JPH06208710A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH06208710A JPH06208710A JP293993A JP293993A JPH06208710A JP H06208710 A JPH06208710 A JP H06208710A JP 293993 A JP293993 A JP 293993A JP 293993 A JP293993 A JP 293993A JP H06208710 A JPH06208710 A JP H06208710A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 より小さいギャップデプスを有する薄膜磁気
ヘッドの信頼性を向上する。 【構成】 アペックスを決定する絶縁層の、媒体対向面
１６のアペックスラインと連なるトラックと直行する幅
を、トラック幅と同一寸法あるいはトラック幅よりやや
広い寸法とし、その他の絶縁層の外周部は媒体対向面１
６に対してより離れるところに位置させる。 【効果】 ギャップデプス寸法が１μｍ以下というよう
な微小な寸法になっても、媒体対向面に位置する無機絶
縁物からなる絶縁層と保護層の接合面積を大きくとるこ
とができるため、信頼性を向上させ、耐環境性を悪化さ
せることがない構造とすることができる。
ヘッドの信頼性を向上する。 【構成】 アペックスを決定する絶縁層の、媒体対向面
１６のアペックスラインと連なるトラックと直行する幅
を、トラック幅と同一寸法あるいはトラック幅よりやや
広い寸法とし、その他の絶縁層の外周部は媒体対向面１
６に対してより離れるところに位置させる。 【効果】 ギャップデプス寸法が１μｍ以下というよう
な微小な寸法になっても、媒体対向面に位置する無機絶
縁物からなる絶縁層と保護層の接合面積を大きくとるこ
とができるため、信頼性を向上させ、耐環境性を悪化さ
せることがない構造とすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの補助記
憶装置として用いる磁気ディスク装置の記録再生に用い
る対環境信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドおよびその製造
方法に関する。
憶装置として用いる磁気ディスク装置の記録再生に用い
る対環境信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドおよびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク記憶装置の高性能化に伴
い、それに用いる薄膜磁気ヘッドにも種々の高性能化が
要求されている。その一つとして、磁気ディスク装置の
線記録密度向上のため、高抗磁力媒体へ記録・再生する
薄膜磁気ヘッドの記録能力向上が大きな課題となってい
る。記録能力を向上するためには、簡易な手段として磁
気ヘッドのギャップデプスを小さくする方法がある。し
かし、ギャップデプスを小さくし過ぎると、磁気ヘッド
の信頼性が急低下するという問題がある。
い、それに用いる薄膜磁気ヘッドにも種々の高性能化が
要求されている。その一つとして、磁気ディスク装置の
線記録密度向上のため、高抗磁力媒体へ記録・再生する
薄膜磁気ヘッドの記録能力向上が大きな課題となってい
る。記録能力を向上するためには、簡易な手段として磁
気ヘッドのギャップデプスを小さくする方法がある。し
かし、ギャップデプスを小さくし過ぎると、磁気ヘッド
の信頼性が急低下するという問題がある。
【０００３】以下に従来の薄膜磁気ヘッドの構成（例え
ば特開平４−３２０１２号公報に開示されている）を、
図面を参照しながら説明する。図３に薄膜磁気ヘッドの
媒体対向面側よりみた全体構成を、図４に磁気記録素子
の構成を示す。薄膜磁気ヘッドはセラミック基板上に薄
膜形成技術を用いて素子を形成し、図３に示すような磁
気ディスク装置用のスライダ１の側部に素子を装着した
状態で使用する。薄膜磁気ヘッドを装置に搭載する時
は、浮上レール２に対して裏面側に浮上レールに平行に
ジンバルを接着して磁気ヘッドアセンブリとして用い
る。薄膜磁気ヘッド素子はスライダ１の手前側面に形成
されており、上部絶縁層３と、上部磁性層４と、端子５
