JPH06188471A - 電圧アクチュエータ - Google Patents
電圧アクチュエータInfo
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- JPH06188471A JPH06188471A JP4341776A JP34177692A JPH06188471A JP H06188471 A JPH06188471 A JP H06188471A JP 4341776 A JP4341776 A JP 4341776A JP 34177692 A JP34177692 A JP 34177692A JP H06188471 A JPH06188471 A JP H06188471A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/802—Circuitry or processes for operating piezoelectric or electrostrictive devices not otherwise provided for, e.g. drive circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
Landscapes
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】積層型の圧電アクチュエータの変位量をひずみ
ゲージで測定する場合、温度や力の変動に対して、圧電
活性部のみでなく、それ以外の部分の変形も測定し、全
体の変位量を正しく測定できるようにする。 【構成】積層体1Bの保護層3a,3bと活性部2の上
にひずみゲージ8a,8b,8cを接着する。これによ
り、保護層3a,3bと活性部2とをあわせた変位量が
測定できるので、両者に温度や応力によるひずみの差が
ある場合でも積層体1Bの変位量を正しく示す。積層体
1Bに更に金属製の温度補償部材のような積層体1Bと
は異なる弾性係数をもつ部材を取りつけたようなアクチ
ュエータにおいても同様の効果を得ることができる。
ゲージで測定する場合、温度や力の変動に対して、圧電
活性部のみでなく、それ以外の部分の変形も測定し、全
体の変位量を正しく測定できるようにする。 【構成】積層体1Bの保護層3a,3bと活性部2の上
にひずみゲージ8a,8b,8cを接着する。これによ
り、保護層3a,3bと活性部2とをあわせた変位量が
測定できるので、両者に温度や応力によるひずみの差が
ある場合でも積層体1Bの変位量を正しく示す。積層体
1Bに更に金属製の温度補償部材のような積層体1Bと
は異なる弾性係数をもつ部材を取りつけたようなアクチ
ュエータにおいても同様の効果を得ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は圧電アクチュエータに関
し、特に積層型の圧電アクチュエータに関する。
し、特に積層型の圧電アクチュエータに関する。
【0002】
【従来の技術】結晶の圧電性を利用した圧電アクチュエ
ータは、微小な機械的変位を高速で制御することができ
ることから、精密位置決め機構などに多く用いられてい
る。中でも、圧電性セラミックなどの圧電材料を厚さ数
十μm程度の層状に薄膜化しこれに内部電極の薄膜層を
設けたものを積層した構造の積層型の圧電アクチュエー
タは、比較的低い駆動電圧でも大きい発生力を得ること
ができるという特徴を持ち、例えば、露光装置など半導
体製造装置の精密位置決め機構、マスフローメータの弁
の制御、プラスチックフィルムの押出し成形機における
厚さの制御、光学機械の光軸の制御など、ミクロンオー
ダー或いはそれ以下の領域での微少な変位を精密に制御
する必要のある用途に広く用いられている。
ータは、微小な機械的変位を高速で制御することができ
ることから、精密位置決め機構などに多く用いられてい
る。中でも、圧電性セラミックなどの圧電材料を厚さ数
十μm程度の層状に薄膜化しこれに内部電極の薄膜層を
設けたものを積層した構造の積層型の圧電アクチュエー
タは、比較的低い駆動電圧でも大きい発生力を得ること
ができるという特徴を持ち、例えば、露光装置など半導
体製造装置の精密位置決め機構、マスフローメータの弁
の制御、プラスチックフィルムの押出し成形機における
厚さの制御、光学機械の光軸の制御など、ミクロンオー
ダー或いはそれ以下の領域での微少な変位を精密に制御
する必要のある用途に広く用いられている。
【0003】このような積層型圧電アクチュエータは、
その変位量が、外部から外部電極を介して各圧電材料
(セラミック)層に印加される駆動電圧に応じてそれぞ
れの圧電セラミック層が発生するひずみによって決るの
で、基本的には、駆動電圧の大きさを制御することによ
って圧電アクチュエータとしての変位量を制御すること
が可能である。しかしながら、圧電効果を利用したアク
チュエータの場合、通常、駆動電圧と各圧電セラミック
層のひずみとの関係は線型ではなくヒステリシスを示
す。このため圧電アクチュエータを上記のような用途に
用いてミクロンオーダー或いはそれ以下の変位を精度よ
く制御しようとする場合は、圧電アクチュエータが発生
した実際の変位を検出し、これを駆動電圧にフィードバ
ックする必要がある。このような目的で圧電アクチュエ
ータの変位量を検出する技術が、実開昭63−1406
61号公報に開示されている。
その変位量が、外部から外部電極を介して各圧電材料
(セラミック)層に印加される駆動電圧に応じてそれぞ
れの圧電セラミック層が発生するひずみによって決るの
で、基本的には、駆動電圧の大きさを制御することによ
って圧電アクチュエータとしての変位量を制御すること
が可能である。しかしながら、圧電効果を利用したアク
チュエータの場合、通常、駆動電圧と各圧電セラミック
層のひずみとの関係は線型ではなくヒステリシスを示
す。このため圧電アクチュエータを上記のような用途に
用いてミクロンオーダー或いはそれ以下の変位を精度よ
く制御しようとする場合は、圧電アクチュエータが発生
