JPH0620249A - コンピユーター用のハードデイスク製造のための磁気記録系 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明は、非晶質プラスチックの担体層及び
磁化可能な金属層の他に下塗りＵＶ−硬化性中間層を含
むハードコンピューターディスク用の磁気記録媒体に関
する。 【効果】 この方法で、磁気記録媒体はコンピューター
で使用するのに必要な耐久性を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、プラスチック担体及び磁化可能
な表面層、ならびに場合により非磁性金属中間層を含む
磁気記録媒体に関する。例えば部分的結晶ポリエステル
などの薄いプラスチック担体上に金属酸化物又はフェラ
イトの磁化可能な結合剤−含有層を含む柔軟性巻取り可
能オーディオテープは、すでに既知である。

【０００２】しかし本発明は例えばコンピューターのた
めのいわゆるハードディスクの製造のための記録媒体に
関する。これらはアルミニウム担体、磁化可能なＣｏ、
ＣｏＰ、ＣｏＢ、Ｎｉ、ＮｉＰ、ＮｉＢ又はＣｏＮｉＰ
あるいはＣｏＮｉＢ皮膜及び保護フィルムを含む。磁化
可能な金属皮膜は既知の方法で、真空蒸着により（Ｙ．
Ｍａｅｄａ ｅｔ ａｌ．，Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．２０（１９８１），４６７又はＲ．Ｓｕｇｉｔ
ａ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．
ＭＡＧ １７（１９８１），３１７２を参照）、又は湿
式−化学的金属メッキ法により（Ｒ．Ｗｅｉｎｅｒ，Ｃ
ｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｖｅｒｎｉｃｋｅｌｕｎｇ，Ｅｕｇ
ｅｎ Ｇ．Ｌｅｎｚｅ Ｖｅｒｌａｇ，Ｓａｕｌｇａｕ
／Ｗｕｅｒｔｔ．，（１９７４）を参照）適用される。

【０００３】以下の欠点は従来のハードディスクすべて
に共通である。それらの製造には高い不良率が含まれ、
不経済である。さらにそれらは比較的重い。この理由で
それらはポータブルコンピューター及び安価な保存系の
分野における利用が限られている。それらの比較的重い
重量、及び従って高い加速力はコンピュータードライブ
に比較的高い負荷を与え、比較的早く摩耗する。

【０００４】ハードディスクをコンピューターで使用で
きるようにするために、その強磁性層は高い抗磁力又は
残留束密度が顕著でなければならない（Ｊ．Ｗｏｒｓｔ
ｅｔ ａｌ．，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，
１０１，（１９８３），７５；Ｒ．Ｄ．Ｆｉｓｈｅｒ
ｅｔ ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，（１９８
２），１３１及びＴ．Ｏｋｕｗａｋｉ ｅｔ ａｌ．，
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５３，（１９８２）２５８８
を参照）。

【０００５】磁化可能な金属粒子により良い記録挙動を
与えるために、数種類の改良が文献で提案されてきた
（ＤＥ−Ａ−３ １８８ ２７８を参照）。この方法で
プラスチックに適用された磁化可能な皮膜は、平均的性
質の輪郭を有し、ハードコンピューターディスクの製造
に適していない。

【０００６】十分高い抗磁力及び残留束密度を有する磁
化可能な層を製造するために、すでに述べたプラスチッ
クは結合剤−非含有Ｃｏ、Ｎｉ又はそれらとリン又はホ
ウ素との合金を与えられなければならない。従来の適用
法（真空蒸着又は湿式−化学的金属メッキ法）により磁
化可能な結合剤−非含有金属皮膜を無神経に適用する
と、プラスチック担体に対して付着性及び耐摩耗性が非
常に悪い皮膜を与える。従って本発明が目指す目的は、
速くて安価な製造及び１０Ｍバイト−１Ｇバイト、好ま
しくは１００−６５０Ｍバイトの保存容量に対する重量
の低いことで傑出した磁気記録媒体の提供であった。

【０００７】上記の磁気記録媒体は、どのような形であ
ることもでき、直径が１ １／４〔インチ〕から５ ３
／４〔インチ〕の範囲の射出−成型円板が好ましい。本
発明の方法を行うために、５ １／４〔インチ〕、３
１／２〔インチ〕及び２ １／２〔インチ〕の円板が特
に好ましい。

