JPH06202510A - 加熱体、加熱装置、及び画像形成装置 - Google Patents
加熱体、加熱装置、及び画像形成装置Info
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- JPH06202510A JPH06202510A JP36159692A JP36159692A JPH06202510A JP H06202510 A JPH06202510 A JP H06202510A JP 36159692 A JP36159692 A JP 36159692A JP 36159692 A JP36159692 A JP 36159692A JP H06202510 A JPH06202510 A JP H06202510A
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- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック基板と、該基板上に形成された通
電により発熱する抵抗体と、検温素子を備え、前記抵抗
体に電力が供給されて発熱し、前記検温素子の検温情報
に基づいて前記抵抗体に対する供給電力の制御がなされ
る加熱体について、熱容量が小さく、耐久性のある、ば
らつきの小さい、信頼性の高い、加熱体を構成するこ
と。 【構成】 セラミック基板３１と、該基板３１上に印刷
・焼成を経て形成された厚膜抵抗体３２と、該セラミッ
ク基板３１上に薄膜形成された感温抵抗体５２を備え、
前記厚膜抵抗体３２に電力が供給されて発熱し、前記感
温抵抗体５２の検温情報に基づいて前記厚膜抵抗体３２
に対する供給電力の制御がなされることを特徴とする加
熱体。
電により発熱する抵抗体と、検温素子を備え、前記抵抗
体に電力が供給されて発熱し、前記検温素子の検温情報
に基づいて前記抵抗体に対する供給電力の制御がなされ
る加熱体について、熱容量が小さく、耐久性のある、ば
らつきの小さい、信頼性の高い、加熱体を構成するこ
と。 【構成】 セラミック基板３１と、該基板３１上に印刷
・焼成を経て形成された厚膜抵抗体３２と、該セラミッ
ク基板３１上に薄膜形成された感温抵抗体５２を備え、
前記厚膜抵抗体３２に電力が供給されて発熱し、前記感
温抵抗体５２の検温情報に基づいて前記厚膜抵抗体３２
に対する供給電力の制御がなされることを特徴とする加
熱体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加熱体、加熱装置、及
び画像形成装置に関する。
び画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】被加熱材の加熱装置として、特開昭６３
−３１３１８２号公報・特開平１−２６３６７９号公報
・特開平２−１５７８７８号公報・特開平４−４４０７
５〜４４０８３号公報等でフィルム加熱方式の加熱装置
が知られている。
−３１３１８２号公報・特開平１−２６３６７９号公報
・特開平２−１５７８７８号公報・特開平４−４４０７
５〜４４０８３号公報等でフィルム加熱方式の加熱装置
が知られている。
【０００３】この加熱装置は、被加熱材を加熱体と耐熱
フィルムを介して密着させ加熱体と耐熱フィルムとを相
対移動させて加熱体の熱を耐熱フィルムを介して被加熱
材へ与える方式・構成のものであり、電子写真複写機・
プリンタ・ファクシミリ等の画像形成装置における画像
加熱定着装置（熱定着器）、即ち電子写真・静電記録・
磁気記録等の適宜の画像形成プロセス手段により加熱溶
融性の樹脂等よりなるトナーを用いて記録材（エレクト
ロファックスシート・静電記録シート・転写材シート・
印刷紙など）の面に直接方式もしくは間接（転写）方式
で形成した目的の画像情報に対応した未定着トナー画像
を該画像を担持している記録材面に永久固着画像として
加熱定着処理する手段として活用できる。
フィルムを介して密着させ加熱体と耐熱フィルムとを相
対移動させて加熱体の熱を耐熱フィルムを介して被加熱
材へ与える方式・構成のものであり、電子写真複写機・
プリンタ・ファクシミリ等の画像形成装置における画像
加熱定着装置（熱定着器）、即ち電子写真・静電記録・
磁気記録等の適宜の画像形成プロセス手段により加熱溶
融性の樹脂等よりなるトナーを用いて記録材（エレクト
ロファックスシート・静電記録シート・転写材シート・
印刷紙など）の面に直接方式もしくは間接（転写）方式
で形成した目的の画像情報に対応した未定着トナー画像
を該画像を担持している記録材面に永久固着画像として
加熱定着処理する手段として活用できる。
【０００４】また、例えば、画像担持した記録材を加熱
して表面性（艶など）を改質する装置、仮定着処理する
装置など、その他、被加熱材を加熱処理する手段として
広く使用できる。
して表面性（艶など）を改質する装置、仮定着処理する
装置など、その他、被加熱材を加熱処理する手段として
広く使用できる。
【０００５】このようなフィルム加熱方式の加熱装置
は、昇温の速い低熱容量の加熱体や薄膜のフィルムを用
いることができるため、省電力化やウェイトタイムの短
縮化（クイックスタート性）が可能となる、画像形成装
置等の本機の機内昇温を低めることができる等の利点を
有し、効果的なものである。
は、昇温の速い低熱容量の加熱体や薄膜のフィルムを用
いることができるため、省電力化やウェイトタイムの短
縮化（クイックスタート性）が可能となる、画像形成装
置等の本機の機内昇温を低めることができる等の利点を
有し、効果的なものである。
【０００６】加熱体としては、耐熱性・絶縁性のセラミ
ック基板と、該基板に印刷・焼成を経て形成された厚膜
抵抗体を基本構成とし、該抵抗体に電力を供給して発熱
させる所謂セラミックヒータが用いられている。
ック基板と、該基板に印刷・焼成を経て形成された厚膜
抵抗体を基本構成とし、該抵抗体に電力を供給して発熱
させる所謂セラミックヒータが用いられている。
【０００７】図７・図８に、特開平４−４４０７５〜４
４０８３号公報等に開示の、画像加熱定着装置としての
フィルム加熱方式の加熱装置を示した。図７は要部の概
略の横断面図、図８は要部の一部切欠き分解斜視図であ
る。
４０８３号公報等に開示の、画像加熱定着装置としての
フィルム加熱方式の加熱装置を示した。図７は要部の概
略の横断面図、図８は要部の一部切欠き分解斜視図であ
る。
【０００８】１はフィルム内面ガイド部材（ガイドステ
ー部材）、３はこのフィルム内面ガイド部材の下面に耐
熱・断熱材製のヒータホルダ２を介して配設した加熱体
としてのセラミックヒータ、４はこのヒータ３付のフィ
ルム内面ガイド部材１にルーズに外嵌させた円筒型の耐
熱性フィルム（定着フィルム）、５は該フィルム４を介
してヒータ３に対して圧接させた加圧部材としての加圧
ローラである。
ー部材）、３はこのフィルム内面ガイド部材の下面に耐
熱・断熱材製のヒータホルダ２を介して配設した加熱体
としてのセラミックヒータ、４はこのヒータ３付のフィ
ルム内面ガイド部材１にルーズに外嵌させた円筒型の耐
熱性フィルム（定着フィルム）、５は該フィルム４を介
してヒータ３に対して圧接させた加圧部材としての加圧
ローラである。
【０００９】加熱体としてのセラミックヒータ３は被加
熱材としての記録材Ｐの搬送方向に直交する方向（図７
において図面に垂直な方向）を長手とする絶縁性・高耐
熱性・低熱容量のアルミナ等のセラミック基板３１と、
この基板３１の表面側（フィルム擦動面側）に長手に沿
って印刷・焼成を経て形成されたＰｄＡｇ等の線状或い
は細帯状の発熱源としての厚膜抵抗体（通電発熱抵抗
体）３２を基本構成とする全体的に低熱容量のものであ
る。厚膜抵抗体３２を形成した側の基板表面側はガラス
・フッ素樹脂等の薄い表面保護層３３を設けてある。ま
た基板裏面側には検温素子（温度測定器、例えばサーミ
スタ）３４・過熱保護手段（過熱防止部材、例えば温度
ヒューズ）３５等を設けてある。
熱材としての記録材Ｐの搬送方向に直交する方向（図７
において図面に垂直な方向）を長手とする絶縁性・高耐
熱性・低熱容量のアルミナ等のセラミック基板３１と、
