JPH06196379A - 半導体ウェーハ - Google Patents
半導体ウェーハInfo
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- JPH06196379A JPH06196379A JP34305592A JP34305592A JPH06196379A JP H06196379 A JPH06196379 A JP H06196379A JP 34305592 A JP34305592 A JP 34305592A JP 34305592 A JP34305592 A JP 34305592A JP H06196379 A JPH06196379 A JP H06196379A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
合わせウェーハがあげられる。従来の貼り合わせウェー
ハでは、赤外線およびレーザ光などの光源を用いて目合
わせを行っているが高精度で安全な目合わせは、困難で
あった。しかし、貼り合わせウェーハの構造を変えるこ
とにより安全で高精度な目合わせを可能にする。 【構成】 第1ウェーハ8の主面上に基準パターン8
a,8aおよび所定のパターン8b,8c,8dを形成
し上記所定のパターン8b,8c,8d上に基準パター
ン8a,8aがかくれない第2のウェーハ9を貼り合わ
せ一体化したウェーハを使用することにより基準パター
ン8a,8aが外部から直接識別できるので目合わせす
ることが可能である。 【効果】 第1ウェーハ8の基準パターン8a,8aが
直接撮像できるため高コントラストの画像が得られ高精
度で位置ぎめできる。また、光源も通常の照明でよく安
全である。
Description
し、特に内部に所定パターンを組み込んだ構造の半導体
ウェーハに関する。
んだ構造の一例を図4から説明する。図において1は、
第1の半導体ウェーハ,2は、第2の半導体ウェーハを
示す。第1,2の半導体ウェーハは互いに貼り合わさ
れ、一方のウェーハ1の貼り合わせ面に3つの凹部1
a,1b,1cを形成している。凹部1aは、他のウェ
ーハ2との間に形成した狭小部1dを介して外部に連通
し凹部1b,1cは、互いに狭小部1eによって連通す
るとともに外部に連通している。この貼り合わせ半導体
ウェーハ3は、酸素雰囲気にさらして狭小部1d,1e
から酸素をウェーハ内部に導き、凹部1a,1b,1c
内に図5に示すように酸化膜4を形成している。その
後、図示A−A面まで研削、研磨し、酸化膜4によって
完全に分離された領域を形成し、この研磨面上に種々の
半導体素子を形成するようにしている。(「張り合せ技
術を用いた選択SOIウェハ」「電子材料」1992年
8月51〜55ページ参照)上記の技術では、ウェーハ
内に種々の大きさおよび形状を有する酸化膜の形成およ
びウェーハ内に浮き島状の酸化膜形成が非常に困難とな
る。そこで、新しい技術として前もってウェーハ内に種
々の形状の酸化膜を形成したウェーハと通常のフラット
なウェーハとのはり合わせ面にシラノール基を付加し、
乾燥後ウェーハを密着させ1100℃1時間の高温熱処
理によって、脱水結合、酸素拡散を経て、Si−Siの
直接接合が得られる。そして、Si−Siの直接接合さ
れたウェーハを目合わせする方法がある。従来、内部の
酸化膜を露出しない状態で貼り合わせウェーハ3上面に
パターンを形成するには、図6に示す赤外線目合わせ露
光機を用いて内部の酸化膜4を基準に目合わせするよう
にしている。即ち、ウェーハ3の下面よりランプ5の光
を照射しウェーハ3の上面にマスク6を配置してウェー
ハ3の赤外線像をマスク6を透してテレビカメラ7で撮
像してウェーハ3内部の酸化膜4などの基準パターンと
マスク6の目合わせパターンとを重ね合わせ素子パター
ンの位置ぎめをするようにしている。
によって目合わせする方法では、貼り合わせウェーハ3
が不透明である上、基準パターンとなる酸化膜4がきわ
めて薄いため赤外線画像のコントラストが低くマスク6
と高精度で位置ぎめすることが困難であった。
ことも可能であるが安全面で注意を要するという問題が
ある。
ビカメラを用いる必要があり、コントラストの低い信号
から基準パターンを抽出するための処理も必要であり、
設備が高価となる上、処理時間が長くなるという問題も
あった。
決を目的として提案されたもので、第1のウェーハの主
面上に基準パターンおよび所定のパターンを形成し上記
所定パターン上に基準パターンがかくれない第2のウェ
ーハを貼り合わせ一体化したことを特徴とする半導体ウ
ェーハを提供する。
成される所定のパターンを形成するために位置ぎめの基
準となる基準パターンが外部から直接識別できるため高
精度で位置ぎめすることができる。
を参照して説明する。図において8,9は、それぞれ第
1,第2ウェーハで第1ウェーハ8の主面の直径方向の
両端部分に基準パターン8a,8aを形成し、このパタ
ーン8a,8a間にたとえば絶縁膜などから成る所定パ
ターン8b,8c,8dを形成しこのウェーハ8に基準
パターン8a,8aが露出するように切り取り加工した
第2のウェーハ9を貼り合わせウェーハ10を形成して
いる。これにより、上記貼り合わせウェ−ハ10に基準
パターンを基準に高精度で目合わせすることができる。
説明する。図において、同記号は、同部品を示す。そし
て、この実施例では、第1ウェーハ8に基準パターン8
a,8aが露出するように第1ウェーハ8より小径の第
2ウェーハ11を貼り合わせて貼り合わせウェーガ12
を形成している。
るものではなく、例えば第2ウェーハ9は、第1ウェー
ハ8と同一寸法同一形状で基準パターン8a,8aが露
呈するように貫通穴を設けたものを用いてもよい。
パターン8b,8c,8dは、絶縁膜だけでなく回路素
子パターンでもよく、絶縁膜と回路素子パターンの組み
合わせでもよい。