【０００８】さらに特定すると、本発明が目指す問題は
プラスチック担体と適した磁化可能な層を永久的に結合
することであった。

【０００９】本発明は、非晶質プラスチックのプラスチ
ック担体、中間層としての下塗りＵＶ−硬化性ラッカー
層、場合により別の非磁性金属中間層及び表面層として
の磁化可能な結合剤−非含有金属層を含む磁気記録媒体
に関する。

【００１０】ＡＢＳ（アクリロニトリル／ブタジエン／
スチレングラフトコポリマー）、ＰＣ（ポリカーボネー
ト）、ＨＩＰ−ＰＣ（例えばＵＳ−Ａ−４，９８２，０
１４、ＤＥ−Ａ−３ ８３２ ３９６を参照）、ＨＩＰ
ポリアリールエーテルスルホン（例えばＥＰ−Ａ−０
３６２ ６０３を参照）、ポリアリールエーテルケトン
及びポリアリールエーテルスルホンなどのポリアリール
エーテル（例えばＥＰ−Ａ−０ ００１ ８７９を参
照）及びＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）あるい
はこれらの互いのブレンドをベースとするプラスチック
担体が、本発明の記録媒体の製造に非常に適している。

【００１１】易流動性ポリカーボネート及びそのＡＢＳ
とのブレンドならびに防炎性の種類は、本発明の記録媒
体の製造に特に適している。プラスチックの防炎加工は
既知である。例えばＧＢ−Ａ ２，１２６，２３１及び
ＤＥ−Ａ ４ ００７ ２４２に従い、多臭素化ビスフ
ェノール及びハロゲン化ベンジルホスホネート、特にペ
ルフルオロブタンスルホン酸カリウム塩（例えばＤＥ−
Ａ−１ ９３０ ２５７を参照）及びリン酸エステル
（例えばＤＥ−Ａ−４ ０４０ ２４３及びＤＥ−Ａ−
４ ００５ ３７６を参照）又はテフロン及びクリオラ
イトをこの目的のために防炎充填剤として用いることが
できる。

【００１２】ここで担体の表面に最初にＵＶ−硬化性皮
膜を与え、その後既知の蒸着法を行うと、結合剤−非含
有で付着性が高く、耐摩耗性の磁化可能な皮膜を得られ
ることを見いだした。

【００１３】本発明の機能性皮膜の製造に適したＵＶ−
硬化性ラッカー系は、基本的に既知である（例えばＵＳ
−Ａ−３，９６８，３０５，ＷＯ ８０／００９６８，
ＥＰ−Ａ−０ ２７４ ５９３，ＥＰ−Ａ−０ ２７４
５９６，ＥＰ−Ａ−０ ０２０ ３４４，ＵＳ−Ａ−
３，２９７，７４５，ＵＳ−Ａ−３，６７３，１４０，
Ｒ．Ｈｏｈｌｍａｎ ｅｔ ａｌ．，“ＵＶ− ａｎｄ
ＩＲ−Ｃｕｒｉｎｇｆｏｒ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ Ｉｎ
ｋｓ，Ｃｏａｔｉｎｇｓ ａｎｄ Ｐａｉｎｔｓ”，Ｓ
ｉｔａ−Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｌｏｎｄｏｎ出版を参
照）。上記のラッカー系は分子鎖中に数個の二重結合を
有する結合剤を含み、ＵＶ光に暴露すると光開始剤の助
けによりラジカルを形成し、それが架橋構造を形成す
る。不飽和オリゴマーポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂及びポリブタジ
エンエラストマー又はポリアクリレートが特に適してい
る。アクリル酸、メタクリル酸又はそれらのエステルか
ら誘導したアクリレートモノマーを含む無溶剤アクリレ
ート−修飾ポリウレタン（Ｊ．Ｒ．Ｂａｒｃｌａｙ，
“Ａｃｒｙｌａｔｅｄ Ｕｒｅｔｈａｎｅ Ｏｌｉｇｏ
ｍｅｒｓ−Ｎｅｗ Ｒａｗ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｆｏ
ｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅｓ”，ＲａｄｉａｔｉｏｎＣｕｒ
ｉｎｇ，（１９７９）を参照）及びエポキシ樹脂（“Ｅ
ｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎ ３７０”，Ｔｅｃｈｎ．Ｂｕｌ
ｌ．Ｓｈｅｌｌ Ｃｈｅｍ．Ｃｏ．，（２／７７）を参
照）が特に好ましい。

