JPH06196729A - ヘテロ接合デバイスの製造方法 - Google Patents
ヘテロ接合デバイスの製造方法Info
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- JPH06196729A JPH06196729A JP43A JP34622892A JPH06196729A JP H06196729 A JPH06196729 A JP H06196729A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 34622892 A JP34622892 A JP 34622892A JP H06196729 A JPH06196729 A JP H06196729A
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- plasma treatment
- hydrogen plasma
- hydrogen
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- polycrystalline
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 水素プラズマ処理を均一にかつ効果的に多結
晶半導体に施すことのできるヘテロ接合デバイスの製造
方法を得る。 【構成】 一導電型多結晶半導体１に水素プラズマ処理
を施した後、多結晶半導体１のダメージを受けた表面層
１ａを除去し、その上に非晶質半導体層２，３を、水素
プラズマ処理の温度よりも低い温度で形成する。
晶半導体に施すことのできるヘテロ接合デバイスの製造
方法を得る。 【構成】 一導電型多結晶半導体１に水素プラズマ処理
を施した後、多結晶半導体１のダメージを受けた表面層
１ａを除去し、その上に非晶質半導体層２，３を、水素
プラズマ処理の温度よりも低い温度で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、ヘテロ接合太
陽電池のように、多結晶半導体と非晶質半導体とを接合
させたヘテロ接合を有するデバイスの製造方法に関する
ものである。
陽電池のように、多結晶半導体と非晶質半導体とを接合
させたヘテロ接合を有するデバイスの製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池の分野において、多結晶太陽電
池は低コストと高効率を両立できるものとして期待され
ている。このような多結晶太陽電池においては、結晶方
位の異なる結晶粒同士が接触する、いわゆる粒界でのキ
ャリアの再結合が、太陽電池の性能を著しく低下させ、
多結晶太陽電池の高効率化に対して大きな障害となって
いる。
池は低コストと高効率を両立できるものとして期待され
ている。このような多結晶太陽電池においては、結晶方
位の異なる結晶粒同士が接触する、いわゆる粒界でのキ
ャリアの再結合が、太陽電池の性能を著しく低下させ、
多結晶太陽電池の高効率化に対して大きな障害となって
いる。
【０００３】このような粒界でのキャリアの再結合は、
粒界に多く存在するダングリングボンド（未結合手）の
存在が大きな原因となっている。このような粒界でのキ
ャリアの再結合を低減する目的で、多結晶半導体に対し
て水素処理を施し多結晶半導体中の粒界のダングリング
ボンドを水素終端する方法が提案されている。このよう
な水素終端の方法として、Ｐｒｏｃ． ｏｆ ２２ｎｄ
ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｐｅｃｉａ
ｌｉｓｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｐｐ．８７３−８
７６では、水素プラズマ処理が試みられている。この報
告では、多結晶半導体に不純物を拡散させてｐｎ接合を
形成する太陽電池について、水素プラズマ処理が検討さ
れている。
粒界に多く存在するダングリングボンド（未結合手）の
存在が大きな原因となっている。このような粒界でのキ
ャリアの再結合を低減する目的で、多結晶半導体に対し
て水素処理を施し多結晶半導体中の粒界のダングリング
ボンドを水素終端する方法が提案されている。このよう
な水素終端の方法として、Ｐｒｏｃ． ｏｆ ２２ｎｄ
ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｐｅｃｉａ
ｌｉｓｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｐｐ．８７３−８
７６では、水素プラズマ処理が試みられている。この報
告では、多結晶半導体に不純物を拡散させてｐｎ接合を
形成する太陽電池について、水素プラズマ処理が検討さ
れている。
【０００４】水素プラズマ処理後プロセス温度が高温に
なると、粒界において水素終端している水素が再び脱離
してしまうので、通常ｐｎ接合形成後に水素プラズマ処
理が行われる。しかしながら、処理後５００℃以上の高
温プロセスを経ると、やはり水素が脱離するおそれがあ
るので、このような水素の脱離を防止するため、酸化膜
や窒化膜等で基板を被う必要が生じる。このため、太陽
電池に対する水素プラズマ処理は、一般には、表面に電
極や反射防止層等を形成し、太陽電池がほぼ完成した状
態において行われている。
なると、粒界において水素終端している水素が再び脱離
してしまうので、通常ｐｎ接合形成後に水素プラズマ処
理が行われる。しかしながら、処理後５００℃以上の高
温プロセスを経ると、やはり水素が脱離するおそれがあ
るので、このような水素の脱離を防止するため、酸化膜
や窒化膜等で基板を被う必要が生じる。このため、太陽
電池に対する水素プラズマ処理は、一般には、表面に電
極や反射防止層等を形成し、太陽電池がほぼ完成した状
態において行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、太陽電
池が完成した後の水素プラズマ処理では、表面及び裏面
に電極や反射防止層等が存在しており、このような電極
や反射防止層の面内方向及び深さ方向の不均一性の影響
を受け、その内部に存在する半導体層に対して水素プラ
ズマ処理を均一に行うことができないという問題があっ
た。すなわち、水素終端が成されていない部分が残るな
ど十分に水素プラズマ処理の効果が得られていなかっ
た。また、水素プラズマ処理により、表面の電極や反射
防止層等にダメージが残り、電池特性に影響を与えると
いう問題もあった。
池が完成した後の水素プラズマ処理では、表面及び裏面
に電極や反射防止層等が存在しており、このような電極
や反射防止層の面内方向及び深さ方向の不均一性の影響
を受け、その内部に存在する半導体層に対して水素プラ
ズマ処理を均一に行うことができないという問題があっ
た。すなわち、水素終端が成されていない部分が残るな
ど十分に水素プラズマ処理の効果が得られていなかっ
た。また、水素プラズマ処理により、表面の電極や反射
防止層等にダメージが残り、電池特性に影響を与えると
いう問題もあった。
【０００６】一方、近年、非晶質半導体と多結晶半導体
とを接合させたヘテロ接合太陽電池が、安価でかつ変換
効率の高いことから注目されているが、このようなヘテ
ロ接合太陽電池においても、水素プラズマ処理によるダ
メージが残ることから、水素プラズマ処理は一般に行わ
れていなかった。
とを接合させたヘテロ接合太陽電池が、安価でかつ変換
効率の高いことから注目されているが、このようなヘテ
ロ接合太陽電池においても、水素プラズマ処理によるダ
メージが残ることから、水素プラズマ処理は一般に行わ
れていなかった。
【０００７】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、粒界でのキャリアの再結合を低減させること
のできる水素プラズマ処理を効果的に行うことのでき
る、ヘテロ接合デバイスの製造方法を提供することにあ
る。
を解消し、粒界でのキャリアの再結合を低減させること
のできる水素プラズマ処理を効果的に行うことのでき
る、ヘテロ接合デバイスの製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、一
導電型の多結晶半導体に水素プラズマ処理を施す工程
と、水素プラズマ処理によってダメージを受けた多結晶
半導体の表面層を除去する工程と、表面層を除去した多
結晶半導体上に直接または間接に他導電型の非晶質半導
体層を水素プラズマ処理よりも低い温度で形成する工程
とを備えることを特徴としている。
導電型の多結晶半導体に水素プラズマ処理を施す工程
と、水素プラズマ処理によってダメージを受けた多結晶
