JPH06206736A - 低温焼成基板用ガラス組成物およびそれから得られる基板 - Google Patents
低温焼成基板用ガラス組成物およびそれから得られる基板Info
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- JPH06206736A JPH06206736A JP5235437A JP23543793A JPH06206736A JP H06206736 A JPH06206736 A JP H06206736A JP 5235437 A JP5235437 A JP 5235437A JP 23543793 A JP23543793 A JP 23543793A JP H06206736 A JPH06206736 A JP H06206736A
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- JP
- Japan
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- glass
- crystalline phase
- powder
- substrate
- low
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0054—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing PbO, SnO2, B2O3
Abstract
(57)【要約】
【目的】低温焼成基板の製造に使用される結晶化ガラス
組成物において、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低
抵抗導体ペーストと同時焼成でき、高抗折強度（２３kg
ｆ／mm2 以上）でかつ低誘電率、低誘電正接等の物性を
有する基板用組成物の提供を目的とする。 【構成】熱処理することにより、ムライトを主結晶相と
し、フォルステライト、スピネル、サフィリンの内少な
くとも１種を副結晶相として析出するガラスであって、
重量％表示で、Ａｌ2 Ｏ3 が４５〜５８、ＳｉＯ2 が２
０〜３５、Ｂ2 Ｏ3 が５〜１５、ＭｇＯが５〜２０、ア
ルカリ金属酸化物が１〜４からなる。
組成物において、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低
抵抗導体ペーストと同時焼成でき、高抗折強度（２３kg
ｆ／mm2 以上）でかつ低誘電率、低誘電正接等の物性を
有する基板用組成物の提供を目的とする。 【構成】熱処理することにより、ムライトを主結晶相と
し、フォルステライト、スピネル、サフィリンの内少な
くとも１種を副結晶相として析出するガラスであって、
重量％表示で、Ａｌ2 Ｏ3 が４５〜５８、ＳｉＯ2 が２
０〜３５、Ｂ2 Ｏ3 が５〜１５、ＭｇＯが５〜２０、ア
ルカリ金属酸化物が１〜４からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子やコイル
（Ｌ）、コンデンサー（Ｃ）、抵抗（Ｒ）等のチップ部
品等を搭載し、これらをＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ
等の低抵抗導体配線により相互接続することのできる低
温焼成多層基板用のガラス組成物に関する。
（Ｌ）、コンデンサー（Ｃ）、抵抗（Ｒ）等のチップ部
品等を搭載し、これらをＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ
等の低抵抗導体配線により相互接続することのできる低
温焼成多層基板用のガラス組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、コンピューターや民
生機器等に使用される基板材料はＡｌ2 Ｏ3 （アルミ
ナ）が一般的であったが、アルミナは焼結温度が約１６
００℃と高く、同時焼成用配線導体にタングステン又は
モリブデン等の高融点金属材料を用いている。しかし、
これらの高融点金属材料では電気抵抗が比較的高いた
め、電気抵抗の低い、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等
の使用が望まれていた。そこで、焼成温度が約８５０〜
約１０５０℃と低く、上記低抵抗導体が使用可能な、低
温焼成基板が各種提案されている。
生機器等に使用される基板材料はＡｌ2 Ｏ3 （アルミ
ナ）が一般的であったが、アルミナは焼結温度が約１６
００℃と高く、同時焼成用配線導体にタングステン又は
モリブデン等の高融点金属材料を用いている。しかし、
これらの高融点金属材料では電気抵抗が比較的高いた
め、電気抵抗の低い、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等
の使用が望まれていた。そこで、焼成温度が約８５０〜
約１０５０℃と低く、上記低抵抗導体が使用可能な、低
温焼成基板が各種提案されている。
【０００３】特開昭６１−３１３４８号公報「低温焼成
セラミックス」では、ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガ
ラス５５〜６０％とアルミナ等のフィラー４０〜４５％
とを混合し、７５０〜８５０℃の低温で焼成した基板が
報告されている。又、特開昭５９−８３９５７号公報
「結晶化ガラス体」では、重量％でＳｉＯ2 ４０〜５
２、Ａｌ2 Ｏ3 ２７〜３７、ＭｇＯ１０〜２０、Ｂ2 Ｏ
3 ２〜８、ＣａＯ２〜８、ＺｒＯ2 ０．１〜３からなる
結晶化ガラス成分を粉砕してフリット化し、成形後９０
０〜９５０℃の低温で焼成した基板が報告されている。
しかし、前者はガラス自体の強度が弱いために、基板強
度は１５〜１９（kgｆ／mm2 ）と低く、後者は、主結晶
相であるコージェライトそのものの強度が弱いために、
基板強度は１７〜２１（kgｆ／mm2 ）と低い。このよう
に、従来の技術においては、ガラスセラミックスの強度
が弱く、多層基板とした場合に割れ易く、取り扱いに注
意を要する等の問題があった。
セラミックス」では、ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガ
ラス５５〜６０％とアルミナ等のフィラー４０〜４５％
とを混合し、７５０〜８５０℃の低温で焼成した基板が
報告されている。又、特開昭５９−８３９５７号公報
「結晶化ガラス体」では、重量％でＳｉＯ2 ４０〜５
２、Ａｌ2 Ｏ3 ２７〜３７、ＭｇＯ１０〜２０、Ｂ2 Ｏ
3 ２〜８、ＣａＯ２〜８、ＺｒＯ2 ０．１〜３からなる
結晶化ガラス成分を粉砕してフリット化し、成形後９０
０〜９５０℃の低温で焼成した基板が報告されている。
しかし、前者はガラス自体の強度が弱いために、基板強
度は１５〜１９（kgｆ／mm2 ）と低く、後者は、主結晶
相であるコージェライトそのものの強度が弱いために、
基板強度は１７〜２１（kgｆ／mm2 ）と低い。このよう
に、従来の技術においては、ガラスセラミックスの強度
が弱く、多層基板とした場合に割れ易く、取り扱いに注
意を要する等の問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
ふまえた上で開発された低温焼成基板用ガラス組成物に
関する。すなわち、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須）からなり、熱処理することによ
ってムライトを主結晶相とし、フォルステライト、スピ
ネル及びサフィリンの内、少なくとも１種を副結晶相と
して析出するガラス組成物であることを特徴とする。
ふまえた上で開発された低温焼成基板用ガラス組成物に
関する。すなわち、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須）からなり、熱処理することによ
ってムライトを主結晶相とし、フォルステライト、スピ
ネル及びサフィリンの内、少なくとも１種を副結晶相と
して析出するガラス組成物であることを特徴とする。
【０００５】加えて、本発明の低温焼成基板用ガラス組
成物は、上記基本組成にさらに銅、バナジウム、鉄、ニ
ッケル、マンガン、コバルトの酸化物の内、少なくとも
１種を着色成分として加えることを特徴とし、上記基本
ガラス組成物または上記着色成分を加えたガラス組成物
を成形後、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕのいずれかを主成分
とする導体ペーストで配線を形成し、大気中で焼成する
ことにより白色あるいは着色した低温焼成基板を得るこ
とを特徴とする。
成物は、上記基本組成にさらに銅、バナジウム、鉄、ニ
ッケル、マンガン、コバルトの酸化物の内、少なくとも
１種を着色成分として加えることを特徴とし、上記基本
ガラス組成物または上記着色成分を加えたガラス組成物
を成形後、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕのいずれかを主成分
とする導体ペーストで配線を形成し、大気中で焼成する
ことにより白色あるいは着色した低温焼成基板を得るこ
とを特徴とする。
【０００６】また、本発明の低温焼成基板用ガラス組成
物は、上記基本組成にさらにモリブデン、タングステ
ン、鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの酸化物の内、
少なくとも１種を着色成分として加えることを特徴と
し、上記基本ガラス組成物または上記着色成分を加えた
ガラス組成物を成形後、Ｃｕを主成分とする導体ペース
トで配線を形成し、水素を含む還元性雰囲気中で焼成す
ることにより無着色又は着色した低温焼成基板を得るこ
とを特徴とする。
物は、上記基本組成にさらにモリブデン、タングステ
ン、鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの酸化物の内、
少なくとも１種を着色成分として加えることを特徴と
し、上記基本ガラス組成物または上記着色成分を加えた
ガラス組成物を成形後、Ｃｕを主成分とする導体ペース
トで配線を形成し、水素を含む還元性雰囲気中で焼成す
ることにより無着色又は着色した低温焼成基板を得るこ
とを特徴とする。
【０００７】また、本発明の低温焼成基板用ガラス組成
物は、上記基本組成にさらにバナジウム、モリブデン、
鉄の酸化物の内、少なくとも１種を着色成分として加え
ることを特徴とし、上記基本ガラス組成物または上記着
色成分を加えたガラス組成物を成形後、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕのいずれかを主成分とする導体ペースト
で配線を形成し、中性雰囲気（窒素等の不活性雰囲気）
中で焼成することにより白色あるいは着色した低温焼成
基板を得ることを特徴とする。
物は、上記基本組成にさらにバナジウム、モリブデン、
鉄の酸化物の内、少なくとも１種を着色成分として加え
ることを特徴とし、上記基本ガラス組成物または上記着
色成分を加えたガラス組成物を成形後、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕのいずれかを主成分とする導体ペースト
で配線を形成し、中性雰囲気（窒素等の不活性雰囲気）
中で焼成することにより白色あるいは着色した低温焼成
基板を得ることを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明の低温焼成基板用組成物
は、上記基本ガラス組成物に銅、バナジウム、鉄、ニッ
ケル、マンガン、コバルトの酸化物粉末、金属塩化合物
粉末、金属粉末の内、少なくとも１種を着色フィラ―と
して添加、混合することを特徴とし、それを成形後、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕのいずれかを主成分とする導体ペ
ーストで配線を形成し、大気中で焼成することにより着
色した低温焼成基板を得ることを特徴とする。
は、上記基本ガラス組成物に銅、バナジウム、鉄、ニッ
ケル、マンガン、コバルトの酸化物粉末、金属塩化合物
粉末、金属粉末の内、少なくとも１種を着色フィラ―と
して添加、混合することを特徴とし、それを成形後、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕのいずれかを主成分とする導体ペ
ーストで配線を形成し、大気中で焼成することにより着