【００１４】特殊な場合は市販のアニオン性、カチオン
性又は中性フッ素界面活性剤をラッカーに加えるのが賢
明であるが、本発明の方法の範囲はそれに制限されな
い。これに関してリチウムフルオロアルキルスルホネー
ト、フルオロアルキルポリエトキシレート、テトラエチ
ルアンモニウムフルオロアルキルスルホネート、フルオ
ロアルキルポリエトキシレート、ポリプロポキシレー
ト、第４フルオロアルキルアンモニウムヨーダイド、フ
ルオロアルキルスルホンアミド誘導体のアンモニウム塩
を挙げることができる。これらの添加剤はラッカーの湿
潤性を向上させ、平滑な表面を形成する。

【００１５】添加剤は（ラッカー全体に基づいて）０．
０１−２．０重量％の量で挿入するのが好ましい。特に
好ましい量は０．０５−０．３重量％である。

【００１６】元素の周期系の第１及び第８亜族の貴金属
の錯体をＵＶ−硬化性ラッカー皮膜に加えるのが好まし
い。特に適した貴金属錯体は、例えばＥＰ−Ａ ３４
４８５、ＥＰ−Ａ ８１ ４３８及びＥＰ−Ａ １３１
１９５に記載されているようなＰｄ、Ｐｔ、Ａｕ及び
Ａｇである。かくして修飾されたラッカー系は、後文で
述べる金属層を用いた湿式−化学的被覆に特に適してい
る。

【００１７】パラジウムとオレフィン（ジエン）、α，
β−不飽和カルボニル化合物、クラウンエーテル、ニト
リル及びジケトン、例えば２，４−ペンタジオンとの有
機金属化合物は特に適している。１，２−及び１，３−
ブタジエンパラジウムジクロリド、ビス−アセトニトリ
ルパラジウムジクロリド、ビス−ベンゾニトリルパラジ
ウムジクロリド、４−シクロヘキセン−１，２−ジカル
ボン酸無水物パラジウムジクロリド、メシチルオキシド
パラジウムクロリド、３−ヘプテン−２−オンパラジウ
ムクロリド、５−メチル−３−ヘキセン−２−オンパラ
ジウムクロリド及びビス−２，４−ペンタジオンパラジ
ウムが最も適している。パラジウム（０）テトラキスト
リフェニルホスフィンなどの０−価の錯化合物も適して
いる。

【００１８】貴金属の量は、無溶剤ラッカーに基づいて
０．０２−３．５重量％である。貴金属の好ましい量は
０．０２５−１．５重量％である。

【００１９】ＵＶ−硬化性ラッカー皮膜は、吹付塗、パ
ッド被覆（ｐａｄ ｃｏａｔｉｎｇ）、スクリーン印
刷、浸漬被覆などの従来の方法で基質に適用する。比較
的薄いラッカー皮膜、すなわち厚さが０．５−３μｍで
荒さが０．０１−０．３μｍのラッカー皮膜を形成する
ために、≧ｒ．ｐ．ｍ．の回転速度のスピンコート（ｓ
ｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）によりラッカー皮膜をプラス
チック担体に適用するのが賢明である。ラッカー皮膜
は、波長が３６０−１８０ｎｍのＵＶ光に１秒から数分
暴露することにより、化学的に硬化する。

【００２０】適した磁化可能な結合剤−非含有金属皮膜
にはＮｉ、Ｃｏ及びそれらの互いの合金、又はリン及び
／又はホウ素を用いたそれらのドープ型が含まれる。特
殊な場合にはＣｒ又はＦｅをさらにドープすることもも
ちろんできる。

【００２１】該金属の適用は、従来の真空蒸着法により
行うことができる（例えばＪ．Ｃ．Ｌｏｄｄｅｒ，Ｔｈ
ｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ １０１，（１９８
３），６１；Ｊ．Ａ．Ａｂｏｕｌｆ，ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓ．Ｍａｇｎ．１７（６），（１９８１），３１６
０；Ｆ．Ｏｎｏ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏ
ｃ．，Ｊｐｎ．４６，（１９７９），４６２；Ｂ．Ｄ．
Ｃｕｌｌｉｔｙ，“Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ
Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍａｔｅｉａｌｓ，Ａｄｄｉｓｏｎ
−Ｗｅｓｅｌｙ，１ｓｔ Ｅｄｉｔｉｏｎ，（１９７
２），２１２；Ｓ．Ｉｗａｄａｋｉ ｅｔ ａｌ．，Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．，１４（５），（１９
７８），８４９；Ｊ．Ｂｕｒｄ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｍ
ａｇｎ．ａｎｄ Ｍａｇｎ．Ｍａｔｅｒ．，９，（１９
７８），３３３及びＥ．Ｒ．Ｗｕｏｒｉ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，２０
（２），（１９８２），１７１を参照）。

