JPH0621253A - 高周波用電子部品の信号線路 - Google Patents
高周波用電子部品の信号線路Info
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- JPH0621253A JPH0621253A JP4196273A JP19627392A JPH0621253A JP H0621253 A JPH0621253 A JP H0621253A JP 4196273 A JP4196273 A JP 4196273A JP 19627392 A JP19627392 A JP 19627392A JP H0621253 A JPH0621253 A JP H0621253A
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Abstract
ランドプレーンで擬似同軸線路構造化したヴィアであっ
て、基板に上下に貫通して備えたヴィアの上下端にそれ
ぞれ接続した基板上下面の信号線路の各内端とその各内
端に連なる基板上下面のマイクロストリップ線路構造化
した信号線路との間をそれぞれ接続する中間信号線路部
分をそれぞれ短縮した、高速信号を伝送損失少なく伝え
る高周波用信号線路を得る。 【構成】 グランドプレーン30を、そのヴィア20に
対向する内周縁32を基板12上部からその下部に行く
に従い基板の信号線路22の逆側から基板下面の信号線
路24の逆側へと漸次階段状に偏心させて、基板の複数
の誘電体層10間にそれぞれ配設する。
Description
号線路、特に10GHz以上等の超高速信号を伝送損失
少なく効率良く伝えることのできる高周波用電子部品の
信号線路(以下、高周波用信号線路という)に関する。
6に示したような信号線路がある。
電体層10を複数(図では、4層としている)積層して
形成した基板12に、メタライズ等の導体ポールからな
るヴィア(以下、ヴィアという)20を基板12に上下
に貫通して備えて、そのヴィア20を高速信号を伝える
高周波用信号線路に形成している。
0間にヴィア20を囲むメタライズ等からなるグランド
プレーン30を、図6に破線で示したように、ヴィア2
0と円形状に所定間隔あけてそれぞれ広く層状に備えて
いる。そして、それらの複数の誘電体層10間にそれぞ
れ備えたグランドプレーン30で、ヴィア20からなる
高周波用信号線路を擬似同軸線路構造化していて、その
ヴィア20からなる高周波用信号線路の特性インピーダ
ンスを一定値の50Ω等にマッチングさせている。
ズ等からなる細帯状の信号線路22、24をそれぞれ互
いに逆方向(図では、左方向と右方向としている)に備
えている。そして、それらの信号線路22、24を基板
12上部とその下部との誘電体層10間にそれぞれ広く
備えたグランドプレーン30でそれぞれマイクロストリ
ップ線路構造化していて、その信号線路22、24の特
性インピーダンスを一定値の50Ω等にマッチングさせ
ている。
内端は、基板12上面とその下面とに露出したヴィア2
0上端とその下端とにそれぞれ接続している。
0とそれに接続したストリップ線路構造化した信号線路
22、24とからなる高周波用信号線路を高速信号を伝
送損失少なく効率良く伝えることができるようにしてい
る。
周波用信号線路においては、ヴィア20上端とその下端
とにそれぞれ接続した信号線路22、24の各内端とそ
の各内端に連なるマイクロストリップ線路構造化した信
号線路22、24との間をそれぞれ接続する中間信号線
路部分(以下、中間信号線路部分という)22a、24
aの下方又はその上方の基板12の誘電体層10間にグ
ランドプレーンを備えておらず、それらの中間信号線路
部分22a、24aをマイクロストリップ線路構造化し
て、それらの中間信号線路部分22a、24aの特性イ
ンピーダンスを一定値の50Ω等にマッチングさせてい
なかった。
板12上下面の信号線路22、24とからなる高周波用
信号線路に高速信号を伝えた場合に、上記中間信号線路
部分22a、24aを伝わる高速信号の伝送損失が大き
くて、その高周波用信号線路を高速信号を伝送損失少な
く効率良く伝えることができなかった。このことは特
に、上記高周波用信号線路を10GHz以上等の超高速
信号を伝えた場合に顕著であった。
たもので、上記中間信号線路部分を縮めて、高速信号を
伝送損失少なく効率良く伝えることのできるようにし
た、高周波用信号線路を提供しようとするものである。
に、本発明の第1の高周波用信号線路は、誘電体層を複
数積層して形成した基板にヴィアを基板に上下に貫通し
て備えると共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを
囲むグランドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞ
れ備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、