が見られる。図３においてＡで示す薄膜磁気ヘッド素子
を拡大すると図４のようになる。図４において、６は上
下磁性層が接合するバックギャップ部である。図４のＢ
−Ｂ’断面の構成を図５に示す。まずアルミナなどをス
パッタ法でとばして製膜した絶縁層８で被覆されたセラ
ミック基板７上に、電気めっき法あるいはスパッタ法に
より下部磁性層９を形成し、その上にスパッタ法により
磁気ギャップ層１０を形成し、さらにその上にノボラッ
ク系樹脂あるいはポリイミド系樹脂などからなる下部絶
縁層１１、電気めっき法などにより形成した下部コイル
層１２を順次積層する。さらにその上に下部コイル層と
下部絶縁層と同様に中部絶縁層１３、上部コイル層１
４、上部絶縁層３、上部磁性層４を順次積層し最終的に
アルミナなどからなる保護層１５を形成して保護した構
成となっている。
ば特開平４−３２０１２号公報に開示されている）を、
図面を参照しながら説明する。図３に薄膜磁気ヘッドの
媒体対向面側よりみた全体構成を、図４に磁気記録素子
の構成を示す。薄膜磁気ヘッドはセラミック基板上に薄
膜形成技術を用いて素子を形成し、図３に示すような磁
気ディスク装置用のスライダ１の側部に素子を装着した
状態で使用する。薄膜磁気ヘッドを装置に搭載する時
は、浮上レール２に対して裏面側に浮上レールに平行に
ジンバルを接着して磁気ヘッドアセンブリとして用い
る。薄膜磁気ヘッド素子はスライダ１の手前側面に形成
されており、上部絶縁層３と、上部磁性層４と、端子５
が見られる。図３においてＡで示す薄膜磁気ヘッド素子
を拡大すると図４のようになる。図４において、６は上
下磁性層が接合するバックギャップ部である。図４のＢ
−Ｂ’断面の構成を図５に示す。まずアルミナなどをス
パッタ法でとばして製膜した絶縁層８で被覆されたセラ
ミック基板７上に、電気めっき法あるいはスパッタ法に
より下部磁性層９を形成し、その上にスパッタ法により
磁気ギャップ層１０を形成し、さらにその上にノボラッ
ク系樹脂あるいはポリイミド系樹脂などからなる下部絶
縁層１１、電気めっき法などにより形成した下部コイル
層１２を順次積層する。さらにその上に下部コイル層と
下部絶縁層と同様に中部絶縁層１３、上部コイル層１
４、上部絶縁層３、上部磁性層４を順次積層し最終的に
アルミナなどからなる保護層１５を形成して保護した構
成となっている。
【０００４】図６に従来の薄膜磁気ヘッドの記録先端部
の構成を示す。薄膜磁気ヘッドの媒体対向面１６から下
部磁性層９と上部磁性層４がギャップ層１０を介して平
行に対向する位置の終点１７までの距離Ｌはギャップデ
プス（Ｇ．Ｄ．）と呼ばれ、薄膜磁気ヘッドの記録再生
性能に大きな影響を及ぼし、特に記録能力に関しては最
も重要な寸法となる。
の構成を示す。薄膜磁気ヘッドの媒体対向面１６から下
部磁性層９と上部磁性層４がギャップ層１０を介して平
行に対向する位置の終点１７までの距離Ｌはギャップデ
プス（Ｇ．Ｄ．）と呼ばれ、薄膜磁気ヘッドの記録再生
性能に大きな影響を及ぼし、特に記録能力に関しては最
も重要な寸法となる。
【０００５】薄膜磁気ヘッドは、媒体対向面１６上に現
れた下部磁性層９、ギャップ層１０および上部磁性層４
からなる磁界発生領域Ｘが有限（通常４〜１０μｍ程
度）で、かつ磁気回路を構成する磁性層が薄いので磁気
飽和し易い。そのため、フェライトで磁気回路を構成し
たバルク型の磁気ヘッドに比べて記録性能に及ぼすギャ
ップデプス寸法Ｌの影響が大きくなる。そのため、通常
の薄膜磁気ヘッドのギャップデプス寸法Ｌは０.5〜２μ
ｍ程度に設定され、この寸法が小さい程記録性能は高く
なる。
れた下部磁性層９、ギャップ層１０および上部磁性層４
からなる磁界発生領域Ｘが有限（通常４〜１０μｍ程
度）で、かつ磁気回路を構成する磁性層が薄いので磁気
飽和し易い。そのため、フェライトで磁気回路を構成し
たバルク型の磁気ヘッドに比べて記録性能に及ぼすギャ
ップデプス寸法Ｌの影響が大きくなる。そのため、通常
の薄膜磁気ヘッドのギャップデプス寸法Ｌは０.5〜２μ
ｍ程度に設定され、この寸法が小さい程記録性能は高く
なる。
【０００６】ここで、薄膜磁気ヘッドの総合性能を充分
満足できるものとするには、記録能力を向上すると同時
に信頼性も満足しなければならない。ここでいう信頼性
