JPH06191001A - グラビア彫刻機のスタイラス変位調整装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な操作で安定したスタイラス変位の調整
を行う。 【構成】 この装置は、彫刻ヘッド２１に設けられたス
タイラスによってグラビアシリンダＣの表面に彫刻され
るセルの深さを調整するためのグラビア彫刻機のスタイ
ラス変位調整装置であり、光学顕微鏡４１を含むセル観
測手段と、画像処理装置４７と、コントローラ４０を含
む彫刻信号調整手段とを備えている。前記セル観測手段
は、彫刻ヘッド２１によってシリンダ表面に形成された
セルの形状を画像情報として得る。前記画像処理装置４
７は、セル観測手段で得られた画像情報からセルのサイ
ズを演算する。前記彫刻信号調整手段は、画像処理装置
４７の処理結果に基づいて所望のセル形状が得られるよ
うにスタイラスを駆動するための彫刻信号を調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、グラビア彫刻機に関
し、特に、彫刻ヘッドに設けられたスタイラスによって
グラビアシリンダの表面に彫刻されるセルの深さを調整
するためのスタイラス変位調整装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】グラビア彫刻機は、表面に銅メッキが施
された円筒状のグラビアシリンダを回転させながら、こ
のシリンダ表面にセルと呼ばれる四角錐状の微小な穴を
形成する装置である。そして、セルの深さと幅とによっ
て当該セルに挿入されるインキの量が制御され、画像濃
度が表現されるようになっている。シリンダ表面にセル
を形成するためには、彫刻ヘッドが用いられる。彫刻ヘ
ッドには、先端にダイヤモンドの針（バイト）を有する
スタイラスが設けられており、このスタライスを数ｋＨ
ｚの周波数で振動させて彫刻を行っている。

【０００３】図１４は、彫刻ヘッドに印加される信号波
形を示したものであり、スタライスの変位波形に相当し
ている。この信号波形は、図１４（ａ）に示すような高
周波のキャリー信号波形と図１４（ｂ）に示すような濃
度信号波形とを重畳して得られるものである。このよう
な信号波形（彫刻信号）を彫刻ヘッドに印加することに
より、濃度信号に対応する深さ及び幅のセルをシリンダ
表面に彫刻することができる。なお、図１４（ｃ）にお
ける一点鎖線Ｓがシリンダ表面に相当しており、図の斜
線領域で示す部分がセルに相当している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述のように、グラビ
ア彫刻機では、セル深さによって濃度を表現するように
しているので、セル深さと濃度とは一対一対応の関係に
する必要がある。しかも、線数（画像の目の細かさに相
当）にかかわらず、シリンダの軸方向に隣り合うセル間
には土手と呼ばれる彫刻されない部分を設ける必要があ
る。このため、濃度とセル深さ（セル形状）との対応関
係をセル形状や線数によって変えなければならない。し
たがって、彫刻する線数及びセル形状が変わるたびにス
タイラスの変位調整が必要となる。また、彫刻ヘッドの
ばらつきによって、同じ彫刻信号を印加しても同じスタ
イラス変位とはならないので、彫刻ヘッドが変わるたび
に変位調整をしなければならない。さらに、シリンダが
交換されると、表面の銅メッキの硬度によってセル深さ
が変化するため、この場合にも変位調整が必要となる。

【０００５】そこで従来では、各条件が変更される毎に
試し彫りを行って変位調整を行っている。この試し彫り
は、グラビアシリンダの端部に適当な大きさの彫刻信号
を彫刻ヘッドに印加して彫刻を行い、彫刻されたセルを
光学顕微鏡、ＣＣＤカメラ及びモニタ等からなるセルサ
イズ検出装置により拡大観察してセル幅を計測する。そ
して、彫刻ヘッドに印加する彫刻信号を変化させながら
所望のセル幅になるまで試し彫りを繰り返して行うよう
にしている。

【０００６】前記のようなスタイラス変位調整を行う場
合には、作業者の多大な労力と長時間の作業時間を必要
とし、生産性を低下させる。また、セルのサイズ計測を
作業者によって行っているために、作業者の個人差によ
ってばらつきを生じ、常に安定した濃度とセル深さとの
関係を得ることが困難である。本発明の目的は、簡単に
かつ常に安定したスタイラス変位調整を行うことができ
るようにすることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係るグラビア彫
刻機のスタイラス変位調整装置は、彫刻ヘッドに設けら
れたスタイラスによってグラビアシリンダの表面に彫刻
されるセルの深さを調整するための装置であり、セル観
測手段と、画像処理手段と、彫刻信号調整手段とを備え
ている。