前記基板上面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備
えた信号線路を基板上部とその下部との前記グランドプ
レーンでそれぞれマイクロストリップ線路構造化すると
共に、それらの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴ
ィア上端とその下端とにそれぞれ接続してなる高周波用
電子部品の信号線路において、前記グランドプレーン
を、そのヴィアに対向する内周縁を基板上部からその下
部に行くに従い前記基板上面の信号線路の逆側から基板
下面の信号線路の逆側へと漸次階段状に偏心させて、前
記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特徴とし
ている。
体層を複数積層して形成した基板にヴィアを基板上面側
からその下面側に貫通して備えると共に、前記複数の誘
電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴィア
と所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬似同
軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面とにそ
れぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部とその
下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロスト
リップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面の信
号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそれぞ
れ接続してなる高周波用電子部品の信号線路において、
前記基板に前記ヴィアを基板上面の信号線路側から基板
下面の信号線路側にかけて斜め上下に貫通して備えると
共に、前記ヴィア周囲のグランドプレーンをそのヴィア
に対向する内周縁がそれぞれ互いに上下に重なり合うよ
うに前記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特
徴としている。
は、グランドプレーンを、そのヴィアに対向する内周縁
を基板上部からその下部に行くに従い基板上面の信号線
路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へと漸次階段状
に偏心させて、複数の誘電体層間にそれぞれ配設してい
る。そして、ヴィアに対向する基板上部とその下部との
グランドプレーンの内周縁のうちの、基板上下面の信号
線路側に位置する内周縁部分を、ヴィア上部とその下部
とにそれぞれ接近させている。
は、基板にヴィアを基板上面の信号線路側から基板下面
の信号線路側にかけて斜め上下に貫通して備えると共
に、ヴィア周囲のグランドプレーンをそのヴィアに対向
する内周縁がそれぞれ互いに上下に重なり合うように複
数の誘電体層間にそれぞれ配設している。そして、ヴィ
アに対向する基板上部とその下部とのグランドプレーン
の内周縁のうちの、基板上下面の信号線路側に位置する
内周縁部分を、ヴィア上部とその下部とにそれぞれ接近
させている。
線路においては、ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接
続した信号線路の各内端とその各内端に連なる信号線路
であって、基板上部とその下部とのグランドプレーンで
マイクロストリップ線路構造化した信号線路との間をそ
れぞれ接続した中間信号線路部分をそれぞれ短縮でき
る。そして、それらの中間信号線路部分を伝わる高速信
号の伝送損失を少なく抑えることができる。
号線路においては、基板の複数の誘電体層間にそれぞれ
備えたグランドプレーンのヴィアを囲む内周縁の径をそ
れぞれ大小に調整したりその内周縁の形状をそれぞれ変
化させたりして、それらの複数のグランドプレーンで擬
似同軸線路構造化したヴィアの特性インピーダンスを一
定値の50Ω等にマッチングさせることができる。
る。図1と図2は本発明の高周波用信号線路の好適な実
施例を示し、図1はその正面断面図、図2はその平面図
である。以下に、この高周波用信号線路を説明する。
(図では、4層としている)一体に積層して形成した基
板である。誘電体層10は、Al2 O3 を主成分とする
誘電率εが約9.5のセラミック等で形成している。
からなるヴィア(以下、ヴィアという)20を、基板1
2に上下に貫通して備えている。
には、ヴィア20を囲むメタライズ等からなるグランド
プレーン30を、図2に破線で示したように、ヴィア2
0と円形状又は楕円形状等に所定間隔あけてそれぞれ備