半導体の表面層を除去する工程と、表面層を除去した多
結晶半導体上に直接または間接に他導電型の非晶質半導
体層を水素プラズマ処理よりも低い温度で形成する工程
とを備えることを特徴としている。
【０００９】本発明において、水素プラズマ処理の温度
は、好ましくは２００℃〜５５０℃であり、さらに好ま
しくは３５０℃〜５００℃である。また水素プラズマ処
理の反応条件において、水素のガス流量は１０〜４００
ｓｃｃｍが好ましく、ＲＦパワーは１０〜２５０ｍＷ／
ｃｍ2 が好ましく、反応圧力は１．０〜１５０Ｐａが好
ましい。処理時間は、２０〜２４０分が好ましく、さら
に好ましくは３０〜１２０分である。
は、好ましくは２００℃〜５５０℃であり、さらに好ま
しくは３５０℃〜５００℃である。また水素プラズマ処
理の反応条件において、水素のガス流量は１０〜４００
ｓｃｃｍが好ましく、ＲＦパワーは１０〜２５０ｍＷ／
ｃｍ2 が好ましく、反応圧力は１．０〜１５０Ｐａが好
ましい。処理時間は、２０〜２４０分が好ましく、さら
に好ましくは３０〜１２０分である。
【００１０】本発明に従えば、水素プラズマ処理後、処
理によってダメージを受けた多結晶半導体の表面層を除
去する。この除去の方法は特に限定されるものではな
く、物理的な方法や化学的な方法によって行うことがで
きる。エッチングによって表面層を除去する場合には、
ドライエッチング法や、酸やアルカリ等の溶液を用いた
ウェットエッチングを行うことができる。ウェットエッ
チングでは、エッチング後の残留不純物の観点からフッ
硝酸を用いたウェットエッチングが好ましい。使用する
フッ硝酸溶液としては、ＨＦ：ＨＮＯ3 ＝１：５〜５０
の混合比のものが好ましい。処理時間は、特に限定され
るものではないが、エッチングによる表面荒れ等の影響
を考慮すると、１分以下であることが好ましい。
理によってダメージを受けた多結晶半導体の表面層を除
去する。この除去の方法は特に限定されるものではな
く、物理的な方法や化学的な方法によって行うことがで
きる。エッチングによって表面層を除去する場合には、
ドライエッチング法や、酸やアルカリ等の溶液を用いた
ウェットエッチングを行うことができる。ウェットエッ
チングでは、エッチング後の残留不純物の観点からフッ
硝酸を用いたウェットエッチングが好ましい。使用する
フッ硝酸溶液としては、ＨＦ：ＨＮＯ3 ＝１：５〜５０
の混合比のものが好ましい。処理時間は、特に限定され
るものではないが、エッチングによる表面荒れ等の影響
を考慮すると、１分以下であることが好ましい。
【００１１】表面層を除去した後、多結晶半導体上に直
接または間接に他導電型の非晶質半導体層を形成する。
この非晶質半導体層の形成は、従来から行われているス
パッタリング法やＣＶＤ法等により形成させることがで
きる。本発明は、この非晶質半導体の形成の際の温度を
水素プラズマ処理の温度よりも低い温度で行う。これ
は、水素プラズマ処理により粒界に導入された水素が再
び脱離するのを可能な限り少なくするためである。この
ような非晶質半導体層を形成させる際の温度は、基板温
度として３００℃以下が好ましく、さらに好ましくは２
００℃以下である。
接または間接に他導電型の非晶質半導体層を形成する。
この非晶質半導体層の形成は、従来から行われているス
パッタリング法やＣＶＤ法等により形成させることがで
きる。本発明は、この非晶質半導体の形成の際の温度を
水素プラズマ処理の温度よりも低い温度で行う。これ
は、水素プラズマ処理により粒界に導入された水素が再
び脱離するのを可能な限り少なくするためである。この
ような非晶質半導体層を形成させる際の温度は、基板温
度として３００℃以下が好ましく、さらに好ましくは２
００℃以下である。
【００１２】本発明において、他導電型の非晶質半導体
層は、一導電型の多結晶半導体上に直接または間接に形
成されるが、間接に形成する際には、これらの間に真性
の非晶質半導体層を介在させることが好ましい。このよ
うな真性の非晶質半導体層の介在により、光電変換効率
の向上を図ることができる。
層は、一導電型の多結晶半導体上に直接または間接に形
成されるが、間接に形成する際には、これらの間に真性
の非晶質半導体層を介在させることが好ましい。このよ
うな真性の非晶質半導体層の介在により、光電変換効率
の向上を図ることができる。
【００１３】
【作用】本発明では、ヘテロ接合デバイスを実質的に完