色した低温焼成基板を得ることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の低温焼成基板用組成物は、
上記基本ガラス組成物にモリブデン、タングステン、
鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの酸化物粉末、金属
塩化合物粉末、金属粉末の内、少なくとも１種を着色フ
ィラ−として添加、混合することを特徴とし、それを成
形後、Ｃｕを主成分とする導体ペ−ストで配線を形成
し、水素を含む還元性雰囲気中で焼成することにより着
色した低温焼成基板を得ることを特徴とする。
上記基本ガラス組成物にモリブデン、タングステン、
鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの酸化物粉末、金属
塩化合物粉末、金属粉末の内、少なくとも１種を着色フ
ィラ−として添加、混合することを特徴とし、それを成
形後、Ｃｕを主成分とする導体ペ−ストで配線を形成
し、水素を含む還元性雰囲気中で焼成することにより着
色した低温焼成基板を得ることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の低温焼成基板用組成物は、
上記基本ガラス組成物にバナジウム、モリブデン、鉄の
酸化物粉末、金属塩化合物粉末、金属粉末の内、少なく
とも１種を着色フィラ−として添加、混合することを特
徴とし、それを成形後、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ
のいずれかを主成分とする導体ペ−ストで配線を形成
し、中性雰囲気中で焼成することにより着色した低温焼
成基板を得ることを特徴とする。
上記基本ガラス組成物にバナジウム、モリブデン、鉄の
酸化物粉末、金属塩化合物粉末、金属粉末の内、少なく
とも１種を着色フィラ−として添加、混合することを特
徴とし、それを成形後、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ
のいずれかを主成分とする導体ペ−ストで配線を形成
し、中性雰囲気中で焼成することにより着色した低温焼
成基板を得ることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の低温焼成基板の抗折強度は
２３kgｆ／mm2 以上であることを特徴とする。
２３kgｆ／mm2 以上であることを特徴とする。
【００１２】以下、本発明を詳細に説明する。Ａｌ2 Ｏ
3 は結晶化ガラス中のムライト（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、スピネル（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）及びサフィリ
ン（４ＭｇＯ・５Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）の構成成分
であり、又、残存ガラスの中間酸化物である。Ａｌ2 Ｏ
3 が４５ｗｔ％未満では、ムライトの結晶化度が低く、
強度が２３kgｆ／mm2 に達しない。逆に５８ｗｔ％を越
えると溶融温度が高くなり、失透しやすくなる。
3 は結晶化ガラス中のムライト（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、スピネル（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）及びサフィリ
ン（４ＭｇＯ・５Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）の構成成分
であり、又、残存ガラスの中間酸化物である。Ａｌ2 Ｏ
3 が４５ｗｔ％未満では、ムライトの結晶化度が低く、
強度が２３kgｆ／mm2 に達しない。逆に５８ｗｔ％を越
えると溶融温度が高くなり、失透しやすくなる。
【００１３】ＳｉＯ2 は結晶化ガラス中のムライト、フ
ォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）及びサフィリン
の構成成分であり、又、残存ガラスの骨格を形成する。
ＳｉＯ2 が２０ｗｔ％未満であると、これらの結晶が析
出しにくくなる。逆に３５ｗｔ％を越えるとフォルステ
ライト相の代りにコージェライト相が生成し、強度が低
くなる。
ォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）及びサフィリン
の構成成分であり、又、残存ガラスの骨格を形成する。
ＳｉＯ2 が２０ｗｔ％未満であると、これらの結晶が析
出しにくくなる。逆に３５ｗｔ％を越えるとフォルステ
ライト相の代りにコージェライト相が生成し、強度が低
くなる。
【００１４】Ｂ2 Ｏ3 は融剤として使用され、５ｗｔ％
未満では溶融温度が高くなりすぎる。逆に１５ｗｔ％を
越えると結晶化度が下がり、強度が低下する。
未満では溶融温度が高くなりすぎる。逆に１５ｗｔ％を
越えると結晶化度が下がり、強度が低下する。
【００１５】ＭｇＯはガラス作製時の溶融温度を下げる
とともに、結晶化ガラス中のフォルステライト、スピネ
ル及びサフィリンの構成成分であり、トータルの結晶化
度を高める働きをする。５ｗｔ％未満では、これらの結
晶相の析出量が少ないため強度が上らず、また、溶融温
度も高くなる。逆に２０ｗｔ％を越えると分相領域に入
り、溶融時、失透してしまう。
とともに、結晶化ガラス中のフォルステライト、スピネ
ル及びサフィリンの構成成分であり、トータルの結晶化
度を高める働きをする。５ｗｔ％未満では、これらの結
晶相の析出量が少ないため強度が上らず、また、溶融温
度も高くなる。逆に２０ｗｔ％を越えると分相領域に入
り、溶融時、失透してしまう。
【００１６】強度、溶融性、成形性、結晶相のバランス
等を総合的に勘案すると、上記成分中のＡｌ2 Ｏ3 は４
７〜５３ｗｔ％、ＳｉＯ2 は２４〜３３ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ
3は５〜１５ｗｔ％、ＭｇＯは７〜１４ｗｔ％であるこ
とが好ましい。
等を総合的に勘案すると、上記成分中のＡｌ2 Ｏ3 は４