とは、ハードディスクドライブに使用するときの最悪環
境を想定して、高温高湿試験、温湿度サイクル試験、高
温試験、低温試験、熱衝撃試験などの加速試験を行い、
薄膜磁気ヘッドの電気特性および外観に変化がないかと
いう耐環境性のことをいう。この信頼性は製品としての
最終性能を評価する場合最も重要な性能であるが、電気
特性のように測定規格を決めれば測定結果により一義的
に良、不良の判断がつく性質のものではなく、多分に確
率的な性質をもった性能であるため、多数のサンプルを
用いて繰り返し評価しなければならない。
満足できるものとするには、記録能力を向上すると同時
に信頼性も満足しなければならない。ここでいう信頼性
とは、ハードディスクドライブに使用するときの最悪環
境を想定して、高温高湿試験、温湿度サイクル試験、高
温試験、低温試験、熱衝撃試験などの加速試験を行い、
薄膜磁気ヘッドの電気特性および外観に変化がないかと
いう耐環境性のことをいう。この信頼性は製品としての
最終性能を評価する場合最も重要な性能であるが、電気
特性のように測定規格を決めれば測定結果により一義的
に良、不良の判断がつく性質のものではなく、多分に確
率的な性質をもった性能であるため、多数のサンプルを
用いて繰り返し評価しなければならない。
【０００７】記録性能を向上するためにギャップデプス
Ｌを小さくした薄膜磁気ヘッドの信頼性試験を行うと、
ギャップデプスＬと外観品質の間にある関係があるとい
うことが解った。即ち、ギャップデプス寸法が１μｍ以
下になると、アルミナで形成した保護層および絶縁層の
接合面積が減少し、急激にクラックが発生し始める現象
が生じた。図８に薄膜磁気ヘッド素子部を媒体対向面か
ら見た構成を示す。上記のクラック発生現象はギャップ
層１０を境にして、アルミナで形成した絶縁層８と保護
層１５の間に隙間ができるもので、極端な場合には下部
磁性層９と上部磁性層４がギャップ層から離れてしまう
状態となる。このような状態になると薄膜磁気ヘッドは
記録再生が不能となる。
Ｌを小さくした薄膜磁気ヘッドの信頼性試験を行うと、
ギャップデプスＬと外観品質の間にある関係があるとい
うことが解った。即ち、ギャップデプス寸法が１μｍ以
下になると、アルミナで形成した保護層および絶縁層の
接合面積が減少し、急激にクラックが発生し始める現象
が生じた。図８に薄膜磁気ヘッド素子部を媒体対向面か
ら見た構成を示す。上記のクラック発生現象はギャップ
層１０を境にして、アルミナで形成した絶縁層８と保護
層１５の間に隙間ができるもので、極端な場合には下部
磁性層９と上部磁性層４がギャップ層から離れてしまう
状態となる。このような状態になると薄膜磁気ヘッドは
記録再生が不能となる。
【０００８】上記の現象が発生する原因として以下のこ
とが考えられる。図７に薄膜磁気ヘッド素子の平面図を
示す。図５、図６で示したように、通常、薄膜磁気ヘッ
ドのギャップデプスＬを決定する層は下部絶縁層１１で
ある。下部絶縁層１１の媒体対向面に近接する位置にお
ける平面形状は図７に示すようになっている。記録トラ
ックと直行する領域は、トラック幅（ＴＷ）よりかなり
広い寸法Ｃを有し、ギャップデプス寸法がＬであると
き、アペックスラインに連なる下部絶縁層１１の直線部
と媒体対向面１６との距離Ｍはギャップデプス寸法Ｌに
ほぼ等しい。ギャップデプス寸法Ｌが１μｍ以下となっ
た場合は上記の距離Ｍも同時に１μｍ以下となる。この
寸法Ｍは、薄膜磁気ヘッド素子の基板の絶縁層８と保護
層１５が直接接触、接合する寸法でもあり、ヘッド素子
周囲の接合部の中で最も接合面積が小さい。そのため、
ヘッド素子を被覆保護する上で最も接合が弱い領域とな
っている。
とが考えられる。図７に薄膜磁気ヘッド素子の平面図を
示す。図５、図６で示したように、通常、薄膜磁気ヘッ
ドのギャップデプスＬを決定する層は下部絶縁層１１で
ある。下部絶縁層１１の媒体対向面に近接する位置にお
ける平面形状は図７に示すようになっている。記録トラ
ックと直行する領域は、トラック幅（ＴＷ）よりかなり
広い寸法Ｃを有し、ギャップデプス寸法がＬであると
き、アペックスラインに連なる下部絶縁層１１の直線部
と媒体対向面１６との距離Ｍはギャップデプス寸法Ｌに
ほぼ等しい。ギャップデプス寸法Ｌが１μｍ以下となっ
た場合は上記の距離Ｍも同時に１μｍ以下となる。この