えている。そして、それらの複数のグランドプレーン3
0で、ヴィア20からなる信号線路を擬似同軸線路構造
化していて、その特性インピーダンスを一定値の50Ω
等にマッチングさせている。
ズ等からなる細帯状の信号線路22、24をそれぞれ互
いに逆方向(図では、左方向と右方向としている)に備
えている。そして、それらの信号線路22、24を、基
板12の上部とその下部との誘電体層10間にそれぞれ
広く備えたグランドプレーン30で、それぞれマイクロ
ストリップ線路構造化している。
22、24の各内端は、ヴィア20上端とその下端とに
それぞれ接続している。詳しくは、ヴィア20上端とそ
の下端とを基板12上下面の信号線路22、24の各内
端でそれぞれ覆っている。
同様であるが、図の高周波用信号線路では、グランドプ
レーン30を、そのヴィア20に対向する内周縁32
を、基板12上部からその下部に行くに従い、基板12
上面の信号線路22の逆側から基板12下面の信号線路
24の逆側へと漸次階段状に偏心させて、基板12の複
数の誘電体層10間にそれぞれ配設している。言い換え
れば、ヴィア20に対向するグランドプレーンの内周縁
32が基板12中に筒状体を斜め上下に断続的に形成す
るように、グランドプレーン30を基板12の複数の誘
電体層10間にそれぞれ配設している。
備えたグランドプレーン30のヴィア20に対向する内
周縁32のうちの、基板12上面の信号線路22側に位
置する内周縁32部分をヴィア20上部に接近させてい
ると共に、基板12下部の誘電体層10間に備えたグラ
ンドプレーン30のヴィア20に対向する内周縁32の
うちの、基板12下面の信号線路24側に位置する内周
縁32部分をヴィア20下部に接近させている。そし
て、ヴィア20上端に接続した信号線路22内端とその
内端に連なる基板12上部のグランドプレーン30でマ
イクロストリップ線路構造化した信号線路22との間を
接続する中間信号線路部分22aを短縮していると共
に、ヴィア20下端に接続した信号線路24内端とその
内端に連なる基板12下部のグランドプレーン30でマ
イクロストリップ線路構造化した信号線路24との間を
接続する中間信号線路部分24aを短縮している。
10間のグランドプレーン30のヴィア20に対向する
内周縁32の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁
32の形状をそれぞれ変化させたりして、その特性イン
ピーダンスを一定値の50Ω等にマッチングさせてい
る。
以上のように構成していて、この高周波用信号線路で
は、基板12上下面のマイクロストリップ線路構造化し
ていない中間信号線路部分22a、24aをそれぞれ短
縮して、それらの中間信号線路部分22a、24aを伝
わる高速信号の伝送損失をそれぞれ少なく抑えることが
できる。
線路の好適な実施例を示し、図3はその正面断面図、図
4はその平面図である。以下に、この高周波用信号線路
を説明する。
板12上面側からその下面側にかけて貫通して備えたメ
タライズ等の導体ポールからなるヴィア(以下、ヴィア
という)200を、図3に示したように、基板12上面
の信号線路22側から基板12下面の信号線路24側に
かけて基板12を斜め上下に貫通して備えている。
プレーン30を、そのヴィア200に対向する内周縁3
2がそれぞれ互いに上下に重なり合うように、基板12
の複数の誘電体層10間にそれぞれ配設している。言い
換えれば、ヴィア200に対向するグランドプレーンの
内周縁32が基板12中に筒状体を上下に断続的に形成
するように、グランドプレーン30を基板12の複数の
誘電体層10間にそれぞれ配設している。
備えたグランドプレーン30のヴィア200に対向する
内周縁32のうちの、基板12上面の信号線路22側に
位置する内周縁32部分をヴィア200上部に接近させ
ていると共に、基板12下部の誘電体層10間に備えた
グランドプレーン30のヴィア200に対向する内周縁
32のうちの、基板12下面の信号線路24側に位置す
る内周縁32部分をヴィア200下部に接近させてい
る。そして、ヴィア200上端に接続した基板12上面
の信号線路22内端とその内端に連なる基板12上部の
グランドプレーン30でマイクロストリップ線路構造化
した信号線路22との間を接続する中間信号線路部分2
2aを短縮していると共に、ヴィア200下端に接続し
た基板12下面の信号線路24内端とその内端に連なる
基板12下部のグランドプレーン30でマイクロストリ
ップ線路構造化した信号線路24との間を接続する中間
信号線路部分24aを短縮している。
層10間のグランドプレーン30のヴィア200に対向
する内周縁32の径をそれぞれ大小に調整したりその内
周縁32の形状をそれぞれ変化させたりして、その特性
インピーダンスを一定値の50Ω等にマッチングさせて
いる。
ーン30を、多大な手数と時間をかけて、基板12上部
からその下部に行くに従い基板12上面の信号線路22