７〜５３ｗｔ％、ＳｉＯ2 は２４〜３３ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ
3は５〜１５ｗｔ％、ＭｇＯは７〜１４ｗｔ％であるこ
とが好ましい。
【００１７】また、Ｒ2 Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの内、
少なくとも２種必須）成分を添加することにより、高温
時におけるガラスの電気伝導度が大きくなるため、電気
溶融の適用が可能となり、クリーンな状態でガラスを溶
融することが可能となる。Ｒ2 Ｏ成分は、単独で用いる
と結晶化ガラス焼結体の誘電正接（ｔａｎδ）を増大さ
せ、絶縁抵抗を低下させる。しかし、２成分以上を同時
に添加し、混合アルカリ効果を利用するとｔａｎδの増
大及び絶縁抵抗の低下を抑制することができる。Ｒ2 Ｏ
は合計で１ｗｔ％未満では、電気溶融時キャリアーとし
ての効果がない。逆にＬｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのい
ずれかが２ｗｔ％を越えるか、その合計が４ｗｔ％を越
えると低温焼成基板のｔａｎδの増大及び絶縁抵抗の低
下が起こるばかりでなく、熱膨張係数が大きくなりすぎ
る。上記の理由でＲ2 Ｏは１〜４ｗｔ％とするが、その
構成比は少なくとも２種が０．３ｗｔ％以上であること
が好ましい。また、Ｒ2 Ｏを２成分とする場合はどの２
種の組合せでも良いが、混合アルカリ効果が最も顕著に
現われるＬｉ2 ＯとＫ2 Ｏの組合せが好ましい。Ｒ2 Ｏ
を３成分添加すると更に効果は著しい。
少なくとも２種必須）成分を添加することにより、高温
時におけるガラスの電気伝導度が大きくなるため、電気
溶融の適用が可能となり、クリーンな状態でガラスを溶
融することが可能となる。Ｒ2 Ｏ成分は、単独で用いる
と結晶化ガラス焼結体の誘電正接（ｔａｎδ）を増大さ
せ、絶縁抵抗を低下させる。しかし、２成分以上を同時
に添加し、混合アルカリ効果を利用するとｔａｎδの増
大及び絶縁抵抗の低下を抑制することができる。Ｒ2 Ｏ
は合計で１ｗｔ％未満では、電気溶融時キャリアーとし
ての効果がない。逆にＬｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのい
ずれかが２ｗｔ％を越えるか、その合計が４ｗｔ％を越
えると低温焼成基板のｔａｎδの増大及び絶縁抵抗の低
下が起こるばかりでなく、熱膨張係数が大きくなりすぎ
る。上記の理由でＲ2 Ｏは１〜４ｗｔ％とするが、その
構成比は少なくとも２種が０．３ｗｔ％以上であること
が好ましい。また、Ｒ2 Ｏを２成分とする場合はどの２
種の組合せでも良いが、混合アルカリ効果が最も顕著に
現われるＬｉ2 ＯとＫ2 Ｏの組合せが好ましい。Ｒ2 Ｏ
を３成分添加すると更に効果は著しい。
【００１８】上記基本成分の他に以下の着色成分をガラ
ス組成中に加えても良い。銅、バナジウム、鉄、ニッケ
ル、マンガン、コバルトの酸化物は大気中で焼成を行う
場合の着色成分である。銅、バナジウム、鉄、ニッケ
ル、マンガン、コバルトの酸化物の内、少なくとも１種
が０．１ｗｔ％未満では着色が不十分で外観上好ましく
ない。逆に５ｗｔ％を越えると焼結性が低下し、強度が
劣化する。
ス組成中に加えても良い。銅、バナジウム、鉄、ニッケ
ル、マンガン、コバルトの酸化物は大気中で焼成を行う
場合の着色成分である。銅、バナジウム、鉄、ニッケ
ル、マンガン、コバルトの酸化物の内、少なくとも１種
が０．１ｗｔ％未満では着色が不十分で外観上好ましく
ない。逆に５ｗｔ％を越えると焼結性が低下し、強度が
劣化する。
【００１９】また、モリブデン、タングステン、鉄、ニ
ッケル、マンガン、コバルトの酸化物は水素を含む還元
性雰囲気中で焼成を行う場合の着色成分である。モリブ
デン、タングステン、鉄、ニッケル、マンガン、コバル
トの酸化物の内、少なくとも１種が０．１ｗｔ％未満で
は着色が不十分で外観上好ましくない。逆に５ｗｔ％を
越えると焼結性が低下し、強度が劣化する。
ッケル、マンガン、コバルトの酸化物は水素を含む還元
性雰囲気中で焼成を行う場合の着色成分である。モリブ
デン、タングステン、鉄、ニッケル、マンガン、コバル
トの酸化物の内、少なくとも１種が０．１ｗｔ％未満で
は着色が不十分で外観上好ましくない。逆に５ｗｔ％を
越えると焼結性が低下し、強度が劣化する。
【００２０】また、バナジウム、モリブデン、鉄の酸化
物は中性雰囲気中で焼成を行う場合の着色成分である。
バナジウム、モリブデン、鉄の酸化物の内、少なくとも
１種が０．１ｗｔ％未満では着色が不十分で外観上好ま
しくない。逆に５ｗｔ％を越えると焼結性が低下し、強
度が劣化する。
物は中性雰囲気中で焼成を行う場合の着色成分である。
バナジウム、モリブデン、鉄の酸化物の内、少なくとも
１種が０．１ｗｔ％未満では着色が不十分で外観上好ま
しくない。逆に５ｗｔ％を越えると焼結性が低下し、強
度が劣化する。
【００２１】なお、これら大気中焼成、還元性雰囲気中
焼成、中性雰囲気中焼成における着色成分については、
上述のようにガラスの成分として加えても、添加物（フ
ィラ−）として加えても、同様の効果が得られる。着色
成分をフィラ−として基本ガラス組成物の粉末に添加、
混合する場合は、酸化物粉末、炭酸塩、硫酸塩、水酸化
物等の金属塩化合物粉末、金属粉末のいずれを用いても
よい。
焼成、中性雰囲気中焼成における着色成分については、
上述のようにガラスの成分として加えても、添加物（フ
ィラ−）として加えても、同様の効果が得られる。着色
成分をフィラ−として基本ガラス組成物の粉末に添加、
混合する場合は、酸化物粉末、炭酸塩、硫酸塩、水酸化
物等の金属塩化合物粉末、金属粉末のいずれを用いても
よい。
【００２２】また、上記のガラス組成にさらに溶融性向
上のための合計で３ｗｔ％以下のＣａＯ、ＢａＯ、Ｚｎ
Ｏ、結晶化促進剤としての合計で５ｗｔ％以下のＺｒＯ
2 、ＳｎＯ2 、結晶化促進剤としての作用の他に融剤と
しての作用も持つ５ｗｔ％以下のＦ2 等を加えても良
い。
上のための合計で３ｗｔ％以下のＣａＯ、ＢａＯ、Ｚｎ
Ｏ、結晶化促進剤としての合計で５ｗｔ％以下のＺｒＯ
2 、ＳｎＯ2 、結晶化促進剤としての作用の他に融剤と
しての作用も持つ５ｗｔ％以下のＦ2 等を加えても良
い。
【００２３】