成した後ではなく、ヘテロ接合を形成させる前の一導電
型の多結晶半導体に対して水素プラズマ処理を施してい
る。このため、処理の対象となる多結晶半導体との間に
介在するものがなく、直接処理対象である多結晶半導体
に水素プラズマ処理を施すことができ、多結晶半導体内
において均一に水素プラズマ処理を施すことができ、均
一にダングリングボンドを水素終端させることが可能と
なる。
成した後ではなく、ヘテロ接合を形成させる前の一導電
型の多結晶半導体に対して水素プラズマ処理を施してい
る。このため、処理の対象となる多結晶半導体との間に
介在するものがなく、直接処理対象である多結晶半導体
に水素プラズマ処理を施すことができ、多結晶半導体内
において均一に水素プラズマ処理を施すことができ、均
一にダングリングボンドを水素終端させることが可能と
なる。
【００１４】また本発明では、水素プラズマ処理後、多
結晶半導体のダメージを受けた表面層を除去している。
このため、良好なヘテロ接合を形成させることができ
る。さらに、本発明においては、ヘテロ接合の形成を、
水素プラズマ処理よりも低い温度で行っている。このた
め、多結晶半導体内の粒界内のダングリングボンドを終
端している水素の脱離を可能な限り少なくすることがで
きる。
結晶半導体のダメージを受けた表面層を除去している。
このため、良好なヘテロ接合を形成させることができ
る。さらに、本発明においては、ヘテロ接合の形成を、
水素プラズマ処理よりも低い温度で行っている。このた
め、多結晶半導体内の粒界内のダングリングボンドを終
端している水素の脱離を可能な限り少なくすることがで
きる。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明に従う製造方法の一実施例を
説明するための断面図である。まず、図１（ａ）に示す
ようなｎ型多結晶シリコン基板１を洗浄し、これをプラ
ズマ装置内に入れ、水素プラズマ処理を行う。このとき
のプラズマ処理の基板温度は、４００℃である。また、
水素処理時の反応条件は、水素ガス流量：１００ｓｃｃ
ｍ、ＲＦパワー：１６０ｍＷ／ｃｍ2 、反応圧力２７Ｐ
ａである。また、処理時間は１００分である。
説明するための断面図である。まず、図１（ａ）に示す
ようなｎ型多結晶シリコン基板１を洗浄し、これをプラ
ズマ装置内に入れ、水素プラズマ処理を行う。このとき
のプラズマ処理の基板温度は、４００℃である。また、
水素処理時の反応条件は、水素ガス流量：１００ｓｃｃ
ｍ、ＲＦパワー：１６０ｍＷ／ｃｍ2 、反応圧力２７Ｐ
ａである。また、処理時間は１００分である。
【００１６】図１（ｂ）は、以上のようにして水素プラ
ズマ処理した後のｎ型多結晶シリコン基板１を示す断面
図である。図１（ｂ）に示されるように、多結晶シリコ
ン基板１内において、均一に粒界のダングリングボンド
が水素終端されており、多結晶シリコン基板１の表面に
は、水素プラズマ処理によってダメージを受けたプラズ
マダメージ層１ａが形成されている。このダメージ層１
ａを、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3 ＝１：２０）溶液中で
１分間処理することによって除去する。図１（ｃ）は、
ダメージ層を除去した後の多結晶シリコン基板１を示し
ている。
ズマ処理した後のｎ型多結晶シリコン基板１を示す断面
図である。図１（ｂ）に示されるように、多結晶シリコ
ン基板１内において、均一に粒界のダングリングボンド
が水素終端されており、多結晶シリコン基板１の表面に
は、水素プラズマ処理によってダメージを受けたプラズ
マダメージ層１ａが形成されている。このダメージ層１
ａを、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ3 ＝１：２０）溶液中で
１分間処理することによって除去する。図１（ｃ）は、
ダメージ層を除去した後の多結晶シリコン基板１を示し
ている。
【００１７】次に、図１（ｄ）に示すように、このｎ型
多結晶シリコン基板１の上にｉ型非晶質シリコン層２及
びｐ型非晶質シリコン層３を連続して堆積し、ｐｎ接合
を形成する。このような非晶質シリコン層の形成は、多
結晶シリコン基板１を再びプラズマ反応装置内に入れ、
基板温度１２０℃でＣＶＤ法により行う。また多結晶シ
リコン基板１の裏面側には、ｎ型非晶質シリコン層４を