【０００８】前記セル観測手段は、スタイラスによって
シリンダ表面に形成されたセルの形状を画像情報として
得るための手段である。前記画像処理手段は、セル観測
手段で得られた画像情報からセルのサイズを演算する手
段である。前記彫刻信号調整手段は、画像処理手段の処
理結果に基づいて所望のセル形状が得られるようにスタ
イラスを駆動するための彫刻信号を調整する手段であ
る。

【０００９】

【作用】本発明に係るグラビア彫刻機のスタイラス変位
調整装置では、スタイラスの変位調整を行うためのセル
を適当な大きさの彫刻信号によりシリンダ端部に彫刻す
る。このセルの形状は、セル観測手段によって画像情報
として観測される。この観測情報は、画像処理手段に入
力され、ここでセルのサイズが演算される。そして彫刻
信号調整手段は、画像処理手段での演算結果に基づい
て、所望のセル形状が得られるような彫刻信号を調整す
る。

【００１０】このような装置では、試験的に彫刻された
セルの形状を観測し、これを画像処理して彫刻信号を自
動的に調整するので、従来に比較して短時間でかつ常に
安定したスタイラスの変位調整を行うことが可能とな
る。

【００１１】

【実施例】図１及び図２に本発明の一実施例が採用され
たグラビア彫刻機を示す。このグラビア彫刻機は、ベッ
ド１と、ベッド１の上面に固定された主軸台２と、主軸
台２と対向して配置された芯押し台３と、第１テーブル
４及び第２テーブル５とを備えている。芯押し台３は、
ベッド１の上面に配置された１対のガイドレール６に沿
って装置の左右方向に移動自在である。そして、ベッド
側部に設けられたモータ及びベルト等からなる駆動機構
９によって、芯押し台３は主軸台２に対して接近または
離反可能である。なお、芯押し台３のセンタ１２は、シ
リンダ１３によって出没自在である。第１テーブル４及
び第２テーブル５は、ベッド１の上面に配置された１対
のガイドレール７に沿って左右方向に移動自在である。
各テーブル４，５は、１対のレール７間に配置されたボ
ールねじ１５及びこれを駆動するための駆動モータ１６
によってレール７に沿って移動可能である。主軸台２の
主軸１０は、駆動モータ及びベルト等からなる駆動機構
１１によって回転させられるようになっている。このよ
うな構成において、クラビアシリンダＣは、図１の二点
鎖線で示すように、主軸１０とセンタ１２との間に支持
される。

【００１２】第１及び第２テーブル４，５には、彫刻ヘ
ッド２１が、装置の前後方向に移動自在に設けられてい
る。そして第１テーブル４上面には、ガイドレール２０
が設けられ、ボールねじ２２及び駆動モータ２３からな
る駆動機構によって彫刻ヘッド２１が移動させられるよ
うになっている。図３に、彫刻ヘッド２１に設けられた
スタイラス及びその駆動機構を示す。

【００１３】スタイラス３０は、捩じりシャフト３１の
先端に固定されており、その一端にはダイヤモンドバイ
ト３２が装着されている。捩じりシャフト３１の他端部
は固定部３３に固定されている。また捩じりシャフト３
１の中間部には、平面視菱形のロータ３４が固定されて
いる。ロータ３４の周囲には、ロータ３４を挟み込むよ
うに積層磁性体（ステータ）３５が配置されており、こ
のステータ３５の側部にはステータ３５に磁力を与える
ための永久磁石３６が配置されている。また、ロータ３
４の周囲でロータ３４とステータ３５との間には、コイ
ル３７が配置されている。このような構成では、コイル
３７に彫刻信号を印加することにより、スタイラス３０
は図の矢印方向に彫刻信号の周波数に応じて振動する。