【発明の作用】本願発明の組成のガラス組成物は、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗導体材料と共に
約８５０〜約１０５０℃で焼成可能であり、焼成後ムラ
イトを主結晶相とし、副結晶相としてフォルステライ
ト、スピネル及びサフィリンの内少なくとも１種を有
し、抗折強度２３kgｆ／mm2 以上の高強度基板が得られ
る。また、誘電率は７以下とアルミナに比べて低く、信
号ノイズの低減にも効果を有する。熱膨張係数は５０〜
７０×１０-7／℃であり、アルミナに近く、半導体素子
やＬＣＲ等の部品搭載においても問題は生じない。ま
た、着色成分を使用した場合には、遮光性を有するため
半導体素子を光から保護すると共にアセンブル上の取扱
いが容易となる。
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗導体材料と共に
約８５０〜約１０５０℃で焼成可能であり、焼成後ムラ
イトを主結晶相とし、副結晶相としてフォルステライ
ト、スピネル及びサフィリンの内少なくとも１種を有
し、抗折強度２３kgｆ／mm2 以上の高強度基板が得られ
る。また、誘電率は７以下とアルミナに比べて低く、信
号ノイズの低減にも効果を有する。熱膨張係数は５０〜
７０×１０-7／℃であり、アルミナに近く、半導体素子
やＬＣＲ等の部品搭載においても問題は生じない。ま
た、着色成分を使用した場合には、遮光性を有するため
半導体素子を光から保護すると共にアセンブル上の取扱
いが容易となる。
【００２４】
【実施例及び比較例】常法に従い、表に示す目標組成と
なるように各成分原料を適宜秤量、調合してバッチを調
製し、表中に示す溶融温度で２〜３時間溶解し、溶融ガ
ラスとする。この溶融ガラスを水冷ロールでフレーク状
に成形する。このガラスをボールミル等で微粉砕し、平
均粒径約２〜５μｍのガラス微粉体とする。また、着色
成分をフィラ−として添加する場合には、このガラス微
粉体と混合し、本発明の低温焼成基板用組成物微粉体を
得る。
なるように各成分原料を適宜秤量、調合してバッチを調
製し、表中に示す溶融温度で２〜３時間溶解し、溶融ガ
ラスとする。この溶融ガラスを水冷ロールでフレーク状
に成形する。このガラスをボールミル等で微粉砕し、平
均粒径約２〜５μｍのガラス微粉体とする。また、着色
成分をフィラ−として添加する場合には、このガラス微
粉体と混合し、本発明の低温焼成基板用組成物微粉体を
得る。
【００２５】基板を作製する場合には、前記微粉体をト
ルエン、エタノール等の溶剤と共にボールミル中で分散
した後、ポリビニルブチラール、ポリアクリル酸エステ
ル等のバインダー及びＤＢＰ、ＤＯＰ等の可塑剤を加え
スラリー状にし、ドクターブレード法でグリーンシート
に成形する。これを切断・積層後、大気中、水素を含む
還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気中で２００℃／ｈの
昇温速度で８５０〜１０５０℃まで上げ、この焼成温度
で２時間保持し低温焼成基板を得、誘電率、誘電正接及
び絶縁抵抗を以下に示す方法で測定した。その結果を表
１乃至表６（実施例）及び表７乃至表８（比較例）に示
す。
ルエン、エタノール等の溶剤と共にボールミル中で分散
した後、ポリビニルブチラール、ポリアクリル酸エステ
ル等のバインダー及びＤＢＰ、ＤＯＰ等の可塑剤を加え
スラリー状にし、ドクターブレード法でグリーンシート
に成形する。これを切断・積層後、大気中、水素を含む
還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気中で２００℃／ｈの
昇温速度で８５０〜１０５０℃まで上げ、この焼成温度
で２時間保持し低温焼成基板を得、誘電率、誘電正接及
び絶縁抵抗を以下に示す方法で測定した。その結果を表
１乃至表６（実施例）及び表７乃至表８（比較例）に示
す。
【００２６】また、示差熱分析（ＤＴＡ）、熱膨張係
数、結晶相、抗折強度については本実施例及び比較例で
得られた微粉体を用いて以下に示す方法で測定した。そ
の結果を表１乃至表６（実施例）及び表７乃至表８（比
較例）に示す。
数、結晶相、抗折強度については本実施例及び比較例で
得られた微粉体を用いて以下に示す方法で測定した。そ
の結果を表１乃至表６（実施例）及び表７乃至表８（比
較例）に示す。
【００２７】誘電率、誘電正接（ｔａｎδ） 各粉末を前述の通り基板に成形したものに電極を施し、
２５℃−６０％ＲＨ、１ＭＨｚにおいてインピーダンス
メーターで測定した。
２５℃−６０％ＲＨ、１ＭＨｚにおいてインピーダンス
メーターで測定した。
【００２８】絶縁抵抗 各粉末を前述の通り基板に成形したものに電極を施し、
２５℃−６０％ＲＨ、５０Ｖにおいて絶縁抵抗計で測定
した。
２５℃−６０％ＲＨ、５０Ｖにおいて絶縁抵抗計で測定
した。
【００２９】示差熱分析（ＤＴＡ） 各粉末５００mgを示差熱分析装置の試料ホルダーに入
れ、室温から２０℃／min の昇温速度で上昇させ、転移
点、軟化点、結晶化ピーク温度を測定した。
れ、室温から２０℃／min の昇温速度で上昇させ、転移
点、軟化点、結晶化ピーク温度を測定した。
【００３０】熱膨張係数 各粉末をペレッターで棒状に加圧成形した後、ＤＴＡで
測定した結晶化ピーク温度まで２００℃／ｈで昇温し、
その温度で２時間保持し焼結したサンプルを室温から１
０℃／min の昇温速度で上昇させ、熱膨張係数（３０〜
４００℃の平均値、単位：１０-7／℃）を測定した。
測定した結晶化ピーク温度まで２００℃／ｈで昇温し、
その温度で２時間保持し焼結したサンプルを室温から１
０℃／min の昇温速度で上昇させ、熱膨張係数（３０〜
４００℃の平均値、単位：１０-7／℃）を測定した。
【００３１】結晶相 前述ので得られたサンプルと同じ物を再び微粉体とし
た後、粉末Ｘ線回析により測定した。
た後、粉末Ｘ線回析により測定した。
【００３２】抗折強度 前述ので得られたサンプルと同じ物をＪＩＳ−Ｒ１６
０１に準じて加工し、３点曲げによりその強度を測定し
た。
０１に準じて加工し、３点曲げによりその強度を測定し
た。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】
【表４】
【００３７】
【表５】
【００３８】
【表６】
【００３９】
【表７】