寸法Ｍは、薄膜磁気ヘッド素子の基板の絶縁層８と保護
層１５が直接接触、接合する寸法でもあり、ヘッド素子
周囲の接合部の中で最も接合面積が小さい。そのため、
ヘッド素子を被覆保護する上で最も接合が弱い領域とな
っている。
【０００９】高温高湿下で信頼性試験を行うと、図８に
示した媒体対向面にある下部磁性層９および上部磁性層
４が接するギャップ層１０や保護層１５の微少な膜欠陥
から水蒸気が入り込み、有機絶縁物で形成された下部絶
縁層１１、中部絶縁層１３、上部絶縁層３を膨潤させ
る。その結果、無機絶縁物で形成された硬い絶縁層８、
ギャップ層１０および保護層１５の各層間の密着力ある
いは各層の坑折力よりも有機絶縁物層の膨潤力のほうが
大きくなった時に、クラックが発生する。
示した媒体対向面にある下部磁性層９および上部磁性層
４が接するギャップ層１０や保護層１５の微少な膜欠陥
から水蒸気が入り込み、有機絶縁物で形成された下部絶
縁層１１、中部絶縁層１３、上部絶縁層３を膨潤させ
る。その結果、無機絶縁物で形成された硬い絶縁層８、
ギャップ層１０および保護層１５の各層間の密着力ある
いは各層の坑折力よりも有機絶縁物層の膨潤力のほうが
大きくなった時に、クラックが発生する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の薄
膜磁気ヘッドでは、記録再生性能を向上させるためギャ
ップデプスを小さくすると、媒体対向面から有機材料で
形成された絶縁層までの距離が短くなる。その結果、接
合面積が減少し、水蒸気の浸透距離が短くなり、かつア
ルミナなどの無機絶縁物で形成された絶縁層８と保護層
１５の媒体対向面での接合面積が小さくなり、絶縁層８
や保護層１５が剥離したり破壊され、急激に信頼性が劣
化するという問題があった。
膜磁気ヘッドでは、記録再生性能を向上させるためギャ
ップデプスを小さくすると、媒体対向面から有機材料で
形成された絶縁層までの距離が短くなる。その結果、接
合面積が減少し、水蒸気の浸透距離が短くなり、かつア
ルミナなどの無機絶縁物で形成された絶縁層８と保護層
１５の媒体対向面での接合面積が小さくなり、絶縁層８
や保護層１５が剥離したり破壊され、急激に信頼性が劣
化するという問題があった。
【００１１】本発明はこのような課題を解決するもの
で、記録再生性能が優れ、かつ耐環境信頼性に優れた薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的
とするものである。
で、記録再生性能が優れ、かつ耐環境信頼性に優れた薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的
とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するために、コイル層を絶縁する絶縁層と、前記コイル
層を挟んで上部磁性層と下部磁性層とを設け、記録媒体
に近い先端部に磁気ギャップを設け、絶縁層をアペック
スラインから突出して形成した突起部の幅を、記録トラ
ック幅以上から記録トラック幅＋２μｍ以下の幅で形成
するようにしたものである。
するために、コイル層を絶縁する絶縁層と、前記コイル
層を挟んで上部磁性層と下部磁性層とを設け、記録媒体
に近い先端部に磁気ギャップを設け、絶縁層をアペック
スラインから突出して形成した突起部の幅を、記録トラ
ック幅以上から記録トラック幅＋２μｍ以下の幅で形成
するようにしたものである。
【００１３】
【作用】上記の構成および方法によれば、ギャップデプ
ス寸法が１μｍ以下という微小な寸法になっても、無機
絶縁物で形成された絶縁層と保護層の接合面積を大きく
とることができるため、水蒸気の侵入を防ぐことができ
る。その結果、信頼性を向上させ、耐環境性を向上させ
ることができることとなる。
ス寸法が１μｍ以下という微小な寸法になっても、無機
絶縁物で形成された絶縁層と保護層の接合面積を大きく
とることができるため、水蒸気の侵入を防ぐことができ
る。その結果、信頼性を向上させ、耐環境性を向上させ
ることができることとなる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【００１５】（実施例１）本実施例の薄膜磁気ヘッドの