した実際の変位を検出し、これを駆動電圧にフィードバ
ックする必要がある。このような目的で圧電アクチュエ
ータの変位量を検出する技術が、実開昭63−1406
61号公報に開示されている。
【0004】図8に上記公報記載の圧電アクチュエータ
の斜視図を示す。同図を参照すると上記公報記載の圧電
アクチュエータは、積層体1Aの積層端面1aに固着さ
れたひずみゲージ8を備えている。積層体1Aは、図9
に示す積層体1B(後述)中の活性部2と同様の積層構
造となっている。図9を参照すると、活性部2では、圧
電セラミック層4と内部電極層5とが互い違いに積層さ
れている。内部電極層5は、一層おきに同じ外部電極7
a,7bに接続され、断面から見て、互い違いに入り込
んだ一対の櫛歯状電極を形成し、それぞれの圧電セラミ
ック層4に対してこれを挟む対向電極となっている。図
9において、外部から二つの外部電極7a,7b間に印
加された駆動電圧は、上記の対向した内部電極層5を介
して各圧電セラミック層4に電界を与える。各圧電セラ
ミック層4は、この電界によってその面に垂直な軸に添
った方向(積層方向)にひずみを発生する。圧電アクチ
ュエータは、このひずみを積層体1A(図8),1B
(図9)の積層方向の長さの変化、すなわち変位として
取り出して外部に伝達する。
の斜視図を示す。同図を参照すると上記公報記載の圧電
アクチュエータは、積層体1Aの積層端面1aに固着さ
れたひずみゲージ8を備えている。積層体1Aは、図9
に示す積層体1B(後述)中の活性部2と同様の積層構
造となっている。図9を参照すると、活性部2では、圧
電セラミック層4と内部電極層5とが互い違いに積層さ
れている。内部電極層5は、一層おきに同じ外部電極7
a,7bに接続され、断面から見て、互い違いに入り込
んだ一対の櫛歯状電極を形成し、それぞれの圧電セラミ
ック層4に対してこれを挟む対向電極となっている。図
9において、外部から二つの外部電極7a,7b間に印
加された駆動電圧は、上記の対向した内部電極層5を介
して各圧電セラミック層4に電界を与える。各圧電セラ
ミック層4は、この電界によってその面に垂直な軸に添
った方向(積層方向)にひずみを発生する。圧電アクチ
ュエータは、このひずみを積層体1A(図8),1B
(図9)の積層方向の長さの変化、すなわち変位として
取り出して外部に伝達する。
【0005】ここで、図8に示す上記公報記載の圧電ア
クチュエータにおいて、二つの外部電極7a,7b間に
駆動電圧を印加すると、圧電アクチュエータは圧電効果
により積層方向に所定の量だけ変位する。この際、ひず
みゲージ8は駆動電圧に応じて発生したひずみにより、
圧電アクチュエータの積層方向の張力を受けその電気抵
抗が変化する。このときの抵抗変化量は、圧電アクチュ
エータの変位量に対して直線関係にある。従って、各駆
動電圧における圧電アクチュエータの変位量とひずみゲ
ージの抵抗変化量との関係を予め測定しておくことによ
り、外部電極7a,7b間に所要の電圧を印加したと
き、ひずみゲージ8の抵抗変化量を検知して圧電アクチ
ュエータの変位量を知ることができる。更に、ひずみゲ
ージ8の抵抗変化量が目標設定値と一致しない場合に、
目標設定値との偏差に応じて駆動電圧の制御を行なうこ
とにより、目標変位に制御することができる。
クチュエータにおいて、二つの外部電極7a,7b間に
駆動電圧を印加すると、圧電アクチュエータは圧電効果
により積層方向に所定の量だけ変位する。この際、ひず
みゲージ8は駆動電圧に応じて発生したひずみにより、
圧電アクチュエータの積層方向の張力を受けその電気抵
抗が変化する。このときの抵抗変化量は、圧電アクチュ
エータの変位量に対して直線関係にある。従って、各駆
動電圧における圧電アクチュエータの変位量とひずみゲ
ージの抵抗変化量との関係を予め測定しておくことによ
り、外部電極7a,7b間に所要の電圧を印加したと
き、ひずみゲージ8の抵抗変化量を検知して圧電アクチ
ュエータの変位量を知ることができる。更に、ひずみゲ
ージ8の抵抗変化量が目標設定値と一致しない場合に、
目標設定値との偏差に応じて駆動電圧の制御を行なうこ
とにより、目標変位に制御することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、積層型
圧電アクチュエータの変位量は、積層端面に取り付けた
ひずみゲージによって実際の変位量を検出し、目標変位
量との差を駆動電圧にフィードバックすることにより、
精度よく制御することができる。
圧電アクチュエータの変位量は、積層端面に取り付けた
ひずみゲージによって実際の変位量を検出し、目標変位
量との差を駆動電圧にフィードバックすることにより、
精度よく制御することができる。
【0007】しかしながら、積層型圧電アクチュエータ
を実際の使用に供する場合、外部からの駆動電圧に応じ
て変位を発生する積層構造の変位発生部(活性部)の他
に、この発生部を保護するための保護層や、更には、例
えば変位の制御精度を向上させるための金属製の温度補
償部材など、駆動電圧に対しては変位を生じない部分が
必要である。このようなアクチュエータの場合、上記公
報記載の技術では、圧電アクチュエータの実際の変位量
とひずみゲージが検出した変位量との間にずれが生じ、
変位量を精度よく制御することができなくなることがあ
る。以下にその説明を行なう。
を実際の使用に供する場合、外部からの駆動電圧に応じ
て変位を発生する積層構造の変位発生部(活性部)の他
に、この発生部を保護するための保護層や、更には、例
えば変位の制御精度を向上させるための金属製の温度補
償部材など、駆動電圧に対しては変位を生じない部分が
必要である。このようなアクチュエータの場合、上記公
報記載の技術では、圧電アクチュエータの実際の変位量
とひずみゲージが検出した変位量との間にずれが生じ、
変位量を精度よく制御することができなくなることがあ
る。以下にその説明を行なう。
【0008】図9は上記保護層付きの積層型圧電アクチ
ュエータの断面図である。図9を参照すると、この種の