【００２２】本発明に従って修飾したプラスチック表面
は、還元により湿式−化学的金属メッキ法に対して増感
することができる。電気メッキの分野で典型的に用いら
れる還元剤、例えばヒドラジンハイドレート、ホルムア
ルデヒド、次亜リン酸塩又はボランをこの目的に使用す
ると有利である。他の還元剤ももちろん使用することが
できる。還元は、水溶液中で行うのが好ましい。しかし
他の溶媒、例えばアルコール、エーテル、炭化水素も用
いることができる。もちろん還元剤の懸濁液も使用する
ことができる。

【００２３】還元剤として次亜リン酸塩又は硼酸塩を含
み、Ｃｏ／Ｎｉ塩に基づく化学メッキ浴は、湿式−化学
メッキを行うのに特に好ましい。このような浴は既知で
ある（例えばＫ．Ｈｏｎｏ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｍａｇ
ｎ．Ｍａｔｅｒ．，８０，（１９８９），１３７；Ｍ．
Ａｓｐｌａｎｄ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ．Ｍａｇｎ．ＭＡＧ，５，（１９６９），３１４及び
Ｔ．Ｃｈｅｎ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，４９，（１９７７），１８１６を参照）。

【００２４】金属皮膜の層の厚さは、０．０１−３μｍ
で変えることができる。特に好ましい層の厚さは、０．
０５−０．１μｍである。かくして活性化した表面は、
無電解メッキ（ｃｕｒｒｅｎｔｌｅｓｓ ｍｅｔａｌｌ
ｉｚａｔｉｏｎ）に直接使用することができる。しかし
濯ぐことにより表面から微量の還元剤を除かなければな
らない。もちろんその後表面をイオノマー又は有機金属
活性化溶液で活性化することができる（例えばＥＰ−Ａ
−３４ ４８５，ＥＰ−Ａ−８１ ４３８，ＥＰ−Ａ−
１３１ １９５及びＲ．Ｗｅｉｎｅｒ，Ｋｕｎｓｔｓｔ
ｏｆｆ−Ｇａｌｖａｎｉｓｉｅｒｕｎｇ，Ｅｕｇｅｎ
Ｇ．Ｌｅｎｚｅ Ｖｅｒｌａｇ，Ｄ ７９６８ Ｓａｕ
ｌｇａｕ／Ｗｕｅｒｔｔ．（１９７３）を参照）。

【００２５】本発明の方法のひとつの好ましい具体化の
場合、無電流メッキに用いる還元剤を使用してメッキ浴
中で還元を行う。この具体化は、無電流メッキの単純化
を示す。この特に単純な具体化は、有機化合物の溶液へ
の基質の浸漬又はＵＶ−硬化性ラッカー上への適用ある
いは噴霧、溶媒の蒸発及びかくして活性化された表面
の、還元及びメッキを行うメッキ浴への浸漬のわずか３
段階を含む。

【００２６】本発明の別の好ましい具体化の場合、ＵＶ
−硬化性中間層を最初に非−磁性金属中間層で電磁干渉
場に対して遮蔽し、その後所望の磁化可能な表面層をメ
ッキにより適用する。非−磁性金属皮膜を用いたプラス
チックの遮蔽は既知である（Ａ．Ｂ．Ｌｅｄｚｉ ｅｔ
ａｌ．，；Ｋｕｎｓｔｓｔｏｆｆｅ ７４，ページ８
９−９６（１９８４）を参照）。この目的のために、Ｕ
Ｖ−硬化性中間層に最初にＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ又はＣｕ／
Ｎｉ皮膜を与える。Ｃｕ、Ｎｉ又はＣｕ／Ｎｉ皮膜は、
化学／電気メッキ法により適用するのが好ましい（Ｒ．
Ｗｅｉｓｅｒ“Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｖｅｒｎｉｃｋｅ
ｌｕｎｇ”，Ｅｕｇｅｎ Ｇ．Ｌｅｎｚｅ Ｖｅｒｌａ
ｇ，Ｓａｕｌｇａｕ／Ｗｕｅｒｔｔ（１９７４）及び
Ｒ．Ｗｅｉｓｅｒ“Ｋｕｎｓｔｓｔｏｆｆ−Ｇａｌｖａ
ｎｉｓｉｅｒｕｎｇ”，ページ１９４−２０４，Ｅｕｇ
ｅｎ Ｇ．Ｌｅｎｚｅ Ｖｅｒｌａｇ，Ｓａｕｌｇａｕ
／Ｗｕｅｒｔｔ（１９７３）を参照）。Ａｌ皮膜は従来
の真空法、例えば真空蒸着により適用する。金属中間層
の層の厚さは、０．５−３０μｍが好ましい。特に好ま
しい層の厚さは、２−１０μｍの範囲である。もちろん
その後金属表面に、磨き仕上げ又はサンダー仕上げなど
の機械的後処理により所望の表面荒さ（＜０．３μｍ）
を与えることができる。