構成は従来例と同様であるため同じ部材には同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。本実施例の構成は図５
に示した従来の薄膜磁気ヘッドと同様で、まずスパッタ
法により形成したアルミナなどの絶縁物８で被覆された
セラミック基板７上に、電気めっき法あるいはスパッタ
法により形成した下部磁性層９、スパッタ法により製膜
した磁気ギャップ層１０を形成し、さらにその上にノボ
ラック系樹脂あるいはポリイミド系樹脂などからなる下
部絶縁層１１、電気めっき法により形成した下部コイル
層１２を順次積層し、さらにその上に同様に中部絶縁層
１３、上部コイル層１４、上部絶縁層３、上部磁性層４
を順次積層し最終的にアルミナで作製した保護層１５で
保護した構成とする。
構成は従来例と同様であるため同じ部材には同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。本実施例の構成は図５
に示した従来の薄膜磁気ヘッドと同様で、まずスパッタ
法により形成したアルミナなどの絶縁物８で被覆された
セラミック基板７上に、電気めっき法あるいはスパッタ
法により形成した下部磁性層９、スパッタ法により製膜
した磁気ギャップ層１０を形成し、さらにその上にノボ
ラック系樹脂あるいはポリイミド系樹脂などからなる下
部絶縁層１１、電気めっき法により形成した下部コイル
層１２を順次積層し、さらにその上に同様に中部絶縁層
１３、上部コイル層１４、上部絶縁層３、上部磁性層４
を順次積層し最終的にアルミナで作製した保護層１５で
保護した構成とする。
【００１６】図１に上記のようにして作成した実施例１
の薄膜磁気ヘッドの構成を示す。図中の実線で示した絶
縁層が下部絶縁層１１、破線で示した絶縁層が中部絶縁
層１３、一点鎖線で示した絶縁層が上部絶縁層３であ
る。
の薄膜磁気ヘッドの構成を示す。図中の実線で示した絶
縁層が下部絶縁層１１、破線で示した絶縁層が中部絶縁
層１３、一点鎖線で示した絶縁層が上部絶縁層３であ
る。
【００１７】なお、図１に示す本実施例では下部絶縁層
１１によりアペックス１９を形成したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、上部絶縁層、中部絶縁層の
いづれかを用いてアペックスを形成してもよい。
１１によりアペックス１９を形成したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、上部絶縁層、中部絶縁層の
いづれかを用いてアペックスを形成してもよい。
【００１８】下部絶縁層１１はトラック幅（ＴＷ）を形
成する領域においてある幅Ｄの直線部を有し、それに連
なる下部絶縁層１１の外周ラインは寸法Ｅだけ媒体対向
面１６より離れたところに位置させる。ここで幅Ｄはト
ラック幅と同じ寸法か、あるいはトラック幅エッジから
片側１μｍ以内、すなわちトラック幅より２μｍ以下の
広がりを持った寸法とする。また突起部１９の高さＥは
２μｍ以上とれば充分である。突起部１９の幅をトラッ
ク幅より広げる場合の寸法は、大きくし過ぎると効果が
小さくなるが、上記寸法より多少大きくしても信頼性が
向上すれば、本発明の適用範囲であるということがいえ
る。この絶縁層の突起部１９の最先端部の幅をトラック
幅よりやや広くする方法としては、図１に示す下部絶縁
層の形のフォトマスクを用いればよい。ここで、パター
ン形成するときのフォトマスクのアライメント精度を考
慮しても、上記寸法は充分実現可能な寸法である。しか
し、絶縁層の突起部１９がアペックスラインと連なる直
線領域の幅をトラック幅と同じ寸法とする方法は、上記
のようにフォトマスクを用いる方法では、アライメント
ずれや露光現像時のパターン幅の変動があるため実質的
には不可能である。そこで、上記寸法を満足させる方法
として、酸素プラズマを用いる方法がある。これは、ま
ず単純な方法として、上部磁性層４を形成後、上部磁性
層４をエッチングマスクとして利用し薄膜磁気ヘッド素
子全体に酸素プラズマを照射し、全体的に有機絶縁物か
らなる絶縁層を除去する方法がある。この場合は酸素プ
ラズマにさらされた絶縁層が徐々に除去されていき、絶
縁層の最先端部のアペックス高さが規定の寸法になった
ところでプラズマ処理を終了する。
成する領域においてある幅Ｄの直線部を有し、それに連