圧電アクチュエータは、活性部2と二つの保護層3a,
3bとからなる積層体1Bを基本構成要素としている。
ュエータの断面図である。図9を参照すると、この種の
圧電アクチュエータは、活性部2と二つの保護層3a,
3bとからなる積層体1Bを基本構成要素としている。
【0009】活性部2は前述のように、圧電セラミック
層4と内部電極層5とを互い違いに積層した積層構造に
なっており、外部電極7a,7bから各内部電極5を通
じて各圧電セラミック層4に印加された駆動電圧によっ
て、積層方向に変位を発生する。
層4と内部電極層5とを互い違いに積層した積層構造に
なっており、外部電極7a,7bから各内部電極5を通
じて各圧電セラミック層4に印加された駆動電圧によっ
て、積層方向に変位を発生する。
【0010】保護層3a,3bは、変位を発生する活性
部2を電気的および機械的に外部から保護するために設
けられるものである。すなわち、圧電アクチュエータの
電気機械変換トランスジューサとしての基本的な機能は
活性部2によって得られるものであるが、この圧電アク
チュエータを実用に供するためには、積層体1Bの最外
部(積層方向に関して)は絶縁体であることが、この圧
電アクチュエータを使用する装置の材質に対する制約
(金属などの導体であるか或いはプラスチックやセラミ
ックなどの絶縁体であるか)が少ない点から望ましい。
また、前述のように、活性部2の圧電セラミック層4の
厚さは数十μm程度と薄く、ここに150V程度の駆動
電圧が加わり電界が非常に強くなるので、外部からの衝
撃などにより圧電セラミック層4がクラックや割れ或い
欠けなどを起さないようにこれを機械的に保護しなけれ
ばならない。保護層3a,3bはこのような目的のため
に、活性部2の上下に少なくとも一つずつ設けられるも
のであるので、活性部2の積層方向の長さに対してある
程度の長さ(厚さ)が必要である。例えば、12mmの
長さの活性部2に対してそれぞれ2mm程度の長さの保
護層3a,3bが設けられる。これらの保護層3a,3
bは、製造の容易さの点から通常、活性部2を構成する
圧電セラミック層4と同一の材料で内部電極を持たない
シート状の薄層を積重ねて用いることが多い。
部2を電気的および機械的に外部から保護するために設
けられるものである。すなわち、圧電アクチュエータの
電気機械変換トランスジューサとしての基本的な機能は
活性部2によって得られるものであるが、この圧電アク
チュエータを実用に供するためには、積層体1Bの最外
部(積層方向に関して)は絶縁体であることが、この圧
電アクチュエータを使用する装置の材質に対する制約
(金属などの導体であるか或いはプラスチックやセラミ
ックなどの絶縁体であるか)が少ない点から望ましい。
また、前述のように、活性部2の圧電セラミック層4の
厚さは数十μm程度と薄く、ここに150V程度の駆動
電圧が加わり電界が非常に強くなるので、外部からの衝
撃などにより圧電セラミック層4がクラックや割れ或い
欠けなどを起さないようにこれを機械的に保護しなけれ
ばならない。保護層3a,3bはこのような目的のため
に、活性部2の上下に少なくとも一つずつ設けられるも
のであるので、活性部2の積層方向の長さに対してある
程度の長さ(厚さ)が必要である。例えば、12mmの
長さの活性部2に対してそれぞれ2mm程度の長さの保
護層3a,3bが設けられる。これらの保護層3a,3
bは、製造の容易さの点から通常、活性部2を構成する
圧電セラミック層4と同一の材料で内部電極を持たない
シート状の薄層を積重ねて用いることが多い。
【0011】このような構成の積層型圧電アクチュエー
タにおいて、いま、積層体1Bに加わるひずみ発生方向
(積層方向)の外力が変化したとき、保護層3a,3b
と活性部2とでは、たとえ圧電特性が同じ材料を用いて
いる場合でも、電界が加わるか否かによってその外力に
対する弾性ひずみが異なる。つまり、この場合の実際の
変位量は、活性部2でのひずみによるものと保護層3
a,3bでのひずみによるものとを合成したものにな
る。ところが、前述の公報記載の圧電アクチュエータで
は、活性部2のひずみしか検出していないので、検出さ
れた変位量と実際の変位量とが一致しないことになる。
しかも上述のように、保護層3a,3bの長さは活性部
2の長さに対して無視できないほどの長さであるので、
上記の変位量の不一致の大きさは重大なものとなる。
タにおいて、いま、積層体1Bに加わるひずみ発生方向
(積層方向)の外力が変化したとき、保護層3a,3b
と活性部2とでは、たとえ圧電特性が同じ材料を用いて
いる場合でも、電界が加わるか否かによってその外力に
対する弾性ひずみが異なる。つまり、この場合の実際の
変位量は、活性部2でのひずみによるものと保護層3
a,3bでのひずみによるものとを合成したものにな
る。ところが、前述の公報記載の圧電アクチュエータで
は、活性部2のひずみしか検出していないので、検出さ
れた変位量と実際の変位量とが一致しないことになる。
しかも上述のように、保護層3a,3bの長さは活性部
2の長さに対して無視できないほどの長さであるので、
上記の変位量の不一致の大きさは重大なものとなる。
【0012】一方、周囲温度の変化やあるいは圧電アク
チュエータの動作に伴なう発熱により、積層体1Bの温
度が変化した場合でも、保護層3a,3bと活性部2と
の線熱膨張係数が異なるときは、上記と同様に、検出さ
れた変位量と実際の変位量との間に大きな不一致が起
る。
チュエータの動作に伴なう発熱により、積層体1Bの温
度が変化した場合でも、保護層3a,3bと活性部2と
の線熱膨張係数が異なるときは、上記と同様に、検出さ
れた変位量と実際の変位量との間に大きな不一致が起
る。
【0013】又、圧電アクチュエータの変位量の温度特
性を平坦にするために、活性部2および保護層3a,3
bに加えて、積層体1Bの上部または下部(活性部2の
ひずみ発生方向すなわち積層方向に関して)に温度補償
部材(図示せず)を設けることがある。これは、マイナ
スの線熱膨張係数をもつ圧電セラミック材料からなる積