【００２７】ベースとなるポリマー材料の好ましい機械
的性質、例えば衝撃強さ、曲げ強さ及び外繊維伸び率
は、ラッカー被覆及びメッキ段階で不利な影響を受けな
い。

【００２８】優れた滑り止め及び耐引掻性を有する所望
の皮膜を与えるために、もちろんさらに追加の保護層又
は仕上げ塗料を金属表面層に適用することができる。こ
のような皮膜は先行技術から既知であり、例えば真空蒸
着により適用されるグラファイト−様皮膜及び化学的に
後−架橋される耐引掻性ポリアクリレートが含まれる。

【００２９】本発明は本発明の記録媒体の、コンピュー
ター用ハードディスクの製造のための利用にも関する。

【００３０】本発明を以下の実施例により例示する。

【００３１】実施例で挙げられている生成物の名前のい
くつかは、登録商標である。

【００３２】

【実施例】

実施例１ 厚さが２ｍｍの射出成型された５ １／４インチポリカ
ーボネート円板に２５００ｒ．ｐ．ｍ．の回転速度で、
１．０ｇ／ｌのビス−ベンゾニトリルパラジウムクロリ
ド及び０．３ｇ／ｌのフッ素界面活性剤（ＦＴ ４０
５，ＢａｙｅｒＡＧ，Ｄ−５０９０ Ｌｅｖｅｒｋｕｓ
ｅｎの製品）をさらに含む市販のアクリレート−修飾Ｕ
Ｖ−硬化性ポリウレタンプレポリマー（Ｒｅｇｕｌｕｘ
^R Ｒｚ３２０１，Ｄｒ．Ｒｅｎｇｅｒ ＧｍｂＨ，Ｄ
−８６１８ Ｓｔｒｕｌｌｅｎｄｏｒｆの製品）をスピ
ンコートする。その後室温で波長が約３１０ｎｍのＵＶ
光に６０秒暴露することにより、試料を架橋する。

【００３３】その後、 ２．６ｇ／ｌ ＣｏＳＯ₄ １２．０ｇ／ｌ 次亜リン酸Ｎａ ２２．０ｇ／ｌ 硼酸Ｎａ ５０．０ｇ／ｌ クエン酸 １７．１ｇ／ｌ グリシンを含み、２５％のＮＨ₄ＯＨ
溶液でｐＨを約１０．０に調節した化学的Ｃｏ浴に７０
℃で１０分間浸漬することにより、試料に０．０５μｍ
の厚さのＣｏ−Ｂ皮膜を与える。

【００３４】ＤＩＮ ５３ １５１（クロスハッチ付着
試験）に従い金属付着度がＧｔ ０である磁気ハードデ
ィスクが得られる。金属皮膜の抗磁力は約９５０ Ｏｅ
である。

【００３５】実施例２ 厚さが２ｍｍの５ １／２インチポリカーボネート円板
を、０．８ｇ／ｌのヘプテノンパラジウムクロリド及び
０．２ｇ／ｌのフッ素界面活性剤（ＦＴ ４０５，Ｂａ
ｙｅｒ ＡＧ，Ｄ−５０９０ Ｌｅｖｅｒｋｕｓｅｎの
製品）をさらに含むアクリレート−修飾ＵＶ−硬化性エ
ポキシプレポリマー（Ｒｅｇｏｌｕｘ^R３２０３，Ｄ
ｒ．Ｒｅｎｇｅｒ ＧｍｂＨ，Ｄ−８６１８ Ｓｔｒｕ
ｌｌｅｎｄｏｒｆの製品）を用いて実施例１の要領で被
覆する。