【００１４】本装置の制御ブロックを図４に示す。この
装置はＣＰＵ、ＲＡＭ及びＲＯＭ等からなるマイクロコ
ンピュータを含むコントローラ４０を有している。ま
た、主軸台２と芯押し台３との間に配置されたグラビア
シリンダＣの側端部に近い表面に対向して、シリンダ表
面に形成されたセルの形状を観測するための光学顕微鏡
４１が配置されている。光学顕微鏡４１は、グラビアシ
リンダＣに対して接近または離反自在となっている。光
学顕微鏡４１にはファイバーケーブル４２を介してスト
ロボ光源４３が接続されている。またストロボ光源４３
にはストロボ電源４４が接続されている。このストロボ
光源４３によって所定の周波数でストロボを発光させる
ことにより、グラビアシリンダを回転させながらシリン
ダ表面の１か所を静止画として観測することが可能とな
る。光学顕微鏡４１にはＣＣＤ４５が設けられている。
ＣＣＤ４５で得られた画像情報は、カメラコントローラ
４６に入力されるようになっている。カメラコントロー
ラ４６は画像処理装置４７に接続されている。

【００１５】画像処理装置４７にはＣＲＴモニタ４８が
接続されている。画像処理装置４７にはカメラコントロ
ーラ４６からビデオ信号が入力され、画像処理装置４７
からＣＲＴモニタ４８に対してはモニタ信号が送出され
る。画像処理装置４７は、カメラコントローラ４６から
のビデオ信号をもとにセル形状を演算するための装置で
ある。この画像処理装置４７とコントローラ４０とはＲ
Ｓ２３２Ｃを介して互いに接続されている。

【００１６】コントローラ４０はＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯ
Ｍ等を有するマイクロコンピュータを含んでおり、画像
処理装置４７からのデータをもとに彫刻信号を調整する
ための機能を有している。コントローラ４０から出力さ
れた彫刻信号は、駆動アンプ４９を介して彫刻ヘッド２
１に与えられる。彫刻ヘッド２１内では、駆動アンプ４
９からの彫刻信号はコイル３７に供給される。また、シ
リンダＣの回転位置はエンコーダ５０によって検出され
るようになっており、このエンコーダ５０の出力信号が
コントローラ４０に入力されるようになっている。ま
た、コントローラ４０は、カメラコントローラ４６に対
してタイミングパルスを送出し、カメラコントローラ４
６は、ストロボ電源４４に対してストロボを発光させる
ためのストロボタイミング信号を送出する。なお、コン
トローラ４０には他の入出力部が接続されている。

【００１７】次に、図５〜図９に示すフローチャートに
したがって本装置の制御動作を説明する。装置の起動ス
イッチがオンされると、まずステップＳ１において初期
設定がなされる。この初期設定では、各部を初期位置に
移動させる等の処理を行う。次にステップＳ２では、セ
ルモニタモードが選択されたか否かを判断する。このセ
ルモニタモードは、グラビアシリンダに対して試験的に
彫刻を行い、スタイラスの変位調整すなわちセル深さの
調整を行うためのモードである。またステップＳ３では
彫刻開始指令がなされたか否か、ステップＳ４ではその
他の処理が選択されたか否かを判断する。

【００１８】セルモニタモードが選択された場合には、
プログラムはステップＳ２からステップＳ５に移行し、
後述するスタイラス変位調整処理を実行する。またスタ
イラスの変位調整が終了して彫刻の開始が選択された場
合にはステップＳ３からステップＳ６に移行する。ステ
ップＳ６では、グラビアシリンダの表面に画像情報に応
じた彫刻処理が実行される。またその他の処理が選択さ
れた場合には、ステップＳ４からステップＳ７に移行
し、選択された処理を実行してステップＳ２に戻る。

【００１９】次に、スタイラス変位調整処理について説
明する。ここで、各種の線数における濃度とセル深さと
の関係を図１０に示す。線数の種類としては、コンプレ
ストセル、エロンゲートセル、ファイン等があり、線数
の違いによって濃度とセル深さとの関係が図に示すよう
に異なる。ここで、コンプレストセル（１７５Ｌ／ｉ）
を例にとって説明すると、スタイラス変位は図の実線ａ
に示されるような特性に調整されなければならない。こ
れは、濃度１００％ではセル深さを４２μｍとし、濃度
５％ではセル深さを８μｍとし、また濃度０％ではシリ
ンダ表面が彫刻されないようにスタイラスとシリンダ表
面との間に所定の隙間ｘ（５μｍ程度）が生じるように
するためである。このとき、演算によって求めるその時
の条件に適合する調整用基準特性として、図の破線ｂで
示すような特性を求め、この特性を実線ａのデータに補
正して彫刻信号を作成する。