この基板３１の表面側（フィルム擦動面側）に長手に沿
って印刷・焼成を経て形成されたＰｄＡｇ等の線状或い
は細帯状の発熱源としての厚膜抵抗体（通電発熱抵抗
体）３２を基本構成とする全体的に低熱容量のものであ
る。厚膜抵抗体３２を形成した側の基板表面側はガラス
・フッ素樹脂等の薄い表面保護層３３を設けてある。ま
た基板裏面側には検温素子（温度測定器、例えばサーミ
スタ）３４・過熱保護手段（過熱防止部材、例えば温度
ヒューズ）３５等を設けてある。
【００１０】該セラミックヒータ３は厚膜抵抗体３２の
長手両端間に通電がなされて該抵抗体３２が発熱し全体
が急速昇温する。そしてその昇温が検温素子３４で検知
されその検知情報に基づいて通電制御系により厚膜抵抗
体３２への通電が制御され、ヒータ３の温度が所定の定
着温度に制御される。
長手両端間に通電がなされて該抵抗体３２が発熱し全体
が急速昇温する。そしてその昇温が検温素子３４で検知
されその検知情報に基づいて通電制御系により厚膜抵抗
体３２への通電が制御され、ヒータ３の温度が所定の定
着温度に制御される。
【００１１】８（図８）は厚膜抵抗体３２に対する通電
コネクタであり、ヒータ３の長手一端部に嵌着されて厚
膜抵抗体３２と通電回路とを接続化する。９はサーミス
タ３４の信号を取り出すコネクタであり、ヒータ３の長
手他端部に嵌着されて検温素子であるサーミスタ３４と
制御回路とを接続化する。
コネクタであり、ヒータ３の長手一端部に嵌着されて厚
膜抵抗体３２と通電回路とを接続化する。９はサーミス
タ３４の信号を取り出すコネクタであり、ヒータ３の長
手他端部に嵌着されて検温素子であるサーミスタ３４と
制御回路とを接続化する。
【００１２】フィルム４は熱容量を小さくしてクイック
スタート性を向上させるためにフィルム膜厚は１００μ
ｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、２０μｍ以上の、耐
熱性・トナー離型性・強靭性を有するＰＴＦＥ、ＰＦ
Ａ、ＦＥＰ等の単層フィルム、あるいはポリイミド、ポ
リアミドイミド、ＰＥＥＫ、ＰＥＳ、ＰＰＥ等の円筒型
フィルムの外周表面にＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ等をコ
ーティングした複合層フィルムを使用できる。
スタート性を向上させるためにフィルム膜厚は１００μ
ｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、２０μｍ以上の、耐
熱性・トナー離型性・強靭性を有するＰＴＦＥ、ＰＦ
Ａ、ＦＥＰ等の単層フィルム、あるいはポリイミド、ポ
リアミドイミド、ＰＥＥＫ、ＰＥＳ、ＰＰＥ等の円筒型
フィルムの外周表面にＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ等をコ
ーティングした複合層フィルムを使用できる。
【００１３】加圧ローラ５は芯金に同心一体にシリコン
ゴム等の離型性の良い耐熱ゴム層を形成したものなどで
ある。
ゴム等の離型性の良い耐熱ゴム層を形成したものなどで
ある。
【００１４】この加圧ローラ５とヒータ３との間にフィ
ルム４を挟ませて加圧ローラ５とヒータ３とを所定の押
圧力で圧接させてある。Ｎはフィルム４を挟んでヒータ
３と加圧ローラ５との圧接で形成されるニップ部（定着
ニップ部）である。
ルム４を挟ませて加圧ローラ５とヒータ３とを所定の押
圧力で圧接させてある。Ｎはフィルム４を挟んでヒータ
３と加圧ローラ５との圧接で形成されるニップ部（定着
ニップ部）である。
【００１５】加圧ローラ５はその一方の軸端に固着した
ギヤ（不図示）が画像形成装置本体の駆動系のギヤ（不
図示）に噛合しており、所定の周速度をもって回転駆動
されることで加圧ローラ５の表面摩擦力で円筒型の定着
フィルム４がヒータ３の表面に密着摺動してフィルム内
面ガイド部材１の回りを回転駆動される。
ギヤ（不図示）が画像形成装置本体の駆動系のギヤ（不
図示）に噛合しており、所定の周速度をもって回転駆動
されることで加圧ローラ５の表面摩擦力で円筒型の定着
フィルム４がヒータ３の表面に密着摺動してフィルム内
面ガイド部材１の回りを回転駆動される。
【００１６】フィルム４が加圧ローラ５の回転駆動によ
り回転しており、またヒータ３の加熱状態において、不
図示の画像形成プロセス手段部から搬送された、被加熱
材としての未定着トナー画像を上面に担持した記録材Ｐ
が入口ガイド６で定着ニップ部Ｎの回転フィルム４と回
転加圧ローラ５との間に導入される。
り回転しており、またヒータ３の加熱状態において、不
図示の画像形成プロセス手段部から搬送された、被加熱
材としての未定着トナー画像を上面に担持した記録材Ｐ
が入口ガイド６で定着ニップ部Ｎの回転フィルム４と回
転加圧ローラ５との間に導入される。
【００１７】定着ニップ部Ｎに導入された記録材Ｐは回
転するフィルム４の面に密着して該フィルム４と一緒に
定着ニップ部Ｎを通過することで、記録材Ｐが定着ニッ
プ部Ｎを通過する過程で、ヒータ３の熱エネルギーがフ
ィルム４を介して記録材Ｐに与えられてトナー画像の加
熱定着がなされる。
転するフィルム４の面に密着して該フィルム４と一緒に
定着ニップ部Ｎを通過することで、記録材Ｐが定着ニッ
プ部Ｎを通過する過程で、ヒータ３の熱エネルギーがフ
ィルム４を介して記録材Ｐに与えられてトナー画像の加
熱定着がなされる。
【００１８】定着ニップ部Ｎを通過した記録材Ｐは排出
ガイド７を通過して所定の排出トレイ（不図示）へ出力
される。
ガイド７を通過して所定の排出トレイ（不図示）へ出力
される。
【００１９】図９はヒータ３に対する通電系のブロック
回路図である。ヒータ３の一端部に通電用コネクタ８が
嵌着されるので、商用電源１０２→トライアック等の抵
抗体通電手段１０１→ヒータ３の表面側の厚膜抵抗体３
２→ヒータ３の裏面側の過熱保護手段としての温度ヒュ
ーズ３５、の通電回路が構成され、通電手段１０１で制
御された電力がヒータ３の厚膜抵抗体３２へ供給されて
ヒータが加熱される。
回路図である。ヒータ３の一端部に通電用コネクタ８が
嵌着されるので、商用電源１０２→トライアック等の抵
抗体通電手段１０１→ヒータ３の表面側の厚膜抵抗体３
２→ヒータ３の裏面側の過熱保護手段としての温度ヒュ
ーズ３５、の通電回路が構成され、通電手段１０１で制
御された電力がヒータ３の厚膜抵抗体３２へ供給されて
ヒータが加熱される。
【００２０】またヒータ３の他端部に信号取り出し用コ
ネクタ９が嵌着されることで、ヒータ３の裏面側の検温
素子であるサーミスタ３４と制御系のＡ／Ｄコンバータ
１０３とが接続化され、分圧抵抗１０４でサーミスタ電
圧が取り出されてＡ／Ｄコンバータ１０３へ入力され、
８ビットのディジタルデータＳ1 としてＣＰＵ１００へ
取り込まれる。
ネクタ９が嵌着されることで、ヒータ３の裏面側の検温
素子であるサーミスタ３４と制御系のＡ／Ｄコンバータ
１０３とが接続化され、分圧抵抗１０４でサーミスタ電
圧が取り出されてＡ／Ｄコンバータ１０３へ入力され、
８ビットのディジタルデータＳ1 としてＣＰＵ１００へ
取り込まれる。
【００２１】ＣＰＵ１００はその入力ディジタルデータ
Ｓ1 を基にヒータ３を所定の一定温度に制御すべく通電
手段１０１を制御する。
Ｓ1 を基にヒータ３を所定の一定温度に制御すべく通電
手段１０１を制御する。
【００２２】またＣＰＵ１００は所定の制御信号群Ｓ2
で画像データ処理ユニット（コントローラ）１０５と接
続され、さらに該ユニット１０５はインターフェース信
号Ｓ3 により画像形成装置外のホストコンピュータ１０
６と接続される。
で画像データ処理ユニット（コントローラ）１０５と接
続され、さらに該ユニット１０５はインターフェース信
号Ｓ3 により画像形成装置外のホストコンピュータ１０
６と接続される。
【００２３】ヒータ３の過熱保護手段３５は、ヒータ３
の暴走でヒータが所定の温度以上に過熱されると厚膜抵
抗体３２に対する通電を緊急遮断する役目をする。
の暴走でヒータが所定の温度以上に過熱されると厚膜抵
抗体３２に対する通電を緊急遮断する役目をする。
