JPH0620063B2 - 半導体基板の洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0620063B2 JPH0620063B2 JP61294909A JP29490986A JPH0620063B2 JP H0620063 B2 JPH0620063 B2 JP H0620063B2 JP 61294909 A JP61294909 A JP 61294909A JP 29490986 A JP29490986 A JP 29490986A JP H0620063 B2 JPH0620063 B2 JP H0620063B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- cleaning
- semiconductor substrate
- pure water
- nozzle
- Prior art date
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体基板の洗浄装置に関し、特にデザインル
ールが１μｍ以下の微細加工が形成された１Ｍビット以
上の高集積度のダイナミックメモリ及び８インチ以上の
大径シリコン基板の洗浄に使用されるものである。
ールが１μｍ以下の微細加工が形成された１Ｍビット以
上の高集積度のダイナミックメモリ及び８インチ以上の
大径シリコン基板の洗浄に使用されるものである。
（従来の技術） 従来、半導体基板の洗浄装置としては、大別して２通り
ある。
ある。
(1)バッチ式洗浄装置（第５図図示） 図中の１は、底部にドレイン２を有した洗浄槽である。
この洗浄層１内には洗浄液３が収容されている。この洗
浄層１内には洗浄液３が収容されている。この洗浄層１
内には、半導体基板４をセットしたキャリア５が載置し
てある。なお、図中の６は薬液あるいは純水供給系であ
る。こうした装置の操作は次のように行う。まず、半導
体基板４をキャリア５に入れ、キャリア５ごと洗浄槽１
に入れる。ここで、洗浄槽１には薬液あるいは純水供給
系６から液が供給され、洗浄液３を洗浄槽１から抜くの
はドレイン２により行なう。また、キャリア５の洗浄槽
への設置及び移動は、作業者がキャリア５のハンドルの
部分を手に持って行うか又はロボットのアームにより行
なう。なお、上記装置において洗浄層を数個つなげて設
置し順次異なった洗浄槽で洗浄を行う方法もある。
この洗浄層１内には洗浄液３が収容されている。この洗
浄層１内には洗浄液３が収容されている。この洗浄層１
内には、半導体基板４をセットしたキャリア５が載置し
てある。なお、図中の６は薬液あるいは純水供給系であ
る。こうした装置の操作は次のように行う。まず、半導
体基板４をキャリア５に入れ、キャリア５ごと洗浄槽１
に入れる。ここで、洗浄槽１には薬液あるいは純水供給
系６から液が供給され、洗浄液３を洗浄槽１から抜くの
はドレイン２により行なう。また、キャリア５の洗浄槽
への設置及び移動は、作業者がキャリア５のハンドルの
部分を手に持って行うか又はロボットのアームにより行
なう。なお、上記装置において洗浄層を数個つなげて設
置し順次異なった洗浄槽で洗浄を行う方法もある。
(2)枚葉式洗浄装置（第６図図示） 図中の１１は、回転軸１２により支持されたメカニカル
チャックである。このメカニカルチャック１１の上部に
は、半導体基板１が水平に吸着されている。この基板４
の右上には、薬液供給ノズル１２及び純水供給ノズル１
３が設けられている。上記装置において、前記ノズル１
２からは薬液が吹きかけられ、他方のノズル１３からは
純水が吹きかけられる。この際、薬液や純水を均一に吹
きかけるため前記基板１は回転している。
チャックである。このメカニカルチャック１１の上部に
は、半導体基板１が水平に吸着されている。この基板４
の右上には、薬液供給ノズル１２及び純水供給ノズル１
３が設けられている。上記装置において、前記ノズル１
２からは薬液が吹きかけられ、他方のノズル１３からは
純水が吹きかけられる。この際、薬液や純水を均一に吹
きかけるため前記基板１は回転している。
また、洗浄後の乾燥装置は、上記(1)，(2)に対応して次
のようなものが用いられる。
のようなものが用いられる。
(1)バッチ式乾燥装置 半導体基板が同数枚入ったキャリアを乾燥装置内に向か
いあわせて置き、このキャリアの置かれた槽を毎分1000
回転の速度で５分間回転させ、遠心力で水を切り半導体
基板を乾燥させる。
いあわせて置き、このキャリアの置かれた槽を毎分1000
回転の速度で５分間回転させ、遠心力で水を切り半導体
基板を乾燥させる。
(2)枚葉式乾燥装置 半導体基板を水平の状態で保持したまま、半導体基板を
支えているメカニカルチャックの軸を毎分1000回転の速
度で３０秒間回転させ、遠心力で水を切り半導体基板を
乾燥させる。
支えているメカニカルチャックの軸を毎分1000回転の速
度で３０秒間回転させ、遠心力で水を切り半導体基板を
乾燥させる。
しかしながら、従来の洗浄装置によれば下記の問題点を
有する。
有する。
(1)バッチ式洗浄装置 洗浄槽１の中で洗浄液３に半導体基板４及びキャリア５
が浸漬されている場合、キャリア５の表面から金属の溶
出があり、洗浄液３の純度を低くして洗浄効果を低くす
る。また、半導体基板同士の間隔が５mmと挾いので洗浄
液３の循環が悪く１μｍ以下の微細加工があれた半導体
基板に対しては洗浄効果が悪い。
が浸漬されている場合、キャリア５の表面から金属の溶