層体1Bに対して、プラスの線熱膨張係数をもつ例えば
ステンレス鋼製の金属ブロックを設け、圧電アクチュエ
ータ全体としての熱膨張による変位量の変動を補償しよ
うとするものであって、温度補償部材の積層方向の長さ
は、例えば、積層体1Bの長さが16mm程度の場合に
約4mm程度のものが用いられる。このような温度補償
部材を設けた圧電アクチュエータにおいても、各部分
(活性部2,保護層3a,3bおよび温度補償部材)の
弾性ひずみが異なるときは、上記と同様に、外力が変化
したときの検出された変位量と実際の変位量との不一致
が起り、変位量制御の精度が低下する。
性を平坦にするために、活性部2および保護層3a,3
bに加えて、積層体1Bの上部または下部(活性部2の
ひずみ発生方向すなわち積層方向に関して)に温度補償
部材(図示せず)を設けることがある。これは、マイナ
スの線熱膨張係数をもつ圧電セラミック材料からなる積
層体1Bに対して、プラスの線熱膨張係数をもつ例えば
ステンレス鋼製の金属ブロックを設け、圧電アクチュエ
ータ全体としての熱膨張による変位量の変動を補償しよ
うとするものであって、温度補償部材の積層方向の長さ
は、例えば、積層体1Bの長さが16mm程度の場合に
約4mm程度のものが用いられる。このような温度補償
部材を設けた圧電アクチュエータにおいても、各部分
(活性部2,保護層3a,3bおよび温度補償部材)の
弾性ひずみが異なるときは、上記と同様に、外力が変化
したときの検出された変位量と実際の変位量との不一致
が起り、変位量制御の精度が低下する。
【0014】すなわち、圧電アクチュエータが、駆動電
圧に応じて変位を発生する活性部2に加えて、弾性によ
るひずみ、熱膨張によるひずみが異なる部分を有すると
き、上記公報記載の技術では、ひずみ発生方向の外力や
温度が変化した場合の変位量の制御精度が低下すること
がある。変位量の制御精度の低下は、活性部2が圧電性
の異なる材料を用いた複数の部分で構成されているとき
に、駆動電圧の変化に対しても同様に起る。
圧に応じて変位を発生する活性部2に加えて、弾性によ
るひずみ、熱膨張によるひずみが異なる部分を有すると
き、上記公報記載の技術では、ひずみ発生方向の外力や
温度が変化した場合の変位量の制御精度が低下すること
がある。変位量の制御精度の低下は、活性部2が圧電性
の異なる材料を用いた複数の部分で構成されているとき
に、駆動電圧の変化に対しても同様に起る。
【0015】本発明は、駆動電圧、外力および温度が変
化したときでも、変位量制御の精度低下が起らないよう
な、ひずみゲージを備えた積層型の圧電アクチュエータ
を提供することを目的とするものである。
化したときでも、変位量制御の精度低下が起らないよう
な、ひずみゲージを備えた積層型の圧電アクチュエータ
を提供することを目的とするものである。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電アクチュエ
ータは、少なくとも、圧電性を示すセラミックの層と内
部電極層とが交互に積層されてなり外部から印加される
駆動電圧に応じて前記セラミックの層および前記内部電
極層に垂直な軸に沿ったひずみを発生する積層構造の活
性部を含む構造体であって、前記構造体が前記垂直軸に
沿って複数の部分からなり、前記複数の部分は互いに隣
り合う部分どうしが、前記駆動電圧により生ずる前記垂
直軸に沿ったひずみ、弾性により生ずる前記垂直軸に沿
ったひずみおよび熱膨張により生ずる前記垂直軸に沿っ
たひずみのうち少なくとも一つが互いに異なるようにさ
れた圧電アクチュエータにおいて、前記複数の部分のそ
れぞれに、それぞれの部分が発生する前記垂直軸に沿っ
たひずみを検出するためのひずみゲージを固着したこと
を特徴とする。
ータは、少なくとも、圧電性を示すセラミックの層と内
部電極層とが交互に積層されてなり外部から印加される
駆動電圧に応じて前記セラミックの層および前記内部電
極層に垂直な軸に沿ったひずみを発生する積層構造の活
性部を含む構造体であって、前記構造体が前記垂直軸に
沿って複数の部分からなり、前記複数の部分は互いに隣
り合う部分どうしが、前記駆動電圧により生ずる前記垂
直軸に沿ったひずみ、弾性により生ずる前記垂直軸に沿
ったひずみおよび熱膨張により生ずる前記垂直軸に沿っ
たひずみのうち少なくとも一つが互いに異なるようにさ
れた圧電アクチュエータにおいて、前記複数の部分のそ
れぞれに、それぞれの部分が発生する前記垂直軸に沿っ
たひずみを検出するためのひずみゲージを固着したこと
を特徴とする。
【0017】
【実施例】次に、本発明の好適な実施例について図面を
参照して説明する。図1は、本実施例の斜視図である。
図1において、積層体1Bは図9に示すものと同一の構
造であり、以下のようにして作った。その製法を図9を
用いて説明する。
参照して説明する。図1は、本実施例の斜視図である。
図1において、積層体1Bは図9に示すものと同一の構
造であり、以下のようにして作った。その製法を図9を
用いて説明する。
【0018】まず、チタン酸ジルコン酸鉛やチタン酸鉛
などの圧電セラミックの粉末とバインダと有機溶媒とを
混合しスラリー状にしたものをスリップキャスティング
によりシート状に成形してグリーンシートを得る。この
グリーンシートの一方の面に銀・パラジウム混合粉末や
白金粉末を分散した内部電極用導電ペーストをスクリー
ン印刷する。次に、この導電ペーストを印刷されたグリ
ーンシートを複数枚積層する。ただし、グリーンシート
を積層する始めと終りの部分のグリーンシートには導電
ペーストを印刷しないものを用いている。内部電極用ペ
ーストを印刷されたグリーンシートは活性部2を形成
し、印刷されないグリーンシートは保護層3a,3bと
なる。この後100℃で加熱圧着して一体化した後、約
500℃でバインダーを分解除去し、約1000℃にて
焼結して圧電セラミック層4と内部電極層5とが交互に
積層された焼結体を得る。
などの圧電セラミックの粉末とバインダと有機溶媒とを
混合しスラリー状にしたものをスリップキャスティング