【００２４】
（Ａ）上述例のようなフィルム加熱方式の加熱装置にお
いて加熱体３として使用されるセラミックヒータ、即ち
セラミック基板と、該基板に印刷・焼成を経て形成され
た厚膜抵抗体を基本構成とし、該抵抗体に電力を供給し
て発熱させる加熱体は、熱容量の小さい加熱装置を実現
でき、装置の温度を素早く変化させることができる。ま
た突入電流が無い。これらの特徴は上述例のような画像
加熱定着装置等の発熱源として有利であり、画像加熱定
着装置の発熱源として従来主流であるハロゲンヒータに
比べて優れている。
いて加熱体３として使用されるセラミックヒータ、即ち
セラミック基板と、該基板に印刷・焼成を経て形成され
た厚膜抵抗体を基本構成とし、該抵抗体に電力を供給し
て発熱させる加熱体は、熱容量の小さい加熱装置を実現
でき、装置の温度を素早く変化させることができる。ま
た突入電流が無い。これらの特徴は上述例のような画像
加熱定着装置等の発熱源として有利であり、画像加熱定
着装置の発熱源として従来主流であるハロゲンヒータに
比べて優れている。
【００２５】しかし、加熱体の熱容量の小ささは加熱装
置の温度制御を難しくする。特に温度制御の要となる検
温素子３４の熱容量は温度制御に悪影響を与える。
置の温度制御を難しくする。特に温度制御の要となる検
温素子３４の熱容量は温度制御に悪影響を与える。
【００２６】この問題を解決するため従来は図１０或い
は図１１のような検温素子配設形態を用いていた。
は図１１のような検温素子配設形態を用いていた。
【００２７】図１０のものにおいて、３２はセラミック
基板３１の表面側に長手に沿って細帯状に形成した厚膜
抵抗体あり、ガラス入りＰｄＡｇ等を印刷・焼成して作
られている。
基板３１の表面側に長手に沿って細帯状に形成した厚膜
抵抗体あり、ガラス入りＰｄＡｇ等を印刷・焼成して作
られている。
【００２８】３２ａはこの厚膜抵抗体３２の図面上右端
側のセラミック基板表面部分に該厚膜抵抗体３２に導通
させて形成した電気的接点である電極である。３２ｂは
該厚膜抵抗体３２に略並行させてセラミック基板表面に
形成した通電路としての導電層である。この導電層３２
ｂの左端部と厚膜抵抗体３２の左端部とは導通させてあ
る。
側のセラミック基板表面部分に該厚膜抵抗体３２に導通
させて形成した電気的接点である電極である。３２ｂは
該厚膜抵抗体３２に略並行させてセラミック基板表面に
形成した通電路としての導電層である。この導電層３２
ｂの左端部と厚膜抵抗体３２の左端部とは導通させてあ
る。
【００２９】またこの導電層３２ｂの右端部は導電性ス
ルーホール３２ｃを介してセラミック基板３１の裏面側
に形成した通電路としての導電層３２ｄの左端部と導通
している。３２ｅはこの導電層３２ｄの右端部に一連に
形成した電気的接点である電極である。
ルーホール３２ｃを介してセラミック基板３１の裏面側
に形成した通電路としての導電層３２ｄの左端部と導通
している。３２ｅはこの導電層３２ｄの右端部に一連に
形成した電気的接点である電極である。
【００３０】上記の電極３２ａ・３２ｅ、導電路３２ｂ
・３２ｄはＡｇ、ＰｄＡｇ等を印刷・焼成して作られて
いる。
・３２ｄはＡｇ、ＰｄＡｇ等を印刷・焼成して作られて
いる。
【００３１】このヒータ３の右端部に通電用コネクタ８
（図８・図９）を嵌着することで上記の電極３２ａ・３
２ｅに対してそれぞれ該コネクタ８側の給電電極が接触
してヒータ３と通電回路１０１・１０２が接続化する。
（図８・図９）を嵌着することで上記の電極３２ａ・３
２ｅに対してそれぞれ該コネクタ８側の給電電極が接触
してヒータ３と通電回路１０１・１０２が接続化する。
【００３２】３４は検温素子としてのサーミスタであ
り、ヒータ３のセラミック基板裏面に対して、サーミス
タ電極と、サーミスタをセラミック基板３１に押し付け
るバネの役割を合わせ持ったバネ電極３４ａ・３４ｂで
もって押圧接触状態に保持させてある。
り、ヒータ３のセラミック基板裏面に対して、サーミス
タ電極と、サーミスタをセラミック基板３１に押し付け
るバネの役割を合わせ持ったバネ電極３４ａ・３４ｂで
もって押圧接触状態に保持させてある。
【００３３】図１１のものは、サーミスタ３４をセラミ
ック基板３１の裏面に直に実装したものである。即ち、
セラミック基板３１の裏面側に一対の通電路としての並
行２本の導電層３４ｃ・３４ｄを形成し、この２本の導
電層３４ｃ・３４ｄの右端部間にサーミスタ３４を配置
し、導電性接着剤３４ｅにより導電層３４ｃ・３４ｄに
導通させてセラミック基板裏面に設けたものである。
ック基板３１の裏面に直に実装したものである。即ち、
セラミック基板３１の裏面側に一対の通電路としての並
行２本の導電層３４ｃ・３４ｄを形成し、この２本の導
電層３４ｃ・３４ｄの右端部間にサーミスタ３４を配置
し、導電性接着剤３４ｅにより導電層３４ｃ・３４ｄに
導通させてセラミック基板裏面に設けたものである。
【００３４】上記２本の導電層３４ｃ・３４ｄの左端側
は、それぞれ導電性のスルーホール３４ｆ・３４ｇを介
して、セラミック基板表面の左端側の形成した２つの電
気的接点としての電極３４ｈ・３４ｉに導通させてあ
る。
は、それぞれ導電性のスルーホール３４ｆ・３４ｇを介
して、セラミック基板表面の左端側の形成した２つの電
気的接点としての電極３４ｈ・３４ｉに導通させてあ
る。
【００３５】該ヒータ３の左端部に信号取り出し用コネ
クタ９（図８・図９）を嵌着することで上記の電極３４
ｈ・３４ｉに対してそれぞれ該コネクタ９側の電極が接
触してサーミスタ３と制御系のＡ／Ｄコンバータ１０３
とが接続化される。
クタ９（図８・図９）を嵌着することで上記の電極３４
ｈ・３４ｉに対してそれぞれ該コネクタ９側の電極が接
触してサーミスタ３と制御系のＡ／Ｄコンバータ１０３
とが接続化される。
【００３６】導電層３４ｃ・３４ｄ、電極３４ｈ・３４
ｉはＡｇ、ＰｄＡｇ等を印刷・焼成して作られている。
また厚膜抵抗体３２、電極３２ａ・３２ｅ、導電層３２
ｂ・３２ｄ、スルーホール３２ｃは前記図１０のものと
同様である。
ｉはＡｇ、ＰｄＡｇ等を印刷・焼成して作られている。
また厚膜抵抗体３２、電極３２ａ・３２ｅ、導電層３２
ｂ・３２ｄ、スルーホール３２ｃは前記図１０のものと
同様である。
【００３７】しかし、前述図１０のサーミスタ押圧接触
式のものは熱容量を小さくするには限界があり、十分小
さくできない。またバネ３４ａ・３４ｂの押圧のばらつ
きにより検出温度に差異が出る等の問題が存在する。
式のものは熱容量を小さくするには限界があり、十分小
さくできない。またバネ３４ａ・３４ｂの押圧のばらつ
きにより検出温度に差異が出る等の問題が存在する。
【００３８】また前述図１１のサーミスタ接着式のもの
は接着剤３４ｅを使用するため耐久性に劣るという問題
があった。
は接着剤３４ｅを使用するため耐久性に劣るという問題
があった。
【００３９】そこで本発明の第１の目的は、この種の加
熱体もしくは加熱装置について、熱容量が小さく、耐久
性のある、ばらつきの小さい、信頼性の高いものを構成
することにある。
熱体もしくは加熱装置について、熱容量が小さく、耐久
性のある、ばらつきの小さい、信頼性の高いものを構成
することにある。
【００４０】（Ｂ）従来、画像形成装置において画像定
着用の加熱装置としての画像加熱定着装置の最も一般的
なものは、ハロゲンヒータを内装した加熱ローラ（定着
ローラ）を所定の温度に制御し、この加熱ローラと加圧
ローラとの圧接ニップ部に未定着画像を形成担持させた
記録材を導入して挟持搬送することで画像を加熱定着す
る熱ローラ方式のものである。
着用の加熱装置としての画像加熱定着装置の最も一般的
なものは、ハロゲンヒータを内装した加熱ローラ（定着
ローラ）を所定の温度に制御し、この加熱ローラと加圧
ローラとの圧接ニップ部に未定着画像を形成担持させた
記録材を導入して挟持搬送することで画像を加熱定着す
る熱ローラ方式のものである。
【００４１】このような装置の場合は、加熱手段である
加熱ローラの熱容量がフィルム加熱方式で用いられる前
記のような加熱体に比べて大きいため、記録材の通過す