形成する。非晶質シリコン層の形成条件を表１に示す。
多結晶シリコン基板１の上にｉ型非晶質シリコン層２及
びｐ型非晶質シリコン層３を連続して堆積し、ｐｎ接合
を形成する。このような非晶質シリコン層の形成は、多
結晶シリコン基板１を再びプラズマ反応装置内に入れ、
基板温度１２０℃でＣＶＤ法により行う。また多結晶シ
リコン基板１の裏面側には、ｎ型非晶質シリコン層４を
形成する。非晶質シリコン層の形成条件を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、図１（ｅ）に示すように、ｐ型非晶
質シリコン層３の上に透明電極膜兼反射防止膜としての
ＩＴＯ（酸化インジウム錫）膜５を形成し、さらにその
上に銀からなる集電極６を形成する。また多結晶シリコ
ン基板１の裏面側のｎ型非晶質シリコン層４の上には、
Ａｌからなる裏面電極７を形成し、太陽電池を製造す
る。
質シリコン層３の上に透明電極膜兼反射防止膜としての
ＩＴＯ（酸化インジウム錫）膜５を形成し、さらにその
上に銀からなる集電極６を形成する。また多結晶シリコ
ン基板１の裏面側のｎ型非晶質シリコン層４の上には、
Ａｌからなる裏面電極７を形成し、太陽電池を製造す
る。
【００２０】以上のようにして得られた太陽電池の収集
効率を図２に示す。また図２には、比較として、水素プ
ラズマ処理を施さないこと以外は、上記実施例と同様に
して作製した比較例の太陽電池の特性を示している。図
２から明らかなように、本発明に従い水素プラズマ処理
を行うことにより、太陽電池の分光感度特性において、
長波長側での感度を向上することができている。
効率を図２に示す。また図２には、比較として、水素プ
ラズマ処理を施さないこと以外は、上記実施例と同様に
して作製した比較例の太陽電池の特性を示している。図
２から明らかなように、本発明に従い水素プラズマ処理
を行うことにより、太陽電池の分光感度特性において、
長波長側での感度を向上することができている。
【００２１】また、別途水素プラズマ処理した後にプラ
ズマダメージ層を除去しない太陽電池を作製して比較し
たところ、プラズマダメージ層を除去しない場合には、
このような長波長側の感度向上は僅かであった。表２
に、本発明に従い水素プラズマ処理した太陽電池と水素
プラズマ処理していない太陽電池の特性を示す。
ズマダメージ層を除去しない太陽電池を作製して比較し
たところ、プラズマダメージ層を除去しない場合には、
このような長波長側の感度向上は僅かであった。表２
に、本発明に従い水素プラズマ処理した太陽電池と水素
プラズマ処理していない太陽電池の特性を示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】表２から明らかなように、本発明に従い水
素プラズマ処理することにより変換効率を約１３％向上
させることができた。これは、従来水素プラズマ処理に
より特性向上すると報告されている値（１０％未満）よ
りも大きな値である。これは、本発明においては、水素
プラズマ処理よりも低い温度で非晶質半導体層が形成さ
れていることによるものと思われる。
素プラズマ処理することにより変換効率を約１３％向上
させることができた。これは、従来水素プラズマ処理に
より特性向上すると報告されている値（１０％未満）よ
りも大きな値である。これは、本発明においては、水素
プラズマ処理よりも低い温度で非晶質半導体層が形成さ
れていることによるものと思われる。
【００２４】なお、上記実施例においては、多結晶シリ
コン基板としてｎ型のものを用いているが、基板として
ｐ型基板を用い、非晶質半導体層としてｎ型のものを形
成してもよいことはいうまでもない。また、上記実施例
においては、ｎ型多結晶シリコン基板１の裏面側にｎ型
非晶質シリコン層４を形成しているが、このようなシリ
コン層の形成は必ずしも必要なものではない。
コン基板としてｎ型のものを用いているが、基板として
ｐ型基板を用い、非晶質半導体層としてｎ型のものを形
成してもよいことはいうまでもない。また、上記実施例
においては、ｎ型多結晶シリコン基板１の裏面側にｎ型
非晶質シリコン層４を形成しているが、このようなシリ
コン層の形成は必ずしも必要なものではない。
【００２５】また、以上の説明では、ヘテロ接合デバイ
スとして、ヘテロ接合の太陽電池を例示して説明した