によりシート状に成形してグリーンシートを得る。この
グリーンシートの一方の面に銀・パラジウム混合粉末や
白金粉末を分散した内部電極用導電ペーストをスクリー
ン印刷する。次に、この導電ペーストを印刷されたグリ
ーンシートを複数枚積層する。ただし、グリーンシート
を積層する始めと終りの部分のグリーンシートには導電
ペーストを印刷しないものを用いている。内部電極用ペ
ーストを印刷されたグリーンシートは活性部2を形成
し、印刷されないグリーンシートは保護層3a,3bと
なる。この後100℃で加熱圧着して一体化した後、約
500℃でバインダーを分解除去し、約1000℃にて
焼結して圧電セラミック層4と内部電極層5とが交互に
積層された焼結体を得る。
【0019】次に、向かい合う一組の側面上に露出して
いる内部電極層5を絶縁体6で一層おきに互い違いに絶
縁した上に、外部電極7a,7bを形成し絶縁されてい
ない内部電極層を一層おきに電気的に接続して積層体1
Bを得た。
いる内部電極層5を絶縁体6で一層おきに互い違いに絶
縁した上に、外部電極7a,7bを形成し絶縁されてい
ない内部電極層を一層おきに電気的に接続して積層体1
Bを得た。
【0020】導電ペーストを印刷してグリーンシートを
用いた部分は、駆動電圧を印加する事により圧電セラミ
ック層4に電界が印加され圧電効果によりひずみを生じ
る活性部2となり、内部電極用の導電ペーストを印刷し
ないグリーンシートを用いた部分は、駆動電圧によるひ
ずみを生じない保護層3a,3bとなる。本実施例の積
層体1Bの積層方向に垂直な断面の大きさは5mm×5
mmであり積層方向の長さは16mmである。このうち
活性部2は12mmであり保護層3a,3bは各々2m
mである。
用いた部分は、駆動電圧を印加する事により圧電セラミ
ック層4に電界が印加され圧電効果によりひずみを生じ
る活性部2となり、内部電極用の導電ペーストを印刷し
ないグリーンシートを用いた部分は、駆動電圧によるひ
ずみを生じない保護層3a,3bとなる。本実施例の積
層体1Bの積層方向に垂直な断面の大きさは5mm×5
mmであり積層方向の長さは16mmである。このうち
活性部2は12mmであり保護層3a,3bは各々2m
mである。
【0021】図1に示す第1の実施例1ではこうして得
た積層体1Bの保護層3a,3b,活性部2のそれぞれ
の表面に、抵抗値120Ω、ゲージ率2のひずみゲージ
8a,8b,8cを接着し、それぞれのひずみゲージの
ゲージリード9を別々に取り出している。
た積層体1Bの保護層3a,3b,活性部2のそれぞれ
の表面に、抵抗値120Ω、ゲージ率2のひずみゲージ
8a,8b,8cを接着し、それぞれのひずみゲージの
ゲージリード9を別々に取り出している。
【0022】これらのひずみゲージ8a,8b,8cの
抵抗の変化率が各部分(保護層3a,3bおよび活性部
2)のそれぞれのひずみの大きさに比例するわけである
が、これらの抵抗値の変化を測定するために、本実施例
では図2に示すように、120Ωホイートストーンブリ
ッジ10a,10b,10cに接続した。三つのホイー
トストーンブリッジには共通の定電圧電源11を接続
し、ひずみゲージが検出したひずみ率に比例した大きさ
のひずみ信号12a,12b,12cを得る。ひずみゲ
ージの抵抗変化を検出する方法は、ここで用いた直流ブ
リッジを用いるほかにも交流を用いるものなど多くの種
類があるが、どの方法を選択しても構わない。
抵抗の変化率が各部分(保護層3a,3bおよび活性部
2)のそれぞれのひずみの大きさに比例するわけである
が、これらの抵抗値の変化を測定するために、本実施例
では図2に示すように、120Ωホイートストーンブリ
ッジ10a,10b,10cに接続した。三つのホイー
トストーンブリッジには共通の定電圧電源11を接続
し、ひずみゲージが検出したひずみ率に比例した大きさ
のひずみ信号12a,12b,12cを得る。ひずみゲ
ージの抵抗変化を検出する方法は、ここで用いた直流ブ
リッジを用いるほかにも交流を用いるものなど多くの種
類があるが、どの方法を選択しても構わない。
【0023】物体が変形するときの変位量はその物体の
長さとひずみ率との積であり、複数の物体を直列接続し
たときの全体の変位量はそれぞれの物体の変位量の和に
なるので、各物体のひずみ率と長さがわかれば全体の変
位量が明らかになる。
長さとひずみ率との積であり、複数の物体を直列接続し
たときの全体の変位量はそれぞれの物体の変位量の和に
なるので、各物体のひずみ率と長さがわかれば全体の変
位量が明らかになる。
【0024】本実施例では抵抗値とゲージ率の等しいひ
ずみゲージ8a,8b,8cと、同じ定電圧電源11に
接続されたホイートストーンブリッジ10a,10b,
10cとを用いているので、ひずみゲージ8a,8b,
8cが検出したひずみ率とひずみ信号12a,12b,
12cの大きさの関係は相似である。いま、保護層3
a,3bと活性部2の長さがそれぞれ2mm,2mm,
12mmであるので、ひずみ信号12a,12b,12
cを演算装置13で計算して積層体1B全体の変位量に
比例した合成信号14を得る。演算装置13の内部で
は、ひずみ信号12a,12b,12cがそれぞれのひ
ずみゲージ8a,8b,8cの接着されている部分の長
さの比に等しい増幅率で増幅されたのち加算器で合成さ
れ、変位信号14として出力される。
ずみゲージ8a,8b,8cと、同じ定電圧電源11に
接続されたホイートストーンブリッジ10a,10b,
10cとを用いているので、ひずみゲージ8a,8b,
8cが検出したひずみ率とひずみ信号12a,12b,
12cの大きさの関係は相似である。いま、保護層3
a,3bと活性部2の長さがそれぞれ2mm,2mm,
12mmであるので、ひずみ信号12a,12b,12
cを演算装置13で計算して積層体1B全体の変位量に
比例した合成信号14を得る。演算装置13の内部で
は、ひずみ信号12a,12b,12cがそれぞれのひ
ずみゲージ8a,8b,8cの接着されている部分の長
さの比に等しい増幅率で増幅されたのち加算器で合成さ
れ、変位信号14として出力される。