【００２０】ここで、コントローラ４０で作成される彫
刻信号の出力電圧波形ｖは次式で表される。 ｖ＝（−１２７〜１２７）Ｇｃ＋（０〜２５５）Ｇｄ−１６Ｇｓ…（１） ここで、式（１）における第１項はキャリー信号（図１
４（ａ）参照）を作成するための項であり、第２項は濃
度信号（図１４（ｂ）参照）を付加する項であり、第３
項はオフセット（図１０参照）を決定するための項であ
る。ここで、式（１）は、キャリー信号は振幅が±１２
７ステップで、濃度信号は２５６ステップ（必ずしも２
５６ステップでなくてもよく、後述の例では２２８ステ
ップ）で、オフセットは１６ステップでそれぞれ変化す
ることを示している。また、式（１）における定数Ｇ
ｃ，Ｇｄ，Ｇｓがセル形状や線数あるいはシリンダ径等
の彫刻パラメータによって調整されるべきゲインであ
る。なお、キャリーゲインＧｃは出力波形の振幅を示
し、濃度ゲインＧｄは図１０における破線の特性ｂの傾
きを示し、オフセットゲインＧｓはキャリー信号中心部
のシリンダ表面からのオフセットを示している。

【００２１】前記各ゲインは図６以降に示すフローチャ
ートにしたがって求められる。まずステップＳ１０で
は、セル形状や線数あるいはシリンダ径等の彫刻パラメ
ータがオペレーターによって入力されるのを待つ。彫刻
パラメータが入力されると、ステップＳ１１において各
パラメータをコントローラ４０に設定する。次にステッ
プＳ１２では、濃度ステップパターンを彫刻する。ここ
では、前回既に各ゲインが本処理によって求められてい
る場合には、前回のゲインを用いて、１０％濃度ごとに
セルが形成されるような彫刻信号を出力する。これによ
り、グラビアシリンダＣには、１０％濃度ごとのセルが
彫刻される。また、各ゲインの値が求められていない場
合には、それぞれのゲインを予め設定された初期値（Ｇ
ｃ＝Ｇｃ₀，Ｇｄ＝Ｇｄ₀ ，Ｇｓ＝Ｇｓ₀ ）として１０
％濃度ごとのセルを彫刻する。

【００２２】次にステップＳ１３では、カメラコントロ
ーラ４６に対して制御信号を送出し、光学顕微鏡４１を
シリンダ表面に焦点合わせさせる。また、グラビアシリ
ンダの回転数と前述した彫刻のセル線数とに応じてタイ
ミングパルスをカメラコントローラ４６に送出し、その
タイミングでストロボを発光させる。これにより、光学
顕微鏡４１によりグラビアシリンダＣに彫刻された所定
位置のセル形状を観測することが可能となる。

【００２３】ここで、光学顕微鏡４１をシリンダ表面に
焦点合わせする場合には、ＣＣＤ４５で取り込んだセル
画像の濃度ヒストグラムを作成し、最大コントラストが
得られるまで光学顕微鏡４１を前進あるいは後退させ
る。このようにして最大コントラストが得られた光学顕
微鏡位置がフォーカス位置である。このような制御は、
画像処理装置４７によって行われる。

【００２４】このようにして得られたセル形状の画像デ
ータは、ビデオ信号としてカメラコントローラ４６から
画像処理装置４７に送られる。そこでステップＳ１４に
おいて、コントローラ４０から画像処理装置４７に対し
て信号を出力し、セルサイズ（たとえば、セルの最大
幅）を画像処理装置４７に計測させる。このセルサイズ
の計測データは、ＲＳ２３２Ｃを介してコントローラ４
０に取り込まれる。ステップＳ１５では、この取り込ま
れたデータをもとに、セルサイズが許容値内であるか否
かを判断する。ここで、１０％濃度ごとにセルが彫刻さ
れているが、許容値内にあるか否かの判断は、２０％濃
度のセルと１００％濃度のセルとによって行う。この時
点でセルサイズが許容値内にある場合には、図９のデー
タ補正処理に移行する。すなわち、たとえばグラビアシ
リンダのみを交換し、他の条件が変更されていない場合
には、前回得られた調整データを使える場合が多い。こ
の場合にはステップＳ１５でＹＥＳと判断される場合が
多く、調整用基準データを作成する処理を省略してデー
タ補正処理のみを行う。これにより、時間短縮を図るこ
とができる。