出があり、洗浄液３の純度を低くして洗浄効果を低くす
る。また、半導体基板同士の間隔が５mmと挾いので洗浄
液３の循環が悪く１μｍ以下の微細加工があれた半導体
基板に対しては洗浄効果が悪い。
(2)枚葉式洗浄装置 水あるいは薬液を高速で回転している半導体基板４に吹
きつけるため、液体と基板表面の接触時間が短く、微細
加工された基板を化学的に洗浄する場合、洗浄効果が劣
ることがある。
きつけるため、液体と基板表面の接触時間が短く、微細
加工された基板を化学的に洗浄する場合、洗浄効果が劣
ることがある。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、微細加工さ
れた半導体基板を確実に洗浄し得る半導体基板の洗浄装
置を提供することを目的とする。
れた半導体基板を確実に洗浄し得る半導体基板の洗浄装
置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、半導体基板を水平に載置するメカニカルチャ
ックと、前記基板上に密着あるいは近接して設けられ径
が前記基板の直径よりも小さい輪材と、前記基板の上方
に設けられ該基板に純水を注ぐ第１ノズルと、前記基板
の上方に設けられ該基板に薬液を注ぐ第２ノズルとを具
備することを要旨とする。
ックと、前記基板上に密着あるいは近接して設けられ径
が前記基板の直径よりも小さい輪材と、前記基板の上方
に設けられ該基板に純水を注ぐ第１ノズルと、前記基板
の上方に設けられ該基板に薬液を注ぐ第２ノズルとを具
備することを要旨とする。
（作用） 本発明によれば、基板より小さい径の輪材を前記基板に
密着あるいは近接して設けることにより、基板上に液体
がとどまる時間を自由に設定できるようにし、微細加工
された半導体基板を確実に洗浄できる。
密着あるいは近接して設けることにより、基板上に液体
がとどまる時間を自由に設定できるようにし、微細加工
された半導体基板を確実に洗浄できる。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図を参照して説
明する。
明する。
図中の２１は、回転軸２２により支持されたメカニカル
チャックである。このメカニカルチャック２１の上部に
は、半導体基板２３が水平に吸着されている。この基板
２３の表面には、例えば基板２３の直径より４mm小さい
直径で高さ２０mm，厚さ２mmのテフロン製の輪材２４が
密着して設けられている。前記基板２３の右斜め上に
は、前記基板２３に純水に注ぐ純水供給ノズル２５，薬
液を注ぐ薬液供給ノズル２６が夫々設けられている。
チャックである。このメカニカルチャック２１の上部に
は、半導体基板２３が水平に吸着されている。この基板
２３の表面には、例えば基板２３の直径より４mm小さい
直径で高さ２０mm，厚さ２mmのテフロン製の輪材２４が
密着して設けられている。前記基板２３の右斜め上に
は、前記基板２３に純水に注ぐ純水供給ノズル２５，薬
液を注ぐ薬液供給ノズル２６が夫々設けられている。
こうした構造の洗浄装置においては、まず第１図のよう
に前記基板２３をメカニカルチャック２１により水平に
保持し、メカニカルチャック２１の回転軸２２を毎分10
00回転させることで前記基板２３を回転させながら、前
記純水供給ノズル２５から純水を１００Kg／cm2の圧力
で１０秒間吹きつける。次に、ノズル２５からの吹きつ
けを止め、前記基板２３を５秒間回転させて基板表面が
乾燥したところで回転を止める。次いで、第２図のよう
に基板２３上方から前記輪材２４をモータ駆動で降ろ
し、基板表面に密着させる。この状態で供給ノズル２６
から５０％弗化水素酸を２００分の１に純水で希釈した
液体を基板２３の上に２００ｍｌ注ぐ。しかるに、この
状態では基板２３上の液体は輪の中にとどまる。３分間
保持した後、輪材２４をモータ駆動で上げ、再び第１図
の状態で純水による洗浄を行なう。
に前記基板２３をメカニカルチャック２１により水平に
保持し、メカニカルチャック２１の回転軸２２を毎分10
00回転させることで前記基板２３を回転させながら、前
記純水供給ノズル２５から純水を１００Kg／cm2の圧力
で１０秒間吹きつける。次に、ノズル２５からの吹きつ
けを止め、前記基板２３を５秒間回転させて基板表面が
乾燥したところで回転を止める。次いで、第２図のよう
に基板２３上方から前記輪材２４をモータ駆動で降ろ
し、基板表面に密着させる。この状態で供給ノズル２６
から５０％弗化水素酸を２００分の１に純水で希釈した
液体を基板２３の上に２００ｍｌ注ぐ。しかるに、この
状態では基板２３上の液体は輪の中にとどまる。３分間
保持した後、輪材２４をモータ駆動で上げ、再び第１図
の状態で純水による洗浄を行なう。
しかして、本発明によれば、基板２３上に輪材２４を設
けることにより、大口径の基板の洗浄を容易にできる。
同時に、従来の枚葉式洗浄装置では、基板に吹きかけた
液体は短時間で基板から離れるため化学的な洗浄が必ず
しも十分に行なえなかった。これに対し、本発明では基
板２３に吹きかけた液体を希望する時間だけ基板２３上
にとどめることができる。従って、化学的な洗浄が十分
に行なえ、特に１μｍ以下のパターンサイズで微細加工
された基板の表面の凹凸の内部の不純物を除去すること
ができる。
けることにより、大口径の基板の洗浄を容易にできる。
同時に、従来の枚葉式洗浄装置では、基板に吹きかけた
液体は短時間で基板から離れるため化学的な洗浄が必ず