【0025】本実施例において、演算増幅器13からの
変位信号14の大きさyは、ひずみ信号12a,12
b,12cの大きさをそれぞれa,b,cとすると y=k×(2×a+2×b+12×c) となる。(但しkは任意の定数)こうして得た変位信号
14は積層体1B全体の変位量に比例することになる。
したがってこの変位信号14をフィードバック制御装置
15に入力する事によって、目標の駆動電圧値を指定す
る制御信号16に応じたヒステリシスの無い変位を得る
ことが出来る。
変位信号14の大きさyは、ひずみ信号12a,12
b,12cの大きさをそれぞれa,b,cとすると y=k×(2×a+2×b+12×c) となる。(但しkは任意の定数)こうして得た変位信号
14は積層体1B全体の変位量に比例することになる。
したがってこの変位信号14をフィードバック制御装置
15に入力する事によって、目標の駆動電圧値を指定す
る制御信号16に応じたヒステリシスの無い変位を得る
ことが出来る。
【0026】本実施例で使用した積層体と同じ積層体を
使用した従来の圧電アクチュエータと本実施例とを比較
した場合、100kgfの力が加わったとき、従来のも
のでは測定される変位と実際の変位との間に5μmのず
れがあったのに対して、本実施例ではそのずれは1μm
以内であった。
使用した従来の圧電アクチュエータと本実施例とを比較
した場合、100kgfの力が加わったとき、従来のも
のでは測定される変位と実際の変位との間に5μmのず
れがあったのに対して、本実施例ではそのずれは1μm
以内であった。
【0027】次に、本実施例におけるホイートストーン
ブリッジおよび演算装置の部分は、以下に示す第2の実
施例のように、三つのひずみゲージを直列に接続するこ
とによって簡略化することができる。図3は本発明の第
2の実施例の斜視図である。同図を参照すると、本実施
例では、同じ積層体1Bを用いて図3に示すように、保
護層3a,3bの表面にひずみゲージ8a,8bを接着
し活性部2の表面にひずみゲージ8cを接着する。ひず
みゲージ8cの抵抗値は90Ω、ひずみゲージ8a,8
bの抵抗値は各々15Ωであり、ゲージ率はひずみゲー
ジ8a,8b,8cとも2である。これらのひずみゲー
ジ8a,8b,8cを直列に接続する事によって外部か
らは一つの120Ωのひずみゲージとみなすことができ
る。この様にしてできたひずみゲージの集合体が示す特
性は次のようになる。
ブリッジおよび演算装置の部分は、以下に示す第2の実
施例のように、三つのひずみゲージを直列に接続するこ
とによって簡略化することができる。図3は本発明の第
2の実施例の斜視図である。同図を参照すると、本実施
例では、同じ積層体1Bを用いて図3に示すように、保
護層3a,3bの表面にひずみゲージ8a,8bを接着
し活性部2の表面にひずみゲージ8cを接着する。ひず
みゲージ8cの抵抗値は90Ω、ひずみゲージ8a,8
bの抵抗値は各々15Ωであり、ゲージ率はひずみゲー
ジ8a,8b,8cとも2である。これらのひずみゲー
ジ8a,8b,8cを直列に接続する事によって外部か
らは一つの120Ωのひずみゲージとみなすことができ
る。この様にしてできたひずみゲージの集合体が示す特
性は次のようになる。
【0028】一般に、抵抗値R,ゲージ率Kのひずみゲ
ージが長さLの物体に接着されておりεのひずみ率で変
形するときΔLの変位が生じ、ひずみゲージにΔRの抵
抗変化が発生したとすると、 ΔL=L×ε=L×(ΔR/R)/K =ΔR×{L/(R×K)} となる。したがって本実施例のように保護層3a,3b
と活性部2のそれぞれにひずみゲージが接着されている
場合、ひずみゲージの抵抗値とゲージ率との積をそのひ
ずみゲージが接着されている部分の長さに比例するよう
にすれば、すなわち各部分でL:(R×K)が一定にな
るようにすれば、それぞれのひずみゲージの抵抗変化と
そのひずみゲージが接着されている部分の変位量とは比
例する。ここで各部分のひずみゲージを直列に接続すれ
ば、積層体1Bの変位量は直列接続したひずみゲージの
抵抗変化を測定することによって測定できる。本実施例
はこの原理にしたがってひずみゲージを選択している。
ージが長さLの物体に接着されておりεのひずみ率で変
形するときΔLの変位が生じ、ひずみゲージにΔRの抵
抗変化が発生したとすると、 ΔL=L×ε=L×(ΔR/R)/K =ΔR×{L/(R×K)} となる。したがって本実施例のように保護層3a,3b
と活性部2のそれぞれにひずみゲージが接着されている
場合、ひずみゲージの抵抗値とゲージ率との積をそのひ
ずみゲージが接着されている部分の長さに比例するよう
にすれば、すなわち各部分でL:(R×K)が一定にな
るようにすれば、それぞれのひずみゲージの抵抗変化と
そのひずみゲージが接着されている部分の変位量とは比
例する。ここで各部分のひずみゲージを直列に接続すれ
ば、積層体1Bの変位量は直列接続したひずみゲージの
抵抗変化を測定することによって測定できる。本実施例
はこの原理にしたがってひずみゲージを選択している。
【0029】この様な構成にすることによって第1の実
施例ではひとつひとつのひずみゲージに対応した三つの
ブリッジ回路が必要でありさらに三つのひずみ信号を演
算装置で処理しなければならなかったのが、本実施例で
は一つのブリッジ回路で済みしかも演算装置も必要なく
なる。
施例ではひとつひとつのひずみゲージに対応した三つの
ブリッジ回路が必要でありさらに三つのひずみ信号を演
算装置で処理しなければならなかったのが、本実施例で
は一つのブリッジ回路で済みしかも演算装置も必要なく
なる。
【0030】次に、図4に示すのは本発明の第3の実施
例の斜視図である。同図において、積層体1Bは第1の
実施例と同じものを用いている。保護層3a,3bは同
じ材料でできており断面積とヤング率が等しいので、外
力に対するひずみが等しい。又、熱膨張率が等しいので
温度変化に対するひずみも等しい。したがって両者のひ
ずみは常に等しいので、どちらか一方にのみひずみゲー
ジを接着しひずみゲージを減らすことができる。但し、