ハ8の基準パターン8a,8aが直接撮像できるため高
コントラストの画像が得られ高精度で位置ぎめできる。
る。
ることができる。
ハの平面図
ハの平面図
製造方法を示す側断面図
図
断面図
Claims (6)
- 【請求項1】第1のウェーハの主面上に基準パターンお
よび所定のパターンを形成し上記所定パターン上に基準
パターンがかくれない第2のウェーハを貼り合わせ一体
化したことを特徴とする半導体ウェーハ。 - 【請求項2】第1のウェーハに対して第2のウェーハの
径を小径にしたことを特徴とする請求項1に記載の半導
体ウェーハ。 - 【請求項3】第1のウェーハの基準パターン形成部分が
露呈するように第2のウェーハを面とり加工したことを
特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハ。 - 【請求項4】第1のウェーハの基準パターン形成部分が
露呈するように第2のウェーハを穴あけ加工したことを
特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハ。 - 【請求項5】所定パターンが絶縁層であることを特徴と
する請求項1に記載の半導体ウェーハ。 - 【請求項6】所定パターンが回路素子を構成することを
特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34305592A JP3328975B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体ウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34305592A JP3328975B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体ウェーハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06196379A true JPH06196379A (ja) | 1994-07-15 |
JP3328975B2 JP3328975B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=18358594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34305592A Expired - Fee Related JP3328975B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体ウェーハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3328975B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003021681A1 (fr) * | 2001-08-30 | 2003-03-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede d'impression par marquage au laser de plaquettes soi (silicium sur isolant), plaquette soi et procede de fabrication correspondant |
EP1115153A3 (en) * | 2000-01-07 | 2004-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and process for its production |
JP2013172124A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | Soiウエハおよびその製造方法 |
JP2014192234A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP34305592A patent/JP3328975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1115153A3 (en) * | 2000-01-07 | 2004-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and process for its production |
US6953948B2 (en) | 2000-01-07 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and process for its production |
WO2003021681A1 (fr) * | 2001-08-30 | 2003-03-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede d'impression par marquage au laser de plaquettes soi (silicium sur isolant), plaquette soi et procede de fabrication correspondant |
JP2013172124A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | Soiウエハおよびその製造方法 |
JP2014192234A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP3328975B2 (ja) | 2002-09-30 |
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