が、本発明は太陽電池に限定されるものではなく、他の
デバイスにも適用されるものである。
スとして、ヘテロ接合の太陽電池を例示して説明した
が、本発明は太陽電池に限定されるものではなく、他の
デバイスにも適用されるものである。
【００２６】
【発明の効果】本発明に従えば、水素プラズマ処理の対
象となる多結晶半導体に、直接水素プラズマ処理を施し
ている。このため、多結晶半導体内において水素プラズ
マ処理を均一に施すことができ、多結晶半導体全体にお
いて粒界内のダングリングボンドを均一に水素終端する
ことができる。
象となる多結晶半導体に、直接水素プラズマ処理を施し
ている。このため、多結晶半導体内において水素プラズ
マ処理を均一に施すことができ、多結晶半導体全体にお
いて粒界内のダングリングボンドを均一に水素終端する
ことができる。
【００２７】また本発明に従えば、水素プラズマ処理後
ダメージを受けた多結晶半導体の表面層を除去してい
る。このため、水素プラズマ処理によるダメージが残る
ことなく、多結晶半導体の上に非晶質半導体層を形成し
て、良好なヘテロ接合を形成させることができる。
ダメージを受けた多結晶半導体の表面層を除去してい
る。このため、水素プラズマ処理によるダメージが残る
ことなく、多結晶半導体の上に非晶質半導体層を形成し
て、良好なヘテロ接合を形成させることができる。
【００２８】さらに、本発明に従えば、他導電型の非晶
質半導体層を、水素プラズマ処理の温度よりも低い温度
で形成させている。このため、水素終端が成されたダン
グリングボンドから再び水素が脱離するのを可能な限り
少なくすることができる。
質半導体層を、水素プラズマ処理の温度よりも低い温度
で形成させている。このため、水素終端が成されたダン
グリングボンドから再び水素が脱離するのを可能な限り
少なくすることができる。
【図１】図１は本発明に従う製造方法の一実施例を示す
断面図であり、（ａ）は水素プラズマ処理前のｎ型多結
晶シリコン基板を示しており、（ｂ）は水素プラズマ処
理後のｎ型多結晶シリコン基板を示しており、（ｃ）は
ダメージを受けた表面層を除去した後のｎ型多結晶シリ
コン基板を示しており、（ｄ）はｎ型多結晶シリコン基
板上に非晶質半導体層を形成した状態を示しており、
（ｅ）はさらにその上にＩＴＯ膜及び集電極並びに裏面
電極を形成した状態を示している。
断面図であり、（ａ）は水素プラズマ処理前のｎ型多結
晶シリコン基板を示しており、（ｂ）は水素プラズマ処
理後のｎ型多結晶シリコン基板を示しており、（ｃ）は
ダメージを受けた表面層を除去した後のｎ型多結晶シリ
コン基板を示しており、（ｄ）はｎ型多結晶シリコン基
板上に非晶質半導体層を形成した状態を示しており、
（ｅ）はさらにその上にＩＴＯ膜及び集電極並びに裏面
電極を形成した状態を示している。
【図２】本発明に従う実施例の太陽電池の分光感度特性
を示す図。
を示す図。
１…ｎ型多結晶シリコン基板 １ａ…プラズマダメージ層 ２…ｉ型非晶質シリコン層 ３…ｐ型非晶質シリコン層 ４…ｎ型非晶質シリコン層 ５…ＩＴＯ膜 ６…集電極 ７…裏面電極
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型の多結晶半導体に水素プラズマ
処理を施す工程と；前記水素プラズマ処理によってダメ
ージを受けた前記多結晶半導体の表面層を除去する工程
と；表面層を除去した前記多結晶半導体上に直接または
間接に他導電型の非晶質半導体層を前記水素プラズマ処
理よりも低い温度で形成する工程とを備える、ヘテロ接
合デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4346228A JP2891600B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ヘテロ接合デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4346228A JP2891600B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ヘテロ接合デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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