なる下部絶縁層１１の外周ラインは寸法Ｅだけ媒体対向
面１６より離れたところに位置させる。ここで幅Ｄはト
ラック幅と同じ寸法か、あるいはトラック幅エッジから
片側１μｍ以内、すなわちトラック幅より２μｍ以下の
広がりを持った寸法とする。また突起部１９の高さＥは
２μｍ以上とれば充分である。突起部１９の幅をトラッ
ク幅より広げる場合の寸法は、大きくし過ぎると効果が
小さくなるが、上記寸法より多少大きくしても信頼性が
向上すれば、本発明の適用範囲であるということがいえ
る。この絶縁層の突起部１９の最先端部の幅をトラック
幅よりやや広くする方法としては、図１に示す下部絶縁
層の形のフォトマスクを用いればよい。ここで、パター
ン形成するときのフォトマスクのアライメント精度を考
慮しても、上記寸法は充分実現可能な寸法である。しか
し、絶縁層の突起部１９がアペックスラインと連なる直
線領域の幅をトラック幅と同じ寸法とする方法は、上記
のようにフォトマスクを用いる方法では、アライメント
ずれや露光現像時のパターン幅の変動があるため実質的
には不可能である。そこで、上記寸法を満足させる方法
として、酸素プラズマを用いる方法がある。これは、ま
ず単純な方法として、上部磁性層４を形成後、上部磁性
層４をエッチングマスクとして利用し薄膜磁気ヘッド素
子全体に酸素プラズマを照射し、全体的に有機絶縁物か
らなる絶縁層を除去する方法がある。この場合は酸素プ
ラズマにさらされた絶縁層が徐々に除去されていき、絶
縁層の最先端部のアペックス高さが規定の寸法になった
ところでプラズマ処理を終了する。
【００１９】（実施例２）上記の方法では、酸素プラズ
マ処理が長すぎると上部絶縁層３が全部除去されてしま
ったり、露出したコイル層１４や上部磁性層４、端子層
５が酸化するという問題が生じ易い。そこでこのような
問題を回避する方法として、図２に示すようにフォトレ
ジストにより除去したいところのみにパターンを出し、
その他の領域はフォトレジスト１８で覆う方法がある。
これは絶縁層先端部の除去したい部分のみ露出させ、他
はフォトレジスト１８で保護する状態にした後に酸素プ
ラズマ処理をする方法である。この方法によれば、除去
したい領域だけが酸素プラズマにより除去され、それ以
外のところは全くダメージを受けない工法とすることが
できる。
マ処理が長すぎると上部絶縁層３が全部除去されてしま
ったり、露出したコイル層１４や上部磁性層４、端子層
５が酸化するという問題が生じ易い。そこでこのような
問題を回避する方法として、図２に示すようにフォトレ
ジストにより除去したいところのみにパターンを出し、
その他の領域はフォトレジスト１８で覆う方法がある。
これは絶縁層先端部の除去したい部分のみ露出させ、他
はフォトレジスト１８で保護する状態にした後に酸素プ
ラズマ処理をする方法である。この方法によれば、除去
したい領域だけが酸素プラズマにより除去され、それ以
外のところは全くダメージを受けない工法とすることが
できる。
【００２０】本発明によれば、トラック幅が小さくなる
程、効果が大きくなる。
程、効果が大きくなる。
【００２１】
【発明の効果】以上の実施例の説明から明らかなように
本発明によれば、アペックスからの突起部の幅をトラッ
ク幅と同一寸法あるいはトラック幅よりやや広い寸法と
することにより、記録再生素子を被覆保護する絶縁層の
接合面積を大きくとれるので、耐環境信頼性の高い薄膜
磁気ヘッドを作成することができる。
本発明によれば、アペックスからの突起部の幅をトラッ
ク幅と同一寸法あるいはトラック幅よりやや広い寸法と
することにより、記録再生素子を被覆保護する絶縁層の
接合面積を大きくとれるので、耐環境信頼性の高い薄膜
磁気ヘッドを作成することができる。
【図１】本発明の実施例１の薄膜磁気ヘッドの記録再生
部の概略構成を示す側面図
部の概略構成を示す側面図
【図２】同実施例２の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
側面図
側面図
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの全体構成を示す斜視図
【図４】同記録再生部の概略構成を示す側面図
【図５】同図４のＢ−Ｂ’断面の構成を示す断面図