る加熱ローラ部分（通紙部）と、通過しない加熱ローラ
部分（被通紙部）との加熱ローラ表面の温度差（非通紙
部昇温）はさほど大きくならない。
加熱ローラの熱容量がフィルム加熱方式で用いられる前
記のような加熱体に比べて大きいため、記録材の通過す
る加熱ローラ部分（通紙部）と、通過しない加熱ローラ
部分（被通紙部）との加熱ローラ表面の温度差（非通紙
部昇温）はさほど大きくならない。
【００４２】記録材の定着ニップ部通過スピードや加熱
ローラの制御温度等の条件により異なるが、大むね上記
の温度差は２０ｄｅｇ〜５０ｄｅｇ程度である。
ローラの制御温度等の条件により異なるが、大むね上記
の温度差は２０ｄｅｇ〜５０ｄｅｇ程度である。
【００４３】しかし、前述のようなフィルム加熱方式の
加熱装置では、加熱手段としてのヒータ３と、被加熱材
としての記録材Ｐとの間には耐熱性フィルム４しかな
く、加圧ローラ５を含めた加熱系の熱容量が小さいの
で、耐熱性フィルム表面の記録材通紙部と非通紙部との
温度差は最悪条件では１００ｄｅｇ位となってしまう。
加熱装置では、加熱手段としてのヒータ３と、被加熱材
としての記録材Ｐとの間には耐熱性フィルム４しかな
く、加圧ローラ５を含めた加熱系の熱容量が小さいの
で、耐熱性フィルム表面の記録材通紙部と非通紙部との
温度差は最悪条件では１００ｄｅｇ位となってしまう。
【００４４】図１２にＣＰＵ１００（図９）が加熱体３
を一定温度に制御したときの、幅広Ｗａの記録材Ｐを通
紙したときと、幅狭Ｗｂの記録材Ｐを通紙したときとに
おける、フィルム４と加圧ローラ５との間（定着ニップ
部Ｎ）の長手に沿う温度分布を示した。（ｂ）が幅広Ｗ
ａの記録材Ｐを通紙したとき、（ｃ）が幅狭Ｗｂの記録
材Ｐを通紙した時のものである。（ｃ）では通紙部と被
通紙部の温度差△Ｔは最悪１００ｄｅｇにもなる。
を一定温度に制御したときの、幅広Ｗａの記録材Ｐを通
紙したときと、幅狭Ｗｂの記録材Ｐを通紙したときとに
おける、フィルム４と加圧ローラ５との間（定着ニップ
部Ｎ）の長手に沿う温度分布を示した。（ｂ）が幅広Ｗ
ａの記録材Ｐを通紙したとき、（ｃ）が幅狭Ｗｂの記録
材Ｐを通紙した時のものである。（ｃ）では通紙部と被
通紙部の温度差△Ｔは最悪１００ｄｅｇにもなる。
【００４５】（ｃ）の様な状態では、非通紙部の温度Ｔ
が２００°Ｃをこえるため、加熱手段であるヒータ３の
過熱保護手段３５がその取り付け位置によっては画像形
成装置の使い方には問題ないのに切れてしまうことがあ
る。
が２００°Ｃをこえるため、加熱手段であるヒータ３の
過熱保護手段３５がその取り付け位置によっては画像形
成装置の使い方には問題ないのに切れてしまうことがあ
る。
【００４６】又、切れてしまわない様に過熱保護部材３
５をヒータ３から遠ざけて配設することが必要となる。
このような場合、ヒータ３が画像形成装置内の何らかの
不具合により過熱したときに、過熱保護部材３５が作動
する温度が上がってしまうため、画像形成装置の安全性
が低下してしまう。
５をヒータ３から遠ざけて配設することが必要となる。
このような場合、ヒータ３が画像形成装置内の何らかの
不具合により過熱したときに、過熱保護部材３５が作動
する温度が上がってしまうため、画像形成装置の安全性
が低下してしまう。
【００４７】そこで本発明の第２の目的は、この種の加
熱装置について、過熱保護部材３５の誤作動を防ぐとと
もに、安全性の高い、信頼性のあるものにすることにあ
る。また該加熱装置を画像形成定着装置として備えた安
全性の高い画像形成装置を提供することにある。
熱装置について、過熱保護部材３５の誤作動を防ぐとと
もに、安全性の高い、信頼性のあるものにすることにあ
る。また該加熱装置を画像形成定着装置として備えた安
全性の高い画像形成装置を提供することにある。
【００４８】
【課題を解決するための手段】本発明は下記の構成を特
徴とする、加熱体、加熱装置、及び画像形成装置であ
る。
徴とする、加熱体、加熱装置、及び画像形成装置であ
る。
【００４９】（１）セラミック基板と、該基板上に印刷
・焼成を経て形成された厚膜抵抗体と、該セラミック基
板上に薄膜形成された感温抵抗体を備え、前記厚膜抵抗
体に電力が供給されて発熱し、前記感温抵抗体の検温情
報に基づいて前記厚膜抵抗体に対する供給電力の制御が
なされることを特徴とする加熱体。
・焼成を経て形成された厚膜抵抗体と、該セラミック基
板上に薄膜形成された感温抵抗体を備え、前記厚膜抵抗
体に電力が供給されて発熱し、前記感温抵抗体の検温情
報に基づいて前記厚膜抵抗体に対する供給電力の制御が
なされることを特徴とする加熱体。
【００５０】（２）感温抵抗体がスパッタプロセスによ
り形成されたＳｉＣであることを特徴とする（１）の加
熱体。
り形成されたＳｉＣであることを特徴とする（１）の加
熱体。
【００５１】（３）感温抵抗体がスパッツタプロセスに
より形成されたＭｎ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｏであることを特徴
とする（１）の加熱体。
より形成されたＭｎ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｏであることを特徴
とする（１）の加熱体。
【００５２】（４）感温抵抗体の電極として印刷・焼成
を経て形成された厚膜導電体を有し、電気接点部の積層
構造が、セラミック基板、厚膜導電体、感温抵抗体の順
の層構成をなすことを特徴とする（１）の加熱体。
を経て形成された厚膜導電体を有し、電気接点部の積層
構造が、セラミック基板、厚膜導電体、感温抵抗体の順
の層構成をなすことを特徴とする（１）の加熱体。
【００５３】（５）セラミック基板と薄膜形成された感
温抵抗体との間にＳｉＯ2 層を備えたことを特徴とする
（１）の加熱体。
温抵抗体との間にＳｉＯ2 層を備えたことを特徴とする
（１）の加熱体。
【００５４】（６）感温抵抗体がスパッタプロセスによ
り形成されたＳｉＣであることを特徴とする（５）の加
熱体。
り形成されたＳｉＣであることを特徴とする（５）の加
熱体。
【００５５】（７）感温抵抗体がスパッツタプロセスに
より形成されたＭｎ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｏであることを特徴
とする（５）の加熱体。
より形成されたＭｎ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｏであることを特徴
とする（５）の加熱体。
【００５６】（８）感温抵抗体の電極として印刷・焼成
を経て形成された厚膜導電体を有し、ＳｉＯ2 層がスパ
ッタプロセスにより薄膜形成されたものであり、電気接
点部の積層構造が、セラミック基板、厚膜導電体、Ｓｉ
Ｏ2 層、感温抵抗体の順の層構成をなすことを特徴とす
る（５）の加熱体。
を経て形成された厚膜導電体を有し、ＳｉＯ2 層がスパ
ッタプロセスにより薄膜形成されたものであり、電気接
点部の積層構造が、セラミック基板、厚膜導電体、Ｓｉ
Ｏ2 層、感温抵抗体の順の層構成をなすことを特徴とす
る（５）の加熱体。
【００５７】（９）感温抵抗体の電極として印刷・焼成
を経て形成された厚膜導電体を有し、ＳｉＯ2 層が印刷
・焼成により厚膜形成されたものであり、電気接点部の
積層構造が、セラミック基板、ＳｉＯ2 層、厚膜導電
体、感温抵抗体の順の層構成をなすことを特徴とする
（５）の加熱体。
を経て形成された厚膜導電体を有し、ＳｉＯ2 層が印刷
・焼成により厚膜形成されたものであり、電気接点部の
積層構造が、セラミック基板、ＳｉＯ2 層、厚膜導電
体、感温抵抗体の順の層構成をなすことを特徴とする
（５）の加熱体。
【００５８】（１０）被加熱材を加熱体に耐熱性フィル
ムを介して密着させ加熱体と耐熱性フィルムとを相対移
動させ、加熱体の熱を耐熱性フィルムを介して被加熱材
へ与える加熱装置において、前記加熱体が、セラミック
基板と、該基板上に印刷・焼成を経て形成された厚膜抵
抗体と、該セラミック基板上に薄膜形成された感温抵抗
体を備え、前記厚膜抵抗体に電力が供給されて発熱し、