【００４０】
【表８】
【００４１】更に、実施例に示した組成の粉末を用い
て、多層配線基板を試作した。上記グリーンシートにパ
ンチングによりヴィアホールを形成し、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗金属粉体からなるペーストを
スクリーン印刷法によりヴィアに充填、さらに所望のパ
ターンを印刷し、回路を形成する。次いで各層を熱圧着
法により積層し、切断後、焼成を行う。Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ導体の場合は、大気中もしくは中性雰囲気中で
１００〜２００℃／ｈの昇温速度で８５０〜１０００℃
まで上げ、この温度で１〜３時間保持し、多層基板を得
る。Ｃｕ導体の場合は、弱酸化性もしくは非酸化性雰囲
気で脱バインダーを完全に行った後、Ｃｕの酸化防止の
ために水素を含む還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気中
８５０〜１０５０℃で焼成を行う。こうして得られた多
層基板の配線抵抗は低く、導体層の接着強度も十分であ
った。また、導体層の半田濡れ性も良好であり、強固な
リード付が可能であった。
て、多層配線基板を試作した。上記グリーンシートにパ
ンチングによりヴィアホールを形成し、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗金属粉体からなるペーストを
スクリーン印刷法によりヴィアに充填、さらに所望のパ
ターンを印刷し、回路を形成する。次いで各層を熱圧着
法により積層し、切断後、焼成を行う。Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｕ導体の場合は、大気中もしくは中性雰囲気中で
１００〜２００℃／ｈの昇温速度で８５０〜１０００℃
まで上げ、この温度で１〜３時間保持し、多層基板を得
る。Ｃｕ導体の場合は、弱酸化性もしくは非酸化性雰囲
気で脱バインダーを完全に行った後、Ｃｕの酸化防止の
ために水素を含む還元性雰囲気中もしくは中性雰囲気中
８５０〜１０５０℃で焼成を行う。こうして得られた多
層基板の配線抵抗は低く、導体層の接着強度も十分であ
った。また、導体層の半田濡れ性も良好であり、強固な
リード付が可能であった。
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】着色基板を得るためには、上記基本成分の
他に以下の着色成分をガラス組成中に加えても良い。
銅、バナジウム、鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの
酸化物は大気中で焼成を行う場合の着色成分である。
銅、バナジウム、鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの
酸化物の内、少なくとも１種が必要である。そしてその
合計量が０．１ｗｔ％未満では着色が不十分で外観上好
ましくない。逆にその合計量が５ｗｔ％を越えると焼結
性が低下し、強度が劣化する。
他に以下の着色成分をガラス組成中に加えても良い。
銅、バナジウム、鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの
酸化物は大気中で焼成を行う場合の着色成分である。
銅、バナジウム、鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの
酸化物の内、少なくとも１種が必要である。そしてその
合計量が０．１ｗｔ％未満では着色が不十分で外観上好
ましくない。逆にその合計量が５ｗｔ％を越えると焼結
性が低下し、強度が劣化する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】また、モリブデン、タングステン、鉄、ニ
ッケル、マンガン、コバルトの酸化物は水素を含む還元
性雰囲気中で焼成を行う場合の着色成分である。モリブ
デン、タングステン、鉄、ニッケル、マンガン、コバル
トの酸化物の内、少なくとも１種が必要である。そして
その合計量が０．１ｗｔ％未満では着色が不十分で外観
上好ましくない。逆にその合計量が５ｗｔ％を越えると
焼結性が低下し、強度が劣化する。
ッケル、マンガン、コバルトの酸化物は水素を含む還元
性雰囲気中で焼成を行う場合の着色成分である。モリブ
デン、タングステン、鉄、ニッケル、マンガン、コバル
トの酸化物の内、少なくとも１種が必要である。そして
その合計量が０．１ｗｔ％未満では着色が不十分で外観
上好ましくない。逆にその合計量が５ｗｔ％を越えると
焼結性が低下し、強度が劣化する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】また、バナジウム、モリブデン、鉄の酸化
物は中性雰囲気中で焼成を行う場合の着色成分である。
バナジウム、モリブデン、鉄の酸化物の内、少なくとも
１種が必要である。そしてその合計量が０．１ｗｔ％未
満では着色が不十分で外観上好ましくない。逆にその合
計量が５ｗｔ％を越えると焼結性が低下し、強度が劣化
する。
物は中性雰囲気中で焼成を行う場合の着色成分である。
バナジウム、モリブデン、鉄の酸化物の内、少なくとも
１種が必要である。そしてその合計量が０．１ｗｔ％未
満では着色が不十分で外観上好ましくない。逆にその合
計量が５ｗｔ％を越えると焼結性が低下し、強度が劣化
する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】結晶相 前述ので得られたサンプルと同じ物を再び微粉体とし
た後、粉末Ｘ線回折により測定した。
た後、粉末Ｘ線回折により測定した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗林 秀行 兵庫県西宮市浜松原町２番21号山村硝子株 式会社内 (72)発明者 田中 淳 鹿児島県国分市山下町１番１号京セラ株式 会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 小長 智美 鹿児島県国分市山下町１番１号京セラ株式 会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 森上 義博 鹿児島県国分市山下町１番１号京セラ株式 会社鹿児島国分工場内