一つにされたひずみゲージ8bの抵抗変化を両方の保護
層3a,3bに見合う大きさにするため、保護層3aと
3bの長さの和で計算した抵抗値を持つひずみゲージ8
bを選択する。本実施例ではひずみゲージ8bを保護層
3bにのみはり、保護層3aには何も貼っていない。こ
のひずみゲージ8bは30Ω,ひずみゲージ8cは90
オームで、ゲージ率は共に2である。
例の斜視図である。同図において、積層体1Bは第1の
実施例と同じものを用いている。保護層3a,3bは同
じ材料でできており断面積とヤング率が等しいので、外
力に対するひずみが等しい。又、熱膨張率が等しいので
温度変化に対するひずみも等しい。したがって両者のひ
ずみは常に等しいので、どちらか一方にのみひずみゲー
ジを接着しひずみゲージを減らすことができる。但し、
一つにされたひずみゲージ8bの抵抗変化を両方の保護
層3a,3bに見合う大きさにするため、保護層3aと
3bの長さの和で計算した抵抗値を持つひずみゲージ8
bを選択する。本実施例ではひずみゲージ8bを保護層
3bにのみはり、保護層3aには何も貼っていない。こ
のひずみゲージ8bは30Ω,ひずみゲージ8cは90
オームで、ゲージ率は共に2である。
【0031】次に、図5(a)に示す第4の実施例は、
図4に示す第3の実施例ではひずみゲージ8bと8cと
が別々に接着さているのに対して、図5(b)に示すよ
うなあらかじめ同一のベース17上に直列接続された形
でゲージ部18a,18bを形成したひずみゲージ8を
はりつけ、接続の信頼性の向上および製造工数の低減を
計ったものである。ゲージ部18a,18bの抵抗値は
各々30Ωと90Ωでありゲージ率はともに1.98で
ある。
図4に示す第3の実施例ではひずみゲージ8bと8cと
が別々に接着さているのに対して、図5(b)に示すよ
うなあらかじめ同一のベース17上に直列接続された形
でゲージ部18a,18bを形成したひずみゲージ8を
はりつけ、接続の信頼性の向上および製造工数の低減を
計ったものである。ゲージ部18a,18bの抵抗値は
各々30Ωと90Ωでありゲージ率はともに1.98で
ある。
【0032】図6に示す第5の実施例では、120Ωの
ひずみゲージ8を活性部2と保護層3bの境界に接着し
てある。ひずみゲージ8の接着位置はゲージ部が保護層
3bの上に重なる長さL1 と活性部2の上に重なる長さ
L2 の比をL1 :L2 =3:1としてある。これは90
Ωと30Ωのひずみゲージを直列に接続したのと同じ事
であり、一つのゲージ部を有する一つのひずみゲージで
第3および第4の実施例と同様の効果を得ることができ
る。しかも、同一のひずみゲージではゲージ率は等しい
ので長さの比のみ考慮すれば良いという利点がある。
ひずみゲージ8を活性部2と保護層3bの境界に接着し
てある。ひずみゲージ8の接着位置はゲージ部が保護層
3bの上に重なる長さL1 と活性部2の上に重なる長さ
L2 の比をL1 :L2 =3:1としてある。これは90
Ωと30Ωのひずみゲージを直列に接続したのと同じ事
であり、一つのゲージ部を有する一つのひずみゲージで
第3および第4の実施例と同様の効果を得ることができ
る。しかも、同一のひずみゲージではゲージ率は等しい
ので長さの比のみ考慮すれば良いという利点がある。
【0033】図7にしめす第6の実施例は、図3に示す
第2の実施例にステンレス鋼(15ppm/℃)製で長
さが4mmの温度補償部材19を接着し、この温度補償
部材19にもひずみゲージ8dを接着したものである。
本実施例では、積層体1Bは温度1℃上がると長さが
0.06μm縮むので、圧電アクチュエータとしての合
計の熱膨張はほぼ0になる。ここで各ひずみゲージ8
a,8b,8c,8dをそれぞれ、72Ω,12Ω,1
2Ω,24Ωとし直列に接続することにより、外力が変
化したときの温度補償部材19と積層体1Bとの弾性ひ
ずみの違いによる目標変位量との不一致を補正すること
ができる。すなわち、従来の圧電アクチュエータでは温
度特性改善のために温度補償部材19を取り付けると、
外力の変化に伴って温度補償部材19でのひずみと積層
体1Bでのひずみに大きな違いがでることから、実際上
はこのような温度補償部材を取り付けることができなか
ったのに対して、本実施例は温度の変化のみならず外力
の変化に対しても正しい変位を示す。例えば、温度補償
部材を取り付けていない従来の圧電アクチュエータでは
印加電圧に対する変位の制御可能範囲が50℃で3μm
ほどであったのが、本実施例では制御可能範囲は50℃
で0.5μm以下となり、さらに力を加えたときのずれ
も100kgfで1.5μm以下であった。
第2の実施例にステンレス鋼(15ppm/℃)製で長
さが4mmの温度補償部材19を接着し、この温度補償
部材19にもひずみゲージ8dを接着したものである。
本実施例では、積層体1Bは温度1℃上がると長さが
0.06μm縮むので、圧電アクチュエータとしての合
計の熱膨張はほぼ0になる。ここで各ひずみゲージ8
a,8b,8c,8dをそれぞれ、72Ω,12Ω,1
2Ω,24Ωとし直列に接続することにより、外力が変
化したときの温度補償部材19と積層体1Bとの弾性ひ
ずみの違いによる目標変位量との不一致を補正すること
ができる。すなわち、従来の圧電アクチュエータでは温
度特性改善のために温度補償部材19を取り付けると、
外力の変化に伴って温度補償部材19でのひずみと積層
体1Bでのひずみに大きな違いがでることから、実際上
はこのような温度補償部材を取り付けることができなか
ったのに対して、本実施例は温度の変化のみならず外力
の変化に対しても正しい変位を示す。例えば、温度補償
部材を取り付けていない従来の圧電アクチュエータでは
印加電圧に対する変位の制御可能範囲が50℃で3μm
ほどであったのが、本実施例では制御可能範囲は50℃
で0.5μm以下となり、さらに力を加えたときのずれ
も100kgfで1.5μm以下であった。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の圧電アク