しも十分に行なえなかった。これに対し、本発明では基
板２３に吹きかけた液体を希望する時間だけ基板２３上
にとどめることができる。従って、化学的な洗浄が十分
に行なえ、特に１μｍ以下のパターンサイズで微細加工
された基板の表面の凹凸の内部の不純物を除去すること
ができる。
なお、上記実施例では、輪材を基板に密着させた場合に
ついて述べたが、これに限らない。例えば第４図のよう
に輪材２４と基板２３間の距離を１mmあけてもよい。こ
の場合、ノズル２６から薬液を毎秒５０ｍｌ注ぐことに
より，基板の上にたまった薬品が輪材２４と基板２３の
すきま、及び輪材２４の上から流れ出す。この場合、輪
材２４と基板２３間の距離を変えることで、基板上にと
どまる液体の時間を変えることができる。
ついて述べたが、これに限らない。例えば第４図のよう
に輪材２４と基板２３間の距離を１mmあけてもよい。こ
の場合、ノズル２６から薬液を毎秒５０ｍｌ注ぐことに
より，基板の上にたまった薬品が輪材２４と基板２３の
すきま、及び輪材２４の上から流れ出す。この場合、輪
材２４と基板２３間の距離を変えることで、基板上にと
どまる液体の時間を変えることができる。
以上詳述した如く本発明によれば、例えば１μｍ以下に
微細加工された半導体基板を確実に洗浄しえる信頼性の
高い半導体基板の洗浄装置を提供できる。
微細加工された半導体基板を確実に洗浄しえる信頼性の
高い半導体基板の洗浄装置を提供できる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例に係る半導体基板
の洗浄装置の説明図、第３図は同装置に係る輪材の平面
図、第４図は本発明の他の実施例に係る半導体基板の洗
浄装置の説明図、第５図は従来のバッチ式洗浄装置の説
明図、第６図は従来の枚葉式洗浄装置の説明図である。 ２１……メカニカルチャック、２２……回転軸、２３…
…半導体基板、２４……輪材、２５……純水供給ノズ
ル、２６……薬液供給ノズル。
の洗浄装置の説明図、第３図は同装置に係る輪材の平面
図、第４図は本発明の他の実施例に係る半導体基板の洗
浄装置の説明図、第５図は従来のバッチ式洗浄装置の説
明図、第６図は従来の枚葉式洗浄装置の説明図である。 ２１……メカニカルチャック、２２……回転軸、２３…
…半導体基板、２４……輪材、２５……純水供給ノズ
ル、２６……薬液供給ノズル。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板を水平に載置するメカニカルチ
ャックと、前記基板上に密着あるいは近接して設けられ
径が前記基板の直径よりも小さい輪材と、前記基板の上
方に設けられ該基板に純水を注ぐ第１ノズルと、前記基
板の上方に設けられ該基板に薬液を注ぐ第２ノズルとを
具備することを特徴とする半導体基板の洗浄装置。 - 【請求項２】前記半導体基板と輪材との距離が可変でき
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294909A JPH0620063B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 半導体基板の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294909A JPH0620063B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 半導体基板の洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148640A JPS63148640A (ja) | 1988-06-21 |
| JPH0620063B2 true JPH0620063B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=17813825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61294909A Expired - Lifetime JPH0620063B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 半導体基板の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620063B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918642A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS5931853A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-21 | Kubota Ltd | ロ−ドセル起歪体鋳造用析出硬化型合金 |
| JPH0128676Y2 (ja) * | 1985-02-28 | 1989-08-31 |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP61294909A patent/JPH0620063B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63148640A (ja) | 1988-06-21 |
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