Claims (14)
- 【請求項１】 熱処理することによりムライトを主結
晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリン
の内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラスで
あって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須）からなる低温焼成基板用ガラス
組成物。 - 【請求項２】 熱処理することによりムライトを主結
晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリン
の内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラスで
あって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須） 銅、バナジウム、モリブデン、タングステン、鉄、ニッ
ケル、マンガン、コバルトの酸化物の内少なくとも１
種：０．１〜５％ からなる低温焼成基板用ガラス組成物。 - 【請求項３】 熱処理することによりムライトを主結
晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリン
の内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラスで
あって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須）からなる低温焼成基板用ガラス
組成物の粉末１００重量部に対し、銅、バナジウム、モ
リブデン、タングステン、鉄、ニッケル、マンガン、コ
バルトの酸化物粉末、金属塩化合物粉末、金属粉末の内
少なくとも１種０．１〜５重量部をフィラ―として添
加、混合した低温焼成基板用組成物。 - 【請求項４】 熱処理することによりムライトを主結
晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリン
の内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラスで
あって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須）からなる低温焼成基板用ガラス
組成物の粉末を成形し、その上にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａ
ｕのいずれかを主成分とする導体ペーストで配線を形成
した後、大気中もしくは中性雰囲気中で焼成して作製さ
れる低温焼成基板。 - 【請求項５】 熱処理することによりムライトを主結
晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリン
の内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラスで
あって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須）からなる低温焼成基板用ガラス
組成物の粉末を成形し、その上にＣｕを主成分とする導
体ペーストで配線を形成した後、水素を含む還元性雰囲
気中もしくは中性雰囲気中で焼成して作製される低温焼
成基板。 - 【請求項６】 熱処理することによりムライトを主結
晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリン
の内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラスで
あって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須） 銅、バナジウム、鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの
酸化物の内少なくとも１種：０．１〜５％ からなる低温焼成基板用ガラス組成物の粉末を成形し、
その上にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕのいずれかを主成分と
する導体ペーストで配線を形成した後、大気中で焼成し
て作製される低温焼成基板。 - 【請求項７】 熱処理することによりムライトを主結
晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリン
の内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラスで
あって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須） モリブデン、タングステン、鉄、ニッケル、マンガン、
コバルトの酸化物の内少なくとも１種：０．１〜５％ からなる低温焼成基板用ガラス組成物の粉末を成形し、
その上にＣｕを主成分とする導体ペーストで配線を形成
した後、水素を含む還元性雰囲気中で焼成して作製され
る低温焼成基板。 - 【請求項８】 熱処理することによりムライトを主結
晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリン
の内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラスで
あって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須） バナジウム、モリブデン、鉄の酸化物の内少なくとも１
種：０．１〜５％ からなる低温焼成基板用ガラス組成物の粉末を成形し、
その上にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕのいずれかを主
成分とする導体ペーストで配線を形成した後、中性雰囲
気中で焼成して作製される低温焼成基板。 - 【請求項９】 熱処理することによりムライトを主結
晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリン
の内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラスで
あって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須）からなる低温焼成基板用ガラス
組成物の粉末１００重量部に対し、銅、バナジウム、
鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの酸化物粉末、金属
塩化合物粉末、金属粉末の内少なくとも１種０．１〜５
重量部をフィラ―として添加、混合して成形し、その上
にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕのいずれかを主成分とする導
体ペーストで配線を形成した後、大気中で焼成して作製
される低温焼成基板。 - 【請求項１０】 熱処理することによりムライトを主
結晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリ
ンの内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラス
であって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須）からなる低温焼成基板用ガラス
組成物の粉末１００重量部に対し、モリブデン、タング
ステン、鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの酸化物粉
末、金属塩化合物粉末、金属粉末の内少なくとも１種
０．１〜５重量部をフィラ―として添加、混合して成形
し、その上にＣｕを主成分とする導体ペーストで配線を
形成した後、水素を含む還元性雰囲気中で焼成して作製
される低温焼成基板。 - 【請求項１１】 熱処理することによりムライトを主
結晶相とし、フォルステライト、スピネル及びサフィリ
ンの内少なくとも１種を副結晶相として析出するガラス
であって、酸化物の重量％表示で： Ａｌ2 Ｏ3 ：４５〜５８％ ＳｉＯ2 ：２０〜３５％ Ｂ2 Ｏ3 ： ５〜１５％ ＭｇＯ ： ５〜２０％ Ｌｉ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ ： ０〜 ２％ Ｋ2 Ｏ ： ０〜 ２％ 但し、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜４％ （少なくとも２種必須）からなる低温焼成基板用ガラス
組成物の粉末１００重量部に対し、バナジウム、モリブ
デン、鉄の酸化物粉末、金属塩化合物粉末、金属粉末の
内少なくとも１種０．１〜５重量部をフィラ―として添
加、混合して成形し、その上にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａ
ｕ、Ｃｕのいずれかを主成分とする導体ペーストで配線
を形成した後、中性雰囲気中で焼成して作製される低温
焼成基板。 - 【請求項１２】 ガラスの熱処理後、抗析強度が２３
kgｆ／mm2 以上であることを特徴とする請求項１または
２に記載の低温焼成基板用ガラス組成物。 - 【請求項１３】 ガラスとフィラーの混合物の熱処理
後、抗析強度が２３kgｆ／mm2 以上であることを特徴と
する請求項３に記載の低温焼成基板用組成物。 - 【請求項１４】 抗析強度が２３kgｆ／mm2 以上であ
ることを特徴とする請求項４乃至１１のいずれかに記載
の低温焼成基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23543793A JP3375181B2 (ja) | 1992-11-21 | 1993-08-26 | 低温焼成基板用ガラス組成物およびそれから得られる低温焼成基板 |
| US08/156,059 US5468694A (en) | 1992-11-21 | 1993-11-22 | Composition for producing low temperature co-fired substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33555492 | 1992-11-21 | ||
| JP4-335554 | 1992-11-21 | ||
| JP23543793A JP3375181B2 (ja) | 1992-11-21 | 1993-08-26 | 低温焼成基板用ガラス組成物およびそれから得られる低温焼成基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06206736A true JPH06206736A (ja) | 1994-07-26 |
| JP3375181B2 JP3375181B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=26532125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23543793A Expired - Fee Related JP3375181B2 (ja) | 1992-11-21 | 1993-08-26 | 低温焼成基板用ガラス組成物およびそれから得られる低温焼成基板 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3375181B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US7417001B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-08-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
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- 1993-08-26 JP JP23543793A patent/JP3375181B2/ja not_active Expired - Fee Related
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