【００２５】ステップＳ１５でセルサイズが許容値内に
無い場合には、図７のステップＳ１６に移行する。ステ
ップＳ１６では、各ゲインＧｃ，Ｇｄ，Ｇｓを初期値と
し、濃度１００％として式（１）にしたがった彫刻信号
を作成し彫刻を行う。次にステップＳ１７では、前記同
様にして光学顕微鏡４１をシリンダ表面にフォーカス
し、ステップＳ１８で濃度１００％で彫刻されたセルの
サイズを計測する。ステップＳ１９では、計測されたセ
ルサイズが許容値内にあるか否かを判断する。許容値内
に無い場合にはステップＳ１９からステップＳ２０に移
行する。ステップＳ２０では、濃度ゲインＧｄ及びキャ
リーゲインＧｃを変更する。この変更された各ゲインを
用いて式（１）にしたがった濃度１００％の彫刻信号を
作成し、ステップＳ２１で彫刻処理を実行する。そして
ステップＳ１８に戻る。ステップＳ１８〜ステップＳ２
１の処理を繰り返し実行して、濃度１００％のセルサイ
ズが許容値内に入った場合にはステップＳ１９からステ
ップＳ２２に移行する。ステップＳ２２では、最終的に
得られたキャリーゲインＧｃを決定する。

【００２６】ここで、ステップＳ２０における濃度ゲイ
ンＧｄ及びキャリーゲインＧｃの変更について説明す
る。なお、セルの形状としては、図１１（ａ）〜（ｃ）
に示すように、円周方向（グラビアシリンダの回転方
向）に隣接するセル間で連続部を形成する連続タイプ
と、図１２（ａ）に示すように、円周方向に隣接するセ
ル間で連続部を形成しない不連続タイプとがある。連続
タイプは、たとえば、印刷時にインキの流れを向上させ
るために使用される。

【００２７】まず、連続タイプの場合、濃度ゲインＧｄ
₁ 及びキャリーゲインＧｃ₁ による１回目の彫刻によっ
て図１１（ａ）に示すようなセル形状が得られ、また濃
度ゲインＧｄ₂ 及びキャリーゲインＧｃ₁ による２回目
の彫刻によって図１１（ｂ）に示すようなセル形状が得
られたとする。また、目標のセル形状（最大幅Ｗａ、連
続部の幅Ｗｂ）が得られる濃度ゲインをＧｄ、キャリー
ゲインをＧｃとすると、目標濃度ゲインＧｄ及び目標キ
ャリーゲインＧｃは、それぞれ以下のようにして計算上
求めることができる。

【００２８】

【数１】

【００２９】一方、不連続タイプの場合には、次のよう
にして求める。すなわち図１２（ａ）に示すようにセル
が彫刻された場合には、各セル間の距離Ｌ，ｌ及びセル
の幅Ｗは、図１２（ｂ）に示す彫刻信号出力波形の同符
号で示した部分に対応している。すなわち、図において
Ｌがキャリー信号の周期（＝２π）に対応しているの
で、図１２（ｂ）におけるｘは、

【００３０】

【数２】

【００３１】また、

【００３２】

【数３】

【００３３】である。そこで、ａをＷ、ｂをＷ′に代え
て、

【００３４】

【数４】

【００３５】したがって、 Ｗ′＝Ｗ（ｓｉｎθ＋１）／（１−ｓｉｎθ） を式（２）及び式（３）の−Ｗ_1b，−Ｗ_2bに、またＷを
Ｗ_1a，Ｗ_2aに、さらにＣ _A を（Ｗ_2a−Ｗ_2b）に代入すれ
ば、目標濃度ゲインＧｄ及び目標キャリーゲインＧｃを
求めることができる。

【００３６】以上のように、濃度ゲインの異なる２つの
濃度１００％のセルを彫刻することによって理論上は目
標の濃度ゲイン及びキャリーゲインが得られる。しか
し、実際はステップ１８〜ステップ２１の処理を何回か
繰り返すことによって目標ゲインが得られる。次に、図
８のステップＳ２５において濃度０％で彫刻されるよう
に彫刻信号を出力する。このとき、オフセットゲインＧ
ｓは予め設定された初期値Ｇｓ₀ を用い、キャリーゲイ
ンはステップＳ２２で決定されたＧｃを用い、式（１）
にしたがった濃度０％の彫刻信号を作成する。ステップ
Ｓ２６及びステップＳ２７では、前記同様に光学顕微鏡
４１をシリンダ表面にフォーカスし、濃度０％で彫刻さ
れたセルの形状を観測する。ステップＳ２８では、シリ
ンダ表面に彫刻されているか否かを判断する。