前記感温抵抗体の検温情報に基づいて前記厚膜抵抗体に
対する供給電力の制御がなされることを特徴とする加熱
装置。
ムを介して密着させ加熱体と耐熱性フィルムとを相対移
動させ、加熱体の熱を耐熱性フィルムを介して被加熱材
へ与える加熱装置において、前記加熱体が、セラミック
基板と、該基板上に印刷・焼成を経て形成された厚膜抵
抗体と、該セラミック基板上に薄膜形成された感温抵抗
体を備え、前記厚膜抵抗体に電力が供給されて発熱し、
前記感温抵抗体の検温情報に基づいて前記厚膜抵抗体に
対する供給電力の制御がなされることを特徴とする加熱
装置。
【００５９】（１１）画像形成装置の画像加熱定着装置
であることを特徴とする（１０）に記載の加熱装置。
であることを特徴とする（１０）に記載の加熱装置。
【００６０】（１２）記録材を加熱体に耐熱性フィルム
を介して密着させ加熱体と耐熱性フィルムとを相対移動
させ、加熱体の熱を耐熱性フィルムを介して記録材へ与
える加熱手段を有する画像形成装置において、前記加熱
手段に設けた過熱保護手段と記録材搬送基準との両者の
記録材搬送方向と直交する方向の距離Ｌ1 と、画像形成
装置内の記録材搬送路上に配置した記録材有無検出手段
と記録材搬送基準との両者の記録材搬送方向と直交する
方向の距離Ｌ2 との関係がＬ1 ＜Ｌ2 であることを特徴
とする画像形成装置。
を介して密着させ加熱体と耐熱性フィルムとを相対移動
させ、加熱体の熱を耐熱性フィルムを介して記録材へ与
える加熱手段を有する画像形成装置において、前記加熱
手段に設けた過熱保護手段と記録材搬送基準との両者の
記録材搬送方向と直交する方向の距離Ｌ1 と、画像形成
装置内の記録材搬送路上に配置した記録材有無検出手段
と記録材搬送基準との両者の記録材搬送方向と直交する
方向の距離Ｌ2 との関係がＬ1 ＜Ｌ2 であることを特徴
とする画像形成装置。
【００６１】（１３）記録材有無検出手段は画像形成装
置の画像形成動作が開始されるトリガとなることを特徴
とする（１２）の画像形成装置。
置の画像形成動作が開始されるトリガとなることを特徴
とする（１２）の画像形成装置。
【００６２】（１４）加熱手段の加熱体が、セラミック
基板と、該基板上に印刷・焼成を経て形成された厚膜抵
抗体と、該セラミック基板上に薄膜形成された感温抵抗
体を備え、前記厚膜抵抗体に電力が供給されて発熱し、
前記感温抵抗体の検温情報に基づいて前記厚膜抵抗体に
対する供給電力の制御がなされることを特徴とする（１
２）の画像形成装置。
基板と、該基板上に印刷・焼成を経て形成された厚膜抵
抗体と、該セラミック基板上に薄膜形成された感温抵抗
体を備え、前記厚膜抵抗体に電力が供給されて発熱し、
前記感温抵抗体の検温情報に基づいて前記厚膜抵抗体に
対する供給電力の制御がなされることを特徴とする（１
２）の画像形成装置。
【００６３】
【作用】上記（１）乃至（１１）の構成の加熱体もしく
は加熱装置は、加熱体の検温素子がセラミック基板面に
直接に又はＳｉＯ2 層を介して一体に均一に密着して薄
膜形成された感温抵抗体であるから、該感温抵抗自体の
熱容量は小さく、また前述図１０のサーミスタ押圧接触
式のものにおけるような押圧のばらつきによる検出温度
差を生ぜず、前述図１１のサーミスタ接着式のものにお
けるような耐久性の低下の問題がなく、耐久性・信頼性
の高いもとなる。
は加熱装置は、加熱体の検温素子がセラミック基板面に
直接に又はＳｉＯ2 層を介して一体に均一に密着して薄
膜形成された感温抵抗体であるから、該感温抵抗自体の
熱容量は小さく、また前述図１０のサーミスタ押圧接触
式のものにおけるような押圧のばらつきによる検出温度
差を生ぜず、前述図１１のサーミスタ接着式のものにお
けるような耐久性の低下の問題がなく、耐久性・信頼性
の高いもとなる。
【００６４】セラミック基板にＳｉＯ2 層を形成して基
板面の平坦性を向上させ、その上に感温抵抗体を形成す
ることに信頼性がより向上する。
板面の平坦性を向上させ、その上に感温抵抗体を形成す
ることに信頼性がより向上する。
【００６５】また上記（１２）乃至（１４）の構成のフ
ィルム加熱方式の加熱手段を有する画像形成装置におい
て、加熱手段の過熱保護手段の取付位置と記録材有無検
出手段の搬送基準位置からの距離Ｌ1 とＬ2 の関係をＬ
1 ＜Ｌ2 とすることにより、過熱保護手段は加熱手段の
通紙部に対応し、過熱保護手段の誤動作を防ぐととも
に、安全性の高い画像形成装置を構成することが可能と
なる。
ィルム加熱方式の加熱手段を有する画像形成装置におい
て、加熱手段の過熱保護手段の取付位置と記録材有無検
出手段の搬送基準位置からの距離Ｌ1 とＬ2 の関係をＬ
1 ＜Ｌ2 とすることにより、過熱保護手段は加熱手段の
通紙部に対応し、過熱保護手段の誤動作を防ぐととも
に、安全性の高い画像形成装置を構成することが可能と
なる。
【００６６】さらに、画像形成部の上流に接続したコン
トローラへの画像印字可能信号を上記記録材有無検出手
段信号を基に生成することにより、フィルム加熱方式の
加熱手段とその周辺の温度を不用意に上昇させることな
く耐熱性の高くない部材で加熱手段を構成することが可
能となる。
トローラへの画像印字可能信号を上記記録材有無検出手
段信号を基に生成することにより、フィルム加熱方式の
加熱手段とその周辺の温度を不用意に上昇させることな
く耐熱性の高くない部材で加熱手段を構成することが可
能となる。
【００６７】
Ｉ．下記の第１及び第２の実施例は前記（１）乃至（１
１）の構成を特徴とする加熱体もしくは加熱装置の実施
例である。
１）の構成を特徴とする加熱体もしくは加熱装置の実施
例である。
【００６８】〈第１の実施例〉（図１） 図１の（ａ）は加熱体の表面側の平面図、（ｂ）は裏面
側の平面図、（ｃ）は感温抵抗体部分の拡大図、（ｄ）
は（ｃ）のｄ−ｄ線に沿う断面図である。
側の平面図、（ｃ）は感温抵抗体部分の拡大図、（ｄ）
は（ｃ）のｄ−ｄ線に沿う断面図である。
【００６９】前述図１１の加熱体３もしくは加熱装置
（画像加熱定着装置）と共通する構成部材・部分は同一
の符号を付して再度の説明を省略する。本実施例の加熱
体３は検温素子部を下記の構成としてある点で前述図１
１の加熱体３と異なる。
（画像加熱定着装置）と共通する構成部材・部分は同一
の符号を付して再度の説明を省略する。本実施例の加熱
体３は検温素子部を下記の構成としてある点で前述図１
１の加熱体３と異なる。
【００７０】即ち、セラミック基板３１の裏面側に形成
した並行２本の導電層３４ｃ・３４ｄの右端部間にスパ
ッタプロセスにてＳｉＯ2 層（膜）５１を形成し、この
ＳｉＯ2 層５１の上に、スパッタプロセスによりＳｉ
Ｃ，Ｍｎ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｏ等の感温抵抗体５２を形成
し、該感温抵抗体５２と一方の導電層３４ｃ、及び該感
温抵抗体５２と他方の導電層３４ｄとにそれぞれまたが
らせてスパッタプロセスもしくは蒸着によりＡｇ，Ｐ
ｔ，ＡｇＰｔ，Ａｕ，ＡｕＰｔ，ＡｇＰｄ等の電極５３
・５４を形成して感温抵抗体５２と導電層３４ｃ・３４
ｄを電気的に導通させて検温素子部をセラミック基板３
１の裏面に実装したものである。
した並行２本の導電層３４ｃ・３４ｄの右端部間にスパ
ッタプロセスにてＳｉＯ2 層（膜）５１を形成し、この
ＳｉＯ2 層５１の上に、スパッタプロセスによりＳｉ
Ｃ，Ｍｎ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｏ等の感温抵抗体５２を形成
し、該感温抵抗体５２と一方の導電層３４ｃ、及び該感
温抵抗体５２と他方の導電層３４ｄとにそれぞれまたが
らせてスパッタプロセスもしくは蒸着によりＡｇ，Ｐ
ｔ，ＡｇＰｔ，Ａｕ，ＡｕＰｔ，ＡｇＰｄ等の電極５３
・５４を形成して感温抵抗体５２と導電層３４ｃ・３４
ｄを電気的に導通させて検温素子部をセラミック基板３
１の裏面に実装したものである。
【００７１】この加熱体３の作成は、まず本工程とし
て、無垢のセラミック基板３１の表面側及び裏面側に対
して、厚膜抵抗体３２、電極３２ａ・３２ｅ・３４ｈ・