チュエータは、駆動電圧により発生するひずみ、弾性に
より発生するひずみおよび熱膨張により発生するひずみ
が異なる複数の部分からなり、それぞれの部分のひずみ
を検出するためのひずみゲージが設けられている。
チュエータは、駆動電圧により発生するひずみ、弾性に
より発生するひずみおよび熱膨張により発生するひずみ
が異なる複数の部分からなり、それぞれの部分のひずみ
を検出するためのひずみゲージが設けられている。
【0035】これにより本発明によれば、駆動電圧によ
るひずみだけを検出する従来の圧電アクチュエータとは
異なって、外力が変化した場合や温度が変化した場合で
も、それぞれの部分のひずみを検出することができるの
で、それらの部分から検出されたひずみによって圧電ア
クチュエータ全体としての変位量を検出し、駆動電圧に
フィードバックすることにより、外力や温度が変化した
ときの変位量の制御精度を従来の圧電アクチュエータに
おけるよりも更に高めることができる。更に、積層構造
部分が圧電特性の異なる材料からなる複数部分で構成さ
れている圧電アクチュエータでも、変位量の精度を維持
することができる。
るひずみだけを検出する従来の圧電アクチュエータとは
異なって、外力が変化した場合や温度が変化した場合で
も、それぞれの部分のひずみを検出することができるの
で、それらの部分から検出されたひずみによって圧電ア
クチュエータ全体としての変位量を検出し、駆動電圧に
フィードバックすることにより、外力や温度が変化した
ときの変位量の制御精度を従来の圧電アクチュエータに
おけるよりも更に高めることができる。更に、積層構造
部分が圧電特性の異なる材料からなる複数部分で構成さ
れている圧電アクチュエータでも、変位量の精度を維持
することができる。
【図1】本発明の第1の実施例の斜視図である。
【図2】本発明の第1の実施例における変位検出・制御
回路のブロック図である。
回路のブロック図である。
【図3】本発明の第2の実施例の斜視図である。
【図4】本発明の第3の実施例の斜視図である。
【図5】分図(a)は、本発明の第4の実施例の斜視図
である。分図(b)は、本発明の第4の実施例における
ひずみゲージの平面図である。
である。分図(b)は、本発明の第4の実施例における
ひずみゲージの平面図である。
【図6】本発明の第5の実施例の斜視図である。
【図7】本発明の第6の実施例の斜視図である。
【図8】従来の技術によるひずみゲージ付き積層型圧電
アクチュエータの一例の斜視図である。
アクチュエータの一例の斜視図である。
【図9】積層型圧電アクチュエータに用いられる積層体
の一例の斜視図である。
の一例の斜視図である。
1A,1B 積層体 1a 積層端面 2 活性部 3a,3b 保護層 4 圧電セラミック層 5 内部電極層 6 絶縁体 7a,7b 外部電極 8,8a,8b,8c,8d ひずみゲージ 9 ゲージリード 10a,10b,10c ブリッジ 11 定電圧電源 12a,12b,12c ひずみ信号 13 演算装置 14 変位信号 15 フィードバック制御装置 16 制御信号 17 ベース 18a,18b ゲージ部 19 温度補償部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H02N 2/00 B 8525−5H
Claims (5)
- 【請求項1】 少なくとも、圧電性を示すセラミックの
層と内部電極層とが交互に積層されてなり外部から印加
される駆動電圧に応じて前記セラミックの層および前記
内部電極層に垂直な軸に沿ったひずみを発生する積層構
造の活性部を含む構造体であって、前記構造体が前記垂
直軸に沿って複数の部分からなり、前記複数の部分は互
いに隣り合う部分どうしが、前記駆動電圧により生ずる
前記垂直軸に沿ったひずみ、弾性により生ずる前記垂直
軸に沿ったひずみおよび熱膨張により生ずる前記垂直軸
に沿ったひずみのうち少なくとも一つが互いに異なるよ
うにされた圧電アクチュエータにおいて、 前記複数の部分のそれぞれに、それぞれの部分が発生す
る前記垂直軸に沿ったひずみを検出するためのひずみゲ
ージを固着したことを特徴とする圧電アクチュエータ。 - 【請求項2】 請求項1記載の圧電アクチュエータにお
いて、 前記ひずみゲージは、それぞれの抵抗値とゲージ率との
積が、それぞれのひずみゲージが固着された前記それぞ
れの部分の前記垂直軸に沿った長さに比例する特性を有
し、直列に接続されていることを特徴とする圧電アクチ
ュエータ。 - 【請求項3】 請求項2記載の圧電アクチュエータにお
いて、 前記複数の部分が前記垂直軸に沿った三つのひずみがす
べて同一で互いに隣り合わない二以上の部分を含む場
合、前記二以上の部分においてはそのうちの一つの部分
に限り、抵抗値とゲージ率との積が前記二以上の部分の
それぞれの前記垂直軸に沿った長さの和に比例するひず
みゲージを固着したことを特徴とする圧電アクチュエー
タ。 - 【請求項4】 請求項1,請求項2又は請求項3記載の
圧電アクチュエータにおいて、 二以上のひずみゲージを同一のベース上に形成し、前記
二以上のひずみゲージのそれぞれがひずみを検出すべき
前記それぞれの部分に配置されるように、前記ベースを
前記それぞれの部分どうしの境界を含む領域に固着した
ことを特徴とする圧電アクチュエータ。 - 【請求項5】 請求項2又は請求項3記載の圧電アクチ
ュエータにおいて、 前記構造体を構成し互いに隣り合う第一の部分および第
二の部分のそれぞれが発生するひずみを検出する少なく
とも一組のひずみゲージに換えて、一つのひずみゲージ
を前記第1の部分および前記第2の部分の境界を含む領
域に固着し、前記一つのひずみゲージを、そのゲージ部
の前記第一の部分に位置する長さと前記第二の部分に位
置する長さとの比が、前記第一の部分の前記垂直軸に沿
った長さと前記第二の部分の前記垂直軸に沿った長さと
の比に等しくなるように構成したことを特徴とする圧電
アクチュエータ。
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