【００３７】彫刻されている場合には、ステップＳ２８
からステップＳ２９に移行する。ステップＳ２９では、
オフセットゲインＧｓを増やし（Ｇｓ＋Ｇｓｉ）、ステ
ップＳ３０に移行する。ステップＳ３０、ステップＳ３
１及びステップＳ３２では、前記同様にステップＳ２９
で変更されたオフセットゲインＧｓを用いて濃度０％で
彫刻されるように彫刻信号を出力する。そして光学顕微
鏡４１をシリンダ表面にフォーカスしてセルの形状を観
測する。ステップＳ３３では彫刻されたか否かを判断す
る。彫刻された場合にはステップＳ２９に戻り、オフセ
ットをさらに増加してスタイラスをシリンダ表面から遠
ざけ、同様の処理を繰り返し実行する。そしてオフセッ
トを増加して彫刻されなくなった時点で次のステップに
移行する。

【００３８】一方、ステップＳ２８で彫刻されなかった
と判断された場合にはステップＳ２８からステップＳ３
５に移行する。ステップＳ３５では、オフセットゲイン
Ｇｓを減らし（Ｇｓ−Ｇｓｉ）、ステップＳ３６、ステ
ップＳ３７及びステップＳ３８を実行する。すなわち、
減らされたオフセットゲインＧｓで濃度０％の彫刻がな
されるように彫刻信号を出力し、光学顕微鏡４１をシリ
ンダ表面にフォーカスしてセル形状を観測する。ステッ
プＳ３９では、彫刻されたか否かを判断する。彫刻され
なかったと判断された場合にはステップＳ３５に戻り、
さらにオフセットゲインＧｓを減少させる。そしてステ
ップＳ３６〜ステップＳ３９の処理を繰り返し実行す
る。オフセットゲインＧｓを徐々に減らしてスタイラス
をシリンダ表面に近づけ、彫刻された場合には、ステッ
プＳ３９からステップＳ４０に移行する。ステップＳ４
０では、オフセットゲインＧｓをワンステップだけ増加
し（Ｇｓ＋Ｇｓｉ）、ステップＳ４１に移行する。この
ようにしてオフセットゲインＧｓが決定される。

【００３９】次に図９に示すステップＳ４１では、濃度
ゲインＧｄの計算を行う。ここでは、 Ｇｄ＝Ｇｄ₀ ＋１６（Ｇｓ−Ｇｓ₀ ）／２２８ に基づいて計算する。ここで、上式における「２２８」
は濃度１００％のステップ数（式（１）では「２５
６」）に相当し、「１６」は式（１）におけるオフセッ
トの変化ステップに相当している。

【００４０】以上のようにして各ゲインＧｃ，Ｇｓ及び
Ｇｄが決定され、彫刻信号を作成するための式（１）は
確定する。このようにして得られた式（１）から彫刻信
号データを求め、ステップＳ４２でたとえば１０％ごと
の濃度ステップパターンを彫刻する。次に、ステップＳ
４３及びＳ４４では、前記同様に光学顕微鏡４１をシリ
ンダ表面にフォーカスし、各濃度％ごとに形成されたセ
ルの形状を観測する。これにより、図１０の破線ｂで示
す調整用基準特性が得られる。

【００４１】次にステップＳ４５では、調整用基準デー
タをもとに、実際の特性（図１０における実線ａ）を得
るためにデータ補正を行う。すなわち、図１３に示すよ
うに、前記のセル深さ調整処理によって破線で示す調整
用基準データによる特性ｂが得られると、実行データで
ある特性ａの濃度データを、対応する基準特性ｂ上にお
けるデータに書き換えてデータ補正を行う。特性ｂは、
ある関数で表され、また特性ａも関数で表される。した
がって、たとえば濃度ｅ₁ 及びｅ₂ を、２つの関数式を
用いて濃度データｅ₃ 及びｅ₄ に補正する。このように
して、たとえば濃度ｅ₁ のセルを形成する場合は、調整
用基準特性ｂ上では濃度ｅ₃ に相当するので、ｅ₁ をｅ
₃ に補正して彫刻信号を作成する。これにより、形成さ
れたセルによる濃度はｅ₁ となる。