３４ｉ、導電層３２ｂ・３２ｄ・３４ｃ・３４ｄ、スル
ーホール３２ｃ・３４ｆ・３４ｇが厚膜作成工程により
作成される。この本工程は印刷工程・焼成工程よりな
る。
て、無垢のセラミック基板３１の表面側及び裏面側に対
して、厚膜抵抗体３２、電極３２ａ・３２ｅ・３４ｈ・
３４ｉ、導電層３２ｂ・３２ｄ・３４ｃ・３４ｄ、スル
ーホール３２ｃ・３４ｆ・３４ｇが厚膜作成工程により
作成される。この本工程は印刷工程・焼成工程よりな
る。
【００７２】上記の本工程を行なった後に、薄膜作成工
程により、前記の検温素子部としてのＳｉＯ2 層５１，
感温抵抗体５２，電極５３・５４の作成がなされる。
程により、前記の検温素子部としてのＳｉＯ2 層５１，
感温抵抗体５２，電極５３・５４の作成がなされる。
【００７３】本工程においては必ず厚膜工程を先に行な
わなければならない。これは厚膜作成工程における焼成
工程は〜６００℃程度になるため、感温抵抗体５２や電
極５３・５４がダメージを受けてしまうからである。
わなければならない。これは厚膜作成工程における焼成
工程は〜６００℃程度になるため、感温抵抗体５２や電
極５３・５４がダメージを受けてしまうからである。
【００７４】本実施例において検温素子部のＳｉＯ2 層
５１は、感温抵抗体５２を形成するにあたっての、セラ
ミック基板３１上の平坦性改善、感温抵抗体５２の汚染
防止のために設けられているもので、従ってこの両者の
問題が解決できるのであれば省いても差し支えない。ま
た感温抵抗体５２の抵抗値の精度が充分であれば電極５
３・５４も不要である。感温抵抗体５２と電極５３・５
４の作成の順番、層構造の上下は逆でも差し支えない。
５１は、感温抵抗体５２を形成するにあたっての、セラ
ミック基板３１上の平坦性改善、感温抵抗体５２の汚染
防止のために設けられているもので、従ってこの両者の
問題が解決できるのであれば省いても差し支えない。ま
た感温抵抗体５２の抵抗値の精度が充分であれば電極５
３・５４も不要である。感温抵抗体５２と電極５３・５
４の作成の順番、層構造の上下は逆でも差し支えない。
【００７５】〈第２の実施例〉（図２） 本実施例は、前記の第１の実施例の検温素子部のＳｉＯ
2 層５１については、無垢のセラミック基板３１の表面
側及び裏面側に厚膜抵抗体３２、電極３２ａ・３２ｅ・
３４ｈ・３４ｉ、導電層３２ｂ・３２ｄ・３４ｃ・３４
ｄ、スルーホール３２ｃ・３４ｆ・３４ｇを厚膜作成工
程により作成する本工程で導電層３４ｃ・３４ｄの右端
部の下にして予め作成しておく。
2 層５１については、無垢のセラミック基板３１の表面
側及び裏面側に厚膜抵抗体３２、電極３２ａ・３２ｅ・
３４ｈ・３４ｉ、導電層３２ｂ・３２ｄ・３４ｃ・３４
ｄ、スルーホール３２ｃ・３４ｆ・３４ｇを厚膜作成工
程により作成する本工程で導電層３４ｃ・３４ｄの右端
部の下にして予め作成しておく。
【００７６】上記の本工程を行なった後に、薄膜作成工
程により、導電層３４ｃ・３４ｄの間のＳｉＯ2 層５１
上に、スパッタプロセスによりＳｉＣ，Ｍｎ／Ｃｏ／Ｎ
ｉ／Ｏ等の感温抵抗体５２を形成し、該感温抵抗体５２
と一方の導電層３４ｃ、及び該感温抵抗体５２と他方の
導電層３４ｄとにそれぞれまたがらせてスパッタプロセ
スもしくは蒸着によりＡｇ，Ｐｔ，ＡｇＰｔ，Ａｕ，Ａ
ｕＰｔ，ＡｇＰｄ等の電極５３・５４を形成して感温抵
抗体５２と導電層３４ｃ・３４ｄを電気的に導通させて
検温素子部をセラミック基板３１の裏面に実装したもの
である。
程により、導電層３４ｃ・３４ｄの間のＳｉＯ2 層５１
上に、スパッタプロセスによりＳｉＣ，Ｍｎ／Ｃｏ／Ｎ
ｉ／Ｏ等の感温抵抗体５２を形成し、該感温抵抗体５２
と一方の導電層３４ｃ、及び該感温抵抗体５２と他方の
導電層３４ｄとにそれぞれまたがらせてスパッタプロセ
スもしくは蒸着によりＡｇ，Ｐｔ，ＡｇＰｔ，Ａｕ，Ａ
ｕＰｔ，ＡｇＰｄ等の電極５３・５４を形成して感温抵
抗体５２と導電層３４ｃ・３４ｄを電気的に導通させて
検温素子部をセラミック基板３１の裏面に実装したもの
である。
【００７７】本実施例の場合も、検温素子部のＳｉＯ2
層５１は、感温抵抗体５２を形成するにあたっての、セ
ラミック基板３１上の平坦性改善、感温抵抗体５２の汚
染防止のために設けられているもので、従ってこの両者
の問題が解決できるのであれば省いても差し支えない。
また感温抵抗体５２の抵抗値の精度が充分であれば電極
５３・５４も不要である。感温抵抗体５２と電極５３・
５４の作成の順番、層構造の上下は逆でも差し支えな
い。
層５１は、感温抵抗体５２を形成するにあたっての、セ
ラミック基板３１上の平坦性改善、感温抵抗体５２の汚
染防止のために設けられているもので、従ってこの両者
の問題が解決できるのであれば省いても差し支えない。
また感温抵抗体５２の抵抗値の精度が充分であれば電極
５３・５４も不要である。感温抵抗体５２と電極５３・
５４の作成の順番、層構造の上下は逆でも差し支えな
い。
【００７８】第１の実施例の加熱体も、第２の実施例の
加熱体も、検温素子はセラミック基板３１面に直接に又
はＳｉＯ2 層５１を介して一体に均一に密着して薄膜形
成された感温抵抗体５２であるから、該感温抵抗５２自
体の熱容量は小さく、また前述図１０のサーミスタ押圧
接触式のものにおけるような押圧のばらつきによる検出
温度差を生ぜず、前述図１１のサーミスタ接着式のもの
におけるような耐久性の低下の問題がなく、耐久性・信
頼性の高いものであった。
加熱体も、検温素子はセラミック基板３１面に直接に又
はＳｉＯ2 層５１を介して一体に均一に密着して薄膜形
成された感温抵抗体５２であるから、該感温抵抗５２自
体の熱容量は小さく、また前述図１０のサーミスタ押圧
接触式のものにおけるような押圧のばらつきによる検出
温度差を生ぜず、前述図１１のサーミスタ接着式のもの
におけるような耐久性の低下の問題がなく、耐久性・信
頼性の高いものであった。
【００７９】セラミック基板３１にＳｉＯ2 層５１を形
成して基板３１面の平坦性を向上させ、その上に感温抵
抗体５２を形成することに信頼性がより向上する。
成して基板３１面の平坦性を向上させ、その上に感温抵
抗体５２を形成することに信頼性がより向上する。
【００８０】II．下記の第３及び第４の実施例は前記
（１２）乃至（１４）の構成を特徴とする画像形成装置
の実施例である。
（１２）乃至（１４）の構成を特徴とする画像形成装置
の実施例である。
【００８１】〈第３の実施例〉（図３・図４） 図３は画像形成装置内の画像加熱手段である前記フィル
ム加熱方式の定着装置のヒータ３と、該ヒータ３に設け
た過熱保護手段としての温度ヒューズ３５と、記録材有
無センサ６０との位置関係を示している。
ム加熱方式の定着装置のヒータ３と、該ヒータ３に設け
た過熱保護手段としての温度ヒューズ３５と、記録材有
無センサ６０との位置関係を示している。
【００８２】不図示の画像形成プロセス手段部からの画
像定着すべき記録材Ｐは記録材搬送基準線Ｏ（本例では
片側基準搬送）に沿って矢印ａ方向に搬送されて定着装
置の定着ニップ部Ｎへ導入される。
像定着すべき記録材Ｐは記録材搬送基準線Ｏ（本例では
片側基準搬送）に沿って矢印ａ方向に搬送されて定着装
置の定着ニップ部Ｎへ導入される。
【００８３】センサ６０は定着装置よりも記録材搬送方
向上流側の記録材搬送路上に配設してある。
向上流側の記録材搬送路上に配設してある。
【００８４】そしてヒータ３の温度ヒューズ３５と記録
材搬送基準線Ｏとの両者の記録材搬送方向と直交する方
向の距離Ｌ1 と、センサ６０と記録材搬送基準線Ｏとの
両者の記録材搬送方向と直交する方向の距離Ｌ2 はＬ1
＜Ｌ2 の関係となるように構成してある。記録材Ｐは紙
幅がＷａの場合とＷｂの場合を示している。
材搬送基準線Ｏとの両者の記録材搬送方向と直交する方
向の距離Ｌ1 と、センサ６０と記録材搬送基準線Ｏとの
両者の記録材搬送方向と直交する方向の距離Ｌ2 はＬ1
＜Ｌ2 の関係となるように構成してある。記録材Ｐは紙
幅がＷａの場合とＷｂの場合を示している。
【００８５】図４は前述図９と同様の、ヒータ３に対す
る通電系のブロック回路図である。この回路図におい