【００３６】その後、 ２３ｇ／ｌ ＣｏＳＯ₄ ７Ｈ₂Ｏ ４３ｇ／ｌ 次亜リン酸ナトリウム ３２ｇ／ｌ 硼酸 １５０ｇ／ｌ クエン酸 ５１ｇ／ｌ アミノ酢酸を含む化学的Ｃｏ浴に７０℃で
８分間浸漬することにより、試料に０．０５μｍの厚さ
のＣｏ−Ｐ皮膜を与える。

【００３７】荒さが＜０．１μｍの磁気ハードディスク
を得る。金属皮膜の金属付着度はＧｔ ０であり、抗磁
力は９８０ Ｏｅである。

【００３８】実施例３ 実施例２のポリカーボネート円板に、Ｔ．Ｏｋｕｗａｋ
ｉ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５３，
（１９８２），２５８８に従って０．００８μｍのＣｏ
−Ｃｒ皮膜を与える。

【００３９】磁気ハードディスクが得られる。その抗磁
力は約７５０ Ｏｅであり、ＤＩＮ５３ １５１に従っ
て測定した金属付着度は非常に優れたＧｔ ０である。

【００４０】実施例４ 実施例２の５ １／４インチポリカーボネートにアクリ
レート−修飾ポリウレタン皮膜を与える。その後試料
を、０．８ｇのビス−アセトニトリルパラジウムジクロ
リド及び７５０ｍｌのエタノールを含む溶液中で５分間
活性化し、空気中で乾燥し、実施例２の要領でＣｏ−Ｐ
皮膜を与える。

【００４１】荒さが約０．１μｍの磁気ハードディスク
が得られる。ＤＩＮ ５３ １５１に従って測定した金
属皮膜の金属付着度はＧｔ ０である。

【００４２】本発明の主たる特徴及び態様は以下の通り
である。

【００４３】１．非晶質プラスチックのプラスチック担
体、中間層としての下塗りＵＶ−硬化性ラッカー層、場
合により別の非磁性金属中間層及び表面層としての磁化
可能な結合剤−非含有金属層を含む磁気記録媒体。

【００４４】２．第１項に記載の磁気記録媒体におい
て、非晶質プラスチックがポリカーボネート又はポリカ
ーボネート／ＡＢＳブレンドであることを特徴とする磁
気記録媒体。

【００４５】３．第１項に記載の磁気記録媒体におい
て、ラッカー中間層がアクリレート−修飾ポリウレタン
及び／又はエポキシ樹脂をベースとするラッカーを含む
ことを特徴とする磁気記録媒体。

【００４６】４．第３項に記載の磁気記録媒体におい
て、ラッカー中間層がさらにラッカーに基づいて０．０
１−２重量％のフッ素界面活性剤を含むことを特徴とす
る磁気記録媒体。

【００４７】５．第１−３項のいずれかに記載の磁気記
録媒体において、ラッカー中間層の表面荒さが＜０．３
μｍであり、層の厚さが０．５−３μｍであることを特
徴とする磁気記録媒体。

【００４８】６．第１−３項に記載の磁気記録媒体にお
いて、ラッカー中間層がさらに周期系の第１及び／又は
第８亜族の元素の有機金属錯体を、ラッカーに基づいて
０．０２−３．５重量％の量で含むことを特徴とする磁
気記録媒体。

【００４９】７．第１−５項のいずれかに記載の磁気記
録媒体において、金属表面層がコバルト、ニッケル、ク
ロム及び鉄から成る群から選ばれる金属又は金属の混合
物を含み、場合によってはリン及び／又はホウ素が添加
されていることを特徴とする磁気記録媒体。

【００５０】８．第１項に記載の磁気記録媒体におい
て、非−磁性金属中間層がＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ又はＣｕ／
Ｎｉを含み、層の厚さが０．５−３０μｍであり、表面
荒さが＜０．３μｍであることを特徴とする磁気記録媒
体。

【００５１】９．第１項に記載の磁気記録媒体の製造法
において、下塗りＵＶ−硬化性ラッカー中間層をスピン
コートによりプラスチック担体の表面に適用し、その後
用いる場合は非−磁性金属中間層及び磁性金属表面層
を、真空蒸着又は湿式−化学メッキ法によりラッカー中
間層に適用することを特徴とする方法。

【００５２】１０．第１−８項に記載の磁気記録媒体
の、コンピューター用ハードディスクの製造のための利
用。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非晶質プラスチックのプラスチック担
   体、中間層としての下塗りＵＶ−硬化性ラッカー層、場
   合により別の非磁性金属中間層及び表面層としての磁化
   可能な結合剤−非含有金属層を含む磁気記録媒体。