【００４２】なお、彫刻パラメータの変更がセル深さと
濃度の関係にあまり影響しない場合には、各ゲインを求
めるための処理が省略されてステップＳ４５が処理され
るが、この場合は、ステップＳ１１で求めた各濃度％の
セルサイズデータをもとに調整用基準特性ｂを求め、デ
ータ補正を行う。このような実施例では、彫刻パラメー
タをコントローラ４０に設定するだけで自動的に安定し
たスタイラス変位の調整を行うことができ、作業者の労
力や作業時間を軽減できる。また、常に安定したセル深
さの調整を行うことができる。

【００４３】またこの装置では、シリンダの回転中にも
セル形状を計測できるため、彫刻中のセルのサイズの安
定性の確認やスタイラスの欠けによるセルの変形等も検
出でき、早期に異常検出を行うことができる。 〔他の実施例〕 （ａ） 前記実施例では、ステップＳ１１で濃度０〜１
００％のセルを形成した後、ステップＳ１５でＮＯと判
断された場合に、ステップＳ１６でさらに濃度１００％
で彫刻を行ってそのセルサイズを計測するようにしてい
るが、ステップＳ１１〜ステップＳ１４で得られた計測
データを利用してステップＳ１９で判断を行うようにし
てもよい。 （ｂ） 前記実施例では、たとえばステップＳ１８〜Ｓ
２１で彫刻及びセル計測をこの順序で順次繰り返すよう
にしたが、ゲインを種々変化させてまとめて彫刻し、そ
の後彫刻された各セル形状を計測するようにしてもよ
く、この場合には処理時間をより短縮することができ
る。

【００４４】

【発明の効果】以上のように本発明では、安定したスタ
イラス変位の調整を自動かつ短時間で行うことができる
ので、作業者の労力や作業時間が軽減され、しかも常に
安定したセル深さ調整を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例が採用されたグラビア彫刻機
の正面図。

【図２】その平面図。

【図３】彫刻ヘッドに設けられたスタイラス及びその駆
動機構を示す斜視図。

【図４】本装置の制御ブロック図。

【図５】本装置の制御フローチャート。

【図６】スタイラス変位調整処理を行う制御フローチャ
ート。

【図７】スタイラス変位調整処理を行う制御フローチャ
ート。

【図８】スタイラス変位調整処理を行う制御フローチャ
ート。

【図９】スタイラス変位調整処理を行う制御フローチャ
ート。

【図１０】各種の線数における濃度とセル深さとの関係
を示す図。

【図１１】濃度ゲイン及びキャリーゲインを変更する際
の説明図。

【図１２】濃度ゲイン及びキャリーゲインを変更する際
の説明図。

【図１３】データ補正処理を説明するための図。

【図１４】彫刻信号の波形図。

【符号の説明】

Ｃ グラビアシリンダ ２１ 彫刻ヘッド ３０ スタイラス ４０ コントローラ ４１ 光学顕微鏡 ４５ ＣＣＤ ４６ カメラコントローラ ４７ 画像処理装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 峰利 京都市南区東九条南石田町５番地 大日本 スクリーン製造株式会社十条事業所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】彫刻ヘッドに設けられたスタイラスによっ
   てグラビアシリンダの表面に彫刻されるセルの深さを調
   整するためのグラビア彫刻機のスタイラス変位調整装置
   であって、 前記スタイラスによってシリンダ表面に形成されたセル
   の形状を画像情報として得るためのセル観測手段と、 前記セル観測手段で得られた画像情報から前記セルのサ
   イズを演算する画像処理手段と、 前記画像処理手段の処理結果に基づいて所望のセル形状
   が得られるように前記スタイラスを駆動するための彫刻
   信号を調整する彫刻信号調整手段と、を備えたグラビア
   彫刻機のスタイラス変位調整装置。
2. 【請求項２】前記彫刻信号調整手段は、 複数の濃度に対応するセルサイズデータから調整用基準
   データを作成する基準データ作成手段と、 各濃度に対応する実際のセル深さを得るための実行デー
   タを前記基準データ作成手段で得られた調整用基準デー
   タから演算する補正手段とを備えている、請求項１に記
   載のグラビア彫刻機のスタイラス変位調整装置。