ加工により立体化されている
ことを特徴とするセラミックス−金属接合基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17692092A JPH0621263A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | セラミックス−金属接合基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17692092A JPH0621263A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | セラミックス−金属接合基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621263A true JPH0621263A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16022079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17692092A Pending JPH0621263A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | セラミックス−金属接合基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998008256A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit board and semiconductor module |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17692092A patent/JPH0621263A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998008256A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit board and semiconductor module |
| US6232657B1 (en) | 1996-08-20 | 2001-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit board and semiconductor module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000808 |