て、上記の記録材有無検出センサ６０の記録材検出信号
Ｓ4 がＣＰＵ１００へ取り込まれる。他の回路構成は前
述図９と同じであるから再度の説明は省略する。
る通電系のブロック回路図である。この回路図におい
て、上記の記録材有無検出センサ６０の記録材検出信号
Ｓ4 がＣＰＵ１００へ取り込まれる。他の回路構成は前
述図９と同じであるから再度の説明は省略する。
【００８６】ＣＰＵは１００はセンサ６０の信号Ｓ4 が
紙有状態になったときに、コントローラ１０５に対して
画像形成可能信号をインターフェースを介して出力し、
コントローラ１０５はホストコンピュータ１９へ同様に
画像データ受信可能信号をインターフェースを介して出
力する。
紙有状態になったときに、コントローラ１０５に対して
画像形成可能信号をインターフェースを介して出力し、
コントローラ１０５はホストコンピュータ１９へ同様に
画像データ受信可能信号をインターフェースを介して出
力する。
【００８７】記録材Ｐの紙幅がＬ2 より小さくなると、
センサ６０で紙有状態が検出できないので、画像形成動
作には入らなく、ヒータ３の抵抗体３２への通電が開始
されない。紙巾がＬ2 より大きくなると、紙有を検出し
て抵抗体３２への通電を行ない一連の印字動作を開始す
る。
センサ６０で紙有状態が検出できないので、画像形成動
作には入らなく、ヒータ３の抵抗体３２への通電が開始
されない。紙巾がＬ2 より大きくなると、紙有を検出し
て抵抗体３２への通電を行ない一連の印字動作を開始す
る。
【００８８】〈第４の実施例〉（図５） 図５は本実施例における、ヒータ３の過熱保護手段とし
ての温度ヒューズ３５と、記録材有無センサ６０との位
置関係を示しており、本実施例は記録材搬送を中央基準
搬送Ｏとしている場合である。この場合も前述第３の実
施例の場合と同様にＬ1 ＜Ｌ2 の関係構成としてある。
ての温度ヒューズ３５と、記録材有無センサ６０との位
置関係を示しており、本実施例は記録材搬送を中央基準
搬送Ｏとしている場合である。この場合も前述第３の実
施例の場合と同様にＬ1 ＜Ｌ2 の関係構成としてある。
【００８９】〈第５の実施例〉（図６） 図６は本実施例のヒータ３に対する通電系のブロック回
路図である。通電系の制御は前述第３の実施例の図４の
回路と同じであるが、本実施例では、記録材有無検出セ
ンサ６０の信号を画像形成装置外部の別構成ユニット２
００へ供給するようにしてある。
路図である。通電系の制御は前述第３の実施例の図４の
回路と同じであるが、本実施例では、記録材有無検出セ
ンサ６０の信号を画像形成装置外部の別構成ユニット２
００へ供給するようにしてある。
【００９０】該別構成ユニット２００は例えばオプショ
ナルカセットであり、画像形成装置が有する手差し口へ
紙を供給する封筒フィーダであってもよい。
ナルカセットであり、画像形成装置が有する手差し口へ
紙を供給する封筒フィーダであってもよい。
【００９１】２０１は該ユニット２００内のコントロー
ルＣＰＵであり、不図示のモータ・ソレノイド等を制御
し、自動的に手差し口へ紙を供給する。
ルＣＰＵであり、不図示のモータ・ソレノイド等を制御
し、自動的に手差し口へ紙を供給する。
【００９２】今まで説明した実施例では過熱保護手段３
５として温度ヒューズを用いたが、他のいかなるもので
あってもよい。又、画像形成装置内の過熱保護手段３５
と記録材有無検出センサ６０の位置を記述したが、Ｌ1
＜Ｌ2 の関係が保たれるならどのような配置でもかまわ
ない。
５として温度ヒューズを用いたが、他のいかなるもので
あってもよい。又、画像形成装置内の過熱保護手段３５
と記録材有無検出センサ６０の位置を記述したが、Ｌ1
＜Ｌ2 の関係が保たれるならどのような配置でもかまわ
ない。
【００９３】以上の第３〜第５の実施例のように、画像
加熱定着のためにフィルム加熱方式の加熱手段を有する
画像形成装置において、加熱手段３の過熱保護手段３５
の取付位置と紙有無検出手段６０の搬送基準位置０から
の距離Ｌ1 とＬ2 の関係をＬ1 ＜Ｌ2 とすることによ
り、過熱保護手段３５は加熱手段の通紙部に対応し、過
熱保護手段３５の誤動作を防ぐとともに、安全性の高い
画像形成装置を構成することが可能となる。
加熱定着のためにフィルム加熱方式の加熱手段を有する
画像形成装置において、加熱手段３の過熱保護手段３５
の取付位置と紙有無検出手段６０の搬送基準位置０から
の距離Ｌ1 とＬ2 の関係をＬ1 ＜Ｌ2 とすることによ
り、過熱保護手段３５は加熱手段の通紙部に対応し、過
熱保護手段３５の誤動作を防ぐとともに、安全性の高い
画像形成装置を構成することが可能となる。
【００９４】さらに、画像形成部の上流に接続したコン
トローラへの画像印字可能信号を上記記録材有無検出手
段６０信号を基に生成することにより、フィルム加熱方
式の加熱手段とその周辺の温度を不用意に上昇させるこ
となく耐熱性の高くない部材で加熱手段を構成すること
が可能となった。
トローラへの画像印字可能信号を上記記録材有無検出手
段６０信号を基に生成することにより、フィルム加熱方
式の加熱手段とその周辺の温度を不用意に上昇させるこ
となく耐熱性の高くない部材で加熱手段を構成すること
が可能となった。
【００９５】
【発明の効果】以上のように本発明に依れば、セラミッ
ク基板と、該基板上に形成された通電により発熱する抵
抗体と、検温素子を備え、前記抵抗体に電力が供給され
て発熱し、前記検温素子の検温情報に基づいて前記抵抗
体に対する供給電力の制御がなされる加熱体について、
熱容量が小さく、耐久性のある、ばらつきの小さい、信
頼性の高い、加熱体もしくは加熱装置を構成することが
できる。
ク基板と、該基板上に形成された通電により発熱する抵
抗体と、検温素子を備え、前記抵抗体に電力が供給され
て発熱し、前記検温素子の検温情報に基づいて前記抵抗
体に対する供給電力の制御がなされる加熱体について、
熱容量が小さく、耐久性のある、ばらつきの小さい、信
頼性の高い、加熱体もしくは加熱装置を構成することが
できる。
【００９６】また加熱保護手段の誤動作を防ぐととも
に、安全性の高い、加熱装置ないしは画像形成装置を構
成することが可能となる。
に、安全性の高い、加熱装置ないしは画像形成装置を構
成することが可能となる。
【図１】 第１の実施例の加熱体の構成を示すもので、
（ａ）は加熱体の表面側の平面図、（ｂ）は裏面側の平
面図、（ｃ）は要部の部分的拡大図、（ｄ）は（ｃ）の
ｄ−ｄ線に沿う断面図
（ａ）は加熱体の表面側の平面図、（ｂ）は裏面側の平
面図、（ｃ）は要部の部分的拡大図、（ｄ）は（ｃ）の
ｄ−ｄ線に沿う断面図
【図２】 第２の実施例の加熱体の構成を示すもので、
（ａ）は加熱体の表面側の平面図、（ｂ）は裏面側の平
面図、（ｃ）は要部の部分的拡大図、（ｄ）は（ｃ）の
ｄ−ｄ線に沿う断面図
（ａ）は加熱体の表面側の平面図、（ｂ）は裏面側の平
面図、（ｃ）は要部の部分的拡大図、（ｄ）は（ｃ）の
ｄ−ｄ線に沿う断面図
【図３】 第３の実施例の画像形成装置の構成説明図
【図４】 加熱体に対する通電制御系のブロック回路図
【図５】 第４の実施例の画像形成装置の構成説明図
【図６】 第５の実施例の画像形成装置の加熱体に対す
る通電制御系のブロック回路図
る通電制御系のブロック回路図
【図７】 フィルム加熱方式の加熱装置（画像加熱定着
装置）の要部の概略の横断面図
装置）の要部の概略の横断面図
【図８】 要部の一部切欠き分解斜視図
【図９】 加熱体に対する通電制御系のブロック回路図
【図１０】 サーミスタ押圧接触式の加熱体を示すもの
で、（ａ）は加熱体表面側を見た斜視図、（ｂ）は裏面
側を見た斜視図
で、（ａ）は加熱体表面側を見た斜視図、（ｂ）は裏面
側を見た斜視図
【図１１】 サーミスタ接着式の加熱体を示すもので、
（ａ）は加熱体表面側の平面図、（ｂ）は裏面側の平面
図、（ｃ）はサーミスタ部分の拡大斜視図
（ａ）は加熱体表面側の平面図、（ｂ）は裏面側の平面
図、（ｃ）はサーミスタ部分の拡大斜視図
【図１２】 （ａ）・（ｂ）・（ｃ）は非通紙部昇温の
説明図
説明図