の逆側から基板12下面の信号線路24の逆側へとそれ
ぞれ漸次階段状に偏心させて、基板12の複数の誘電体
層10間にそれぞれ配設することを不要とすることがで
きる。
高周波用信号線路と同様に構成していて、その作用も前
述図1と図2に示した第1の高周波用信号線路と同様で
あり、その同一部材には同一符号を付し、その説明を省
略する。
2の高周波用信号線路によれば、ヴィアの上下端にそれ
ぞれ接続した信号線路の各内端とその各内端に連なるマ
イクロストリップ線路構造化した基板上下面の信号線路
との間をそれぞれ接続する中間信号線路部分であって、
マイクロストリップ線路構造化していない中間信号線路
部分をそれぞれ短縮して、それらの中間信号線路部分を
伝わる高速信号の伝送損失をそれぞれ少なく抑えること
ができる。
れぞれ備えたグランドプレーンのヴィアに対向する内周
縁の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁の形状を
それぞれ変化させたりして、それらのグランドプレーン
で擬似同軸線路構造化したヴィアの特性インピーダンス
を一定値の50Ω等に的確にマッチングさせることがで
きる。
アとそのヴィアの上下端に短い中間信号線路部分を介し
てそれぞれ接続したマイクロストリップ線路構造化した
基板上下面の信号線路とからなる高周波用信号線路を、
10GHz以上等の超高速信号を含む高速信号を伝送損
失少なく効率良く伝えることが可能となる。
あっては、グランドプレーンを、多大な手数と時間をか
けて、基板上部からその下部に行くに従い基板上面の信
号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へとそれぞ
れ漸次階段状に偏心させて、基板の複数の誘電体層間に
それぞれ配設することを不要として、基板の形成作業の
容易化が図れる。
である。
る。
である。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 誘電体層を複数積層して形成した基板に
ヴィアを基板に上下に貫通して備えると共に、前記複数
の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴ
ィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬
似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面と
にそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部と
その下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロ
ストリップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面
の信号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそ
れぞれ接続してなる高周波用電子部品の信号線路におい
て、前記グランドプレーンを、そのヴィアに対向する内
周縁を基板上部からその下部に行くに従い前記基板上面
の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へと漸
次階段状に偏心させて、前記複数の誘電体層間にそれぞ
れ配設したことを特徴とする高周波用電子部品の信号線
路。 - 【請求項2】 誘電体層を複数積層して形成した基板に
ヴィアを基板上面側からその下面側に貫通して備えると
共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグラン
ドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、
前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上
面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線
路を基板上部とその下部との前記グランドプレーンでそ
れぞれマイクロストリップ線路構造化すると共に、それ
らの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴィア上端と
その下端とにそれぞれ接続してなる高周波用電子部品の
信号線路において、前記基板に前記ヴィアを基板上面の
信号線路側から基板下面の信号線路側にかけて斜め上下
に貫通して備えると共に、前記ヴィア周囲のグランドプ
レーンをそのヴィアに対向する内周縁がそれぞれ互いに
上下に重なり合うように前記複数の誘電体層間にそれぞ
れ配設したことを特徴とする高周波用電子部品の信号線
路。
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