【図６】同図４のＢ−Ｂ’断面の要部拡大断面図
【図７】同磁気ギャップ部の絶縁構成を示す側面図
【図８】同磁気ギャップ部の構成を示す上面図
３ 上部絶縁層 ４ 上部磁性層 ５ 端子 ６ バックギャップ １１ 下部絶縁層 １３ 中部絶縁層 １６ 媒体対向面 １８ フォトレジスト １９ 突起部
Claims (2)
- 【請求項１】コイル層を絶縁する絶縁層と、前記コイル
層を挟んで上部磁性層と下部磁性層とを設け、記録媒体
に近い先端部に磁気ギャップを設けて記録再生部を形成
し、前記記録再生部全体を絶縁基板と保護層で被覆して
磁気ヘッドを構成し、絶縁層をアペックスラインから突
出して形成した突起部の幅を、記録トラック幅以上から
記録トラック幅＋２μｍ以下の幅で形成してなる薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項２】コイル層を絶縁する絶縁層と、前記コイル
層を挟んで上部磁性層と下部磁性層とを設け、記録媒体
に近い先端部に磁気ギャップを設けて記録再生部を形成
し、前記記録再生部全体を絶縁基板と保護層で被覆して
磁気ヘッドを構成し、絶縁層をアペックスラインから突
出して形成した突起部の幅を、記録トラック幅以上から
記録トラック幅＋２μｍ以下の幅で形成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00293993A JP3385426B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00293993A JP3385426B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208710A true JPH06208710A (ja) | 1994-07-26 |
| JP3385426B2 JP3385426B2 (ja) | 2003-03-10 |
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ID=11543333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00293993A Expired - Fee Related JP3385426B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3385426B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100354682B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-09-30 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막자기헤드 및 그 제조방법 |
| US8366888B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-02-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Water treatment apparatus |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP00293993A patent/JP3385426B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100354682B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-09-30 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막자기헤드 및 그 제조방법 |
| US8366888B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-02-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Water treatment apparatus |
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