１ フィルム内面ガイド部材（ガイドステー部材） ２ ヒータホルダ ３ 加熱体 ３１ セラミック基板 ３２ 膜厚抵抗体 ５２ 感温抵抗体 ４ 耐熱性フィルム ５ 加圧ローラ Ｐ 被加熱材（記録材）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｂ 3/20 ３２８
Claims (14)
- 【請求項１】 セラミック基板と、該基板上に印刷・焼
成を経て形成された厚膜抵抗体と、該セラミック基板上
に薄膜形成された感温抵抗体を備え、前記厚膜抵抗体に
電力が供給されて発熱し、前記感温抵抗体の検温情報に
基づいて前記厚膜抵抗体に対する供給電力の制御がなさ
れることを特徴とする加熱体。 - 【請求項２】 請求項１において、感温抵抗体がスパッ
タプロセスにより形成されたＳｉＣであることを特徴と
する加熱体。 - 【請求項３】 請求項１において、感温抵抗体がスパッ
ツタプロセスにより形成されたＭｎ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｏで
あることを特徴とする加熱体。 - 【請求項４】 請求項１において、感温抵抗体の電極と
して印刷・焼成を経て形成された厚膜導電体を有し、電
気接点部の積層構造が、セラミック基板、厚膜導電体、
感温抵抗体の順の層構成をなすことを特徴とする加熱
体。 - 【請求項５】 請求項１において、セラミック基板と薄
膜形成された感温抵抗体との間にＳｉＯ2 層を備えたこ
とを特徴とする加熱体。 - 【請求項６】 請求項５において、感温抵抗体がスパッ
タプロセスにより形成されたＳｉＣであることを特徴と
する加熱体。 - 【請求項７】 請求項５において、感温抵抗体がスパッ
ツタプロセスにより形成されたＭｎ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｏで
あることを特徴とする加熱体。 - 【請求項８】 請求項５において、感温抵抗体の電極と
して印刷・焼成を経て形成された厚膜導電体を有し、Ｓ
ｉＯ2 層がスパッタプロセスにより薄膜形成されたもの
であり、電気接点部の積層構造が、セラミック基板、厚
膜導電体、ＳｉＯ2 層、感温抵抗体の順の層構成をなす
ことを特徴とする加熱体。 - 【請求項９】 請求項５において、感温抵抗体の電極と
して印刷・焼成を経て形成された厚膜導電体を有し、Ｓ
ｉＯ2 層が印刷・焼成により厚膜形成されたものであ
り、電気接点部の積層構造が、セラミック基板、ＳｉＯ
2 層、厚膜導電体、感温抵抗体の順の層構成をなすこと
を特徴とする加熱体。 - 【請求項１０】 被加熱材を加熱体に耐熱性フィルムを
介して密着させ加熱体と耐熱性フィルムとを相対移動さ
せ、加熱体の熱を耐熱性フィルムを介して被加熱材へ与
える加熱装置において、 前記加熱体が、セラミック基板と、該基板上に印刷・焼
成を経て形成された厚膜抵抗体と、該セラミック基板上
に薄膜形成された感温抵抗体を備え、前記厚膜抵抗体に
電力が供給されて発熱し、前記感温抵抗体の検温情報に
基づいて前記厚膜抵抗体に対する供給電力の制御がなさ
れることを特徴とする加熱装置。 - 【請求項１１】 画像形成装置の画像加熱定着装置であ
ることを特徴とする請求項１０に記載の加熱装置。 - 【請求項１２】 記録材を加熱体に耐熱性フィルムを介
して密着させ加熱体と耐熱性フィルムとを相対移動さ
せ、加熱体の熱を耐熱性フィルムを介して記録材へ与え
る加熱手段を有する画像形成装置において、 前記加熱手段に設けた過熱保護手段と記録材搬送基準と
の両者の記録材搬送方向と直交する方向の距離Ｌ1 と、
画像形成装置内の記録材搬送路上に配置した記録材有無
検出手段と記録材搬送基準との両者の記録材搬送方向と
直交する方向の距離Ｌ2 との関係がＬ1 ＜Ｌ2 であるこ
とを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項１３】 請求項１２において、記録材有無検出
手段は画像形成装置の画像形成動作が開始されるトリガ
となることを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項１４】 請求項１２において、加熱手段の加熱
体が、セラミック基板と、該基板上に印刷・焼成を経て
形成された厚膜抵抗体と、該セラミック基板上に薄膜形
成された感温抵抗体を備え、前記厚膜抵抗体に電力が供
給されて発熱し、前記感温抵抗体の検温情報に基づいて
前記厚膜抵抗体に対する供給電力の制御がなされること
を特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36159692A JP3254778B2 (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36159692A JP3254778B2 (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202510A true JPH06202510A (ja) | 1994-07-22 |
| JP3254778B2 JP3254778B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=18474227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36159692A Expired - Fee Related JP3254778B2 (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3254778B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090305A (en) * | 1999-03-15 | 2000-07-18 | Lexmark International, Inc. | Heater for use in electrophotographic image fixing device |
| KR20170116128A (ko) * | 2015-02-19 | 2017-10-18 | 캐논 가부시끼가이샤 | 정착 장치 |
-
1992
- 1992-12-29 JP JP36159692A patent/JP3254778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090305A (en) * | 1999-03-15 | 2000-07-18 | Lexmark International, Inc. | Heater for use in electrophotographic image fixing device |
| KR20170116128A (ko) * | 2015-02-19 | 2017-10-18 | 캐논 가부시끼가이샤 | 정착 장치 |
| EP3259646A4 (en) * | 2015-02-19 | 2019-02-06 | C/o Canon Kabushiki Kaisha | FIXING DEVICE |
| US10248058B2 (en) | 2015-02-19 | 2019-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Mounted fixing apparatus for fixing an image formed on a recording medium |
| US10481536B2 (en) | 2015-02-19 | 2019-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Mounted fixing apparatus for fixing an image formed on a recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3254778B2 (ja) | 2002-02-12 |
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